1.一種LED芯片的制作方法，用于LED芯片制程，至少包括步驟：
S1、提供一晶圓，晶圓包括P型層、活性層、N型層；
S2、晶圓通過粘合工藝固定到承載盤上；
S3、對承載盤上的晶圓進行薄化；
S4、對承載盤上的晶圓進行DBR鍍膜；
S5、DBR鍍膜后取出承載盤，對承載盤上的晶圓進行分離工藝，分離晶圓與承載盤；
S6、再將晶圓切割成芯粒。
2.一種LED芯片的制作方法，用于LED芯片制程，至少包括步驟：
S1、提供一晶圓，晶圓包括P型層、活性層、N型層；
S2、晶圓通過粘合工藝固定到承載盤上；
S3、對承載盤上的晶圓進行薄化；
S4、對承載盤上的晶圓進行DBR鍍膜；
S5、DBR鍍膜后取出承載盤，將承載盤上的晶圓切割成芯粒；
S6、對承載盤上的晶圓進行分離，分離晶圓與承載盤。
3.根據權利要求1或2所述的一種LED芯片的制作方法，其特征在于，所述粘合工藝采用耐高溫蠟或耐高溫膠材將晶圓固定到承載盤上。
4.根據權利要求3所述的一種LED芯片的制作方法，其特征在于，所述耐高溫蠟或耐高溫粘合膠材熔點不小于DBR鍍膜的最高溫度。
5.根據權利要求1或2所述的一種LED芯片的制作方法，其特征在于，所述承載盤為陶瓷盤、金屬盤、SiO2盤、Si盤或SiC盤中的一種。
6.根據權利要求1或2所述的一種LED芯片的制作方法，其特征在于，所述DBR鍍膜的溫度不大于200℃。
7.根據權利要求1或2所述的一種LED芯片的制作方法，其特征在于，所述DBR鍍膜為濺鍍式。
8.一種LED芯片的制作設備，用于對承載盤上的晶圓進行DBR鍍膜，晶圓通過粘合工藝固定在承載盤上，其特征在于，所述制作設備至少包括腔體、承載盤固定裝置、DBR靶材、抽真空裝置，承載盤固定裝置用于固定承載盤，DBR靶材位于腔體內，工作時，抽真空裝置對腔體進行抽真空。
9.根據權利要求8所述的一種LED芯片的制作設備，其特征在于，所述承載盤固定裝置與導軌連接，具備在導軌上移動的功能。
10.根據權利要求8所述的一種LED芯片的制作設備，其特征在于，所述承載盤在DBR鍍膜時，豎直放置或水平放置。
11.根據權利要求8所述的一種LED芯片的制作設備，其特征在于，所述承載盤為陶瓷盤、金屬盤、SiO2盤、Si盤或SiC盤中的一種。
12.根據權利要求8所述的一種LED芯片的制作設備，其特征在于，所述承載盤為透明材料、半透明材料或者不透明材料中的一種。
13.根據權利要求8所述的一種LED芯片的制作設備，其特征在于，所述承載盤固定裝置、DBR靶材至少各有兩個。