1.一種表面等離激元增強(qiáng)InGaN/GaN偏振出光LED，其結(jié)構(gòu)從下至上依次為：基底層、n型GaN層、InxGa1-xN/GaN多量子阱有源層、p型GaN層，其特征在于：所述p型GaN層被刻蝕成光柵結(jié)構(gòu)，成為p型GaN光柵層，p型GaN光柵層上設(shè)有納米雙層金屬光柵層，所述納米雙層金屬光柵層包括位于p型GaN光柵層頂部的上層金屬光柵和位于p型GaN光柵層底部的下層金屬光柵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面等離激元增強(qiáng)InGaN/GaN偏振出光LED，其特征在于：所述InxGa1-xN/GaN多量子阱有源層的周期數(shù)為5～15個，所述x范圍：0.23≤x≤0.33，發(fā)光波長在495～575nm，刻蝕前的p型GaN層的厚度200～600nm，n型GaN層的厚度3～5μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的表面等離激元增強(qiáng)InGaN/GaN偏振出光LED，其特征在于：p型GaN光柵層的周期為400～480nm，占空比為0.3～0.6，高度為100～400nm，下層金屬光柵與InxGa1-xN/GaN多量子阱有源層的距離為10～50nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的表面等離激元增強(qiáng)InGaN/GaN偏振出光LED，其特征在于：所述納米雙層金屬光柵層為雙層鋁光柵層，高度為10～50nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的表面等離激元增強(qiáng)InGaN/GaN偏振出光LED，其特征在于：所述基底層為圖形化藍(lán)寶石。
6.一種表面等離激元增強(qiáng)InGaN/GaN偏振出光LED的制備方法，其步驟包括：
(1)在基底層上依次生長n型GaN層、InxGa1-xN/GaN多量子阱有源層、p型GaN層，制成InGaN/GaN多量子阱LED基片；
(2)在InGaN/GaN多量子阱LED基片上生長一層SiO2介質(zhì)薄膜層，
(3)在SiO2介質(zhì)薄膜層表面旋涂PMMA，形成PMMA層；
(4)在PMMA層表面旋涂紫外固化膠，形成紫外固化膠層；
(5)常壓下利用紫外軟壓印技術(shù)，使用軟模板在紫外固化膠層形成全面積的有序納米光柵結(jié)構(gòu)；
(6)利用RIE技術(shù)，通入CHF3和O2的混合氣體刻蝕紫外固化膠層的殘余部分；然后以紫外固化膠為掩膜，利用RIE技術(shù)，通入O2進(jìn)行PMMA刻蝕，將納米光柵結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至PMMA層；
(7)采用電子束蒸發(fā)技術(shù)，在樣品表面蒸鍍Ni金屬膜層，隨后將樣品放入丙酮溶液浸泡后再超聲以剝離PMMA層，得到大面積有序金屬Ni納米光柵結(jié)構(gòu)；
(8)采用RIE技術(shù)，以金屬Ni納米光柵為掩模，通入CHF3和O2的混合氣體，各向 異性刻蝕SiO2介質(zhì)層，將金屬Ni納米光柵結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至SiO2介質(zhì)薄膜層上；
(9)采用ICP刻蝕技術(shù)，通入Cl2和BCl3的混合氣體，各向異性干法刻蝕p型GaN層，通過控制刻蝕時(shí)間控制GaN光柵深度，使用氫氟酸去除殘余的SiO2介質(zhì)層，得到大面積納米光柵結(jié)構(gòu)；
(10)將樣品在無機(jī)堿溶液中40-90℃水浴加熱5-20min，去除表面的干法刻蝕損傷，使得光柵的側(cè)壁從傾斜變?yōu)榇怪?，同時(shí)控制濕法腐蝕的時(shí)間，以控制光柵的寬度；
(11)采用電子束蒸發(fā)技術(shù)，在p型GaN光柵層表面蒸鍍Al金屬層，厚度為10～50nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的表面等離激元增強(qiáng)InGaN/GaN偏振出光LED的制備方法，其特征在于：所述無機(jī)堿溶液為1Mol/L的氫氧化鉀溶液或氫氧化鈉溶液。