技術(shù)總結(jié)
在制造FinFET中的操作包括提供具有鰭結(jié)構(gòu)的襯底，其中，鰭結(jié)構(gòu)的上部具有第一鰭表面輪廓。在襯底上形成與鰭結(jié)構(gòu)接觸的隔離區(qū)域。通過蝕刻工藝凹進(jìn)隔離區(qū)域的部分以形成凹進(jìn)部分和暴露鰭結(jié)構(gòu)的上部，該凹進(jìn)部分具有第一隔離表面輪廓。對鰭結(jié)構(gòu)和凹進(jìn)部分應(yīng)用熱氫處理。通過熱氫處理，在鰭結(jié)構(gòu)上方形成具有基本上均勻厚度的柵極介電層，其中，將凹進(jìn)部分從第一隔離表面輪廓調(diào)節(jié)至第二隔離表面輪廓且將鰭結(jié)構(gòu)從第一鰭表面輪廓調(diào)節(jié)至第二鰭表面輪廓。本發(fā)明實(shí)施例涉及用于FINFET器件中的柵極氧化物的均勻性的平坦STI表面。

技術(shù)研發(fā)人員：吳政達(dá);張簡旭珂;陳政緯;王廷君
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201610657160
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.11
技術(shù)公布日：2017.03.08