技術(shù)特征：

1.一種氮化鎵基發(fā)光二極管的外延片，所述外延片包括依次層疊的襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型接觸層、有源層、P型電子阻擋層和P型接觸層，其特征在于，所述外延片還包括夾設(shè)在所述N型接觸層和所述有源層之間的應(yīng)力釋放層，所述應(yīng)力釋放層包括依次層疊在所述N型接觸層上的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層為N型摻雜的第一GaN層，所述第二子層包括交替層疊的In_xGa_1-xN層和N型摻雜的第二GaN層，所述第三子層包括N型摻雜的第三GaN層、或者包括交替層疊的非摻雜的第四GaN層和N型摻雜的第五GaN層、或者包括多層N型摻雜的第六GaN層，相鄰兩層所述第六GaN層的摻雜濃度不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第三GaN層的摻雜濃度保持不變、先降低再升高、或者先升高再降低。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述第二GaN層的摻雜濃度在所述應(yīng)力釋放層中最高或最低。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述第三子層的厚度在所述應(yīng)力釋放層中最大。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述第三子層的厚度為500～1400nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述In_xGa_1-xN層和所述第二GaN層交替層疊的周期數(shù)為2～10。

7.一種外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次外延生長緩沖層、非摻雜GaN層、N型接觸層、應(yīng)力釋放層、有源層、P型電子阻擋層和P型接觸層，其中，所述應(yīng)力釋放層包括依次層疊在所述N型接觸層上的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層為N型摻雜的第一GaN層，所述第二子層包括交替層疊的In_xGa_1-xN層和N型摻雜的第二GaN層，所述第三子層包括N型摻雜的第三GaN層、或者包括交替層疊的非摻雜的第四GaN層和N型摻雜的第五GaN層、或者包括多層N型摻雜的第六GaN層，相鄰兩層所述第六GaN層的摻雜濃度不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述第三子層的厚度在所述應(yīng)力釋放層中最大。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述第二GaN層的摻雜濃度在所述應(yīng)力釋放層中最高或最低。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述N型接觸層上外延生長所述應(yīng)力釋放層時(shí)，控制生長溫度在850～1000℃之間。