1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：
半導體層；
形成在所述半導體層中的源極區(qū)域和漏極區(qū)域，所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域彼此分離；
位于所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的溝道形成區(qū)域；
形成在所述半導體層中的絕緣區(qū)域，所述絕緣區(qū)域位于所述溝道形成區(qū)域和所述漏極區(qū)域之間；
柵極電極，通過柵極絕緣膜形成在所述溝道形成區(qū)域之上并且延伸至所述絕緣區(qū)域上方；
其中，所述絕緣區(qū)域具有縫，通過所述縫露出有源區(qū)域，并且
其中，相對于絕緣區(qū)域的中央，所述縫設置在所述溝道形成區(qū)域那側。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，
其中，從所述縫中露出的有源區(qū)域中具有雜質區(qū)域，該雜質區(qū)域的導電類型與所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域的導電類型相反。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，
其中，所述柵極電極具有位于所述縫之上的開口部分。
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體器件，
其中，所述縫和開口部分沿著第一方向延伸，以及
其中，所述開口部分沿著第二方向的寬度大于所述縫沿著所述第二方向的寬度，所述第二方向與所述第一方向相交。
5.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件，
其中，所述開口部分沿所述第一方向的長度大于所述縫沿所述第一方向的長度。
6.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件，
其中，所述柵極圍繞所述縫。
7.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，
其中，所述雜質區(qū)域與所述源極區(qū)域電連接。
8.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，
其中，從所述縫中露出的有源區(qū)域中具有雜質區(qū)域。
9.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，
其中，所述雜質區(qū)域設置在所述溝道形成區(qū)域那側。
10.根據(jù)權利要求9所述的半導體器件，
其中，所述縫和所述雜質區(qū)域沿著所述第一方向延伸，以及
其中，所述雜質區(qū)域沿著第二方向的寬度小于所述縫沿著所述第二方向的寬度，所述第二方向與所述第一方向相交。
11.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，還包括：
背柵區(qū)域，與所述源極區(qū)域相鄰；
其中，所述背柵區(qū)域的導電類型與所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域的導電類型相反。
12.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，
其中，所述雜質區(qū)域的深度大于所述源極區(qū)域或所述漏極區(qū)域的深度。
13.一種半導體器件，所述半導體器件包括：
半導體層；
源極區(qū)域和漏極區(qū)域，形成于所述半導體層中并且彼此分離；
溝道形成區(qū)域，位于所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域之間；
絕緣區(qū)域，形成于所述半導體層中并且位于所述溝道形成區(qū)域和所述漏極區(qū)域之間的；
柵極電極，通過柵極絕緣膜形成在所述溝道形成區(qū)域之上并且延伸至所述絕緣區(qū)域上方；
其中，所述絕緣區(qū)域具有多個露出有源區(qū)域的區(qū)域，并且
其中，相對于所述絕緣區(qū)域的中央，所述多個區(qū)域布置在所述溝道形成區(qū)域那側，并且沿著第一方向彼此之間具有間隔。
14.根據(jù)權利要求13所述的半導體器件，
其中，從所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域露出的有源區(qū)域具有雜質區(qū)域，所述雜質區(qū)域的導電類型與所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域的導電類型相反。
15.根據(jù)權利要求14所述的半導體器件，
其中，所述柵極電極具有位于所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域之上的開口。
16.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括下述步驟：
(a)在半導體層中形成絕緣區(qū)域，所述絕緣區(qū)域在源極形成區(qū)域和漏極形成區(qū)域之間并且位于所述漏極形成區(qū)域那側；
(b)通過柵極絕緣膜在所述源極形成區(qū)域和漏極形成區(qū)域之間的半導體層之上形成柵極電極；以及
(c)將具有第一導電類型的雜質引入所述源極形成區(qū)域的半導體層和所述漏極形成區(qū)域的半導體層以分別形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域，
其中，在步驟(a)中，相對于所述絕緣區(qū)域中央，在溝道形成區(qū)域那側的絕緣區(qū)域形成縫，通過該縫露出有源區(qū)域，并且
其中，在步驟(b)中，所述柵極電極延伸至所述絕緣區(qū)域上方。
17.根據(jù)權利要求16所述的制造半導體器件的方法，還包括下述步驟：
(d)將具有第二導電類型的雜質引入所述絕緣區(qū)域中的有源區(qū)域以形成雜質區(qū)域，其中，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反。
18.根據(jù)權利要求16所述的制造半導體器件的方法，還包括下述步驟：
(d)將具有第二導電類型的雜質引入所述絕緣區(qū)域中的有源區(qū)域的一部分以形成雜質區(qū)域，其中，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反。
19.根據(jù)權利要求17所述的制造半導體器件的方法，
其中，在步驟(d)中，通過將具有所述第二導電類型的雜質引入與所述源極區(qū)域相鄰的區(qū)域而在與所述源極區(qū)域相鄰的區(qū)域形成背柵區(qū)域。
20.根據(jù)權利要求17所述的制造半導體器件的方法，還包括下述步驟：
(e)將具有所述第二導電類型的雜質引入與所述源極區(qū)域相鄰的區(qū)域從而形成背柵區(qū)域，
其中，所述雜質區(qū)域比所述背柵區(qū)域深。