本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管是有源矩陣顯示器件中一個非常重要的半導(dǎo)體器件，其中有源層可以選擇以銦鎵鋅氧化物(簡稱IGZO)為代表的透明氧化物半導(dǎo)體材料制作，這類透明氧化物半導(dǎo)體材料具有遷移率高、均一性好、透明等優(yōu)點，能夠極大的提高有源矩陣顯示器件的顯示效果。

但是，由于透明氧化物半導(dǎo)體材料在受到光照的情況下不夠穩(wěn)定，使得薄膜晶體管在受到光照的情況下，薄膜晶體管的漏電流的增加，導(dǎo)致薄膜晶體管的穩(wěn)定性降低。

例如：圖1示出了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管的有源層采用銦鎵鋅氧化物制成。當光線(如背光)從襯底基板5的底部射向薄膜晶體管的源漏極4時，一部分光線有可能在源漏極4與柵極絕緣層2所形成的斜坡界面a發(fā)生折射或反射，并按照圖1中箭頭所示光路最終射到有源層3，使得有源層3的性能受到影響，導(dǎo)致薄膜晶體管的穩(wěn)定性變差。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，以在薄膜晶體管受到光照的情況下，避免薄膜晶體管的漏電流增加，從而提高薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管中設(shè)有遮光層，所述遮光層用于遮擋所述薄膜晶體管中被柵極層反射到有源層的光線；其中，

所述遮光層位于所述薄膜晶體管的柵極層與柵極絕緣層之間；或，

所述遮光層位于所述薄膜晶體管的柵極絕緣層內(nèi)。

優(yōu)選的，所述薄膜晶體管包括柵極層、柵極絕緣層、有源層和源漏極；所述柵極絕緣層形成在柵極層上，所述有源層形成在柵極絕緣層上，所述源漏極形成在所述有源層和柵極絕緣層上；所述源漏極的底部與所述柵極絕緣層的頂部所形成的接觸界面為臺階狀界面；所述臺階狀界面包括上臺界面、下臺界面，以及連接上臺界面和下臺界面的斜坡界面；所述斜坡界面與下臺界面的連接處為所述斜坡界面的坡底；

所述斜坡界面在投影平面的正投影位于所述遮光層在投影平面的正投影內(nèi)；或，

所述遮光層在投影平面的正投影的輪廓線與所述斜坡界面的坡底在投影平面的正投影重合；

其中，所述投影平面與所述柵極層的底面平行。

較佳的，所述柵極層在投影平面的正投影位于所述遮光層在投影平面的正投影內(nèi)，所述有源層在投影平面的正投影位于所述遮光層在投影平面的正投影內(nèi)。

較佳的，當所述遮光層位于所述薄膜晶體管的柵極絕緣層內(nèi)，所述柵極絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層，所述遮光層位于所述第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層之間，所述第一柵極絕緣層與所述柵極層接觸，所述第二柵極絕緣層分別與所述源漏極的底部和所述有源層的底部接觸；所述源漏極與所述第二柵極絕緣層所形成的接觸界面為臺階狀界面。

優(yōu)選的，所述遮光層的材料為導(dǎo)電性遮光材料或非導(dǎo)電性遮光材料。

較佳的，當所述遮光層位于所述薄膜晶體管的柵極層與柵極絕緣層之間，所述遮光層的材料為非導(dǎo)電性遮光材料。

較佳的，當所述遮光層位于所述薄膜晶體管的柵極絕緣層內(nèi)，所述導(dǎo)電性遮光材料與黑矩陣材料相同。

優(yōu)選的，所述遮光層的厚度為

優(yōu)選的，所述有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體。

較佳的，所述有源層的材料為銦鎵鋅氧化物，氧化銦錫或氧化銦鋅。

優(yōu)選的，所述薄膜晶體管為背溝道刻蝕型薄膜晶體管或刻蝕阻擋型薄膜晶體管。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的薄膜晶體管的有益效果如下：

本發(fā)明提供薄膜晶體管中設(shè)有遮光層，遮光層位于薄膜晶體管的柵極層與柵極絕緣層之間，或位于薄膜晶體管的柵極絕緣層內(nèi)，使得遮光層能夠遮擋薄膜晶體管中被柵極層反射到有源層的光線，這樣就能降低光線通過柵極層被反射到有源層上的機率，從而減少有源層因為光照原因所導(dǎo)致的薄膜晶體管的漏電流增加問題，從而保證薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括上述技術(shù)方案提供的所述的薄膜晶體管。

優(yōu)選的，所述薄膜晶體管形成在襯底基板上，所述薄膜晶體管中的遮光層位于所述陣列基板的非透光區(qū)域。

較佳的，當所述薄膜晶體管中的有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體時，所述襯底基板為柔性襯底基板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的陣列基板的有益效果與上述技術(shù)方案提供的薄膜晶體管的有益效果相同，在此不做贅述。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案提供的所述的陣列基板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的顯示裝置的有益效果與上述技術(shù)方案提供的薄膜晶體管的有益效果相同，在此不做贅述。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的第一種薄膜晶體管在遮光層的第一種位置關(guān)系的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的第一種薄膜晶體管在遮光層的第二種位置關(guān)系的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的第二種薄膜晶體管在遮光層的第一種位置關(guān)系的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的第二種薄膜晶體管在遮光層的第二種位置關(guān)系的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖標記：

1-柵極層， 2-柵極絕緣層；

21-第一柵極絕緣層， 22-第二柵極絕緣層；

3-有源層， 4-源漏極；

5-襯底基板， 6-遮光層。

具體實施方式

為了進一步說明本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，下面結(jié)合說明書附圖進行詳細描述。

請參閱圖2-圖5，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中設(shè)有遮光層6，遮光層6用于遮擋薄膜晶體管中被柵極層1反射到有源層3的光線；其中，請參閱圖2和圖3，遮光層6位于薄膜晶體管的柵極層1與柵極絕緣層2之間；或，請參閱圖4和圖5，遮光層6位于薄膜晶體管的柵極絕緣層2內(nèi)。

具體實施時，光線按照圖2-圖3或圖4-圖5中箭頭所示方向穿過薄膜晶體管時，遮光層6遮擋薄膜晶體管中被柵極層1反射到有源層3的光線。

通過上述具體實施過程可知，本發(fā)明實施例提供薄膜晶體管中設(shè)有遮光層6，而遮光層6位于薄膜晶體管的柵極層1與柵極絕緣層2之間，或位于薄膜晶體管的柵極絕緣層2內(nèi)，使得遮光層6能夠遮擋薄膜晶體管中被柵極層1反射到有源層3的光線，這樣就能降低光線通過柵極層1被反射到有源層3上的機率，從而減少有源層3因為光照原因所導(dǎo)致的薄膜晶體管的漏電流增加問題，從而保證薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

值得注意的是，由于遮光層6用于遮光，其并不需要特定的掩膜板制作圖案，因此，在制備薄膜晶體管時，只要將遮光層6所用的材料涂布在柵極層1上面或填充在柵極絕緣層2中即可，而不用圖案化處理，即無需曝光、顯影、刻蝕及剝離等復(fù)雜工序。而且，在保障遮光層6遮光能力的前提下，遮光層6的厚度盡可能的比較薄，這樣就能降低薄膜晶體管所占用的空間，使得薄膜晶體管應(yīng)用于顯示面板時，減少薄膜晶體管因占用空間問題對顯示面板輕薄化所造成的影響；經(jīng)試驗證明，遮光層6的厚度為時，遮光層6的遮光能力不受到影響，且能夠使得薄膜晶體管所占用的空間比較小。

需要說明的是，上述實施例提供的薄膜晶體管可以為背溝道刻蝕型薄膜晶體管或刻蝕阻擋型薄膜晶體管，可以根據(jù)實際需要選擇，只要其中具備上述特征的遮光層6即可。

請參閱圖2和圖3，上述實施例中的薄膜晶體管包括柵極層1、柵極絕緣層2、有源層3和源漏極4；柵極絕緣層2形成在柵極層1上，有源層3形成在柵極絕緣層2上，源漏極4形成在有源層3和柵極絕緣層2上；源漏極4的底部與柵極絕緣層2的頂部所形成的接觸界面為臺階狀界面；該臺階狀界面包括上臺界面c、下臺界面b，以及連接上臺界面c和下臺界面b的斜坡界面a；斜坡界面a與下臺界面b的連接處為斜坡界面的坡底。

可選的，當遮光層6位于薄膜晶體管的柵極絕緣層2內(nèi)，可以將柵極絕緣層2看作兩部分，即柵極絕緣層2包括第一柵極絕緣層21和第二柵極絕緣層22，遮光層6位于第一柵極絕緣層21和第二柵極絕緣層22之間，第一柵極絕緣層21的底部與柵極層1接觸，第二柵極絕緣層22的頂部分別與源漏極4的底部和有源層3的底部接觸；源漏極4的底部與第二柵極絕緣層22的頂部所形成的接觸界面為臺階狀界面。

而考慮到遮光層6的尺寸，對遮光層6遮光能力的影響，下面結(jié)合附圖給出遮光層6在投影平面的正投影的兩種位置關(guān)系，以說明遮光層6的尺寸對遮光能力的影響；其中，投影平面與柵極層的底面平行。

第一種位置關(guān)系：如圖2和圖4所示，遮光層6在投影平面的正投影的輪廓線與斜坡界面a的坡底在投影平面的正投影重合；

第二種位置關(guān)系：如圖3和圖5，斜坡界面a在投影平面的正投影位于遮光層6在投影平面的正投影內(nèi)。

從上述兩種相對位置關(guān)系的描述可以發(fā)現(xiàn)，第二種位置關(guān)系時，遮光層6在投影平面的尺寸比較大，而第一種位置關(guān)系時，遮光層6在投影平面的尺寸比較小，而由于兩種相對位置關(guān)系下，投影平面與柵極層1的底面平行，因此，當光線垂直于柵極層1的底面穿過第二種位置關(guān)系對應(yīng)的薄膜晶體管時，遮光層6能夠遮擋更多照射到源漏極4的光線，而照射到源漏極4的光線越少，在斜坡界面a處發(fā)生折射或反射的光線也就越少，相應(yīng)的，柵極層1的頂部來自斜坡界面a的光線也就越少，這樣?xùn)艠O層1的頂部反射到有源層3上的光線就會得到進一步減少，從而增加薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

而且，由于投影平面與柵極層1的底面平行，且顯示器中背光模組提供的背光在穿過顯示面板中的薄膜晶體管時，背光垂直于薄膜晶體管的中柵極層1的底面穿過薄膜晶體管，因此，第二種位置關(guān)系對應(yīng)的薄膜晶體管應(yīng)用于顯示裝置的陣列基板時，薄膜晶體管中的遮光層6能夠更多的遮擋照射到源漏極4的背光，從而進一步降低背光對有源層穩(wěn)定性的影響。

另外，雖然第二種位置關(guān)系時，遮光層6在投影平面的尺寸比較大，但是當薄膜晶體管用于陣列基板時，如果遮光層6的尺寸不受限制的增大，其會影響陣列基板的開口率；因此，當薄膜晶體管用于陣列基板時，遮光層6優(yōu)選的位于陣列基板的非透光區(qū)域，以避免對陣列基板的開口率影響。

可以理解的是，請參閱圖2-圖5，上述實施例中的柵極層1在投影平面的正投影位于遮光層6在投影平面的正投影內(nèi)，有源層3在投影平面的正投影位于遮光層6在投影平面的正投影內(nèi)，這樣光線從柵極層1的底部穿過薄膜晶體管時，光線不會穿過柵極層1、柵極絕緣層2照射到有源層3，即使光線有可能穿過柵極層1，也會被有源層6遮擋，使光線無法照射到有源層3。

值得注意的是，本實施例中遮光層6的材料可以為導(dǎo)電性遮光材料或非導(dǎo)電性遮光材料，非導(dǎo)電性遮光材料，可以考慮黑色樹脂、遮光膠帶等，也可以根據(jù)實際情況選擇，而導(dǎo)電性遮光材料可以選擇與黑矩陣材料相同的材料，也可以為普通的不透光金屬材料，如銅、鋁等材料。

當遮光層6的材料為導(dǎo)電性遮光材料，且遮光層6位于薄膜晶體管的柵極層1與柵極絕緣層2之間時，由于柵極層1能夠?qū)щ?，?dǎo)電性遮光材料制成的遮光層6能夠與柵極層1形成電容，而影響薄膜晶體管的導(dǎo)電性，因此，遮光層6位于薄膜晶體管的柵極層1與柵極絕緣層2之間時，遮光層6的材料優(yōu)選為非導(dǎo)電性遮光材料。

當遮光層6的材料為導(dǎo)電性遮光材料，且遮光層6位于薄膜晶體管的柵極絕緣層2內(nèi)，由于柵極絕緣層2能夠阻擋遮光層6與柵極層1有源層3或源漏極4形成電容，這樣就能夠避免薄膜晶體管的電學(xué)性能受到影響，因此，當遮光層6位于薄膜晶體管的柵極絕緣層2內(nèi)，遮光層6的材料可以為任意具有遮光性能的材料。而為了使得薄膜晶體管的制備更加具有可操作性，遮光層6的材料優(yōu)選的與黑矩陣材料相同，這樣就可以充分利用制備彩膜基板時，所需的黑矩陣材料，減少顯示面板所涉及的材料種類。

示例性的，當柵極絕緣層2的結(jié)構(gòu)如圖4和圖5所示的結(jié)構(gòu)時，第一柵極絕緣層21和第二柵極絕緣層22能夠?qū)⒄诠鈱?與薄膜晶體管中的柵極層1有源層3或源漏極4隔絕，從而避免遮光層6與柵極層1有源層3或源漏極4形成電容。

需要說明的是，上述實施例中有源層3的材料可以為常規(guī)的半導(dǎo)體材料，也可以為氧化物半導(dǎo)體，只是當有源層3的材料為氧化物半導(dǎo)體時，由氧化物半導(dǎo)體制成的有源層對光照的敏感度比較高，使得遮光層6提高薄膜晶體管的穩(wěn)定性的作用更加突出。至于氧化物半導(dǎo)體的材料具體可以選擇銦鎵鋅氧化物，氧化銦錫或氧化銦鋅，但不僅限于此。

本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，包括上述技術(shù)方案提到的薄膜晶體管。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的陣列基板的有益效果與上述技術(shù)方案提供的薄膜晶體管的有益效果相同，在此不做贅述。

可選的，上述實施例中的薄膜晶體管形成在襯底基板5上，該薄膜晶體管中的遮光層6位于陣列基板的非透光區(qū)域，這樣就不會影響陣列基板的開口率。

另外，當薄膜晶體管中的有源層3的材料為氧化物半導(dǎo)體時，薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管，這種薄膜晶體管可以制作在柔性襯底基板上，因此，當薄膜晶體管中的有源層3的材料為氧化物半導(dǎo)體時，上述實施例中的襯底基板5優(yōu)選為柔性襯底基板，使得陣列基板能夠應(yīng)用于柔性顯示裝置中。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案提供的陣列基板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例提供的顯示裝置的有益效果與上述技術(shù)方案提供的薄膜晶體管的有益效果相同，在此不做贅述。

上述實施例提供的顯示裝置可以為手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框或?qū)Ш絻x等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

在上述實施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。