專利名稱：光刻膠涂覆監(jiān)控方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體器件制造領域，具體地說，本發(fā)明涉及一種光刻膠涂覆監(jiān)控方法。
背景技術：
在集成電路制造過程中，為了得到半導體器件，在工藝過程中不可避免地需要涂 覆光刻膠(也稱為光致抗蝕劑)以便對半導體材料進行刻蝕。在光刻膠的涂覆過程中，對 光刻膠涂覆量或光刻膠涂覆體積的控制是很關鍵的，這是因為光刻膠的涂覆效果直接影響 到后面的刻蝕工藝所得到的半導體層的圖案，而這又直接影響到后續(xù)得到的半導體器件的 性能。在現(xiàn)有技術中，為了控制光刻膠涂覆量或光刻膠涂覆體積，一般首先確定所需要 的光刻膠的體積，然后采用例如量筒之類的體積測量工具來測量得到期望體積量的光刻 膠。但是，在這樣的方法中，存在一些缺陷。具體地說，一方面，對于所需要的光刻膠的 體積，往往只能根據(jù)大概計算或者經(jīng)驗來確定一個期望的光刻膠體積量，而實際上并不能 保證這個期望的光刻膠體積量符合工藝實際；另一方面，諸如量筒之類的體積測量工具往 往存在一定的測量偏差，這又為實際的光刻膠涂覆帶來了一些不確定因素。此外，這種利益 量筒之類的體積測量工具對預計的光刻膠涂覆量進行測量的方法較為復雜。因此，希望能夠提出一種簡單的能夠精確地控制光刻膠涂覆效果的監(jiān)控方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種簡單的能夠精確地控制光刻膠涂覆效果的監(jiān)控方法。因此，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種光刻膠涂覆監(jiān)控方法包括光刻膠涂覆 步驟，用于以第一光刻膠涂覆量在第一硅片上涂覆光刻膠；以及條紋檢查監(jiān)控步驟，用于檢 查光刻膠涂覆步驟所得到的第一硅片的涂覆有光刻膠的表面是否存在條紋。實際上，發(fā)明人有利地發(fā)現(xiàn)，當光刻膠涂覆量不足的時候，通過在顯微鏡下觀察涂 覆了光刻膠之后的半導體硅片表面，會發(fā)現(xiàn)細長的條紋；相反，如果光刻膠涂覆量或者說光 刻膠涂覆體積足夠，則不會發(fā)現(xiàn)這種細長的條紋。根據(jù)這一特性，可以通過檢查硅片表面是 否存在條紋這一很簡單的方式，來很精確地判斷光刻膠涂覆量(光刻膠涂覆體積)是否足 夠，從而能夠精確地控制光刻膠涂覆效果。在上述光刻膠涂覆監(jiān)控方法中，在所述條紋檢查監(jiān)控步驟中，通過在顯微鏡下觀 察來檢查光刻膠涂覆步驟所得到的第一硅片的涂覆有光刻膠的表面是否存在條紋。在上述光刻膠涂覆監(jiān)控方法中，所述光刻膠涂覆監(jiān)控方法還包括當所述條紋檢 查監(jiān)控步驟中沒有檢查出條紋時執(zhí)行光刻膠涂敷量確定步驟，將所述第一光刻膠涂覆量確 定為最終的光刻膠涂敷量。此處，“最終的光刻膠涂敷量”例如表示在當前工藝條件下，對于所期望的光刻膠圖案而言合適的光刻膠涂覆量(光刻膠涂覆體積)。
在上述光刻膠涂覆監(jiān)控方法中，所述光刻膠涂覆監(jiān)控方法還包括當所述條紋檢 查監(jiān)控步驟中檢查出條紋時執(zhí)行光刻膠涂敷量確定步驟，所述光刻膠涂敷量確定步驟用于 確定最終的光刻膠涂敷量。在上述光刻膠涂覆監(jiān)控方法中，所述光刻膠涂敷量確定步驟包括將所述第一光 刻膠涂覆量加上體積變化量之和作為第二光刻膠涂覆量，并且以第二光刻膠涂覆量在第二 硅片上涂覆光刻膠；以及檢查所得到的第二硅片的涂覆有光刻膠的表面是否存在條紋。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種光刻膠涂覆監(jiān)控方法，包括光刻膠涂覆量設 置步驟，用于設置依次增大的N個光刻膠涂覆量；光刻膠總體涂覆步驟，用于以所述依次增 大的多個光刻膠涂覆量來分別對N個硅片涂覆光刻膠，N為大于1的整數(shù)；以及條紋總體檢 查步驟，用于依次檢查光刻膠總體涂覆步驟所得到的所述N個硅片的涂覆有光刻膠的表面 是否存在條紋。在上述光刻膠涂覆監(jiān)控方法中，所述光刻膠涂覆監(jiān)控方法還包括將最先檢查出 的不存在條紋的硅片的光刻膠涂覆量確定為最終的光刻膠涂覆量。在上述光刻膠涂覆監(jiān)控方法中，在所述條紋總體檢查步驟中，通過在顯微鏡下觀 察來檢查所述N個硅片的涂覆有光刻膠的表面是否存在條紋。在上述光刻膠涂覆監(jiān)控方法中，所述依次增大的N個光刻膠涂覆量中任意相鄰的 兩個光刻膠涂覆量之差是固定的。在上述光刻膠涂覆監(jiān)控方法中，所述依次增大的N個光刻膠涂覆量中任意相鄰的 兩個光刻膠涂覆量之差是可調(diào)節(jié)的。這樣，可通過調(diào)節(jié)體積變化量來控制監(jiān)控精度。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻膠涂覆監(jiān)控方法的流程圖。圖2示出了光刻膠涂覆量足夠時在顯微鏡下觀察到的硅片表面示意圖。圖3示出了光刻膠涂覆量不足時在顯微鏡下觀察到的硅片表面示意圖。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的光刻膠涂覆監(jiān)控方法的流程圖。圖5示出了圖4所示的流程獲得的表格。需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi) 容進行詳細描述?，F(xiàn)在將參考圖1至圖3來描述本發(fā)明的一個實施例。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻膠涂覆監(jiān)控方法的流程圖。如圖1所示，開始以后，首先在步驟SO涂覆光刻膠。隨后，在步驟Sl中判斷例如 在顯微鏡下能否能看到條紋。如果在顯微鏡下能看不到條紋，即判斷不存在條紋(步驟Sl 的判定為N)，從而將當前的光刻膠涂覆了確定為最終的合適的光刻膠涂覆量，流程結束。附 圖中，圖2示出了光刻膠涂覆量足夠時在顯微鏡下觀察到的硅片表面示意圖。另一方面，如果在步驟Sl中在顯微鏡下能看到條紋，即判斷存在條紋(步驟Sl的判定為Y)，從而執(zhí)行步驟S2。在步驟S2中，將現(xiàn)有光刻膠涂覆量增大一個體積變化量D，并 以新的光刻膠涂覆量對另一晶圓進行光刻膠涂覆，然后再次執(zhí)行步驟Si，以判斷是否存在 條紋(例如，在顯微鏡下是否觀察到條紋)，隨后程序按照前面描述的方式執(zhí)行下去。附圖 中，圖3示出了光刻膠涂覆量不足時在顯微鏡下觀察到的硅片表面示意圖。優(yōu)選地，固定的體積變化量D是可調(diào)節(jié)的，這樣就可以通過調(diào)節(jié)體積變化量來控 制監(jiān)控精度。當光刻膠涂覆量不足的時候，通過在顯微鏡下觀察涂覆了光刻膠之后的半導體硅 片表面，會發(fā)現(xiàn)細長的條紋(步驟Sl的判定為肯定的)；相反，如果光刻膠涂覆量或者說光 刻膠涂覆體積足夠，則不會發(fā)現(xiàn)這種細長的條紋(步驟Si的判定為否定的)。根據(jù)這一特 性，可以通過檢查硅片表面是否存在條紋這一很簡單的方式，來很精確地判斷光刻膠涂覆 量(光刻膠涂覆體積)是否足夠，從而能夠精確地控制光刻膠涂覆效果。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的光刻膠涂覆監(jiān)控方法的流程圖。如圖4所示，開始以后，首先在步驟Sll設置并確定依次增大的N個光刻膠涂覆量VU V2.....VN。優(yōu)選地，所述依次增大的N個光刻膠涂覆量中任意相鄰的兩個光刻膠涂覆量之差是固定的?？蛇x地，所述依次增大的N個光刻膠涂覆量中任意相鄰的兩個光刻膠涂 覆量之差是可調(diào)節(jié)的。這樣，可通過調(diào)節(jié)體積變化量來控制監(jiān)控精度。具體地說，例如，體 積以固定的體積變化量逐漸遞增，例如，當固定的體積變化量D為0. Iml時，Vl = lml, V2 =1. lml, V3 = 1. 2ml, V4 = 1. 3ml......VN = (0· 9+0. IN)ml。隨后，在步驟S22中，以所述依次增大的多個光刻膠涂覆量來分別對N個硅片涂覆 光刻膠，N為大于1的整數(shù)。此后，在步驟S33中，依次檢查光刻膠總體涂覆步驟所得到的所述N個硅片的涂覆 有光刻膠的表面是否存在條紋。例如，通過在顯微鏡下觀察來檢查所述N個硅片的涂覆有 光刻膠的表面是否存在條紋。然后，在步驟S44中，確定最終的光刻膠涂覆量。例如，可以將最先檢查出的不存 在條紋的硅片的光刻膠涂覆量確定為最終的光刻膠涂覆量?；蛘呖蛇x地，可以根據(jù)所得到的所有結果建立一個光刻膠涂覆量和觀察結果相對 應的表格，例如，圖5示出了 N = 9、D = 0. Iml時的對應表格，在Vl = lml、V2 = 1. lml、V3 =1. 2ml, V4 = 1. 3ml, V5 = 1.、以及V6 = 1. 5ml的光刻膠涂覆量下，均觀察到硅片表 面存在條紋，這樣就判斷出，上述光刻膠涂覆量都不合適，都多少。如圖5的表格所示，在V7 = 1. 6ml、V8 = 1. 7ml、以及V9 = 1. 8ml的光刻膠涂覆 量下，均觀察到硅片表面不存在條紋；但是，如果光刻膠涂覆量為V8 = 1. 7ml或者V9 = 1. 8ml，實際上光刻膠超出了所需的最小的光刻膠涂覆量，從而超出量被浪費，因此從這個 意義上來說也是不合適的。這樣，例如可以判斷光刻膠涂覆量V7 = 1. 6ml是比較合適的光 刻膠涂覆量，并將其判斷為最終的光刻膠涂覆量。對于本領域技術人員來說明顯的是，可在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下對本發(fā)明 進行各種改變和變形。所描述的實施例僅用于說明本發(fā)明，而不是限制本發(fā)明；本發(fā)明并不 限于所述實施例，而是僅由所附權利要求限定。
權利要求
1.一種光刻膠涂覆監(jiān)控方法，其特征在于，包括光刻膠涂覆步驟，用于以第一光刻膠涂覆量在第一硅片上涂覆光刻膠；以及條紋檢查 監(jiān)控步驟，用于檢查光刻膠涂覆步驟所得到的第一硅片的涂覆有光刻膠的表面是否存在條 紋。
2.根據(jù)權利要求1所述的光刻膠涂覆監(jiān)控方法，其特征在于，其中在所述條紋檢查監(jiān) 控步驟中，通過在顯微鏡下觀察來檢查光刻膠涂覆步驟所得到的第一硅片的涂覆有光刻膠 的表面是否存在條紋。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的光刻膠涂覆監(jiān)控方法，其特征在于，所述光刻膠涂覆監(jiān)控 方法還包括當所述條紋檢查監(jiān)控步驟中沒有檢查出條紋時執(zhí)行光刻膠涂敷量確定步驟， 將所述第一光刻膠涂覆量確定為最終的光刻膠涂敷量。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的光刻膠涂覆監(jiān)控方法，其特征在于，所述光刻膠涂覆監(jiān)控 方法還包括當所述條紋檢查監(jiān)控步驟中檢查出條紋時執(zhí)行光刻膠涂敷量確定步驟，所述 光刻膠涂敷量確定步驟用于確定最終的光刻膠涂敷量。
5.根據(jù)權利要求4所述的光刻膠涂覆監(jiān)控方法，其特征在于，所述光刻膠涂敷量確定 步驟包括將所述第一光刻膠涂覆量加上體積變化量之和作為第二光刻膠涂覆量，并且以第二光 刻膠涂覆量在第二硅片上涂覆光刻膠；以及檢查所得到的第二硅片的涂覆有光刻膠的表面 是否存在條紋。
6.一種光刻膠涂覆監(jiān)控方法，其特征在于，包括光刻膠涂覆量設置步驟，用于設置依次增大的N個光刻膠涂覆量；光刻膠總體涂覆步驟，用于以所述依次增大的多個光刻膠涂覆量來分別對N個硅片涂 覆光刻膠，N為大于1的整數(shù)；以及條紋總體檢查步驟，用于依次檢查光刻膠總體涂覆步驟所得到的所述N個硅片的涂覆 有光刻膠的表面是否存在條紋。
7.根據(jù)權利要求6所述的光刻膠涂覆監(jiān)控方法，其特征在于，所述光刻膠涂覆監(jiān)控方 法還包括將最先檢查出的不存在條紋的硅片的光刻膠涂覆量確定為最終的光刻膠涂覆 量。
8.根據(jù)權利要求6或7所述的光刻膠涂覆監(jiān)控方法，其特征在于，在所述條紋總體檢查 步驟中，通過在顯微鏡下觀察來檢查所述N個硅片的涂覆有光刻膠的表面是否存在條紋。
9.根據(jù)權利要求6或7所述的光刻膠涂覆監(jiān)控方法，其特征在于，其中所述依次增大的 N個光刻膠涂覆量中任意相鄰的兩個光刻膠涂覆量之差是固定的。
10.根據(jù)權利要求10所述的光刻膠涂覆監(jiān)控方法，其特征在于，其中所述依次增大的N 個光刻膠涂覆量中任意相鄰的兩個光刻膠涂覆量之差是可調(diào)節(jié)的。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種光刻膠涂覆監(jiān)控方法。根據(jù)本發(fā)明的光刻膠涂覆監(jiān)控方法包括光刻膠涂覆步驟，用于以第一光刻膠涂覆量在第一硅片上涂覆光刻膠；以及條紋檢查監(jiān)控步驟，用于檢查光刻膠涂覆步驟所得到的第一硅片的涂覆有光刻膠的表面是否存在條紋。根據(jù)本發(fā)明的監(jiān)控方法可以通過檢查硅片表面是否存在條紋這一很簡單的方式，來很精確地判斷光刻膠涂覆量或者光刻膠涂覆體積是否足夠，從而能夠精確地控制光刻膠涂覆效果。
文檔編號H01L21/66GK102044463SQ201010504710
公開日2011年5月4日 申請日期2010年10月12日 優(yōu)先權日2010年10月12日
發(fā)明者于世瑞 申請人:上海宏力半導體制造有限公司