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形成電磁干擾屏蔽層的方法和用于所述方法的基帶與流程

文檔序號(hào):11810034閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種形成電磁干擾屏蔽層的方法和用于所述方法的基帶,且更確切地說,提供一種在具有下表面(在下表面上形成多個(gè)焊料球)的BGA半導(dǎo)體封裝的上表面和側(cè)表面上形成用于阻擋EMI的屏蔽層的方法以及在所述方法中使用的基帶。該方法包括:提供球柵陣列半導(dǎo)體封裝;提供基帶;通過抵著基帶按壓球柵陣列半導(dǎo)體封裝;通過在封裝?帶組合件上濺鍍導(dǎo)電層;從封裝?帶組合件移除基帶。根據(jù)形成BGA半導(dǎo)體封裝的EMI屏蔽層的方法,可以通過使用基帶在BGA半導(dǎo)體封裝上快速地、容易地且有效地形成EMI屏蔽層,由此不僅提高過程效率而且顯著減少制造成本。

技術(shù)研發(fā)人員:崔承煥;韓太燮
受保護(hù)的技術(shù)使用者:普羅科技有限公司
文檔號(hào)碼:201610329719
技術(shù)研發(fā)日:2016.05.18
技術(shù)公布日:2016.11.30

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