專利名稱：深n阱工藝去除光刻膠的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種深N阱工藝去除光刻膠的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造工藝過程中，由于采用深N阱(De印N Well)工藝可以有效地抑制噪聲傳播，因此在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域廣泛應(yīng)用深N阱工藝制造低噪聲半導(dǎo)體器件。在采用深N阱工藝進(jìn)行半導(dǎo)體器件制造的過程中，需要去除掩膜環(huán)節(jié)所引入的光刻膠。在清洗晶圓表面的光刻膠之前，需要對(duì)晶圓表面的光刻膠進(jìn)行灰化處理來使光刻膠易于清洗。由于灰化溫度直接影響光刻膠的粘稠度，當(dāng)灰化溫度低時(shí)，光刻膠就會(huì)很粘稠， 這樣就增大了污染制造環(huán)境的可能。而當(dāng)灰化溫度高時(shí)，光刻膠在晶圓表面的附著能力就會(huì)增強(qiáng)，這樣就增大了通過清洗環(huán)節(jié)去除晶圓表面光刻膠的難度?，F(xiàn)有技術(shù)為了防止光刻膠污染制造環(huán)境，往往采用較高的灰化溫度，這樣也就相應(yīng)增大了通過清洗環(huán)節(jié)去除晶圓表面光刻膠的難度。同時(shí)，光刻膠去除能力與光刻膠的厚度和附著能力有關(guān)，由于深N阱工藝采用了較厚的光刻膠，并且現(xiàn)有技術(shù)的灰化溫度較高， 因此采用現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行去除光刻膠時(shí)，晶圓表面會(huì)有光刻膠殘?jiān)鼩埩簦⑶疫@些殘留的微小的光刻膠殘?jiān)母街σ蚕鄬?duì)較強(qiáng)。這些殘留的頑固的微小的光刻膠殘?jiān)鼤?huì)影響深N阱工藝的其他工藝環(huán)節(jié)，并且會(huì)影響所制造的半導(dǎo)體器件的一致性，去除光刻膠后晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)蕉?，半?dǎo)體器件的一致性就越低。同時(shí)，去除光刻膠后晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)鼤?huì)給所制造的半導(dǎo)體器件帶來器件散點(diǎn)問題。圖IA是現(xiàn)有技術(shù)的65納米深N阱工藝中去除光刻膠后晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)氖疽鈭D。如圖IA所示，其中，采用現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行去除光刻膠處理后的半導(dǎo)體器件101A、102A和103A上均殘留有微小的光刻膠殘?jiān)?01。由圖IA可以看出，對(duì)于采用較厚光刻膠的深N阱工藝來說，隨著半導(dǎo)體器件上殘留的光刻膠殘?jiān)?01的增加，半導(dǎo)體器件的一致性就開始降低，殘留的光刻膠殘?jiān)?01最多的半導(dǎo)體器件IOlA的一致性最低。圖IB是現(xiàn)有技術(shù)深N阱工藝光刻處理的流程圖。如圖IB所示，深N阱工藝光刻處理分為以下步驟步驟IOlB光刻、步驟102B離子注入、步驟10 晶圓表面灰化、步驟104B 光刻膠清洗、步驟105B工藝效果檢驗(yàn)。由于深N阱工藝選用的光刻膠較厚，因此現(xiàn)有技術(shù)深N阱工藝的光刻膠去除的步驟10 和步驟104B中存在一定的缺陷，導(dǎo)致采用現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行去除光刻膠處理的光刻膠去除效果不佳，會(huì)有頑固的微小的光刻膠殘?jiān)鼩埩粼谏頝阱工藝制造的晶圓表面，進(jìn)而影響深N阱工藝的其他工藝環(huán)節(jié)，并且會(huì)影響深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件的一致性，給深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件帶來器件散點(diǎn)問題。因此，提高深N阱工藝的光刻膠去除能力成為亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。為解決現(xiàn)有技術(shù)深N阱工藝的光刻膠去除工藝環(huán)節(jié)無法完全清除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)膯栴}，提高深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件的一致性，本發(fā)明提供了一種深N阱工藝去除光刻膠的方法，所述深N阱工藝去除光刻膠的方法包括以下步驟對(duì)晶圓表面進(jìn)行灰化處理，所述灰化處理包括控制所述晶圓表面的灰化溫度，使所述晶圓表面保持低于 285°C的灰化溫度；對(duì)光刻膠進(jìn)行清洗處理；清除經(jīng)所述清洗處理后的光刻膠殘?jiān)?。進(jìn)一步的，所述灰化處理還包括向灰化處理室中充入氧氣，或氧氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w來產(chǎn)生相應(yīng)的等離子體。進(jìn)一步的，所述控制所述晶圓表面的灰化溫度包括保持加熱板的加熱溫度為^5°C，控制晶圓夾具和所述加熱板的位置，或控所述制晶圓夾具和所述加熱板的位置并改變所述加熱板的加熱溫度。進(jìn)一步的，所述控制所述晶圓夾具和所述加熱板的位置包括使所述晶圓夾具升降并同時(shí)使所述加熱板下降，所述晶圓夾具升降包括將所述晶圓夾具由距離所述加熱板最近的位置上升至所述晶圓夾具可動(dòng)距離的 40%至 50%處，將所述晶圓夾具復(fù)位；所述加熱板下降包括將所述加熱板下降至機(jī)臺(tái)允許的最大位置處，當(dāng)所述加熱板下降至所述機(jī)臺(tái)允許的最大位置處后保持固定；在所述控所述制晶圓夾具和所述加熱板的位置的過程中，所述晶圓夾具與所述加熱板間的最大距離為5厘米。進(jìn)一步的，所述晶圓夾具在所述晶圓夾具可動(dòng)距離的40%至50%處保持30至50 秒，所述晶圓夾具在復(fù)位位置保持5至15秒。進(jìn)一步的，所述對(duì)光刻膠進(jìn)行清洗處理包括在第一清洗槽中使用H2SO4和H2A混合溶液清洗4 6分鐘，在第二清洗槽中使用所述和H2A混合溶液清洗4 6分鐘；所述H2SO4和H2A混合溶液的體積比例為H2SO4 (98wt% ) H202 (30wt% ) =5:1，所述H2SO4和H2A混合溶液的溫度為120°C至130°C。進(jìn)一步的，所述清除經(jīng)所述清洗處理后的光刻膠殘?jiān)?
使用NH4OH和H2A混合溶液清除所述光刻膠殘?jiān)?，所述NH4OH和H2A混合溶液的體積比例為NH4OH (29wt% ) H202(30wt% ) H20(蒸溜水)，所述NH4OH和H2A混合溶液的溫度為20°C至50°C，所述NH4OH和H2A混合溶液進(jìn)行清除處理的時(shí)間為5至15分鐘。
進(jìn)一步的所述NH4OH和H2A混合溶液的溫度為35°C，所述NH4OH和H2A混合溶液進(jìn)行清除處理的時(shí)間為10分鐘。進(jìn)一步的，所述清除經(jīng)所述清洗處理后的光刻膠殘?jiān)€包括在所述清除過程中使用超聲波對(duì)晶圓加震，所述超聲波的功率為300W至800W。根據(jù)本發(fā)明的深N阱工藝去除光刻膠的方法可以有效解決現(xiàn)有技術(shù)深N阱工藝的光刻膠去除工藝環(huán)節(jié)無法完全清除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)膯栴}，提高深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件的一致性，可以有效提高深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件的性能。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，圖IA是現(xiàn)有技術(shù)的65納米深N阱工藝中去除光刻膠后晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)氖疽鈭D；圖IB是現(xiàn)有技術(shù)深N阱工藝光刻處理的流程圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的深N阱工藝去除光刻膠的流程圖；圖2B是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的深N阱工藝去除光刻膠的灰化處理的示意圖；圖3是采用本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的深N阱工藝去除光刻膠的方法制造的晶圓表面的效果圖。
具體實(shí)施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便說明本發(fā)明是如何解決現(xiàn)有技術(shù)深N阱工藝的光刻膠去除工藝環(huán)節(jié)無法完全清除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)膯栴}。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。為了克服現(xiàn)有技術(shù)深N阱工藝的光刻膠去除工藝環(huán)節(jié)無法完全清除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)膯栴}，本發(fā)明提出了一種深N阱工藝去除光刻膠的方法來克服這一問題。 圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的深N阱工藝去除光刻膠的方法的流程圖，圖2B 是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的深N阱工藝去除光刻膠的方法的灰化處理的示意圖。如圖2A和圖2B所示，本實(shí)施例的光刻膠去除方法包括
步驟20IA對(duì)晶圓20 表面進(jìn)行灰化處理。
具體地，步驟201A包括在灰化處理過程中控制晶圓20 表面的灰化溫度，使晶圓20 表面保持低于的灰化溫度。通過控制灰化溫度，使晶圓20 表面的光刻膠保持適當(dāng)?shù)幕一瘻囟?，可以使晶圓2(X3B表面的光刻膠在后續(xù)的清洗和清除處理步驟中容易去除。為防止灰化溫度過高而導(dǎo)致光刻膠較強(qiáng)地附著在晶圓2(X3B表面，因此將晶圓2(Χ3Β 表面的灰化溫度限定在觀51以下。相比現(xiàn)有技術(shù)來說，本發(fā)明的灰化溫度較低。需要進(jìn)行說明的是，本發(fā)明并沒有對(duì)灰化溫度的下限進(jìn)行限定，這是因?yàn)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員在進(jìn)行灰化處理時(shí)，為防止光刻膠流淌到制造環(huán)境中而污染制造環(huán)境，不會(huì)將灰化溫度設(shè)得過低。并且由于各種光刻膠成分的差異，具體的灰化溫度下限值也不同。優(yōu)選的，灰化處理過程可包括向灰化處理室中充入氧氣，或氧氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w來產(chǎn)生相應(yīng)的等離子體。在灰化處理過程中向灰化處理室中充入上述氣體來產(chǎn)生相應(yīng)的等離子體，可減小灰化工藝期間對(duì)圖案化的介電層側(cè)壁的損傷。由于產(chǎn)生等離子體的過程屬于現(xiàn)有技術(shù)范疇，因此為防止與本發(fā)明產(chǎn)生混淆，不對(duì)相應(yīng)的等離子體的產(chǎn)生過程進(jìn)行詳細(xì)說明。優(yōu)選的，控制晶圓20 表面的灰化溫度可以通過以下方法實(shí)現(xiàn)保持加熱板202B 的加熱溫度為，控制晶圓夾具201B和加熱板202B的位置，或控制晶圓夾具201B和加熱板202B的位置并改變加熱板202B的加熱溫度。通過上述方法均可以有效地達(dá)到控制晶圓20 表面灰化溫度的目的。具體地，控制晶圓夾具201B和加熱板202B的位置，使晶圓20!3B表面保持低于 285 0C的灰化溫度。通過控制晶圓夾具20IB和加熱板202B的位置，可使晶圓20 處于一個(gè)適當(dāng)?shù)募訜嵛恢?，這樣晶圓2(X3B表面就可以獲得適當(dāng)?shù)妮^低灰化溫度。適當(dāng)?shù)妮^低灰化溫度需要既保證晶圓2(X3B表面的光刻膠不會(huì)流淌到制造環(huán)境中而污染制造環(huán)境，又保證晶圓2(X3B表面的光刻膠不會(huì)由于灰化溫度過高而很強(qiáng)地附著在晶圓2(X3B表面，從而使晶圓 2(X3B表面的光刻膠易于清洗和清除。相比現(xiàn)有技術(shù)而言，本發(fā)明所采用的低于的灰化溫度要低于現(xiàn)有技術(shù)的灰化溫度。需要進(jìn)行說明的是，由于各半導(dǎo)體廠商所選用的光刻膠各不相同，各種光刻膠在某一灰化溫度下的附著能力也存在一定的差別。因此，本發(fā)明不對(duì)灰化溫度進(jìn)行嚴(yán)格限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明所披露的內(nèi)容和所用光刻膠的具體情況得到的低于觀51的既保證晶圓2(X3B表面的光刻膠不會(huì)流淌到制造環(huán)境中而污染制造環(huán)境，又保證晶圓2(X3B表面的光刻膠不會(huì)由于灰化溫度過高而很強(qiáng)地附著在晶圓2(Χ3Β 表面的灰化溫度也應(yīng)納入本發(fā)明的范圍。優(yōu)選地，加熱板202Β的溫度可以保持為285°C。由于加熱板202B是灰化處理的熱源，使加熱板202B的溫度保持為285°C可以保證灰化溫度不會(huì)超過285°C，進(jìn)而可以保證晶圓20 表面的光刻膠不會(huì)由于灰化溫度過高而很強(qiáng)地附著在晶圓20 表面。需要進(jìn)行說明的是，雖然本發(fā)明的較佳實(shí)施例為將加熱板的溫度保持為285°C，但本發(fā)明并不局限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以通過將加熱板202B保持為其他溫度，同時(shí)調(diào)整晶片夾具201B 與加熱板的距離或保持加熱板202B和晶圓夾具201B的位置不變而改變加熱板202B的加熱溫度，同樣可以達(dá)到使晶圓20 表面獲得適當(dāng)?shù)妮^低灰化溫度的技術(shù)效果。本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明所披露的內(nèi)容得出的上述技術(shù)方案也應(yīng)納入本發(fā)明的范圍。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，控制晶圓夾具201B和加熱板202B的位置可以包括使晶圓夾具升降并同時(shí)使加熱板202B下降。晶圓夾具201B升降可以包括
將晶圓夾具201B由距離加熱板202B最近的位置上升至晶圓夾具201B可動(dòng)距離的40%至50%處，將晶圓夾具201B復(fù)位。加熱板202B下降可以包括將加熱板202B下降至機(jī)臺(tái)允許的最大位置處，當(dāng)加熱板202B下降至機(jī)臺(tái)允許的最大位置處后保持固定。在控制晶圓夾具201B和加熱板202B的位置的過程中，晶圓夾具201B與加熱板202B間的最大距離為5厘米。將晶圓夾具201B與加熱板202B間的距離限定在5厘米內(nèi)，相當(dāng)于限定了晶圓夾具20IB和加熱板202B間的最大距離。這樣就限定了晶圓夾具20IB和加熱板202B 的活動(dòng)范圍，從而保證了晶圓20 表面的光刻膠不會(huì)因?yàn)榫嚯x加熱板202B過遠(yuǎn)而難以吸收熱量，進(jìn)而導(dǎo)致光刻膠的灰化溫度過低而流淌到制造環(huán)境中污染制造環(huán)境。優(yōu)選地，晶圓夾具201B在晶圓夾具201B可動(dòng)距離的40%至50%處保持30至50 秒，晶圓夾具201B在復(fù)位位置保持5至15秒。采用上述參數(shù)進(jìn)行晶圓20 表面的灰化處理，可在短時(shí)間內(nèi)達(dá)到保證晶圓2(X3B表面的光刻膠不會(huì)由于灰化溫度過低而流淌到制造環(huán)境中而污染制造環(huán)境，又可以保證晶圓2(X3B表面的光刻膠不會(huì)由于灰化溫度過高而很強(qiáng)地附著在晶圓2(X3B表面的技術(shù)效果。通過上述操作，可以有效地改變晶圓20 與加熱板202B間的距離，從而可以有效地控制晶圓20 的加熱溫度。進(jìn)而可以保證晶圓20 表面的光刻膠不會(huì)由于灰化溫度過高而很強(qiáng)地附著在晶圓2(X3B表面，使晶圓2(X3B表面的光刻膠易于清洗。步驟202A對(duì)光刻膠進(jìn)行清洗處理。具體地，步驟202A包括使用和H2O2混合溶液對(duì)晶圓20 進(jìn)行清洗。優(yōu)選地，使用和H2A混合溶液對(duì)晶圓20 進(jìn)行清洗可以包括在第一清洗槽中使用KSO4和H2A混合溶液清洗4 6分鐘。在第二清洗槽中使用和H2A混合溶液清洗4 6分鐘。采用酸性的和H2A混合溶液分別在兩個(gè)清洗槽中對(duì)晶圓20 進(jìn)行清洗，可以有效地去除晶圓20 表面的大部分光刻膠。同時(shí)將清洗時(shí)間控制在4 6 分鐘內(nèi)即可基本達(dá)到去除大部分晶圓20 表面的光刻膠的目的。本優(yōu)選實(shí)施例所采用的H2SO4和H2A混合溶液的體積比例為 H2SO4(98wt% ) H202(30wt% ) =5:1。需要說明的是，由于本領(lǐng)域技術(shù)人員可選用不同重量比的H2SO4和H2A溶液，來配置H2SO4和H2A混合溶液，此時(shí)H2SO4和H2R的體積比例也會(huì)有所不同。因此采用其它重量比的和H2A溶液進(jìn)行混合來得到本優(yōu)選實(shí)施例所給出的H2SO4和H2A混合溶液的技術(shù)方案也應(yīng)納入本發(fā)明的范圍。所采用的H2SO4和H2A混合溶液的溫度為120°C至130°C。采用上述參數(shù)的和H2A混合溶液進(jìn)行清洗即可有效地去除晶圓2(X3B表面的大部分光刻膠。進(jìn)一步地，在第一清洗槽中使用和H2A混合溶液清洗5分鐘。在第二清洗槽中使用H2SO4和H2A混合溶液清洗5分鐘。H2SO4和H2A混合溶液的溫度為125°C。采用上述參數(shù)的和H2A混合溶液進(jìn)行清洗的清洗處理效率較高，相比采用其他參數(shù)的H2SO4 和H2A混合溶液進(jìn)行清洗，去除的光刻膠的清洗處理效果較好，并且可以節(jié)約工藝流程的時(shí)間。在這個(gè)清洗過程中可以將晶圓2(X3B表面的光刻膠基本去除，但由于深N阱工藝光刻膠的特性，經(jīng)過和H2A混合溶液清洗處理后的晶圓20 表面還是會(huì)有微小的光刻膠殘?jiān)鼩埩簟２襟E203A清除經(jīng)清洗處理后的光刻膠殘?jiān)?br> 為去除經(jīng)過H2SO4和H2A混合溶液清洗后的晶圓20 表面殘留的微小的光刻膠殘?jiān)?，需要?duì)經(jīng)KSO4和H2A混合溶液清洗后的晶圓20 進(jìn)行進(jìn)一步清除處理。優(yōu)選地，本發(fā)明采用NH4OH和H2A混合溶液對(duì)晶圓20 進(jìn)一步進(jìn)行清除處理。
具體來說，采用NH4OH和H2A混合溶液對(duì)晶圓20 進(jìn)一步進(jìn)行清除處理是為了清除經(jīng)過H2SO4和H2A混合溶液清洗后的晶圓20 表面殘留的微小的光刻膠殘?jiān)?，利用晶圓 203B表面和晶圓20 表面殘留的微小的光刻膠殘?jiān)趬A性NH4OH和H2A混合溶液中都帶有正電的特性，晶圓20 表面和晶圓20 表面殘留的微小的光刻膠殘?jiān)g就會(huì)相互排斥。優(yōu)選地，NH4OH和H2O2混合溶液的體積比例為 NH4OH (29wt% ) H2O2 (30wt % ) H20(蒸餾水)=1 2 50。相比其他體積比例的 NH4OH和H2A混合溶液進(jìn)行清除的清除處理效果來說，采用這個(gè)體積比例的NH4OH和H2A混合溶液進(jìn)行清除的清除處理質(zhì)量較好，清除處理效率較高。需要說明的是，由于本領(lǐng)域技術(shù)人員可選用不同重量比的NH4OH和H2A溶液，來配置NH4OH和H2A混合溶液，此時(shí)NH4OH和 H2O2的體積比例也會(huì)有所不同。因此采用其它重量比的NH4OH和H2A溶液進(jìn)行混合來得到本優(yōu)選實(shí)施例所給出的NH4OH和H2A混合溶液的技術(shù)方案也應(yīng)納入本發(fā)明的范圍。NH4OH 和H2A混合溶液的溫度為20°C至50°C。保持20°C至50°C可以很好地達(dá)到清除處理的要求。其中，當(dāng)NH4OH和HA混合溶液為35°C時(shí)，清除處理的效果最優(yōu)。NH4OH和H2A混合溶液進(jìn)行清除處理的時(shí)間為5至15分鐘。清除處理的時(shí)間為5至15分鐘就可以很好地達(dá)到清除處理的要求，可以有效地去除深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)?，滿足深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件的性能要求。為保證光刻膠殘?jiān)那宄鼜氐?，在清除處理過程中可使用超聲波對(duì)晶圓2(Χ3Β 加震以清除晶圓20 表面的光刻膠殘?jiān)Ｔ谇宄幚磉^程中使用超聲波對(duì)晶圓20 加震可以有效地使晶圓2(X3B表面殘留的微小的光刻膠殘?jiān)鼜木A2(X3B表面剝離，這樣就可以有效地達(dá)到清除晶圓20 表面殘留的微小的光刻膠殘?jiān)哪康摹?yōu)選地，在清除處理過程中使用超聲波對(duì)晶圓2(X3B加震時(shí)的超聲波的功率為 300W至800W。采用這個(gè)功率范圍可保證晶圓20 充分震動(dòng)，可以有效地保證清除處理的效率。在對(duì)深N阱工藝晶圓表面進(jìn)行光刻膠去除時(shí)，采用本實(shí)施例所提供的方法可以完全去除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)?。通過本實(shí)施例的深N阱工藝去除光刻膠的方法，可達(dá)到完全去除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)哪康模?進(jìn)而也就有效地保證了去除光刻膠的徹底性。從而提高深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件的一致性，可以有效地提高深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件的性能。圖3是采用本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的深N阱工藝去除光刻膠的方法制造的晶圓表面的效果圖。如圖3所示，可以看出，采用本發(fā)明的深N阱工藝光刻膠去除方法，深N阱工藝制造的晶圓301和302表面沒有附著微小的光刻膠殘?jiān)?。本發(fā)明的深N阱工藝去除光刻膠的方法取得了良好的技術(shù)效果。需要說明的是，本優(yōu)選實(shí)施例是根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員常用的半導(dǎo)體制造機(jī)臺(tái)所給出的優(yōu)選技術(shù)方案。這并不是對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明所披露的內(nèi)容并結(jié)合實(shí)際操作的半導(dǎo)體制造工藝機(jī)臺(tái)對(duì)具體深N阱半導(dǎo)體制造工藝的光刻膠去除環(huán)節(jié)所進(jìn)行的改進(jìn)也應(yīng)納入本發(fā)明的范圍。
本發(fā)明在對(duì)深N阱工藝晶圓表面進(jìn)行光刻處理時(shí)，可以完全去除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)?。通過本發(fā)明的深N阱工藝去除光刻膠的方法，可達(dá)到完全去除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)哪康?，提高深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件的一致性，可以有效提高深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件的性能。本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟 對(duì)晶圓表面進(jìn)行灰化處理，所述灰化處理包括控制所述晶圓表面的灰化溫度，使所述晶圓表面保持低于285°C 的灰化溫度；對(duì)光刻膠進(jìn)行清洗處理； 清除經(jīng)所述清洗處理后的光刻膠殘?jiān)?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述灰化處理還包括向灰化處理室中充入氧氣，或氧氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w來產(chǎn)生相應(yīng)的等離子體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述控制所述晶圓表面的灰化溫度包括保持加熱板的加熱溫度為^5°C，控制晶圓夾具和所述加熱板的位置，或控所述制晶圓夾具和所述加熱板的位置并改變所述加熱板的加熱溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述控制所述晶圓夾具和所述加熱板的位置包括使所述晶圓夾具升降并同時(shí)使所述加熱板下降，所述晶圓夾具升降包括將所述晶圓夾具由距離所述加熱板最近的位置上升至所述晶圓夾具可動(dòng)距離的40% 至50%處，將所述晶圓夾具復(fù)位； 所述加熱板下降包括將所述加熱板下降至機(jī)臺(tái)允許的最大位置處，當(dāng)所述加熱板下降至所述機(jī)臺(tái)允許的最大位置處后保持固定；在所述控所述制晶圓夾具和所述加熱板的位置的過程中，所述晶圓夾具與所述加熱板間的最大距離為5厘米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述晶圓夾具在所述晶圓夾具可動(dòng)距離的40%至50%處保持30至50秒，所述晶圓夾具在復(fù)位位置保持5 至15秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述對(duì)光刻膠進(jìn)行清洗處理包括在第一清洗槽中使用和H2A混合溶液清洗4 6分鐘， 在第二清洗槽中使用所述和H2A混合溶液清洗4 6分鐘； 所述H2SO4和H2A混合溶液的體積比例為 H2SO4 (98wt% ) H202(30wt% ) =5:1， 所述H2SO4和H2A混合溶液的溫度為120°C至130°C。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述清除經(jīng)所述清洗處理后的光刻膠殘?jiān)ㄊ褂肗H4OH和H2A混合溶液清除所述光刻膠殘?jiān)?所述NH4OH和H2A混合溶液的體積比例為 NH4OH(29wt% ) H202 (30wt% ) H20(蒸溜水)=1 2 50， 所述NH4OH和H2A混合溶液的溫度為20°C至50°C，所述NH4OH和H2A混合溶液進(jìn)行清除處理的時(shí)間為5至15分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于 所述NH4OH和H2A混合溶液的溫度為35°C，所述NH4OH和H2A混合溶液進(jìn)行清除處理的時(shí)間為10分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述清除經(jīng)所述清洗處理后的光刻膠殘?jiān)€包括在所述清除過程中使用超聲波對(duì)晶圓加震，所述超聲波的功率為300W至800W。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種深N阱工藝去除光刻膠的方法，包括以下步驟對(duì)晶圓表面進(jìn)行灰化處理，灰化處理包括控制晶圓表面的灰化溫度，使晶圓表面保持低于285℃的灰化溫度，對(duì)光刻膠進(jìn)行清洗處理，清除經(jīng)清洗處理后的光刻膠殘?jiān)?。根?jù)本發(fā)明的深N阱工藝去除光刻膠的方法可以有效解決現(xiàn)有技術(shù)深N阱工藝的光刻膠去除工藝環(huán)節(jié)無法完全清除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘?jiān)膯栴}，提高深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件的一致性，可以有效提高深N阱工藝制造的半導(dǎo)體器件的性能。
文檔編號(hào)G03F7/36GK102193344SQ20101013183
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月15日
發(fā)明者樊強(qiáng) 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司