本發(fā)明涉及一種晶體硅片高方阻擴散方法，該晶體硅片可用來制造太陽能電池片，屬于太陽能電池領域。
背景技術：
：：目前，太陽能晶體硅電池片的生產(chǎn)流程一般分為制絨、擴散、刻蝕、鍍膜及絲網(wǎng)印刷五個部分。其中擴散工序在整個流程過程中起到了至關重要的作用，工藝過程中，反應方程式主要包括以下四種：5POCl3→3PCl5+P2O54PCl5+5O2→2P2O5+10Cl24POCl3+3O2→2P2O5+6Cl22P2O5+5Si→5SiO2+4P行業(yè)內(nèi)擴散工藝程序主要是沉積（預擴散或預沉積）-推進（主擴散或再分布）模式，沉積：在較低的溫度下，采用恒定表面濃度擴散方式在硅片表面擴散一層雜質原子，其分布為余誤差函數(shù)，目的在于控制擴散雜質總量；推進：將表面已沉積雜質的硅片在較高溫度下擴散即為恒定摻雜總量擴散，其分布為高斯分布，目的是控制表面濃度和擴散深度。實際操作過程中，主要采用多次沉積-推進模式的循環(huán)，旨在調(diào)節(jié)PN結濃度及結深。在降本增效的趨勢下，擴散高方阻與絲網(wǎng)密柵配合被作為增效的有效途徑之一,但現(xiàn)有的沉積推進工藝并沒有有效擴散高方阻及與絲網(wǎng)密柵有效配合，因此，變相增加了成本，且擴散后硅片均勻性差，導致降低硅片性能。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種晶體硅片高方阻擴散方法，該方法在不增加擴散成本的前提下，通過同時調(diào)節(jié)沉積、推進過程的工藝時間及設定氣體流量比，達到既定的方阻值，匹配絲網(wǎng)密柵，從而有效實現(xiàn)硅片均勻性，增加硅片性能。為達到上述目的，本發(fā)明提供一種晶體硅片高方阻擴散方法，包括低溫沉積及高溫沉積：（1）在低溫沉積過程中，降低攜磷源氮氣流量，同時增加大氮流量；降低后的攜磷源氮氣流量最低值為500sccm，增加后的大氮流量最低值為12.5slm；（2）在高溫沉積過程中，增加攜磷源氮氣流量，同時減少大氮流量；增加后的攜磷源氮氣流量最低值為1000sccm，減少后的大氮流量最低值為12slm；（3）增加低溫沉積工藝的運行時間至最少5min；同時減少高溫沉積工藝的運行之間至最少1min。針對N次沉積-推進的現(xiàn)有擴散工藝，需修改參數(shù)的沉積-推進步數(shù)為1~N。利用本發(fā)明擴散方法擴散后的方阻可控制在80Ω/□~110Ω/□之間。本發(fā)明的工作原理是：1、通過降低低溫沉積過程中攜磷源氮氣流量，降低表面濃度，間接增加了氧氣流量占比，使得表面氧化層更加均勻，磷可以均勻地擴散到硅片中，改善了擴散后晶體硅片的均勻性；增加高溫沉積過程中攜磷源氮氣流量，彌補低溫沉積階段攜磷源氮氣流量的減少，同時通過控制該階段攜磷源氮氣流量，限定擴散后方阻。2、針對高電阻率晶體硅片，通過增加低溫沉積過程工藝時間，調(diào)節(jié)擴散后方阻；降低高溫推進過程工藝時間，縮短結深。從而得到低表面濃度的淺結晶體硅片。通過本發(fā)明擴散的晶體硅電池片方阻可控，均勻性與電性能良好，實驗證明，相對于現(xiàn)有工藝，該擴散方法制得的電池片，開路電壓提升1~2mV，短路電流提升25~30mA，效率提升0.05%~0.1%，效果良好，詳見（表一）：　方阻均勻性Uoc(V)Isc(A)FF(%)Eff.(%)實驗組93.853.940.63378.85279.9318.43%對比組83.074.040.63238.82479.9918.34%（表一）。具體實施方式在現(xiàn)有工藝基礎上，將第一步低溫沉積過程中的攜磷源氮氣流量設定為500sccm，大氮流量設定為12.5slm，第二步低溫沉積過程中的攜磷源氮氣流量設定為600sccm，大氮流量設定為13.9slm；將第一步高溫沉積過程中的攜磷源氮氣流量設定為1000sccm，大氮流量設定為12.1slm，第二步高溫沉積過程中的攜磷源氮氣流量設定為1100sccm，大氮流量設定為12slm。將第一步低溫沉積時間設定為5min，第二步低溫沉積時間增加8min；將第一步高溫推進時間設定為1min，第二步高溫推進時間增加4min。然后上片、執(zhí)行上述工藝、下片。以上描述了本發(fā)明的基本工藝和優(yōu)點。對發(fā)明的具體實施方案進行了描述，但并未對本發(fā)明保護范圍的限制，本行業(yè)的技術人員應該了解，上述實施例與說明中描述的只是本發(fā)明基本的操作步驟，不脫離發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權利要求及其等效物界定。當前第1頁1 2 3