1.一種薄膜覆晶封裝體，包含：
一可撓性基板，具有一芯片接合區(qū)；
多條導(dǎo)線，設(shè)置于該可撓性基板上，各該導(dǎo)線具有一內(nèi)接端，各該內(nèi)接端延伸至該芯片接合區(qū)內(nèi)；
一芯片，設(shè)置于該芯片接合區(qū)內(nèi)并經(jīng)由多個(gè)凸塊與所述內(nèi)接端電性連接；
至少一絕緣導(dǎo)流引腳，設(shè)置于該可撓性基板上，且位于相鄰的二條所述導(dǎo)線之間，該至少一絕緣導(dǎo)流引腳具有一第一端部朝向該芯片接合區(qū)的中心部延伸，且該第一端部較相鄰的二條所述導(dǎo)線的所述內(nèi)接端更接近該芯片接合區(qū)的中心部；以及
一封裝膠體，至少填充于該芯片與該可撓性基板之間。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝體，其特征在于，該至少一絕緣導(dǎo)流引腳向該芯片接合區(qū)的中心部延伸并穿過與相鄰的二條所述導(dǎo)線電性連接的所述多個(gè)凸塊之間。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜覆晶封裝體，其特征在于，該至少一絕緣導(dǎo)流引腳的最大厚度小于所述多條導(dǎo)線的厚度。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜覆晶封裝體，其特征在于，該至少一絕緣導(dǎo)流引腳的厚度自該第一端部向相對(duì)該第一端部的一第二端部逐漸增加。
5.如權(quán)利要求2所述的薄膜覆晶封裝體，其特征在于，該至少一絕緣導(dǎo)流引腳的寬度小于該至少一絕緣導(dǎo)流引腳所穿過的所述多個(gè)凸塊的間距。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝體，其特征在于，進(jìn)一步包含一絕緣圍擋，該絕緣圍擋設(shè)置于該可撓性基板上，且環(huán)繞該芯片接合區(qū)，該封裝膠體位于該絕緣圍擋所包圍的區(qū)域內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝體，其特征在于，進(jìn)一步包含一防焊層，該防焊層局部覆蓋所述多條導(dǎo)線，并具有一開口定義出該芯片接合區(qū)。
8.一種薄膜封裝基板，包含：
一可撓性基板，具有一芯片接合區(qū)；
多條導(dǎo)線，設(shè)置于該可撓性基板上，各該導(dǎo)線具有一內(nèi)接端，各該內(nèi)接端延伸至該芯片接合區(qū)內(nèi)；以及
至少一絕緣導(dǎo)流引腳，設(shè)置于該可撓性基板上，且位于相鄰的二條所述導(dǎo)線之間，該至少一絕緣導(dǎo)流引腳具有一第一端部朝向該芯片接合區(qū)的中心部延伸，且該第一端部較相鄰的二條所述導(dǎo)線的所述內(nèi)接端更接近該芯片接合區(qū)的中心部。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜封裝基板，其特征在于，該至少一絕緣導(dǎo)流引腳的最大厚度小于所述多條導(dǎo)線的厚度。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜封裝基板，其特征在于，該至少一絕緣導(dǎo)流引腳的厚度自該第一端部向相對(duì)該第一端部的一第二端部逐漸增加。
11.如權(quán)利要求8所述的薄膜封裝基板，其特征在于，進(jìn)一步包含一絕緣圍擋，該絕緣圍擋設(shè)置于該可撓性基板上，且環(huán)繞該芯片接合區(qū)。
12.如權(quán)利要求8所述的薄膜封裝基板，其特征在于，進(jìn)一步包含一防焊層，該防焊層局部覆蓋所述多條導(dǎo)線，并具有一開口定義出該芯片接合區(qū)。