本發(fā)明涉及薄膜晶體管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)具有機(jī)身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用，如：移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕等。

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器，也稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄、響應(yīng)速度快，而且易于實(shí)現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實(shí)現(xiàn)和集成電路驅(qū)動器相匹配、易于實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，因而具有廣闊的應(yīng)用前景。

OLED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)是目前液晶顯示裝置和有源矩陣驅(qū)動式有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中的主要驅(qū)動元件，直接關(guān)系到高性能平板顯示裝置的發(fā)展方向。

現(xiàn)有的薄膜晶體管通常包括柵極、掃描線、數(shù)據(jù)線、源極、及漏極，所述柵極、及掃描線與數(shù)據(jù)線、源極、及漏極之間通常存在重疊部分，這些重疊部分容易形成寄生電容，由于寄生電容的兩端分別連接到數(shù)據(jù)線與掃描線的外部電壓源上，使得寄生電容會成為數(shù)據(jù)線和掃描線的驅(qū)動負(fù)載，從而導(dǎo)致某些視覺假像的發(fā)生，例如圖像粘滯、顏色偏移和其它顏色錯誤。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管的制作方法，可降低掃描線、及柵極與數(shù)據(jù)線、源極、及漏極的重疊區(qū)域處的寄生電容，增加器件穩(wěn)定性。

本發(fā)明的目的還在于提供一種薄膜晶體管，掃描線、及柵極與數(shù)據(jù)線、源極、及漏極的重疊區(qū)域處的寄生電容小，器件穩(wěn)定性好。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種薄膜晶體管，包括：襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上的掃描線、設(shè)于所述襯底基板上的柵極、設(shè)于所述掃描線、柵極及襯底基板上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上且對應(yīng)于柵極的有源層、設(shè)于所述有源層及柵極絕緣層上的數(shù)據(jù)線、以及設(shè)于所述有源層及柵極絕緣層上的源極與漏極；

所述柵極連接至所述掃描線一側(cè)；所述源極連接至所述數(shù)據(jù)線一側(cè)，所述漏極與所述源極間隔設(shè)置；所述源極、及漏極分別與所述有源層的兩側(cè)相接觸；

所述掃描線與數(shù)據(jù)線相交叉，交叉處形成第一重疊區(qū)域；所述柵極與位于所述有源層一側(cè)的源極之間形成第二重疊區(qū)域，同時所述柵極與位于所述有源層另一側(cè)的漏極之間形成第三重疊區(qū)域；

所述掃描線與柵極上對應(yīng)于第一、第二、及第三重疊區(qū)域中的至少一處設(shè)有凹槽。

所述柵極上對應(yīng)于所述柵極與漏極之間的第三重疊區(qū)域設(shè)有一凹槽。

所述柵極上對應(yīng)于所述柵極與源極之間的第二重疊區(qū)域、以及所述柵極與漏極之間的第三重疊區(qū)域分別設(shè)有一個凹槽。

所述掃描線上對應(yīng)于所述掃描線與數(shù)據(jù)線的交叉處的第一重疊區(qū)域設(shè)有一凹槽。

所述薄膜晶體管還包括設(shè)于所述有源層、源極、漏極、及柵極絕緣層上的層間介電層、以及設(shè)于所述層間介電層上的像素電極；

所述層間介電層上設(shè)有對應(yīng)于所述漏極上方的過孔，所述像素電極經(jīng)由過孔與所述漏極相接觸。

本發(fā)明還提供一種上述薄膜晶體管的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成掃描線、及連接至所述掃描線一側(cè)的柵極；

所述掃描線與柵極上對應(yīng)于所述掃描線、及柵極與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線、源極、及漏極之間的第一、第二、及第三重疊區(qū)域中的至少一處設(shè)有凹槽；

所述掃描線、及柵極與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線、源極、及漏極之間的第一、第二、及第三重疊區(qū)域包括所述掃描線與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線交叉處的第一重疊區(qū)域、所述柵極與后續(xù)形成的源極之間的第二重疊區(qū)域、以及所述柵極與后續(xù)形成的漏極之間的第三重疊區(qū)域；

步驟2、在掃描線、柵極、及襯底基板上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成有源層；

在所述有源層、及柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)線、源極、及漏極；

所述源極連接至所述數(shù)據(jù)線一側(cè)，所述漏極與所述源極間隔設(shè)置；所述源極、及漏極分別與所述有源層的兩側(cè)相接觸。

所述步驟1具體包括：

步驟11、提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成一導(dǎo)電層；

步驟12、在所述導(dǎo)電層上形成光阻層，采用一半色調(diào)光罩對所述光阻層進(jìn)行圖形化處理，保留的光阻層用來定義掃描線與柵極的圖形，并且所述保留的光阻層上設(shè)有至少一個凹槽；

所述至少一個凹槽對應(yīng)于掃描線與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線交叉處的第一重疊區(qū)域、柵極與后續(xù)形成的源極之間的第二重疊區(qū)域、以及柵極與后續(xù)形成的漏極之間的第三重疊區(qū)域中的至少一處；

對所述導(dǎo)電層上未被保留的光阻層遮擋的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，形成掃描線與柵極；

步驟13、對保留的光阻層進(jìn)行灰化處理，所述保留的光阻層上設(shè)有至少一個凹槽的位置變?yōu)橹辽僖粋€通孔，其余位置的厚度降低；

步驟14、以灰化后的光阻層為遮擋層，對所述掃描線與柵極中的至少一個進(jìn)行蝕刻，在所述掃描線與柵極中的至少一個上形成至少一個凹槽；

剝離剩余的光阻層。

在一個具體實(shí)施例中，所述步驟1中，所述柵極上對應(yīng)于所述柵極與后續(xù)形成的漏極之間的第三重疊區(qū)域設(shè)有一凹槽；

所述步驟1具體包括：

步驟11、提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成一導(dǎo)電層；

步驟12、在所述導(dǎo)電層上形成光阻層，采用一半色調(diào)光罩對所述光阻層進(jìn)行圖形化處理，保留的光阻層用來定義掃描線與柵極的圖形，并且所述保留的光阻層上設(shè)有一凹槽；所述凹槽對應(yīng)于柵極與后續(xù)形成的漏極之間的第三重疊區(qū)域；

對所述導(dǎo)電層上未被保留的光阻層遮擋的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，形成掃描線與柵極；

步驟13、對保留的光阻層進(jìn)行灰化處理，所述保留的光阻層上設(shè)有一凹槽的位置變?yōu)橐煌?，其余位置的厚度降低?/p>

步驟14、以灰化后的光阻層為遮擋層，對柵極進(jìn)行蝕刻，在所述柵極上形成一凹槽；

剝離剩余的光阻層。

在另一個具體實(shí)施例中，所述步驟1中，所述柵極上對應(yīng)于所述柵極與后續(xù)形成的源極之間的第二重疊區(qū)域、以及所述柵極與后續(xù)形成的漏極之間的第三重疊區(qū)域分別設(shè)有一個凹槽；

所述步驟1具體包括：

步驟11、提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成一導(dǎo)電層；

步驟12、在所述導(dǎo)電層上形成光阻層，采用一半色調(diào)光罩對所述光阻層進(jìn)行圖形化處理，保留的光阻層用來定義掃描線與柵極的圖形，并且所述保留的光阻層上設(shè)有兩個凹槽；所述兩個凹槽分別對應(yīng)于柵極與后續(xù)形成的源極之間的第二重疊區(qū)域、以及柵極與后續(xù)形成的漏極之間的第三重疊區(qū)域；

對所述導(dǎo)電層上未被保留的光阻層遮擋的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，形成掃描線與柵極；

步驟13、對保留的光阻層進(jìn)行灰化處理，所述保留的光阻層上設(shè)有兩個凹槽的位置變?yōu)閮蓚€通孔，其余位置的厚度降低；

步驟14、以灰化后的光阻層為遮擋層，對柵極進(jìn)行蝕刻，在所述柵極上形成兩個凹槽；

剝離剩余的光阻層。

所述薄膜晶體管的制作方法還包括步驟3、在所述有源層、源極、漏極、及柵極絕緣層上形成層間介電層，對所述層間介電層進(jìn)行圖形化處理，在所述層間介電層上形成對應(yīng)于所述漏極上方的過孔；

在所述層間介電層上形成像素電極，所述像素電極經(jīng)由過孔與所述漏極相接觸。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種薄膜晶體管及其制作方法，通過在掃描線與柵極上對應(yīng)于掃描線與數(shù)據(jù)線交叉處的第一重疊區(qū)域、柵極與源極之間的第二重疊區(qū)域、以及柵極與漏極之間的第三重疊區(qū)域中的至少一處設(shè)置凹槽，使得該至少一處重疊區(qū)域的寄生電容的極板間距增大，從而降低寄生電容，增加器件穩(wěn)定性，避免顯示時出現(xiàn)圖像粘滯、及顏色偏移等異常現(xiàn)象。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的薄膜晶體管的俯視示意圖；

圖2為本發(fā)明的薄膜晶體管的第一實(shí)施例沿圖1A-A線的剖視示意圖；

圖3為本發(fā)明的薄膜晶體管的第二實(shí)施例沿圖1A-A線的剖視示意圖；

圖4為本發(fā)明的薄膜晶體管的第三實(shí)施例沿圖1B-B線的剖視示意圖；

圖5為本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法的流程圖；

圖6為本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法的第一實(shí)施例與第二實(shí)施例的步驟11的示意圖；

圖7為本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法的第一實(shí)施例的步驟12的示意圖；

圖8為本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法的第一實(shí)施例的步驟13的示意圖；

圖9為本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法的第一實(shí)施例的步驟14的示意圖；

圖10-11為本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法的第一實(shí)施例的步驟2的示意圖；

圖12為本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法的第二實(shí)施例的步驟12的示意圖；

圖13為本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法的第二實(shí)施例的步驟13的示意圖；

圖14為本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法的第二實(shí)施例的步驟14的示意圖；

圖15-16為本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法的第二實(shí)施例的步驟2的示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參閱圖1-4，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，包括：襯底基板10、設(shè)于所述襯底基板10上的掃描線11、設(shè)于所述襯底基板10上的柵極12、設(shè)于所述掃描線11、柵極12及襯底基板10上的柵極絕緣層20、設(shè)于所述柵極絕緣層20上且對應(yīng)于柵極12的有源層30、設(shè)于所述有源層30及柵極絕緣層20上的數(shù)據(jù)線41、以及設(shè)于所述有源層30及柵極絕緣層20上的源極42與漏極43；

所述柵極12連接至所述掃描線11一側(cè)；所述源極42連接至所述數(shù)據(jù)線41一側(cè)，所述漏極43與所述源極42間隔設(shè)置；所述源極42、及漏極43分別與所述有源層30的兩側(cè)相接觸；

所述掃描線11與數(shù)據(jù)線41相交叉，交叉處形成第一重疊區(qū)域100；所述柵極12與位于所述有源層30一側(cè)的源極42之間形成第二重疊區(qū)域200，同時所述柵極12與位于所述有源層30另一側(cè)的漏極43之間形成第三重疊區(qū)域300；

所述掃描線11與柵極12上對應(yīng)于第一、第二、及第三重疊區(qū)域100、200、300中的至少一處設(shè)有凹槽50。

進(jìn)一步的，所述薄膜晶體管還包括設(shè)于所述有源層30、源極42、漏極43、及柵極絕緣層20上的層間介電層60、以及設(shè)于所述層間介電層60上的像素電極70；

所述層間介電層60上設(shè)有對應(yīng)于所述漏極43上方的過孔61，所述像素電極70經(jīng)由過孔61與所述漏極43相接觸。

具體的，所述襯底基板10為玻璃基板。

具體的，所述掃描線11與柵極12的材料包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、及鈦(Ti)中的一種或多種的組合。

具體的，所述柵極絕緣層20為氧化硅(SiO_x)層、氮化硅(SiN_x)層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構(gòu)成的復(fù)合層。

具體的，所述有源層30的材料包括非晶硅、多晶硅、及金屬氧化物半導(dǎo)體中的至少一種。

具體的，所述數(shù)據(jù)線41、源極42、及漏極43的材料包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、及鈦(Ti)中的一種或多種的組合。

具體的，所述層間介電層60為氧化硅(SiO_x)層、氮化硅(SiN_x)層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構(gòu)成的復(fù)合層。

具體的，所述像素電極70的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物，如氧化銦錫(ITO)。

請參閱圖2，為本發(fā)明的薄膜晶體管的第一實(shí)施例，該第一實(shí)施例中，所述柵極12上對應(yīng)于所述柵極12與漏極43之間的第三重疊區(qū)域300設(shè)有一凹槽50。

請參閱圖3，為本發(fā)明的薄膜晶體管的第二實(shí)施例，該第二實(shí)施例中，所述柵極12上對應(yīng)于所述柵極12與源極42之間的第二重疊區(qū)域200、以及所述柵極12與漏極43之間的第三重疊區(qū)域300分別設(shè)有一個凹槽50。

請參閱圖4，為本發(fā)明的薄膜晶體管的第三實(shí)施例，該第三實(shí)施例中，所述掃描線11上對應(yīng)于所述掃描線11與數(shù)據(jù)線41的交叉處的第一重疊區(qū)域100設(shè)有一凹槽50。

根據(jù)寄生電容的公式C＝ε*S/4πkd，其中，C為寄生電容，ε為介電常數(shù)，S為極板正對面積，d為極板間距，k為靜電力常量。當(dāng)極板間距d增大時，寄生電容C降低。

上述薄膜晶體管，通過在掃描線11與柵極12上對應(yīng)于掃描線11與數(shù)據(jù)線41交叉處的第一重疊區(qū)域100、所述柵極12與源極42之間的第二重疊區(qū)域200、以及所述柵極12與漏極43之間的第三重疊區(qū)域300中的至少一處設(shè)置凹槽50，使得該至少一處重疊區(qū)域的寄生電容的極板間距增大，從而降低寄生電容，增加器件穩(wěn)定性，避免顯示時出現(xiàn)圖像粘滯、及顏色偏移等異常現(xiàn)象。

請參閱圖5，本發(fā)明還提供一種上述薄膜晶體管的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、請參閱圖1，同時參閱圖9或圖14，提供一襯底基板10，在所述襯底基板10上形成掃描線11、及連接至所述掃描線11一側(cè)的柵極12；

所述掃描線11與柵極12上對應(yīng)于所述掃描線11、柵極12與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線41、源極42、及漏極43之間的第一、第二、及第三重疊區(qū)域100、200、300中的至少一處設(shè)有凹槽50；

所述掃描線11、柵極12與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線41、源極42、及漏極43之間的第一、第二、及第三重疊區(qū)域100、200、300包括所述掃描線11與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線41交叉處的第一重疊區(qū)域100、所述柵極12與后續(xù)形成的源極42之間的第二重疊區(qū)域200、以及所述柵極12與后續(xù)形成的漏極43之間的第三重疊區(qū)域300。

具體的，所述步驟1包括：

步驟11、請參閱圖6，提供一襯底基板10，在所述襯底基板10上形成一導(dǎo)電層80；

步驟12、請參閱圖7或圖12，在所述導(dǎo)電層80上形成光阻層90，采用一半色調(diào)光罩對所述光阻層90進(jìn)行圖形化處理，保留的光阻層90用來定義掃描線11與柵極12的圖形，并且所述保留的光阻層90上設(shè)有至少一個凹槽91；

所述至少一個凹槽91對應(yīng)于掃描線11與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線41交叉處的第一重疊區(qū)域100、柵極12與后續(xù)形成的源極42之間的第二重疊區(qū)域200、以及柵極12與后續(xù)形成的漏極43之間的第三重疊區(qū)域300中的至少一處；

對所述導(dǎo)電層80上未被保留的光阻層90遮擋的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，形成掃描線11與柵極12；

步驟13、請參閱圖8或圖13，對保留的光阻層90進(jìn)行灰化處理，所述保留的光阻層90上設(shè)有至少一個凹槽91的位置變?yōu)橹辽僖粋€通孔92，其余位置的厚度降低；

步驟14、請參閱圖9或圖14，以灰化后的光阻層90為遮擋層，對所述掃描線11與柵極12中的至少一個進(jìn)行蝕刻，在所述掃描線11與柵極12中的至少一個上形成至少一個凹槽50；

剝離剩余的光阻層90。

步驟2、請參閱圖10-11、或圖15-16，在掃描線11、柵極12、及襯底基板10上形成柵極絕緣層20；

在所述柵極絕緣層20上形成有源層30；

在所述有源層30、及柵極絕緣層20上形成數(shù)據(jù)線41、源極42、及漏極43；

所述源極42連接至所述數(shù)據(jù)線41一側(cè)，所述漏極43與所述源極42間隔設(shè)置；所述源極42、及漏極43分別與所述有源層30的兩側(cè)相接觸。

步驟3、請參閱圖2或圖3，在所述有源層30、源極42、漏極43、及柵極絕緣層20上形成層間介電層60，對所述層間介電層60進(jìn)行圖形化處理，在所述層間介電層60上形成對應(yīng)于所述漏極43上方的過孔61；

在所述層間介電層60上形成像素電極70，所述像素電極70經(jīng)由過孔61與所述漏極43相接觸。

請參閱圖1、圖2、以及圖6-11，為本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法的第一實(shí)施例，該實(shí)施例包括：

步驟1、請參閱圖6-9，提供一襯底基板10，在所述襯底基板10上形成掃描線11、及連接至所述掃描線11一側(cè)的柵極12；

所述柵極12上對應(yīng)于所述柵極12與后續(xù)形成的漏極43之間的第三重疊區(qū)域300設(shè)有一凹槽50。

具體的，所述步驟1包括：

步驟11、請參閱圖6，提供一襯底基板10，在所述襯底基板10上形成一導(dǎo)電層80；

步驟12、請參閱圖7，在所述導(dǎo)電層80上形成光阻層90，采用一半色調(diào)光罩對所述光阻層90進(jìn)行圖形化處理，保留的光阻層90用來定義掃描線11與柵極12的圖形，并且所述保留的光阻層90上設(shè)有一凹槽91；所述凹槽91對應(yīng)于柵極12與后續(xù)形成的漏極43之間的第三重疊區(qū)域300；

對所述導(dǎo)電層80上未被保留的光阻層90遮擋的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，形成掃描線11與柵極12；

步驟13、請參閱圖8，對保留的光阻層90進(jìn)行灰化處理，所述保留的光阻層90上設(shè)有一凹槽91的位置變?yōu)橐煌?2，其余位置的厚度降低；

步驟14、請參閱圖9，以灰化后的光阻層90為遮擋層，對柵極12進(jìn)行蝕刻，在所述柵極12上形成一凹槽50；

剝離剩余的光阻層90。

步驟2、請參閱圖10-11，在掃描線11、柵極12、及襯底基板10上形成柵極絕緣層20；

在所述柵極絕緣層20上形成有源層30；

在所述有源層30、及柵極絕緣層20上形成數(shù)據(jù)線41、源極42、及漏極43；

所述源極42連接至所述數(shù)據(jù)線41一側(cè)，所述漏極43與所述源極42間隔設(shè)置；所述源極42、及漏極43分別與所述有源層30的兩側(cè)相接觸。

步驟3、請參閱圖2，在所述有源層30、源極42、漏極43、及柵極絕緣層20上形成層間介電層60，對所述層間介電層60進(jìn)行圖形化處理，在所述層間介電層60上形成對應(yīng)于所述漏極43上方的過孔61；

在所述層間介電層60上形成像素電極70，所述像素電極70經(jīng)由過孔61與所述漏極43相接觸。

請參閱圖1、圖3、圖6、以及圖12-16，為本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法的第二實(shí)施例，該實(shí)施例包括：

步驟1、請參閱圖6、及圖12-14，提供一襯底基板10，在所述襯底基板10上形成掃描線11、及連接至所述掃描線11一側(cè)的柵極12；

所述柵極12上對應(yīng)于所述柵極12與后續(xù)形成的源極42之間的第二重疊區(qū)域200、以及所述柵極12與后續(xù)形成的漏極43之間的第三重疊區(qū)域300分別設(shè)有一個凹槽50。

具體的，所述步驟1包括：

步驟11、請參閱圖6，提供一襯底基板10，在所述襯底基板10上形成一導(dǎo)電層80；

步驟12、請參閱圖12，在所述導(dǎo)電層80上形成光阻層90，采用一半色調(diào)光罩對所述光阻層90進(jìn)行圖形化處理，保留的光阻層90用來定義掃描線11與柵極12的圖形，并且所述保留的光阻層90上設(shè)有兩個凹槽91；所述兩個凹槽91分別對應(yīng)于柵極12與后續(xù)形成的源極42之間的第二重疊區(qū)域200、以及柵極12與后續(xù)形成的漏極43之間的第三重疊區(qū)域300；

對所述導(dǎo)電層80上未被保留的光阻層90遮擋的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，形成掃描線11與柵極12；

步驟13、請參閱圖13，對保留的光阻層90進(jìn)行灰化處理，所述保留的光阻層90上設(shè)有兩個凹槽91的位置變?yōu)閮蓚€通孔92，其余位置的厚度降低；

步驟14、請參閱圖14，以灰化后的光阻層90為遮擋層，對柵極12進(jìn)行蝕刻，在所述柵極12上形成兩個凹槽50；

剝離剩余的光阻層90。

步驟2、請參閱圖15-16，在掃描線11、柵極12、及襯底基板10上形成柵極絕緣層20；

在所述柵極絕緣層20上形成有源層30；

在所述有源層30、及柵極絕緣層20上形成數(shù)據(jù)線41、源極42、及漏極43；

所述源極42連接至所述數(shù)據(jù)線41一側(cè)，所述漏極43與所述源極42間隔設(shè)置；所述源極42、及漏極43分別與所述有源層30的兩側(cè)相接觸。

步驟3、請參閱圖3，在所述有源層30、源極42、漏極43、及柵極絕緣層20上形成層間介電層60，對所述層間介電層60進(jìn)行圖形化處理，在所述層間介電層60上形成對應(yīng)于所述漏極43上方的過孔61；

在所述層間介電層60上形成像素電極70，所述像素電極70經(jīng)由過孔61與所述漏極43相接觸。

上述薄膜晶體管的制作方法，通過在掃描線11與柵極12上對應(yīng)于掃描線11與數(shù)據(jù)線41交叉處的第一重疊區(qū)域100、所述柵極12與源極42之間的第二重疊區(qū)域200、以及所述柵極12與漏極43之間的第三重疊區(qū)域300中的至少一處進(jìn)行挖槽，使得該至少一處重疊區(qū)域的寄生電容的極板間距增大，從而降低寄生電容，增加器件穩(wěn)定性，避免顯示時出現(xiàn)圖像粘滯、及顏色偏移等異?，F(xiàn)象。

綜上所述，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制作方法，通過在掃描線與柵極上對應(yīng)于掃描線與數(shù)據(jù)線交叉處的第一重疊區(qū)域、柵極與源極之間的第二重疊區(qū)域、以及柵極與漏極之間的第三重疊區(qū)域中的至少一處設(shè)置凹槽，使得該至少一處重疊區(qū)域的寄生電容的極板間距增大，從而降低寄生電容，增加器件穩(wěn)定性，避免顯示時出現(xiàn)圖像粘滯、及顏色偏移等異?，F(xiàn)象。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。