本申請主張2015年5月19日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0069520號韓國專利申請的權(quán)益，所述申請的公開內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

一個或多個實施例涉及一種形成球柵陣列(ball grid array，BGA)半導(dǎo)體封裝的電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)屏蔽層的方法以及在所述方法中使用的基帶，且更確切地說，涉及一種在具有下表面(在下表面上形成多個焊料球)的BGA半導(dǎo)體封裝的上表面和側(cè)表面上形成用于阻擋EMI的屏蔽層的方法以及在所述方法中使用的基帶。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體封裝通常在其外表面上包含電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)屏蔽層以防止電磁波的發(fā)射或外部電磁波對其內(nèi)部電路的損壞。

根據(jù)相關(guān)技術(shù)，通過用液體粘合劑涂布托盤以使用擠壓形成具有均勻厚度的層，且接著通過將半導(dǎo)體封裝安置在托盤上并將所述半導(dǎo)體封裝粘附到托盤來形成屏蔽層。在將半導(dǎo)體封裝粘附到托盤時，在半導(dǎo)體封裝上執(zhí)行濺鍍，從而在半導(dǎo)體封裝的上表面和側(cè)表面上形成EMI屏蔽層(除半導(dǎo)體封裝的下表面外)。當(dāng)完成濺鍍時，將半導(dǎo)體封裝與托盤分離以完成屏蔽層的形成。

在如相關(guān)技術(shù)的形成EMI屏蔽層的方法中，會使用用于用液體粘合劑涂布托盤的設(shè)備和用于將半導(dǎo)體封裝粘附到托盤并使其硬化的設(shè)備。然而，設(shè)備是非常昂貴的，因此根據(jù)相關(guān)技術(shù)形成EMI屏蔽層的方法的成本也非常高。另外，所述方法包含在托盤的粘合劑上涂布脫模劑以促進粘合劑與半導(dǎo)體封 裝的分離的操作，這使得整個方法復(fù)雜并增加了成本。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

一個或多個實施例包含一種形成球柵陣列(ball grid array，BGA)半導(dǎo)體封裝的電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)屏蔽層的方法以及在所述方法中使用的基帶，使用所述方法可以有效地形成EMI屏蔽層，可以簡化過程并且可以減少制造成本。

其它方面將部分在以下描述中得到闡述，并且部分地，將從描述中顯而易見，或者可以通過對所呈現(xiàn)的實施例的實踐習(xí)得。

根據(jù)一個或多個實施例，一種在BGA半導(dǎo)體封裝的外表面上形成所述BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層以屏蔽EMI的方法包含：(a)提供BGA半導(dǎo)體封裝，所述BGA半導(dǎo)體封裝具有在其上形成多個焊料球的下表面；(b)提供基帶，所述基帶具有比焊料球的高度更厚且由彈性粘合材料形成的附著部分；(c)通過抵著基帶按壓BGA半導(dǎo)體封裝，使得BGA半導(dǎo)體封裝的多個焊料球陷入基帶的附著部分中并且BGA半導(dǎo)體封裝粘附到基帶，形成封裝-帶組合件；(d)通過在封裝-帶組合件上濺鍍導(dǎo)電層，在BGA半導(dǎo)體封裝上形成EMI屏蔽層；以及(e)從封裝-帶組合件移除基帶。

另外，可以在上述形成BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層的方法中使用基帶。

附圖說明

通過結(jié)合附圖對實施例進行的以下描述，這些和/或其它方面將變得顯而易見并且更加容易了解，在所述附圖中：

圖1是在根據(jù)本發(fā)明概念的實施例的形成球柵陣列(ball grid array，BGA)半導(dǎo)體封裝的電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)屏蔽層的方法中使用的BGA半導(dǎo)體封裝的實例的透視圖。

圖2到圖5是描述根據(jù)本發(fā)明概念的實施例通過使用圖1中示出的BGA半導(dǎo)體封裝形成BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層的方法的視圖。

圖6和圖7是描述根據(jù)本發(fā)明概念的另一實施例通過使用圖1中示出的BGA半導(dǎo)體封裝形成BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層的方法的視圖。

具體實施方式

下文將參考附圖更充分地描述一種根據(jù)本發(fā)明概念的實施例的形成球柵陣列(ball grid array，BGA)半導(dǎo)體封裝的電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)屏蔽層的方法，在所述附圖中示出了本申請的示例性實施例。

首先，將描述一種根據(jù)本發(fā)明概念的實施例的形成BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層的方法。

圖1是在根據(jù)本發(fā)明概念的實施例的形成BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層的方法中使用的BGA半導(dǎo)體封裝10的實例的透視圖。圖2到圖5是描述根據(jù)本發(fā)明概念的實施例通過使用圖1中示出的BGA半導(dǎo)體封裝10形成BGA半導(dǎo)體封裝10的EMI屏蔽層的方法的視圖。

根據(jù)本發(fā)明概念的BGA半導(dǎo)體封裝10具有如圖1中所示的結(jié)構(gòu)。圖1是其中BGA半導(dǎo)體封裝10轉(zhuǎn)成倒置以便示出其下表面和BGA半導(dǎo)體封裝10的焊料球11的透視圖。如圖1中所示，多個焊料球11安裝在BGA半導(dǎo)體封裝10的下表面上。EMI被阻擋，因為除在其上形成焊料球11的BGA半導(dǎo)體封裝10的下表面外，在BGA半導(dǎo)體封裝10的上表面和側(cè)表面上形成導(dǎo)電層。為了形成如上文所描述的EMI屏蔽層，除BGA半導(dǎo)體封裝10的在其上形成焊料球11的下表面外，在BGA半導(dǎo)體封裝10的其它表面上形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層同時覆蓋BGA半導(dǎo)體封裝10的下表面。

首先，在步驟(a)中，如圖1中所示，提供具有在其上形成多個焊料球11的下表面的BGA半導(dǎo)體封裝10。BGA半導(dǎo)體封裝10提供為制成品。

接著，在步驟(b)中，如圖2中所示，提供具有由彈性粘合材料形成的附著部分21的基帶20。參考圖3，基帶20的附著部分21的厚度大于BGA半導(dǎo)體封裝10的焊料球11的高度?；鶐?0的附著部分21可以由相對軟的粘合材料形成。由于附著部分21的厚度大于焊料球11的高度，因此附著部分21可以完全包圍焊料球11并且同時接觸待粘附到其上的BGA半導(dǎo)體封裝10的下表面。

當(dāng)如上提供了BGA半導(dǎo)體封裝10和基帶20時，在步驟(c)中，如圖3中所示，抵著基帶20按壓BGA半導(dǎo)體封裝10以便將BGA半導(dǎo)體封裝10 附著到基帶20。由于基帶20的附著部分21具有軟質(zhì)特性，因此附著部分21被BGA半導(dǎo)體封裝10的焊料球11彈性地和/或塑性地變形，使得焊料球11陷入附著部分21中。也就是說，焊料球11鉆入附著部分21中以被附著部分21包圍，并且BGA半導(dǎo)體封裝10的下表面粘附到基帶20。也就是說，BGA半導(dǎo)體封裝10的下表面和焊料球11粘附到基帶20的附著部分21，由此從外面被阻擋。當(dāng)以適當(dāng)?shù)牧GA半導(dǎo)體封裝10按壓到預(yù)定深度時，如上文所描述，焊料球11的整個外表面被基帶20的附著部分21完全包圍，并且BGA半導(dǎo)體封裝10的下表面接觸附著部分21。附著部分21基本上彈性地變形但是在預(yù)定閾值點(threshold point)之后接著塑性變形，以便更完全地覆蓋焊料球11以及無縫地覆蓋BGA半導(dǎo)體封裝10的下表面。

如上文所描述，在步驟(d)中，通過在將基帶20粘附到BGA半導(dǎo)體封裝10而形成的封裝-帶組合件100上執(zhí)行濺鍍，在BGA半導(dǎo)體封裝10上形成EMI屏蔽層31，如圖4中所示?；鶐?0的附著部分21由化學(xué)性能穩(wěn)定且耐濺鍍溫度的材料形成，因此，僅在BGA半導(dǎo)體封裝10的上表面和側(cè)表面上而不在BGA半導(dǎo)體封裝10的下表面上形成導(dǎo)電EMI屏蔽層31。因此，防止了BGA半導(dǎo)體封裝10的焊料球11電連接到彼此并導(dǎo)致故障的可能性。

當(dāng)如上文所描述完成在封裝-帶組合件100上形成EMI屏蔽層31的過程時，在步驟(e)中，如圖5中所示，從封裝-帶組合件100移除基帶20。取決于附著部分21的材料，可以使用各種方法來移除基帶20。根據(jù)附著部分21的材料，可以通過對基帶20加壓且接著在使BGA半導(dǎo)體封裝10處于固定狀態(tài)時拉出基帶20而從BGA半導(dǎo)體封裝10移除基帶20。替代地，可以通過對基帶20加熱使得附著部分21變軟并已減弱粘附力來撕掉基帶20。根據(jù)各種情況，可以將基帶20加熱到較高溫度，使得附著部分21被熔化以自發(fā)地與BGA半導(dǎo)體封裝10分離。

接下來，將參考圖6和圖7描述根據(jù)本發(fā)明概念的另一實施例的形成BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層的方法。

根據(jù)圖6和圖7的實施例的形成BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層的方法與形成BGA半導(dǎo)體封裝10的EMI屏蔽層31的方法的不同之處在于，如圖6和圖7中所示，使用具有帶球孔42的附著部分41的基帶40。

根據(jù)圖6和圖7的實施例的方法的步驟(a)與根據(jù)先前實施例的形成 BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層的方法的步驟(a)相同。

根據(jù)圖6和圖7的實施例的形成BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層的方法，在步驟(b)中，如圖6中所示，使用在對應(yīng)于BGA半導(dǎo)體封裝10的焊料球11的位置處具有球孔42的附著部分41。相較于平面的環(huán)境，附著部分41的球孔42形成為凹面的，或根據(jù)各種情況可以具有與BGA半導(dǎo)體封裝10的下表面上的焊料球11的形狀相對應(yīng)的形狀。

在步驟(c)中，在將BGA半導(dǎo)體封裝10的焊料球11安置為分別面對附著部分41的球孔42時，可以通過使用基帶40抵著附著部分41按壓BGA半導(dǎo)體封裝10，以便形成如圖7中所示的封裝-帶組合件200。在這種情況下，如圖7中所示，圍繞球孔42的附著部分41可以并非完全包圍焊料球11。同樣在這種情況下，基帶40的附著部分41相對于外界完全密閉地密封BGA半導(dǎo)體封裝10的下表面，因此，即使當(dāng)在步驟(d)中形成了EMI屏蔽層31時，EMI屏蔽層31也不會形成于BGA半導(dǎo)體封裝10的下表面上。

當(dāng)完成形成EMI屏蔽層31的步驟(d)時，在步驟(e)中移除基帶40以完成根據(jù)圖6和圖7的實施例的形成BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層的方法。

根據(jù)形成BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層的方法，可以通過使用基帶在BGA半導(dǎo)體封裝上快速地、容易地且有效地形成EMI屏蔽層，由此不僅提高過程效率而且顯著減少成本。

應(yīng)理解，本文中所描述的示例性實施例應(yīng)被視為僅具有描述性意義，而非出于限制的目的。每一個實施例內(nèi)的特征或方面的描述通常應(yīng)被視為可用于其它實施例中的其它類似特征或方面。

最后應(yīng)說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。