技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種氮化鎵基發(fā)光二極管的外延片及制備方法，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該外延片包括襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型接觸層、應(yīng)力釋放層、有源層、P型電子阻擋層和P型接觸層，通過在N型接觸層和有源層之間設(shè)置包括第一子層、第二子層、第三子層的應(yīng)力釋放層，第二子層包括交替的InxGa1?xN層和N型摻雜的第二GaN層，可有效釋放底層晶格失配形成的應(yīng)力，減小壓電極化效應(yīng)，提高外延片的抗靜電性能和發(fā)光效率。第一子層、第二子層、第三子層均為N型摻雜，利于電流擴(kuò)展，減小應(yīng)力釋放層兩側(cè)的電阻，增大應(yīng)力釋放層兩側(cè)的電容，可將更多電子蓄積起來，起到了更好的電子阻擋作用，減少漏電通道，進(jìn)一步提高抗靜電能力。

技術(shù)研發(fā)人員：李紅麗;萬林;胡加輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華燦光電（浙江）有限公司
文檔號碼：201610620425
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.29
技術(shù)公布日：2016.11.16