技術(shù)編號：11870167
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及光電子制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種氮化鎵基發(fā)光二極管的外延片及制備方法。背景技術(shù)LED(LightEmittingDiode，發(fā)光二極管)具有體積小、壽命長、功耗低等優(yōu)點，目前被廣泛應(yīng)用于汽車信號燈、交通信號燈、顯示屏以及照明設(shè)備。在發(fā)光二極管的外延片的生長過程中，常常會由于晶格失配而出現(xiàn)應(yīng)力，導致晶體質(zhì)量變差，抗靜電性下降，發(fā)光效率降低。為了提高外延片的抗靜電性和發(fā)光效率，通常會在生長有源層之前生長一層InGaN淺量子阱，以釋放應(yīng)力。但是InGaN淺量子阱只能減小與有源層之間的晶格失配...
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