技術(shù)編號：11870158
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。表面等離激元增強InGaN/GaN偏振出光LED及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明專利涉及到半導(dǎo)體發(fā)光二極管，具體涉及一種表面等離激元增強InGaN/GaN偏振出光LED及其制備方法。背景技術(shù)近年來，Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管(LED)受到廣泛的關(guān)注并獲得了巨大的成功，以其發(fā)光效率高、壽命長、以及節(jié)能環(huán)保的優(yōu)勢被廣泛用于背光光源、照明、醫(yī)療、交通信號等領(lǐng)域。近年來，得益于氮化物材料生長技術(shù)的進步，氮化鎵(GaN)基藍綠光LED的發(fā)光效率等光電特性取得了長足的進步。然而，量子阱內(nèi)存在很強的量子限制斯塔克效應(yīng)，使...
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