1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：襯底基板(10)、設(shè)于所述襯底基板(10)上的掃描線(11)、設(shè)于所述襯底基板(10)上的柵極(12)、設(shè)于所述掃描線(11)、柵極(12)及襯底基板(10)上的柵極絕緣層(20)、設(shè)于所述柵極絕緣層(20)上且對應(yīng)于柵極(12)的有源層(30)、設(shè)于所述有源層(30)及柵極絕緣層(20)上的數(shù)據(jù)線(41)、以及設(shè)于所述有源層(30)及柵極絕緣層(20)上的源極(42)與漏極(43)；
所述柵極(12)連接至所述掃描線(11)一側(cè)；所述源極(42)連接至所述數(shù)據(jù)線(41)一側(cè)，所述漏極(43)與所述源極(42)間隔設(shè)置；所述源極(42)、及漏極(43)分別與所述有源層(30)的兩側(cè)相接觸；
所述掃描線(11)與數(shù)據(jù)線(41)相交叉，交叉處形成第一重疊區(qū)域(100)；所述柵極(12)與位于所述有源層(30)一側(cè)的源極(42)之間形成第二重疊區(qū)域(200)，同時所述柵極(12)與位于所述有源層(30)另一側(cè)的漏極(43)之間形成第三重疊區(qū)域(300)；
所述掃描線(11)與柵極(12)上對應(yīng)于第一、第二、及第三重疊區(qū)域(100、200、300)中的至少一處設(shè)有凹槽(50)。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極(12)上對應(yīng)于所述柵極(12)與漏極(43)之間的第三重疊區(qū)域(300)設(shè)有一凹槽(50)。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極(12)上對應(yīng)于所述柵極(12)與源極(42)之間的第二重疊區(qū)域(200)、以及所述柵極(12)與漏極(43)之間的第三重疊區(qū)域(300)分別設(shè)有一個凹槽(50)。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述掃描線(11)上對應(yīng)于所述掃描線(11)與數(shù)據(jù)線(41)的交叉處的第一重疊區(qū)域(100)設(shè)有一凹槽(50)。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括設(shè)于所述有源層(30)、源極(42)、漏極(43)、及柵極絕緣層(20)上的層間介電層(60)、以及設(shè)于所述層間介電層(60)上的像素電極(70)；
所述層間介電層(60)上設(shè)有對應(yīng)于所述漏極(43)上方的過孔(61)，所述像素電極(70)經(jīng)由過孔(61)與所述漏極(43)相接觸。
6.一種如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、提供一襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上形成掃描線(11)、及連接至所述掃描線(11)一側(cè)的柵極(12)；
所述掃描線(11)與柵極(12)上對應(yīng)于所述掃描線(11)、及柵極(12)與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線(41)、源極(42)、及漏極(43)之間的第一、第二、及第三重疊區(qū)域(100、200、300)中的至少一處設(shè)有凹槽(50)；
所述掃描線(11)、及柵極(12)與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線(41)、源極(42)、及漏極(43)之間的第一、第二、及第三重疊區(qū)域(100、200、300)包括所述掃描線(11)與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線(41)交叉處的第一重疊區(qū)域(100)、所述柵極(12)與后續(xù)形成的源極(42)之間的第二重疊區(qū)域(200)、以及所述柵極(12)與后續(xù)形成的漏極(43)之間的第三重疊區(qū)域(300)；
步驟2、在掃描線(11)、柵極(12)、及襯底基板(10)上形成柵極絕緣層(20)；
在所述柵極絕緣層(20)上形成有源層(30)；
在所述有源層(30)、及柵極絕緣層(20)上形成數(shù)據(jù)線(41)、源極(42)、及漏極(43)；
所述源極(42)連接至所述數(shù)據(jù)線(41)一側(cè)，所述漏極(43)與所述源極(42)間隔設(shè)置；所述源極(42)、及漏極(43)分別與所述有源層(30)的兩側(cè)相接觸。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述步驟1具體包括：
步驟11、提供一襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上形成一導電層(80)；
步驟12、在所述導電層(80)上形成光阻層(90)，采用一半色調(diào)光罩對所述光阻層(90)進行圖形化處理，保留的光阻層(90)用來定義掃描線(11)與柵極(12)的圖形，并且所述保留的光阻層(90)上設(shè)有至少一個凹槽(91)；
所述至少一個凹槽(91)對應(yīng)于掃描線(11)與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線(41)交叉處的第一重疊區(qū)域(100)、柵極(12)與后續(xù)形成的源極(42)之間的第二重疊區(qū)域(200)、以及柵極(12)與后續(xù)形成的漏極(43)之間的第三重疊區(qū)域(300)中的至少一處；
對所述導電層(80)上未被保留的光阻層(90)遮擋的區(qū)域進行蝕刻，形成掃描線(11)與柵極(12)；
步驟13、對保留的光阻層(90)進行灰化處理，所述保留的光阻層(90)上設(shè)有至少一個凹槽(91)的位置變?yōu)橹辽僖粋€通孔(92)，其余位置的厚度降低；
步驟14、以灰化后的光阻層(90)為遮擋層，對所述掃描線(11)與柵極(12)中的至少一個進行蝕刻，在所述掃描線(11)與柵極(12)中的至少一個上形成至少一個凹槽(50)；
剝離剩余的光阻層(90)。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，所述柵極(12)上對應(yīng)于所述柵極(12)與后續(xù)形成的漏極(43)之間的第三重疊區(qū)域(300)設(shè)有一凹槽(50)；
所述步驟1具體包括：
步驟11、提供一襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上形成一導電層(80)；
步驟12、在所述導電層(80)上形成光阻層(90)，采用一半色調(diào)光罩對所述光阻層(90)進行圖形化處理，保留的光阻層(90)用來定義掃描線(11)與柵極(12)的圖形，并且所述保留的光阻層(90)上設(shè)有一凹槽(91)；所述凹槽(91)對應(yīng)于柵極(12)與后續(xù)形成的漏極(43)之間的第三重疊區(qū)域(300)；
對所述導電層(80)上未被保留的光阻層(90)遮擋的區(qū)域進行蝕刻，形成掃描線(11)與柵極(12)；
步驟13、對保留的光阻層(90)進行灰化處理，所述保留的光阻層(90)上設(shè)有一凹槽(91)的位置變?yōu)橐煌?92)，其余位置的厚度降低；
步驟14、以灰化后的光阻層(90)為遮擋層，對柵極(12)進行蝕刻，在所述柵極(12)上形成一凹槽(50)；
剝離剩余的光阻層(90)。
9.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，所述柵極(12)上對應(yīng)于所述柵極(12)與后續(xù)形成的源極(42)之間的第二重疊區(qū)域(200)、以及所述柵極(12)與后續(xù)形成的漏極(43)之間的第三重疊區(qū)域(300)分別設(shè)有一個凹槽(50)；
所述步驟1具體包括：
步驟11、提供一襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上形成一導電層(80)；
步驟12、在所述導電層(80)上形成光阻層(90)，采用一半色調(diào)光罩對所述光阻層(90)進行圖形化處理，保留的光阻層(90)用來定義掃描線(11)與柵極(12)的圖形，并且所述保留的光阻層(90)上設(shè)有兩個凹槽(91)；所述兩個凹槽(91)分別對應(yīng)于柵極(12)與后續(xù)形成的源極(42)之間的第二重疊區(qū)域(200)、以及柵極(12)與后續(xù)形成的漏極(43)之間的第三重疊區(qū)域(300)；
對所述導電層(80)上未被保留的光阻層(90)遮擋的區(qū)域進行蝕刻，形成掃描線(11)與柵極(12)；
步驟13、對保留的光阻層(90)進行灰化處理，所述保留的光阻層(90)上設(shè)有兩個凹槽(91)的位置變?yōu)閮蓚€通孔(92)，其余位置的厚度降低；
步驟14、以灰化后的光阻層(90)為遮擋層，對柵極(12)進行蝕刻，在所述柵極(12)上形成兩個凹槽(50)；
剝離剩余的光阻層(90)。
10.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，還包括步驟3、在所述有源層(30)、源極(42)、漏極(43)、及柵極絕緣層(20)上形成層間介電層(60)，對所述層間介電層(60)進行圖形化處理，在所述層間介電層(60)上形成對應(yīng)于所述漏極(43)上方的過孔(61)；
在所述層間介電層(60)上形成像素電極(70)，所述像素電極(70)經(jīng)由過孔(61)與所述漏極(43)相接觸。