本發(fā)明關(guān)于一種薄膜覆晶封裝體及薄膜封裝基板，并且特別地，本發(fā)明關(guān)于一種可使封裝膠體更順暢地填充于芯片與可撓性基板之間的薄膜覆晶封裝體及薄膜封裝基板。

背景技術(shù)：

薄膜覆晶(Chip On Film,COF)封裝結(jié)構(gòu)乃是一種將芯片封裝于可撓性基板或是軟性基板的技術(shù)，一般常用于液晶顯示器中的驅(qū)動(dòng)IC的封裝。

請(qǐng)參閱圖1，圖1繪示現(xiàn)有技術(shù)的薄膜覆晶封裝體1的剖面圖。如圖1所示，薄膜覆晶封裝體1包含可撓性基板10、多條導(dǎo)線12、防焊層14、芯片16及封裝膠體18?？蓳闲曰?0在其表面上設(shè)置有芯片接合區(qū)100，而多條導(dǎo)線12設(shè)置在可撓性基板10的表面上并延伸至芯片接合區(qū)100內(nèi)。防焊層14局部覆蓋導(dǎo)線12以保護(hù)導(dǎo)線12，且防焊層14暴露出芯片接合區(qū)100。芯片16設(shè)置在芯片接合區(qū)100中，并與各導(dǎo)線12電性連接。封裝膠體18填充于芯片16及可撓性基板10之間，用來(lái)固定并保護(hù)芯片16及芯片16與導(dǎo)線12的連接處。封裝膠體18一般為底部填充材(underfill)。

實(shí)務(wù)中，當(dāng)芯片16設(shè)置于可撓性基板10上且通過(guò)凸塊接合各導(dǎo)線12之后，會(huì)以例如點(diǎn)膠的方式沿著芯片接合區(qū)100的外緣注入具流動(dòng)性的封裝膠體18，藉由毛細(xì)現(xiàn)象，使封裝膠體18流入芯片16與可撓性基板10之間，以填滿芯片16與可撓性基板10間的空間。當(dāng)封裝膠體18填充完畢時(shí)，再對(duì)封裝膠體18進(jìn)行固化工藝以形成薄膜覆晶封裝體1。

然而，由于高腳數(shù)與微間隙的需求趨勢(shì)，芯片16上的凸塊高度不斷降低，使得芯片16與可撓性基板10間的間隙縮小，且凸塊之間及導(dǎo)線12之間僅以微小的間距間隔開，封裝膠體18須由芯片接合區(qū)100的外緣，通過(guò)凸塊間及導(dǎo)線12間的微小間隙才能流入芯片16與可撓性基板10間的空間。通道寬度 的縮減使得封裝膠體18的流速產(chǎn)生變化，不均勻的流速易造成擾流或在芯片16與可撓性基板10之間產(chǎn)生回流(air trap)，使氣體無(wú)法順利排出，而形成如圖1所示的氣泡180滯留于封裝膠體18中，于后續(xù)工藝中因溫度上升即可能導(dǎo)致氣泡180膨脹而產(chǎn)生脫層(delamination)及裂痕等爆米花(popcorn)現(xiàn)象，甚至導(dǎo)致整個(gè)薄膜覆晶封裝體1損壞。

基于上述問(wèn)題，有必要研發(fā)一種能確實(shí)將封裝膠體填入芯片與可撓性基板間以減少氣泡或孔洞形成于封裝膠體中的薄膜覆晶封裝體或封裝基板。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一范疇在于提供一種薄膜封裝基板。根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，薄膜封裝基板包含可撓性基板、多條導(dǎo)線以及至少一絕緣導(dǎo)流引腳?？蓳闲曰寰哂行酒雍蠀^(qū)，多條導(dǎo)線設(shè)置于可撓性基板上，并且各導(dǎo)線具有內(nèi)接端延伸入芯片接合區(qū)內(nèi)。至少一絕緣導(dǎo)流引腳設(shè)置在可撓性基板上并位于相鄰的兩條導(dǎo)線之間，絕緣導(dǎo)流引腳具有第一端部朝向芯片接合區(qū)的中心部延伸，且第一端部較相鄰的兩條導(dǎo)線的內(nèi)接端更靠近芯片接合區(qū)的中心部。

本發(fā)明的另一范疇在于提供一種薄膜覆晶封裝體，根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，薄膜覆晶封裝體包含可撓性基板、多條導(dǎo)線、芯片、至少一絕緣導(dǎo)流引腳以及封裝膠體?？蓳闲曰寰哂行酒雍蠀^(qū)，多條導(dǎo)線設(shè)置于可撓性基板之上，并且各導(dǎo)線具有內(nèi)接端延伸入芯片接合區(qū)內(nèi)。芯片設(shè)置于芯片接合區(qū)中，并經(jīng)由多個(gè)凸塊與導(dǎo)線的內(nèi)接端電性連接。至少一絕緣導(dǎo)流引腳設(shè)置在可撓性基板上并位于相鄰的兩條導(dǎo)線之間，絕緣導(dǎo)流引腳具有第一端部朝向芯片接合區(qū)的中心部延伸，且第一端部較相鄰的兩條導(dǎo)線的內(nèi)接端更靠近芯片接合區(qū)的中心部。封裝膠體至少填充于芯片與可撓性基板間。

關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以藉由以下的發(fā)明詳述以及所附附圖得到進(jìn)一步的了解。

附圖說(shuō)明

圖1繪示現(xiàn)有技術(shù)的薄膜覆晶封裝體的剖面圖。

圖2A繪示根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的薄膜封裝基板的剖面圖。

圖2B繪示圖2A的薄膜封裝基板的俯視圖。

圖2C繪示根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的薄膜封裝基板的剖面圖。

圖2D繪示根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的薄膜封裝基板的俯視圖。

圖2E繪示根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的薄膜封裝基板的剖面圖。

圖3A繪示根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的薄膜覆晶封裝體的剖面圖。

圖3B繪示圖3A的薄膜覆晶封裝體的俯視圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖2A以及圖2B，圖2A繪示根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的薄膜封裝基板2的剖面圖，圖2B則繪示圖2A的薄膜封裝基板2的俯視圖。如圖2A所示，薄膜封裝基板2具有可撓性基板20、多條導(dǎo)線22、防焊層24及至少一絕緣導(dǎo)流引腳26?？蓳闲曰?0上具有芯片接合區(qū)200，于實(shí)務(wù)中可供芯片設(shè)置于其上。多條導(dǎo)線22分別設(shè)置在可撓性基板20上并朝向芯片接合區(qū)200延伸，且各導(dǎo)線22分別具有內(nèi)接端220延伸入芯片接合區(qū)200中。于實(shí)務(wù)中各導(dǎo)線22的內(nèi)接端220可通過(guò)凸塊與芯片進(jìn)行電性連接，并且各導(dǎo)線22還具有與內(nèi)接端220相對(duì)的外接端，可連接至外部電路使得芯片與外部電路能經(jīng)由導(dǎo)線22互相溝通。防焊層24局部覆蓋導(dǎo)線22并暴露出芯片接合區(qū)200，于實(shí)務(wù)上芯片接合區(qū)200是由防焊層24的一開口所定義出。

至少一個(gè)絕緣導(dǎo)流引腳26設(shè)置于可撓性基板20上，且位于兩個(gè)相鄰的導(dǎo)線22之間，并且，絕緣導(dǎo)流引腳26部分位于芯片接合區(qū)200之中。絕緣導(dǎo)流引腳26包含第一端部260朝芯片接合區(qū)200的中心部延伸，并且，第一端部260較相鄰的兩條導(dǎo)線22的內(nèi)接端220更靠近芯片接合區(qū)200的中心部。

請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2B。于實(shí)務(wù)中，當(dāng)芯片設(shè)置于芯片接合區(qū)200，且通過(guò)凸塊接合各導(dǎo)線22的內(nèi)接端220后，會(huì)以例如點(diǎn)膠的方式沿著芯片接合區(qū)200的外緣環(huán)繞地注入可流動(dòng)的封裝膠體。藉由毛細(xì)現(xiàn)象，使封裝膠體由芯片接合區(qū)200的外緣流入芯片接合區(qū)200中。而設(shè)置于兩個(gè)相鄰的導(dǎo)線22之間的絕緣導(dǎo)流引腳26則扮演著導(dǎo)引封裝膠體流動(dòng)的角色。

由于絕緣導(dǎo)流引腳26的第一端部260位于比相鄰的導(dǎo)線22的內(nèi)接端220更接近芯片接合區(qū)200的中心部的位置，故封裝膠體可經(jīng)由絕緣導(dǎo)流引腳26 的導(dǎo)引而順利通過(guò)兩相鄰的導(dǎo)線22之間及與導(dǎo)線22電性連接的相鄰?fù)箟K之間，進(jìn)而流入芯片與可撓性基板20間的空間中。因此，本發(fā)明的絕緣導(dǎo)流引腳26可避免封裝膠體于芯片與可撓性基板20之間產(chǎn)生氣泡或孔洞，以防止氣泡或孔洞損害薄膜覆晶封裝體。請(qǐng)注意，絕緣導(dǎo)流引腳26設(shè)置在兩個(gè)相鄰的導(dǎo)線22之間，因此絕緣導(dǎo)流引腳26是以絕緣材質(zhì)形成，以避免對(duì)鄰近的導(dǎo)線22產(chǎn)生電性上的影響。此外，于圖2B中，各兩個(gè)相鄰的導(dǎo)線22之間皆設(shè)置有絕緣導(dǎo)流引腳26，但在實(shí)務(wù)中，最少僅需一個(gè)絕緣導(dǎo)流引腳26即可達(dá)到導(dǎo)引封裝膠體的功能，設(shè)計(jì)者可根據(jù)所使用的封裝膠體材質(zhì)、芯片尺寸、導(dǎo)線或凸塊的間距以及芯片與可撓性基板間的空隙大小等因素來(lái)決定所設(shè)置的絕緣導(dǎo)流引腳26的數(shù)量。另一方面，絕緣導(dǎo)流引腳26的最大厚度小于導(dǎo)線22的厚度，當(dāng)芯片接合于可撓性基板20后，絕緣導(dǎo)流引腳26與芯片之間仍具有一定空隙，使封裝膠體能順利地流動(dòng)。

為了能更順暢地將封裝膠體導(dǎo)入芯片接合區(qū)中，絕緣導(dǎo)流引腳可再進(jìn)一步進(jìn)行設(shè)計(jì)。請(qǐng)參閱圖2C，圖2C繪示根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的薄膜封裝基板2’的剖面圖。如圖2C所示，本具體實(shí)施例的薄膜封裝基板2’與上一具體實(shí)施例的不同處，在于本具體實(shí)施例的絕緣導(dǎo)流引腳26’包含一斜面。詳言之，絕緣導(dǎo)流引腳26’具有朝芯片接合區(qū)200的中心部延伸的第一端部260’以及相對(duì)于第一端部260’的第二端部262’，而絕緣導(dǎo)流引腳26’的厚度由第一端部260’向第二端部262’逐漸增加，亦即，絕緣導(dǎo)流引腳26’朝向芯片接合區(qū)200的中心部產(chǎn)生一個(gè)斜面。當(dāng)封裝膠體沿著絕緣導(dǎo)流引腳26’流動(dòng)時(shí)，絕緣導(dǎo)流引腳26’的斜面可幫助封裝膠體更順利地流至芯片接合區(qū)200中。請(qǐng)注意，本具體實(shí)施例的薄膜封裝基板2’的其他單元與上一具體實(shí)施例的相對(duì)應(yīng)單元大體上相同，故于圖2C中以同樣的標(biāo)號(hào)來(lái)表示，并于此不再贅述。

請(qǐng)參閱圖2D，圖2D繪示根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的薄膜封裝基板2”的俯視圖。如圖2D所示，本具體實(shí)施例與上一具體實(shí)施例不同處，在于本具體實(shí)施例的絕緣導(dǎo)流引腳26”在靠近第一端部260”的一側(cè)的寬度較小，而在靠近第二端部262”的一側(cè)寬度較大。于實(shí)務(wù)中，導(dǎo)線22的內(nèi)接端220會(huì)與凸塊連接，因此考慮到凸塊的尺寸與間距，第一端部260”較小的寬度可使封裝膠體更順暢地流入芯片接合區(qū)200中。同樣地，本具體實(shí)施例的薄膜封裝基板2” 的其他單元與上一具體實(shí)施例的相對(duì)應(yīng)單元大體上相同，故于圖2D中以同樣的標(biāo)號(hào)來(lái)表示，并于此不再贅述。

請(qǐng)參閱圖2E，圖2E繪示根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的薄膜封裝基板2”’的剖面圖。如圖2E所示，本具體實(shí)施例的薄膜封裝基板2”’與圖2A的薄膜封裝基板2大致上相同，其不同處在于本具體實(shí)施例的薄膜封裝基板2”’進(jìn)一步包含絕緣圍擋28，設(shè)置于可撓性基板20上并環(huán)繞芯片接合區(qū)200。更具體而言，絕緣圍擋28是設(shè)置于防焊層24上。于實(shí)務(wù)中，封裝膠體沿著芯片接合區(qū)200的外緣注入時(shí)，會(huì)同時(shí)朝芯片接合區(qū)200內(nèi)部及外部流動(dòng)，而絕緣圍擋28可阻擋朝芯片接合區(qū)200外部流動(dòng)的封裝膠體過(guò)度溢散，換言之，封裝膠體可被局限只位于絕緣圍擋所包圍的區(qū)域內(nèi)。絕緣圍擋28是以絕緣材質(zhì)制成，以避免影響到導(dǎo)線22或整個(gè)薄膜封裝基板2”’的電性功能。

綜上所述，本發(fā)明的薄膜封裝基板經(jīng)由設(shè)置于兩條導(dǎo)線間并延伸入芯片接合區(qū)內(nèi)的絕緣導(dǎo)流引腳，可幫助后續(xù)工藝中的封裝膠體順利流入芯片接合區(qū)中，避免封裝膠體內(nèi)產(chǎn)生氣泡或孔洞而損害封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的薄膜封裝基板可用于薄膜覆晶封裝工藝，進(jìn)一步制作出薄膜覆晶封裝體。

請(qǐng)參閱圖3A及圖3B，圖3A繪示根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的薄膜覆晶封裝體3的剖面圖，圖3B則繪示圖3A的薄膜覆晶封裝體3的俯視圖。如圖3A及圖3B所示，薄膜覆晶封裝體3包含可撓性基板30、多條導(dǎo)線32、防焊層34、絕緣導(dǎo)流引腳36、芯片40以及封裝膠體50?？蓳闲曰?0上具有芯片接合區(qū)300，多條導(dǎo)線32分別設(shè)置在可撓性基板30上并朝向芯片接合區(qū)300延伸，且各導(dǎo)線32具有內(nèi)接端320延伸入芯片接合區(qū)300中。防焊層34局部覆蓋導(dǎo)線32并暴露出芯片接合區(qū)300，于實(shí)務(wù)上芯片接合區(qū)300是由防焊層34的一開口所定義出。芯片40設(shè)置在芯片接合區(qū)中300，并經(jīng)由多個(gè)凸塊42與各導(dǎo)線32的內(nèi)接端320電性連接。各導(dǎo)線32還具有與內(nèi)接端320相對(duì)的外接端322，于實(shí)務(wù)中外接端322可連接至外部電路，使得芯片40與外部電路能經(jīng)由導(dǎo)線32互相電性溝通。

各絕緣導(dǎo)流引腳36分別設(shè)置在兩條相鄰的導(dǎo)線32之間，其包含第一端部360朝芯片接合區(qū)300的中心部延伸，并穿過(guò)與兩相鄰的導(dǎo)線32連接的兩凸塊42之間，且第一端部360比相鄰的導(dǎo)線32的內(nèi)接端320以及對(duì)應(yīng)的凸塊42更 接近芯片接合區(qū)300的中心部。封裝膠體50填充于芯片40與可撓性基板30之間，藉此固定并保護(hù)芯片40與導(dǎo)線32間的連接關(guān)系。于本具體實(shí)施例中，絕緣導(dǎo)流引腳36的最大厚度小于導(dǎo)線32的厚度，因此當(dāng)芯片40接合于可撓性基板30后，絕緣導(dǎo)流引腳36與芯片40之間仍具有一定空隙，使封裝膠體50能順利地流動(dòng)。

于實(shí)務(wù)中，封裝膠體50可例如以點(diǎn)膠方式沿著芯片接合區(qū)300的外緣注入具流動(dòng)性的封裝膠體50。藉由毛細(xì)現(xiàn)象，使封裝膠體50由芯片接合區(qū)300的外緣往芯片接合區(qū)300中流動(dòng)，并填滿芯片40與可撓性基板30之間。而設(shè)置在兩條相鄰的導(dǎo)線32之間的絕緣導(dǎo)流引腳36可導(dǎo)引封裝膠體50順利通過(guò)兩相鄰的導(dǎo)線32之間及與導(dǎo)線32電性連接的兩相鄰?fù)箟K42之間。此外，由于絕緣導(dǎo)流引腳36的第一端部360比凸塊42及導(dǎo)線32的內(nèi)接端320更接近芯片接合區(qū)300的中心部，故封裝膠體50可沿絕緣導(dǎo)流引腳36輕易地流入芯片接合區(qū)300中，而填滿芯片40與可撓性基板30間的空間。封裝膠體50在填充完成后會(huì)進(jìn)行固化工藝，進(jìn)而形成固態(tài)的膠體以固定及保護(hù)芯片40與可撓性基板30和導(dǎo)線32間的連接關(guān)系。封裝膠體50在絕緣導(dǎo)流引腳36的幫助下順利地流入并填充于芯片40與可撓性基板30之間，因此于封裝膠體50中不會(huì)產(chǎn)生氣泡或孔洞，可避免于后續(xù)工藝中因溫度上升使得氣泡或孔洞膨脹而導(dǎo)致脫層或裂痕等爆米花現(xiàn)象發(fā)生。

于本具體實(shí)施例中，絕緣導(dǎo)流引腳36的厚度由第一端部360朝向相對(duì)于第一端部360的第二端部362逐漸增加，亦即，絕緣導(dǎo)流引腳36形成朝芯片接合區(qū)300中心部向下傾斜的斜面364，如圖3A所示。于實(shí)務(wù)中，封裝膠體50沿絕緣導(dǎo)流引腳36流至斜面364時(shí)，可沿斜面364更順利地流入芯片接合區(qū)300的中心部。另一方面，由于絕緣導(dǎo)流引腳36的第一端部360穿過(guò)與兩相鄰的導(dǎo)線32連接的兩凸塊42之間，因此，絕緣導(dǎo)流引腳36在穿過(guò)凸塊42的部分的寬度小于兩凸塊42之間的間距，如圖3B所示，使封裝膠體50可順利地沿著絕緣導(dǎo)流引腳36流動(dòng)。

此外，本具體實(shí)施例的薄膜覆晶封裝體3可進(jìn)一步包含絕緣圍擋38。絕緣圍擋38設(shè)置于可撓性基板30上，詳言之，絕緣圍擋38設(shè)置于防焊層34上并環(huán)繞芯片接合區(qū)300。封裝膠體50沿著芯片接合區(qū)300的外緣注入時(shí)，會(huì)同時(shí) 朝芯片接合區(qū)300內(nèi)部及外部流動(dòng)，而絕緣圍擋38可阻擋朝芯片接合區(qū)300外部流動(dòng)的封裝膠體50過(guò)度溢散，換言之，封裝膠體50可被局限只位于絕緣圍擋38所包圍的區(qū)域內(nèi)。絕緣導(dǎo)流引腳36以及絕緣圍擋38，于實(shí)務(wù)中均是以絕緣材質(zhì)形成，因此不影響芯片40及薄膜覆晶封裝體3整體電性功能。

如上述，本發(fā)明的薄膜覆晶封裝體于其可撓性基板上設(shè)置絕緣導(dǎo)流引腳于相鄰兩導(dǎo)線之間并延伸入芯片接合區(qū)內(nèi)。故封裝膠體可經(jīng)由絕緣導(dǎo)流引腳的導(dǎo)引而順利通過(guò)兩相鄰的導(dǎo)線之間及與導(dǎo)線電性連接的兩相鄰?fù)箟K之間，進(jìn)而流入芯片接合區(qū)中，因此，可減少或避免封裝膠體于芯片與可撓性基板之間產(chǎn)生氣泡或孔洞，以防止氣泡或孔洞損害薄膜覆晶封裝體。

藉由以上較佳具體實(shí)施例的詳述，希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而并非以上述所揭露的較佳具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明的范疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請(qǐng)的專利范圍的范疇內(nèi)。

【符號(hào)說(shuō)明】

1：薄膜覆晶封裝體

10：可撓性基板

12：導(dǎo)線

14：防焊層

16：芯片

18：封裝膠體

100：芯片接合區(qū)

180：氣泡

2、2’、2”、2”’：薄膜封裝基板

3：薄膜覆晶封裝體

20、30：可撓性基板

22、32：導(dǎo)線

24、34：防焊層

26、26’、26”、36：絕緣導(dǎo)流引腳

200、300：芯片接合區(qū)

220、320：內(nèi)接端

322：外接端

260、260’、260”、360：第一端部

262’、262”、362：第二端部

364：斜面

28、38：絕緣圍擋

40：芯片

42：凸塊

50：封裝膠體