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系統(tǒng)級(jí)封裝芯片及其制備方法以及包含該芯片的設(shè)備與流程

文檔序號(hào):11810054閱讀:203來源:國知局
系統(tǒng)級(jí)封裝芯片及其制備方法以及包含該芯片的設(shè)備與流程

本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域,具體地,涉及一種系統(tǒng)級(jí)封裝芯片、包含該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片的設(shè)備以及該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片的制備方法。



背景技術(shù):

物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)是新一代信息技術(shù)的重要組成部分,物聯(lián)網(wǎng)就是物物相連的互聯(lián)網(wǎng)。它利用局部網(wǎng)絡(luò)或互聯(lián)網(wǎng)等通信技術(shù)把傳感器、控制器、機(jī)器、人員和物等通過新的方式聯(lián)在一起,形成人與物、物與物相聯(lián),實(shí)現(xiàn)信息化、遠(yuǎn)程管理控制和智能化的網(wǎng)絡(luò)。它是一種建立在互聯(lián)網(wǎng)上的泛在網(wǎng)絡(luò)。物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的重要基礎(chǔ)和核心仍舊是互聯(lián)網(wǎng),通過各種有線和無線網(wǎng)絡(luò)與互聯(lián)網(wǎng)融合,將物體的信息實(shí)時(shí)準(zhǔn)確地傳遞出去。在物聯(lián)網(wǎng)上的傳感器定時(shí)采集的信息需要通過網(wǎng)絡(luò)傳輸,由于其數(shù)量極其龐大,形成了海量信息,在傳輸過程中,為了保障數(shù)據(jù)的正確性和及時(shí)性,必須適應(yīng)各種異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)和協(xié)議。

隨著物聯(lián)網(wǎng)對(duì)高集成度、超小尺寸以及超低功耗等芯片的不斷需求,以及芯片及通訊技術(shù)的不斷進(jìn)步,聯(lián)網(wǎng)設(shè)備需要將更多的功能芯片封裝在一個(gè)系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)里面,預(yù)計(jì)在未來5到10年的時(shí)間里,80%的物聯(lián)網(wǎng)智慧家居和可穿戴設(shè)備將會(huì)采用SiP模組,因?yàn)镾iP尺寸更小,具有更好的抗機(jī)械和化學(xué)腐蝕能力,能夠顯著縮短產(chǎn)品研制和投放市場的周期,無線射頻性能更穩(wěn)定,可靠性更高等諸多優(yōu)點(diǎn)。

圖1為現(xiàn)有的一種可應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的SiP模塊的方塊圖。該SiP模塊包含BB/MAC/PHY處理單元100、射頻前端模塊102、濾波器110、濾波器112、振蕩器106、振蕩器108、以及存貯器104。BB/MAC/PHY處理單元100用于傳送或接收并處理信號(hào)。射頻模塊102連接于BB/MAC/PHY處理單元100,用于處理射頻信號(hào)和射頻傳輸?shù)膮f(xié)定。BB/MAC/PHY處理單元100包含連接于射頻前端模塊102的傳送/接收方式選擇端口,使BB/MAC/PHY處理單元100能決定一處理方式。存貯器連104接于BB/MAC/PHY處理單元100,其中該存貯器可以是非易失性(non-volatile)存貯器。射頻前端模塊102包含第一天線端口和第二天線端口,以連接至第一天線和第二天線。因此,BB/MAC/PHY處理單元100包含連接至射頻前端102的天線分集選擇端口,使BB/MAC/PHY處理單元100可以選擇一天線分集方式。BB/MAC/PHY處理單元100還包含藍(lán)牙端口,以連接至藍(lán)牙模塊。BB/MAC/PHY處理單元100包含區(qū)域總線端口以連接至一區(qū)域總線。在現(xiàn)有技術(shù)中,通用輸入/輸出裝置(GPIO)、聯(lián)合測試行動(dòng)小組連接器(JTAG connector)、初值化組態(tài)、區(qū)域總線、壓縮閃存存貯器、和保密數(shù)字輸入輸出/通用串列周邊接口(SDIO/GSPI)分別連接至BB/MAC/PHY處理單元100的對(duì)應(yīng)的連接端口,以執(zhí)行其預(yù)先設(shè)定的功能。

然而,隨著物聯(lián)網(wǎng)對(duì)芯片在其各方面性能上的不斷需求,圖1所示的SiP模塊以越來越難以滿足物聯(lián)網(wǎng)的需求。本領(lǐng)域亟須一種可在性能方面超過圖1所示的SiP模塊。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的是提供一種系統(tǒng)級(jí)封裝芯片、包含該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片的設(shè)備以及該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片的制備方法,其可展現(xiàn)出與現(xiàn)有的SiP模塊更好的性能。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種用于家用電器的系統(tǒng)級(jí)封裝芯片,該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片包含:微控制器處理單元,該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片還包含以下一者或多者:溫度傳感器,用于將溫度量轉(zhuǎn)換為電信號(hào),并將該電信號(hào)發(fā)送至所述微控制器處理單元;以及濕度傳感器,用于將濕度量轉(zhuǎn)換為電信號(hào),并將該電信號(hào)發(fā)送至所述微控制器處理單元。

該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片還可包含:系統(tǒng)總線單元,所述溫度傳感器及所述濕度傳感器經(jīng)由該系統(tǒng)總線單元聯(lián)結(jié)至所述微控制器處理單元。

該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片還可包含:射頻前端模塊;模數(shù)轉(zhuǎn)換器及數(shù)模轉(zhuǎn)換器;以及Wifi BB/MAC/PHY單元,與所述微控制器處理單元經(jīng)由所述系統(tǒng)總線單元相連,用于執(zhí)行以下操作中的一者或多者:將來自所述微控制器處理單元的信號(hào)經(jīng)由所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換之后,通過所述射頻前端模塊發(fā)送出去;以及接收由所述射頻前端模塊接收、并由所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換之后的信號(hào),并將該信號(hào)發(fā)送至所述微控制器處理單元。

其中,該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片還包含:匹配及濾波器,連接在所述射頻前端模塊與所述系統(tǒng)級(jí)封裝芯片外部的天線之間。

其中,該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片還包含安全芯片單元,用于對(duì)所述微控制器處理單元所輸出的信號(hào)進(jìn)行加密。

其中,該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片還包含外圍接口,連接至所述系統(tǒng)總線單元。

其中,所述外圍接口包含以下一者或多者:通用異步收發(fā)傳輸器UART接口;串行外設(shè)接口SPI;通用輸入/輸出GPIO接口;以及兩線式串行總線I2C接口。

其中,該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片還包含:BT BB/MAC/PHY處理單元,用于將來自所述微控制器處理單元的信號(hào)經(jīng)由所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換之后,通過所述射頻前端模塊發(fā)送出去;和/或接收由射頻前端模塊接收、并由所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換之后的信號(hào),并將該信號(hào)發(fā)送至所述微控制器處理單元。

其中,該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片還包含:紅外線傳感器,用于產(chǎn)生反應(yīng)是否存在人體或動(dòng)物活動(dòng)的電信號(hào),并經(jīng)由所述系統(tǒng)總線單元發(fā)送至被所述微控制器處理單元。

其中,該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片還包含:第一振蕩器,用于產(chǎn)生第一振蕩頻率,以供所述系統(tǒng)級(jí)封裝芯片內(nèi)的其他模塊在正常操作模式使用;以及第二振蕩器,用于產(chǎn)生第二振蕩頻率,以供所述系統(tǒng)級(jí)封裝芯片內(nèi)的其他模塊在省電操作模式使用。

其中,該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片還包含以下一者或多者:閃存存取存儲(chǔ)器,與所述微控制器處理單元及所述系統(tǒng)總線單元相連;以及隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,與所述微控制器處理單元及所述系統(tǒng)總線單元相連。

其中,該系統(tǒng)級(jí)封裝芯片還包含電源管理單元,用于給所述系統(tǒng)級(jí)封裝芯片內(nèi)的用電模塊供電。

相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種包含上述系統(tǒng)級(jí)封裝芯片的設(shè)備,該設(shè)備可包括以下一者或多者:可穿戴設(shè)備、家用電器以及智能照明設(shè)備。

相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種制備上述系統(tǒng)級(jí)封裝芯片的方法,該方法包括:對(duì)PCB基板進(jìn)行錫膏印刷,將錫膏印置于PCB板的焊盤上;對(duì)印置有錫膏的PCB板進(jìn)行芯片貼裝;對(duì)貼裝有芯片的PCB板進(jìn)行回流焊,以使得芯片固定在所述PCB板上;對(duì)固定有所述芯片的PCB板進(jìn)行裸片焊接及環(huán)氧樹脂硬化,以使得裸片固定在所述PCB板上;以及對(duì)固定有所述芯片及裸片的PCB板進(jìn)行引線焊接、注塑成型、注塑成型后硬化以及涂覆電磁屏蔽層,從而產(chǎn)生所述系統(tǒng)級(jí)封裝芯片。

其中,在對(duì)PCB基板進(jìn)行錫膏印刷之前,該方法還包括對(duì)所述PCB基板進(jìn)行預(yù)熱。

其中,在對(duì)貼裝有芯片的PCB板進(jìn)行回流焊之后,該方法還包括:對(duì)回流焊之后的PCB板進(jìn)行清洗,以清除回流焊時(shí)殘留的助焊劑;以及對(duì)清洗之后的PCB基板進(jìn)行烘干。

其中,在對(duì)所述PCB板進(jìn)行環(huán)氧樹脂硬化之后和/或?qū)λ鯬CB板進(jìn)行引線焊接之后,該方法還包括:對(duì)所述PCB板進(jìn)行等離子清洗。

其中,在對(duì)所述PCB板進(jìn)行注塑成型后硬化與涂覆電磁屏蔽層之間,該方法還包括以下一者或多者:對(duì)PCB板進(jìn)行激光打標(biāo)、集成電路測試、切割以及烘干。

其中,在對(duì)所述PCB板涂覆電磁屏蔽層之后,該方法還包括以下一者或多者:對(duì)所述PCB板進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)測試、缺陷掃描、烘干以及編帶包裝。通過上述技術(shù)方案,在系統(tǒng)封裝芯片內(nèi)封裝溫度傳感器和/或濕度傳感器,系統(tǒng)封裝芯片具備溫濕度檢測的功能,從而可利用所檢測的溫濕度來進(jìn)行相應(yīng)的控制。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說明。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明,但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:

圖1為現(xiàn)有的一種可應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的SiP模塊的方塊圖;

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的SiP模塊的方塊圖;

圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的SiP模塊的方塊圖;

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的SiP模塊的制作工藝流程圖;以及

圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的的SiP模塊的制作工藝流程圖。

附圖標(biāo)記說明

100 BB/MAC/RF處理單元 102 射頻前端

104 存貯器 106 第一振蕩器

108 第二振蕩器 110 濾波器

112 濾波器 200 MCU

201 系統(tǒng)總線單元 202 FLASH

203 RAM 204 WiFi BB/MAC/PHY單元

205 BT BB/MAC/PHY單元 206 模數(shù)轉(zhuǎn)換器

207 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 208 射頻前端模塊

209 匹配及濾波器 210 外圍接口

211 溫濕度傳感器 212 電源管理單元

213 第一振蕩器 214 第二振蕩器

215 紅外傳感器 216 安全芯片單元

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是,此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明,并不用于限制本發(fā)明。

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的SiP模塊的方塊圖。如圖2所示,本發(fā)明一實(shí)施例提供的SiP模塊包含:微控制器處理單元(Mirco Controller Unit;MCU)200;以及以下一者或多者:溫度傳感器,用于將溫度量轉(zhuǎn)換為電信號(hào),并將該電信號(hào)發(fā)送至所述微控制器處理單元;以及濕度傳感器,用于將濕度量轉(zhuǎn)換為電信號(hào),并將該電信號(hào)發(fā)送至所述微控制器處理單元。該溫度傳感器及濕度傳感器在圖2中統(tǒng)一顯示為溫濕度傳感器211。

具體而言,溫濕度傳感器211是指能將溫度量和濕度量轉(zhuǎn)換成容易被測量處理的電信號(hào)的設(shè)備或裝置,溫濕度傳感器一般是測量溫度量和相對(duì)濕度量。相對(duì)濕度即氣體中(通常為空氣中)所含水蒸氣量(水蒸氣壓)與其空氣相同情況下飽和水蒸氣量(飽和水蒸汽壓)的百分比。

濕度傳感器可為電容式濕度傳感器,該電容式濕度傳感器由聚合物、指形電極和硅襯底構(gòu)成,采用了獨(dú)特的電極分布和鍍膜技術(shù),使得感應(yīng)器不僅不會(huì)氧化,還能很快收水分子。溫度傳感器可由處于二極管模式的PNP晶體管構(gòu)成,溫度變化時(shí)輸出電壓將發(fā)生變化。

整體而言,溫濕度傳感器的能耗為80μW(在12位,3V,1次測量/秒條件下);RH工作范圍為0-100%RH;完全校準(zhǔn),線性化,和溫度補(bǔ)償?shù)臄?shù)字輸出;寬電源電壓范圍,從2.4到5.5V;I2C接口通訊速度高達(dá)1MHz并且?guī)?個(gè)用戶可選地址;典型精度達(dá)2%RH和0.3℃;啟動(dòng)速度快和測量時(shí)間短;長期工作穩(wěn)定可靠,溫度年漂移量<0.03度/year;濕度年漂移量<0.25%RH/year長效性和一致性好;溫度和濕度傳感器一體化,便于生產(chǎn),節(jié)約PCB面積和產(chǎn)品小型化。

圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的SiP模塊的方塊圖。以下結(jié)合圖3對(duì)該另一實(shí)施例進(jìn)行進(jìn)一步描述。需要說明的是,該圖3所示實(shí)施例包含許多模塊或單元,這些模塊或單元可單獨(dú)或以任意組合的形式被包含在SiP模塊中。對(duì)于上述圖2所示實(shí)施例內(nèi)詳細(xì)介紹的模塊或單元,于此不再贅述。

在該實(shí)施例中,SiP模塊還可包含:系統(tǒng)總線單元201,所述溫度傳感器及所述濕度傳感器經(jīng)由該系統(tǒng)總線單元201聯(lián)結(jié)至所述微控制器處理單元200。

在該實(shí)施例中,SiP模塊還可包含:射頻前端模塊208;模數(shù)轉(zhuǎn)換器206及數(shù)模轉(zhuǎn)換器207;以及無線保真(WiFi)基帶/媒體存取控制/射頻(Base Band/Media Access Control/Radio Frequency;BB/MAC/PHY)單元204,與所述微控制器處理單元(Mirco Controller Unit;MCU)200經(jīng)由所述系統(tǒng)總線單元201相連,用于執(zhí)行以下操作中的一者或多者:將來自所述微控制器處理單元200的信號(hào)經(jīng)由所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器207進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換之后,通過所述射頻前端模塊208發(fā)送出去;以及接收由所述射頻前端模塊208接收、并由所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器206進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換之后的信號(hào),并將該信號(hào)發(fā)送至所述微控制器處理單元200。

在本實(shí)施例中,MAC 200可采用ARMCortex-M4處理器,該處理器內(nèi)核是在Cortex-M3內(nèi)核基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,其性能比Cortex-M3提高了20%。新增加了浮點(diǎn)、DSP、并行計(jì)算等。用以滿足需要有效且易于使用的控制和信號(hào)處理功能混合的數(shù)字信號(hào)控制市場。其高效的信號(hào)處理功能與Cortex-M處理器系列的低功耗、低成本和易于使用的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合。Cortex-M4提供了無可比擬的功能,將32位控制與領(lǐng)先的數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)集成來滿足需要很高能效級(jí)別的市場。Cortex-M4處理器采用一個(gè)擴(kuò)展的單時(shí)鐘周期乘法累加(MAC)單元、優(yōu)化的單指令多數(shù)據(jù)(SIMD)指令、飽和運(yùn)算指令和一個(gè)可選的單精度浮點(diǎn)單元(FPU)。這些功能以表現(xiàn)ARMCortex-M系列處理器特征的創(chuàng)新技術(shù)為基礎(chǔ),包括RISC處理器內(nèi)核,高性能32位CPU、具有確定性的運(yùn)算、低延遲3階段管道,可達(dá)1.25DMIPS/MHz;Thumb-2指令集,16/32位指令的最佳混合、小于8位設(shè)備3倍的代碼大小、對(duì)性能沒有負(fù)面影響,提供最佳的代碼密度;低功耗模式,集成的睡眠狀態(tài)支持、多電源域、基于架構(gòu)的軟件控制;嵌套矢量中斷控制器(NVIC),低延遲、低抖動(dòng)中斷響應(yīng)、不需要匯編編程、以純C語言編寫的中斷服務(wù)例程,能完成出色的中斷處理;工具和RTOS支持,廣泛的第三方工具支持、Cortex微控制器軟件接口標(biāo)準(zhǔn)(CMSIS)、最大限度地增加軟件成果重用;CoreSight調(diào)試和跟蹤,JTAG或2針串行線調(diào)試(SWD)連接、支持多處理器、支持實(shí)時(shí)跟蹤。此外,該處理器還提供了一個(gè)可選的內(nèi)存保護(hù)單元(MPU),提供低成本的調(diào)試/追蹤功能和集成的休眠狀態(tài),以增加靈活性。嵌入式開發(fā)者將得以快速設(shè)計(jì)并推出令人矚目的終端產(chǎn)品,具備最多的功能以及最低的功耗和尺寸。

在本實(shí)施例中,WiFi BB/MAC/PHY處理單元204可以是2.4/5GHz調(diào)頻、基頻處理器(baseband processor)、多媒體協(xié)定媒體存取控制(multi-media protocol media access control)、或中央處理(central processing)單元。WiFi BB/MAC/PHY處理單元204具有高效能、省電、以及適用于智慧家居和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域裝置等特性,而其中該智慧家居和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域裝置可以是除濕機(jī)、空調(diào)、凈化器、空調(diào)扇、風(fēng)扇、取暖器、冰箱、波輪洗衣機(jī)、滾筒洗衣機(jī)、電熱水器、電燉鍋、電飯煲、手機(jī)、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、網(wǎng)絡(luò)語音傳送(VoIP)、MP3/MP4播放器。WiFi BB/MAC/PHY處理單元204的發(fā)送器結(jié)合了同相和正交基頻信號(hào),并將信號(hào)轉(zhuǎn)換成欲發(fā)送的頻率。WiFi BB/MAC/PHY處理單元204的接收器采用雙換頻結(jié)構(gòu)且不需芯片外掛中頻濾波器。頻率合成器支持由802.11規(guī)格所定義的頻率。WiFi BB/MAC/PHY處理單元204還要支持正交頻域多工(Orthogonal Frequency Division Multiplexing;OFDM),而媒體存取控制也支持IEEE 802.11無線媒體存取控制協(xié)定和802.11i保密性(security)。

WiFi BB/MAC/PHY處理單元204可包含一系統(tǒng)總線端口,使得該WiFi BB/MAC/PHY處理單元可以通過系統(tǒng)總線端口與微控制器處理單元200連接,因而能夠提供高速操作運(yùn)行。系統(tǒng)總線僅靠存儲(chǔ)緩沖器的協(xié)助,而不靠任何橋接器(bridge)和/或IO接口的協(xié)助,數(shù)據(jù)、地址和控制信號(hào)沿著先進(jìn)高性能系統(tǒng)總線(Advanced High Speed Buses;AHB)線連接至微控制器處理單元。與系統(tǒng)總線的處理速度相比,橋接器和/或IO接口的處理速度通常較低。系統(tǒng)總線的一優(yōu)點(diǎn)為高數(shù)據(jù)吞吐量(Throughput),單位時(shí)間內(nèi)的數(shù)據(jù)處理量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于SDIO/SPI的數(shù)據(jù)處理量。系統(tǒng)總線簡化了硬件的設(shè)計(jì)。便于采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法,面向總線的芯片設(shè)計(jì)只要按照規(guī)定制作MCU插件、存儲(chǔ)器插件以及I/O插件等,將它們連入總線就可工作,而不必考慮總線的詳細(xì)操作。系統(tǒng)總線同時(shí)簡化了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。整個(gè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)清晰。連線少,底板連線可以印制化。系統(tǒng)總線使得系統(tǒng)擴(kuò)充性好。一是規(guī)模擴(kuò)充,規(guī)模擴(kuò)充僅僅需要多插一些同類型的插件。二是功能擴(kuò)充,功能擴(kuò)充僅僅需要按照總線標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)新插件,插件插入機(jī)器的位置往往沒有嚴(yán)格的限制。系統(tǒng)總線可連接至微控制器存貯總線,或直接連接到微控制器處理單元。系統(tǒng)總線使得系統(tǒng)更新性能好。因?yàn)镸CU、存儲(chǔ)器、I/O接口等都是按總線規(guī)定掛到總線上的,因而只要總線設(shè)計(jì)恰當(dāng),可以隨時(shí)隨著處理器的芯片以及其他有關(guān)芯片的進(jìn)展設(shè)計(jì)新的插件,新的插件插到底板上對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行更新,其他插件和底板連線一般不需要改。

射頻前端模塊208通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器206連接至WiFi BB/MAC/PHY處理單元204,以接收信號(hào)。WiFi BB/MAC/PHY處理單元204通過數(shù)模轉(zhuǎn)換器207連接至射頻前端模塊208,以發(fā)送信號(hào)。WiFi BB/MAC/PHY處理單元204包含傳送/接收方式選擇端口、傳送端口、接收端口、以及電源控制端口。該傳送/接收方式選擇端口分別通過數(shù)模轉(zhuǎn)換器207/模數(shù)轉(zhuǎn)換器206連接至射頻前端208的傳送/接收端口,使WiFi BB/MAC/PHY處理單元204能夠控制射頻前端模塊208,以處理傳送中或接收中的信號(hào)。

匹配及濾波器209可單獨(dú)存在于該實(shí)施例的SiP模塊內(nèi),亦可包含在射頻前端模塊208內(nèi)。天線通過匹配及濾波器209,連接于射頻前端模塊208的連接端口,其提供了一個(gè)路徑,以傳送/接收信號(hào)至天線。因此,WiFi BB/MAC/PHY處理單元204的信號(hào)經(jīng)由數(shù)模轉(zhuǎn)換器207、射頻前端模塊208、匹配及濾波器209和天線發(fā)射出去。同樣,WiFi BB/MAC/PHY處理單元204也可經(jīng)由天線、匹配及濾波器209、射頻前端模塊208以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器206接收信號(hào)。

在該實(shí)施例中,SiP模塊還可包含:藍(lán)牙(BT)BB/MAC/PHY處理單元205,用于將來自所述MCU 200的信號(hào)經(jīng)由所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器207進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換之后,通過所述射頻前端模塊208發(fā)送出去;和/或接收由射頻前端模塊208接收、并由所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器206進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換之后的信號(hào),并將該信號(hào)發(fā)送至所述MCU 200。

在本實(shí)施例中,該BTBB/MAC/PHY處理單元204可以是2.4/5GHz調(diào)頻、基頻處理器(baseband processor)、多媒體協(xié)定媒體存取控制(multi-media protocol media access control)、或中央處理(central processing)單元。該BTBB/MAC/PHY處理單元204具有低功耗、低成本、高效益、以及適用于鼠標(biāo)、耳機(jī)、打印機(jī)、無線麥克風(fēng)、鍵盤、個(gè)人數(shù)碼助理(PDA)、智能手機(jī)、移動(dòng)電話、平板電腦和多媒體播放器。BTBB/MAC/PHY處理單元204兼容并完全支持藍(lán)牙4.0+BLE協(xié)議、藍(lán)牙4.1協(xié)議、藍(lán)牙4.2協(xié)議。

射頻前端模塊208通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器206連接至BT BB/MAC/PHY處理單元205,以接收信號(hào)。BT BB/MAC/PHY處理單元205通過數(shù)模轉(zhuǎn)換器207連接至射頻前端模塊208,以發(fā)送信號(hào)。BT BB/MAC/PHY處理單元205包含傳送/接收方式選擇端口、傳送端口、接收端口、以及電源控制端口。該傳送/接收方式選擇端口分別通過數(shù)模轉(zhuǎn)換器207/模數(shù)轉(zhuǎn)換器206連接至射頻前端模塊208的傳送/接收端口,使BT BB/MAC/PHY處理單元205能夠控制射頻前端模塊208,以處理傳送中或接收中的信號(hào)。

如圖3所示,在該實(shí)施例中,SiP模塊還可包含安全芯片單元216,用于對(duì)所述MCU 200所輸出的信號(hào)進(jìn)行加密。

該安全芯片是一款應(yīng)用于USBKEY的低功耗、低成本、高安全性、多功能的密碼芯片。該芯片具有片上密鑰管理(包括密碼生成、存儲(chǔ)、更新等),片內(nèi)RSA、ECC(SM2)協(xié)處理器,實(shí)現(xiàn)數(shù)字簽名和身份認(rèn)證,片內(nèi)SM1、SM4、DES(TDES)硬件算法核,片內(nèi)SM3、SHA硬件算法核,支持USB、SPI、UART等多種通訊接口。安全芯片通過系統(tǒng)總線與MCU 200、WiFi BT BB/MAC/PHY處理單元和BT BB/MAC/PHY處理單元連接在一起。數(shù)據(jù)通過安全芯片進(jìn)行安全加密后再發(fā)送出去。接收端也有相應(yīng)的解密方法解密,保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌踩浴?/p>

如圖3所示,在該實(shí)施例中,SiP模塊還可包含外圍接口,連接至所述系統(tǒng)總線單元。該外圍接口包含以下一者或多者:通用異步收發(fā)傳輸器UART接口;串行外設(shè)接口SPI;通用輸入/輸出GPIO接口;以及兩線式串行總線I2C接口。當(dāng)然,本發(fā)明并不限于此,亦可根據(jù)需要設(shè)置其他接口。藉此,可方便各類外設(shè)接入SiP模塊。

如圖3所示,在該實(shí)施例中,SiP模塊還可包含:紅外線傳感器215,用于產(chǎn)生反應(yīng)是否存在人體或動(dòng)物活動(dòng)的電信號(hào),并經(jīng)由所述系統(tǒng)總線單元發(fā)送至被所述微控制器處理單元。

該紅外線傳感器可為熱釋電紅外線傳感器,該熱釋電紅外線傳感器包括光學(xué)系統(tǒng)、檢測元件和轉(zhuǎn)換電路。熱釋電紅外傳感器是對(duì)溫度敏感的傳感器。它由陶瓷氧化物或壓電晶體元件組成,在元件兩個(gè)表面做成電極,在傳感器監(jiān)測范圍內(nèi)溫度有ΔT的變化時(shí),熱釋電效應(yīng)會(huì)在兩個(gè)電極上會(huì)產(chǎn)生電荷ΔQ,即在兩電極之間產(chǎn)生一微弱的電壓ΔV。由于它的輸出阻抗極高,在傳感器中有一個(gè)場效應(yīng)管進(jìn)行阻抗變換。熱釋電效應(yīng)所產(chǎn)生的電荷ΔQ會(huì)被空氣中的離子所結(jié)合而消失,即當(dāng)環(huán)境溫度穩(wěn)定不變時(shí),ΔT=0,則傳感器無輸出。當(dāng)人體進(jìn)入檢測區(qū),因人體溫度與環(huán)境溫度有差別,產(chǎn)生ΔT,則有ΔT輸出;若人體進(jìn)入檢測區(qū)后不動(dòng),則溫度沒有變化,傳感器也沒有輸出了。所以這種傳感器檢測人體或者動(dòng)物的活動(dòng)傳感。

熱釋電紅外傳感器靈敏度高達(dá)3.6mVpp且具有極佳的信噪比;溫度變化時(shí)的高穩(wěn)定性;適合于240℃峰值的回流焊接;視域達(dá)到±50°;寬的電源電壓范圍達(dá)2到15V;對(duì)外部噪聲(振動(dòng)、RFI等)的高抗擾度。

如圖3所示,在該實(shí)施例中,SiP模塊還可包含以下一者或多者:閃存存取存儲(chǔ)器(flash)202,與所述MCU 200及所述系統(tǒng)總線單元201相連;以及隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)203,與所述MCU 200及所述系統(tǒng)總線單元201。所述MCU 200可對(duì)該閃存存取存儲(chǔ)器202和/或隨機(jī)存取存儲(chǔ)器203進(jìn)行讀寫操作。

如圖3所示,在該實(shí)施例中,SiP模塊還可包含:第一振蕩器213,用于產(chǎn)生第一振蕩頻率,以供所述系統(tǒng)級(jí)封裝芯片內(nèi)的其他模塊在正常操作模式使用;以及第二振蕩器214,用于產(chǎn)生第二振蕩頻率,以供所述系統(tǒng)級(jí)封裝芯片內(nèi)的其他模塊在省電操作模式使用。

例如,第一振蕩器213可產(chǎn)生第一振蕩頻率,并將該第一振蕩頻率傳送至WiFi BB/MAC/PHY單元204、BT BB/MAC/PHY單元205、紅外傳感器215、溫濕度傳感器211等以供其使用。在本實(shí)施例中,第一振蕩頻率約為40MHz。第二振蕩器214可產(chǎn)生第二振蕩頻率,約為32KHz,該第二振蕩頻率也可被傳送至WiFi BB/MAC/PHY單元204、BT BB/MAC/PHY單元205、紅外傳感器215、溫濕度傳感器211等以供其使用。WiFi BB/MAC/PHY單元204、BT BB/MAC/PHY單元205、紅外傳感器215、溫濕度傳感器211等在一般操作方式時(shí)于40MHz工作,在省電方式時(shí)則于32kHz工作。

如圖3所示,在該實(shí)施例中,SiP模塊還可包含:電源管理單元212,用于給所述系統(tǒng)級(jí)封裝芯片內(nèi)的用電模塊供電,例如WiFi BB/MAC/PHY單元204、BT BB/MAC/PHY單元205、紅外傳感器215、溫濕度傳感器211、第一振蕩器213及第二振蕩器214等。

在本實(shí)施例中,WiFi BB/MAC/PHY處理單元204可以是智慧家居和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的單一芯片,MCU 200可以是智慧家居和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的單一芯片,溫濕度傳感器211可以是智慧家居和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的單一芯片,紅外傳感器單元215可以是智慧家居和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的單一芯片,例如互補(bǔ)式金屬氧化層半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor;CMOS)芯片。

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的SiP模塊的制作工藝流程圖。如圖4所示,本發(fā)明一實(shí)施例還提供一種制備上述系統(tǒng)級(jí)封裝芯片的方法,該方法包括:對(duì)PCB基板進(jìn)行錫膏印刷,將錫膏印置于PCB板的焊盤上;對(duì)印置有錫膏的PCB板進(jìn)行芯片貼裝,該芯片為帶引腳的封裝好的芯片;對(duì)貼裝有芯片的PCB板進(jìn)行回流焊,以使得芯片固定在所述PCB板上;對(duì)固定有所述芯片的PCB板進(jìn)行裸片焊接及環(huán)氧樹脂硬化,以使得裸片固定在所述PCB板上,該裸片是未經(jīng)封裝且不帶引腳的,且經(jīng)過環(huán)氧樹脂固定,可使得SiP的抗震的能力強(qiáng)于一般印刷電路板;以及對(duì)固定有所述芯片及裸片的PCB板進(jìn)行引線焊接、注塑成型、注塑成型后硬化以及涂覆電磁屏蔽層,從而產(chǎn)生所述系統(tǒng)級(jí)封裝芯片。

由于在注塑成型過程中注入環(huán)氧樹脂(Molding Compound)時(shí)會(huì)有應(yīng)力產(chǎn)生,因此上述SiP模塊內(nèi)所封裝的芯片及裸片必須有一定的抗壓及耐熱性??刹扇《喾N裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝,可采用堆疊的3D封裝技術(shù)來增加晶圓或模塊的數(shù)量,從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù),進(jìn)一步增強(qiáng)SIP技術(shù)的功能整合能力。而內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線鍵合(Wire Bonding),也可使用覆晶接合(Flip Chip),也可二者混用。

以此方式制備的SiP可將多種晶片封裝于單一封裝體內(nèi)而自成系統(tǒng),因此具有高整合性與微型化特色,適合應(yīng)用于體積小、多功能、低功耗等特性的電子產(chǎn)品,例如可穿戴設(shè)備(諸如,智能手表、手環(huán)、眼鏡、鞋子等)、家用電器(諸如,除濕機(jī)、空調(diào)、凈化器、空調(diào)扇、風(fēng)扇、取暖器、冰箱、波輪洗衣機(jī)、滾筒洗衣機(jī)、電熱水器、電燉鍋、電飯煲等)以及智能照明設(shè)備。而且,將原本各自獨(dú)立的封裝元件改成以SIP技術(shù)整合,便能縮小封裝體積以節(jié)省空間,并縮短元件間的連接線路而使電阻降低,提升電性效果,最終呈現(xiàn)微小封裝體取代大片電路載板的優(yōu)勢,又仍可維持各別晶片原有功能。此外,因SIP是將相關(guān)電路以封裝體完整包覆,因此可增加電路載板的抗化學(xué)腐蝕與抗應(yīng)力(Anti-stress)能力,可提高產(chǎn)品整體可靠性,對(duì)產(chǎn)品壽命亦能提升。

圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的SiP模塊的制作工藝流程圖。以下結(jié)合圖5描述本發(fā)明的SiP模塊的制作工藝流程。首先,對(duì)PCB基板進(jìn)行預(yù)熱;然后,對(duì)PCB基板進(jìn)行錫膏印刷,將錫膏印置于PCB板的焊盤上;之后,對(duì)印置有錫膏的PCB板進(jìn)行芯片貼裝,使得芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到PCB板的引腳上,這些引腳又通過PCB板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接,該芯片貼裝操作可采用Fuji貼片機(jī)完成;之后,貼裝有芯片的PCB板進(jìn)行回流焊,以便芯片能夠被焊接到PCB基板上;之后,清除回流焊時(shí)殘留的助焊劑;之后,再次進(jìn)行PCB基板烘干;之后,進(jìn)行裸片焊接和環(huán)氧樹脂硬化;之后,通過等離子清洗去除殘留的環(huán)氧樹脂;之后,進(jìn)行引線焊接,該引線焊接操作可使用K&S打線機(jī)進(jìn)行;之后,進(jìn)行等離子清洗;之后,進(jìn)行注塑成型,該注塑成型操作可使用到TOWA等成型機(jī);在注塑成型后,進(jìn)行注塑硬化;之后,對(duì)芯片進(jìn)行激光打標(biāo),打標(biāo)完成后進(jìn)行集成電路測試(ICT)、芯片切割、烘干、電磁屏蔽層涂覆,該芯片切割可使用DFD等切割機(jī),該電磁屏蔽層涂覆可使用LINCOTEC等涂漆機(jī)進(jìn)行;之后,進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)測試和缺陷掃描以確認(rèn)是否有芯片損壞,之后進(jìn)行烘干、最后編帶包裝。之后,成品出貨檢驗(yàn)OQC,并在成品出貨檢驗(yàn)合格之后運(yùn)輸出去。

上述部分步驟之后,需要進(jìn)行目檢(FVI)或自動(dòng)光學(xué)檢驗(yàn)(AOI),并在檢驗(yàn)合格之后方才進(jìn)行至下一步驟。本發(fā)明的以上步驟流程是創(chuàng)新的工藝流程,對(duì)保證無線保真系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品的性能具有重要的作用。使得產(chǎn)品具有輕薄短小、多功能、低功耗的特性。

本發(fā)明的尺寸外型,其面積小于或遠(yuǎn)小于150平方毫米,高度小于或遠(yuǎn)小于2.0毫米,此高度包含焊墊或焊球(soldering pads or balls)和隔離罩結(jié)構(gòu)或成形材質(zhì)(shield structure or molding material)的厚度。本發(fā)明也使用通常具有六或四層(layer)疊層構(gòu)造(stack-up structure),或甚至更多層疊層構(gòu)造的薄印刷電路板作為基板(substrate),例如當(dāng)使用低溫共燒結(jié)陶瓷(Low Temperature Cofired Ceramic;LTCC)作為基板時(shí),使用十二或十層疊層構(gòu)造的印刷電路板。表面接著零件(Surface Mount Devices;SMDs)、覆晶封包零件(Flip Chip Packaged Device)、或其他具有芯片級(jí)封裝(Chip Scaled Package)的零件以往被鑲嵌于基板的上層銅膜(top-side copper),而這些零件也可依設(shè)計(jì)鑲嵌于下層銅膜(bottom-side copper)或內(nèi)層銅膜(inner-side copper)。

通過本發(fā)明的上述制作工藝制備的帶Wi-Fi功能的SiP與同功能同類型Wi-Fi模塊的相關(guān)指標(biāo)的比較,無論是接收靈敏度,還是尺寸、抗機(jī)械和化學(xué)腐蝕,防水和抗震,本發(fā)明的Wi-Fi SIP的優(yōu)勢都比較明顯,具體如下表所示:

以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,但是,本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié),在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi),可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡單變型,這些簡單變型均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

另外需要說明的是,在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征,在不矛盾的情況下,可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù),本發(fā)明對(duì)各種可能的組合方式不再另行說明。

此外,本發(fā)明的各種不同的實(shí)施方式之間也可以進(jìn)行任意組合,只要其不違背本發(fā)明的思想,其同樣應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明所公開的內(nèi)容。

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