本發(fā)明屬于金屬納米材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

手性指的是結(jié)構(gòu)不能與其鏡像結(jié)構(gòu)重合的性質(zhì)，圓二色性是檢測手性結(jié)構(gòu)的一種方法。圓二色性指的是手性結(jié)構(gòu)對左旋圓偏振光和右旋圓偏振光吸收不同的性質(zhì)。自然界的手性分子的圓二色性在紫外光波段并且非常微弱，不利于生物醫(yī)學(xué)和藥物學(xué)的實(shí)際信號檢測。而人工手性金屬納米結(jié)構(gòu)由于其與左旋和右旋圓偏振光的相互作用下，產(chǎn)生不同的表面等離激元共振模式，因而具有更強(qiáng)的圓二色性。人工手性金屬納米結(jié)構(gòu)在分子化學(xué)，藥物檢測和生物探測中有廣泛的應(yīng)用。

根據(jù)已公開的文獻(xiàn)報(bào)道，二維平面手性金屬結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生圓二色性，但是信號比較弱；而二維非手性結(jié)構(gòu)在斜入射情況會產(chǎn)生更大的圓二色性，但其譜線會展寬，使得測量不夠精確；三維金屬螺旋或類螺旋結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生圓二色性。如文獻(xiàn)“Yizhuo He，George K.Larsen.Tunable Three-Dimensional Helically Stacked Plasmonic Layers on Nanosphere Monolayers. Nano Lett. 2014, 14, 1976?1981”、“ Kuwata-Gonokami, Makoto; Saito, Nobuyoshi; Ino, Yusuke. Giant optical activity in quasi-two-dimensional planar nanostructures. PRL. 2005,95”、“Wuxing Lu,Jian Wu，Qiannan Zhu.Circular dichroism from single plasmonic nanostructures with extrinsic chirality.Nanoscale,2014,6,14244”，這三種方式制備的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的圓二色性信號只能由結(jié)構(gòu)參數(shù)及其形狀來調(diào)控，在此過程中，多次制備就需要耗費(fèi)大量的貴金屬鍍膜材料，造成很高的實(shí)驗(yàn)成本；存在制備過程復(fù)雜、耗時(shí)且成本昂貴等缺點(diǎn)，均不利于在實(shí)際中廣泛應(yīng)用。為了降低成本，在簡單三維結(jié)構(gòu)加入介質(zhì)層，通過光的正入射的方式實(shí)現(xiàn)圓二色性并通過介質(zhì)層的位置來調(diào)控圓二色性，此種方式在國內(nèi)外尚未見報(bào)道。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供了一種可以通過介質(zhì)位置調(diào)節(jié)圓二色性的納米結(jié)構(gòu)及其制備方法。

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題通過以下方案實(shí)現(xiàn)：

一種圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)的原始結(jié)構(gòu)為L型， L型的長邊和短邊之間有間隙，L型的長邊為金屬，L型的短邊為和長邊垂直的兩層結(jié)構(gòu)，底層為二氧化硅，上層為金屬；在所述原始結(jié)構(gòu)L型的長邊或短邊蒸鍍介質(zhì)層即形成圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述金屬包括Au或Ag，厚度為50~300nm。

優(yōu)選地， 所述介質(zhì)為二氧化硅，厚度為50~300nm。

優(yōu)選地，所述底層二氧化硅的厚度為20~40 nm。

上述任一種圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：

步驟一，將粘有聚苯乙烯小球基底的模板放入真空鍍膜機(jī)，抽真空；

步驟二，將所述基底傾斜4°，蒸鍍金屬；

步驟三，所述步驟二蒸鍍金屬完成后，旋轉(zhuǎn)基底90°，蒸鍍二氧化硅；然后再蒸鍍金屬，得到所述L型的原始結(jié)構(gòu)；

步驟四，在所述原始結(jié)構(gòu)L型的長邊或短邊蒸鍍介質(zhì)層即形成圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述步驟四具體為：在所述原始結(jié)構(gòu)的短邊上繼續(xù)蒸鍍介質(zhì)層；或，將得到所述L型的原始結(jié)構(gòu)的基底沿和所述步驟三中旋轉(zhuǎn)基底相反的方向旋轉(zhuǎn)90°，在所述原始結(jié)構(gòu)的長邊上蒸鍍介質(zhì)層。

優(yōu)選地，所述聚苯乙烯小球基底的制備方法包括以下步驟：

步驟1，準(zhǔn)備玻璃片a和兩片玻璃片b，并清洗干凈；

步驟2，將經(jīng)步驟1清洗過的兩片玻璃片b疊起來放入事先準(zhǔn)備好的

干凈的培養(yǎng)皿，在培養(yǎng)皿中注入去離子水，去離子水液面低于上面的玻璃片b的上表面；

步驟3，將聚苯乙烯小球懸浮液與酒精混合，裝入樣品管超聲3～7

分鐘，得到聚苯乙烯小球與酒精混合溶液；

步驟4，將步驟3中得到的聚苯乙烯小球與酒精混合溶液注入到步驟

2中玻璃片b的上表面，聚苯乙烯小球溶液會在去離子水溶液表面擴(kuò)散，形成單層的聚苯乙烯小球膜；

步驟5，在步驟4的去離子水溶液中緩慢注入去離子水，提升溶液液面；

步驟6，用TX100溶液聚合步驟4中形成的去離子水液面的單層聚苯

乙烯小球膜；

步驟7，在經(jīng)過步驟6處理的沒有單層聚苯乙烯小球膜的區(qū)域放入玻

璃片a，把玻璃片的位置調(diào)整到單層聚苯乙烯小球膜的下方，然后用鑷子提起玻璃片a，將保留單層聚苯乙烯小球膜的玻璃片a放入40℃的烤箱中烤干，得到聚苯乙烯小球基底的模板；

優(yōu)選地，所述玻璃片a至少為五片，玻璃片a的尺寸為1 cm*2 cm，玻璃片b的尺寸為 1 cm*1 cm。

優(yōu)選地，所述步驟1的清洗過程是：將所述玻璃片a和絕緣用洗滌劑刷洗干凈，放入丙酮超聲15分鐘，然后用去離子水沖洗干凈丙酮，再用酒精超聲15分鐘，然后用去離子水沖洗干凈酒精，放入去離子水中保存?zhèn)溆谩?/p>

優(yōu)選地，所述步驟3中聚苯乙烯小球的直徑為380 nm，聚苯乙烯小球懸浮液與酒精的體積比為3:1。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

1. 本發(fā)明在簡單三維結(jié)構(gòu)加入介質(zhì)層，通過光的正入射的方式實(shí)現(xiàn)圓二色性并通過介質(zhì)層的位置來調(diào)控圓二色性，滿足不同的需求；

2. 本發(fā)明結(jié)構(gòu)用介質(zhì)二氧化硅的位置調(diào)控結(jié)構(gòu)的圓二色性，而不是用金屬本身，大大縮減了貴金屬材料耗費(fèi)，降低實(shí)驗(yàn)成本；

3.本發(fā)明結(jié)構(gòu)利用介質(zhì)層調(diào)控圓二色性不改變圓二色性共振模式，且覆蓋在銀層上可以保護(hù)銀不被氧化，方便長時(shí)間儲存；

4.本發(fā)明制備過程簡單，成本低，且是正入射，測量信號更加準(zhǔn)確，可作為高靈敏生物傳感器件。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制備的在原始結(jié)構(gòu)短邊上加入介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明的原始結(jié)構(gòu)在短邊上加入介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)和在長邊上加入介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)在光正入射下的圓二色性圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例來詳述本發(fā)明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例1：

一種圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)的原始結(jié)構(gòu)為L型， L型的長邊和短邊之間有間隙，L型的長邊為銀，厚度為50nm；L型的短邊為和長邊垂直的兩層結(jié)構(gòu)，底層為二氧化硅，厚度為20nm，上層為銀，厚度為50nm；在所述原始結(jié)構(gòu)L型的長邊或短邊蒸鍍厚度為100nm的二氧化硅即形成圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)。

上述任一種圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：

步驟一，將粘有聚苯乙烯小球基底的模板放入真空鍍膜機(jī)，抽真空；

步驟二，將所述基底傾斜4°，蒸鍍銀；

步驟三，所述步驟二蒸鍍銀完成后，旋轉(zhuǎn)基底90°，蒸鍍二氧化硅；然后再蒸鍍銀，得到所述L型的原始結(jié)構(gòu)；

步驟四，在所述原始結(jié)構(gòu)L型的長邊或短邊蒸鍍二氧化硅即形成圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)。

上述步驟四具體為：在所述原始結(jié)構(gòu)的短邊上繼續(xù)蒸鍍介質(zhì)層；得到L型長邊為一層50nm厚的銀，L型短邊為底層是20nm厚的二氧化硅、中間層是50nm厚的銀，上層是100nm厚的二氧化硅的三層結(jié)構(gòu)；此結(jié)構(gòu)是在原始結(jié)構(gòu)短邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。

或，將得到所述L型的原始結(jié)構(gòu)的基底沿和所述步驟三中旋轉(zhuǎn)基底相反的方向旋轉(zhuǎn)90°，在所述原始結(jié)構(gòu)的長邊上蒸鍍二氧化硅，得到L型長邊為底層是50nm厚的銀，上層是100nm厚的二氧化硅的兩層結(jié)構(gòu)；L型短邊為底層是20nm厚的二氧化硅、上層是50nm厚的銀的兩層結(jié)構(gòu)；此結(jié)構(gòu)是在原始結(jié)構(gòu)長邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)。

上述聚苯乙烯小球基底的制備方法包括以下步驟：

步驟1，準(zhǔn)備至少五片1 cm*2 cm玻璃片a和兩片1 cm*1 cm玻璃片b，并清洗干凈，具體清洗過程是：將所述玻璃片a和絕緣用洗滌劑刷洗干凈，放入丙酮超聲15分鐘，然后用去離子水沖洗干凈丙酮，再用酒精超聲15分鐘，然后用去離子水沖洗干凈酒精，放入去離子水中保存?zhèn)溆茫?/p>

步驟2，將經(jīng)步驟1清洗過的兩片玻璃片b疊起來放入事先準(zhǔn)備好的干凈的培養(yǎng)皿，在培養(yǎng)皿中注入去離子水，去離子水液面低于上面的玻璃片b的上表面；

步驟3，將直徑為380 nm的聚苯乙烯小球懸浮液與酒精以體積比3:1混合，裝入樣品管超聲3～7分鐘，得到聚苯乙烯小球與酒精混合溶液；

步驟4，將步驟3中得到的聚苯乙烯小球與酒精混合溶液注入到步驟2中玻璃片b的上表面，聚苯乙烯小球溶液會在去離子水溶液表面擴(kuò)散，形成單層的聚苯乙烯小球膜；

步驟5，在步驟4的去離子水溶液中緩慢注入去離子水，提升溶液液面；

步驟6，用TX100溶液聚合步驟4中形成的去離子水液面的單層聚苯

乙烯小球膜；

步驟7，在經(jīng)過步驟6處理的沒有單層聚苯乙烯小球膜的區(qū)域放入玻璃片a，把玻璃片的位置調(diào)整到單層聚苯乙烯小球膜的下方，然后用鑷子提起玻璃片a，將保留單層聚苯乙烯小球膜的玻璃片a放入40℃的烤箱中烤干，

得到聚苯乙烯小球基底的模板。

制備的圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)采用圓二色光譜儀測量其圓二色性。測量時(shí)，入射光正入射到結(jié)構(gòu)上。當(dāng)入射光正入射到原始結(jié)構(gòu)短邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)上時(shí)，圓二色性明顯減弱；當(dāng)入射光正入射到原始結(jié)構(gòu)長邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)上時(shí)，圓二色性明顯增強(qiáng)，從而實(shí)現(xiàn)圓二色性的調(diào)控。

實(shí)施例2：

一種圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)的原始結(jié)構(gòu)為L型， L型的長邊和短邊之間有間隙，L型的長邊為銀，厚度為300nm；L型的短邊為和長邊垂直的兩層結(jié)構(gòu)，底層為二氧化硅，厚度為40nm，上層為銀，厚度為300nm；在所述原始結(jié)構(gòu)L型的長邊或短邊蒸鍍厚度為300nm的二氧化硅即形成圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)。

上述任一種圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：

步驟一，將粘有聚苯乙烯小球基底的模板放入真空鍍膜機(jī)，抽真空；

步驟二，將所述基底傾斜4°，蒸鍍銀；

步驟三，所述步驟二蒸鍍銀完成后，旋轉(zhuǎn)基底90°，蒸鍍二氧化硅；然后再蒸鍍銀，得到所述L型的原始結(jié)構(gòu)；

步驟四，在所述原始結(jié)構(gòu)L型的長邊或短邊蒸鍍二氧化硅即形成圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)。

上述步驟四具體為：在所述原始結(jié)構(gòu)的短邊上繼續(xù)蒸鍍介質(zhì)層；得到L型長邊為一層300nm厚的銀，L型短邊為底層是40nm厚的二氧化硅、中間層是300nm厚的銀，上層是300nm厚的二氧化硅的三層結(jié)構(gòu)；此結(jié)構(gòu)是在原始結(jié)構(gòu)短邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)；

或，將得到所述L型的原始結(jié)構(gòu)的基底沿和所述步驟三中旋轉(zhuǎn)基底相反的方向旋轉(zhuǎn)90°，在所述原始結(jié)構(gòu)的長邊上蒸鍍二氧化硅，得到L型長邊為底層是300nm厚的銀，上層是300nm厚的二氧化硅的兩層結(jié)構(gòu)；L型短邊為底層是40nm厚的二氧化硅、上層是300nm厚的銀的兩層結(jié)構(gòu)；此結(jié)構(gòu)是在長邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)。

上述聚苯乙烯小球基底的制備方法同實(shí)施例1。

制備的圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)采用圓二色光譜儀測量其圓二色性。測量時(shí)，入射光正入射到結(jié)構(gòu)上。當(dāng)入射光正入射到原始結(jié)構(gòu)短邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)上時(shí)，圓二色性明顯減弱；當(dāng)入射光正入射到原始結(jié)構(gòu)長邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)上時(shí)，圓二色性明顯增強(qiáng)，從而實(shí)現(xiàn)圓二色性的調(diào)控。

實(shí)施例3：

一種圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)的原始結(jié)構(gòu)為L型， L型的長邊和短邊之間有間隙，L型的長邊為銀，厚度為100nm；L型的短邊為和長邊垂直的兩層結(jié)構(gòu)，底層為二氧化硅，厚度為30nm，上層為銀，厚度為100nm；在所述原始結(jié)構(gòu)L型的長邊或短邊蒸鍍厚度為50nm的二氧化硅即形成圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)。

上述任一種圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：

步驟一，將粘有聚苯乙烯小球基底的模板放入真空鍍膜機(jī)，抽真空；

步驟二，將所述基底傾斜4°，蒸鍍銀；

步驟三，所述步驟二蒸鍍銀完成后，旋轉(zhuǎn)基底90°，蒸鍍二氧化硅；然后再蒸鍍銀，得到所述L型的原始結(jié)構(gòu)；

步驟四，在所述原始結(jié)構(gòu)L型的長邊或短邊蒸鍍二氧化硅即形成圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)。

上述步驟四具體為：在所述原始結(jié)構(gòu)的短邊上繼續(xù)蒸鍍介質(zhì)層；得到L型長邊為一層100nm厚的銀，L型短邊為底層是30nm厚的二氧化硅、中間層是100nm厚的銀，上層是50nm厚的二氧化硅的三層結(jié)構(gòu)；此結(jié)構(gòu)是在短邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)；

或，將得到所述L型的原始結(jié)構(gòu)的基底沿和所述步驟三中旋轉(zhuǎn)基底相反的方向旋轉(zhuǎn)90°，在所述原始結(jié)構(gòu)的長邊上蒸鍍二氧化硅，得到L型長邊為底層是100nm厚的銀，上層是50nm厚的二氧化硅的兩層結(jié)構(gòu)；L型短邊為底層是30nm厚的二氧化硅、上層是100nm厚的銀的兩層結(jié)構(gòu)；此結(jié)構(gòu)是在長邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)。

上述聚苯乙烯小球基底的制備方法同實(shí)施例1。

制備的圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)采用圓二色光譜儀測量其圓二色性。測量時(shí)，入射光正入射到結(jié)構(gòu)上。當(dāng)入射光正入射到短邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)上時(shí)，圓二色性明顯減弱；當(dāng)入射光正入射到長邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)上時(shí)，圓二色性明顯增強(qiáng)，從而實(shí)現(xiàn)圓二色性的調(diào)控。

實(shí)施例4：

一種圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)的原始結(jié)構(gòu)為L型， L型的長邊和短邊之間有間隙，L型的長邊為金，厚度為100nm；L型的短邊為和長邊垂直的兩層結(jié)構(gòu)，底層為二氧化硅，厚度為20nm，上層為金，厚度為100nm；在所述原始結(jié)構(gòu)L型的長邊或短邊蒸鍍厚度為50nm的二氧化硅即形成圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)。

上述任一種圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：

步驟一，將粘有聚苯乙烯小球基底的模板放入真空鍍膜機(jī)，抽真空；

步驟二，將所述基底傾斜4°，蒸鍍金；

步驟三，所述步驟二蒸鍍金完成后，旋轉(zhuǎn)基底90°，蒸鍍二氧化硅；然后再蒸鍍金，得到所述L型的原始結(jié)構(gòu)；

步驟四，在所述原始結(jié)構(gòu)L型的長邊或短邊蒸鍍二氧化硅即形成圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)。

上述步驟四具體為：在所述原始結(jié)構(gòu)的短邊上繼續(xù)蒸鍍介質(zhì)層；得到L型長邊為一層100nm厚的金，L型短邊為底層是20nm厚的二氧化硅、中間層是100nm厚的金，上層是50nm厚的二氧化硅的三層結(jié)構(gòu)；此結(jié)構(gòu)是在短邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)；

或，將得到所述L型的原始結(jié)構(gòu)的基底沿和所述步驟三中旋轉(zhuǎn)基底相反的方向旋轉(zhuǎn)90°，在所述原始結(jié)構(gòu)的長邊上蒸鍍二氧化硅，得到L型長邊為底層是100nm厚的金，上層是50nm厚的二氧化硅的兩層結(jié)構(gòu)；L型短邊為底層是20nm厚的二氧化硅、上層是100nm厚的金的兩層結(jié)構(gòu)；此結(jié)構(gòu)是在長邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)。

上述聚苯乙烯小球基底的制備方法同實(shí)施例1。

制備的圓二色性可調(diào)的手性納米結(jié)構(gòu)采用圓二色光譜儀測量其圓二色性。測量時(shí)，入射光正入射到結(jié)構(gòu)上。當(dāng)入射光正入射到短邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)上時(shí)，圓二色性明顯減弱；當(dāng)入射光正入射到長邊上蒸鍍介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)上時(shí)，圓二色性明顯增強(qiáng)，從而實(shí)現(xiàn)圓二色性的調(diào)控。

圖2中，L型手性結(jié)構(gòu)在沒有加入介質(zhì)時(shí)的曲線為1，在L型的短邊加入介質(zhì)時(shí)的結(jié)構(gòu)曲線是2，在L型的長邊加入介質(zhì)時(shí)的結(jié)構(gòu)曲線是3。無介質(zhì)時(shí)的結(jié)構(gòu)具有一定的圓二色性，在短邊加入介質(zhì)后其圓二色性變小了，在長邊加入介質(zhì)后其圓二色性增大了。其差異性來源于不同的相位差。因?yàn)樵撌中越饘俳Y(jié)構(gòu)在左旋光和右旋光的正入射下可產(chǎn)生兩個不同的電偶極子，而在結(jié)構(gòu)的部分金屬中加入介質(zhì)，可使結(jié)構(gòu)的不同電偶極子產(chǎn)生較大的光學(xué)相位差，介質(zhì)不同的位置對于其相應(yīng)位置金屬的相位差影響不一樣，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)控圓二色性。

本發(fā)明在簡單三維結(jié)構(gòu)加入介質(zhì)層，通過光的正入射的方式實(shí)現(xiàn)圓二色性并通過介質(zhì)層的位置來調(diào)控圓二色性，滿足不同的需求；本發(fā)明結(jié)構(gòu)用介質(zhì)二氧化硅的位置調(diào)控結(jié)構(gòu)的圓二色性，而不是用金屬本身，大大縮減了貴金屬材料耗費(fèi)，降低實(shí)驗(yàn)成本；本發(fā)明結(jié)構(gòu)利用介質(zhì)層調(diào)控圓二色性不改變圓二色性共振模式，且覆蓋在銀層上可以保護(hù)銀不被氧化，方便長時(shí)間儲存；另外，本發(fā)明制備過程簡單，成本低，且是正入射，測量信號更加準(zhǔn)確，可作為高靈敏生物傳感器件。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，所做出的若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于發(fā)明的保護(hù)范圍。