技術(shù)總結(jié)
提供晶片的加工方法，將由SiC基板構(gòu)成的晶片分割成一個(gè)個(gè)的器件芯片，具有：分離起點(diǎn)形成步驟，將對(duì)于SiC基板具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光束的聚光點(diǎn)定位在距第一面或第二面相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的區(qū)域，使聚光點(diǎn)與SiC基板相對(duì)地移動(dòng)并照射激光束，形成與第一面平行的改質(zhì)層和裂痕而作為分離起點(diǎn)；器件形成步驟，在第一面上在由相互交叉的多條分割預(yù)定線劃分出的區(qū)域中形成多個(gè)器件；分割起點(diǎn)形成步驟，沿著形成于第一面的多條分割預(yù)定線形成相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的深度的分割起點(diǎn)；保護(hù)部件配設(shè)步驟，在第一面上配設(shè)保護(hù)部件；和晶片分離步驟，施加外力而從分離起點(diǎn)將具有第二面的晶片從具有形成有多個(gè)器件的第一面的晶片分離。

技術(shù)研發(fā)人員：平田和也;西野曜子
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社迪思科
文檔號(hào)碼：201610674731
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.16
技術(shù)公布日：2017.03.01