1.一種推阱工藝，其特征在于，于一反應(yīng)爐管內(nèi)進行，所述推阱工藝包括：
第一升溫階段，通入惰性氣體至所述反應(yīng)爐管，以使放置于所述反應(yīng)爐管內(nèi)的半導(dǎo)體器件被所述惰性氣體包圍；
第二升溫階段，通入氧氣至所述反應(yīng)爐管，以在所述半導(dǎo)體器件的表面生成薄氧化層；
恒溫階段及降溫階段，繼續(xù)通入所述惰性氣體至所述反應(yīng)爐管，以使所述半導(dǎo)體器件在所述惰性氣體的氛圍下繼續(xù)所述推阱工藝；
其中，在所述第二升溫階段，還通入二氯乙烯氣體至所述反應(yīng)爐管，以吸附所述反應(yīng)爐管內(nèi)部以及所述半導(dǎo)體器件表面的鈉離子雜質(zhì)。
2.如權(quán)利要求1所述的推阱工藝，其特征在于，所述惰性氣體為氮氣。
3.如權(quán)利要求2所述的推阱工藝，其特征在于，在所述第一升溫階段、所述恒溫階段和所述降溫階段，所述氮氣的通入流量為15 l/min。
4.如權(quán)利要求1所述的推阱工藝，其特征在于，所述第一升溫階段為所述反應(yīng)爐管的溫度升溫至900攝氏度的階段。
5.如權(quán)利要求4所述的推阱工藝，其特征在于，所述第一升溫階段的持續(xù)時間為75分鐘。
6.如權(quán)利要求1所述的推阱工藝，其特征在于，所述第二升溫階段包括前半升溫階段、中間恒溫階段以及后半升溫階段；
其中，所述氧氣和所述二氯乙烯氣體于所述前半升溫階段和所述后半升溫階段通入，且在所述中間恒溫階段，通入惰性氣體至所述反應(yīng)爐管。
7.如權(quán)利要求6所述的推阱工藝，其特征在于，在所述前半升溫階段，所述反應(yīng)爐管的溫度從900攝氏度升溫至1100攝氏度；
在所述后半升溫階段，所述反應(yīng)爐管的溫度從1100攝氏度升溫至1150攝氏度。
8.如權(quán)利要求6所述的推阱工藝，其特征在于，所述前半升溫階段的持續(xù)時間為40分鐘，所述中間恒溫階段的持續(xù)時間為20分鐘，所述后半升溫階段的持續(xù)時間為20分鐘。
9.如權(quán)利要求6所述的推阱工藝，其特征在于，在所述前半升溫階段和所述后半升溫階段，所述氧氣的通入流量為15 l/min，所述二氯乙烯的通入流量為400ml/min。
10.如權(quán)利要求1所述的推阱工藝，其特征在于，在所述恒溫階段，所述反應(yīng)爐管的溫度維持在1150攝氏度。
11.如權(quán)利要求10所述的推阱工藝，其特征在于，所述恒溫階段的持續(xù)時間為160分鐘。
12.如權(quán)利要求1所述的推阱工藝，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為TVS二極管。