技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種提高ITO電流擴(kuò)展的發(fā)光二極管，襯底上形成外延層，外延層上形成歐姆接觸層，歐姆接觸層上形成ITO電流擴(kuò)展層，該ITO電流擴(kuò)展層由低面阻值ITO層和高面阻值ITO層構(gòu)成；歐姆接觸層上生長(zhǎng)底層低面阻值ITO層，在底層低面阻值ITO層上循環(huán)生長(zhǎng)高面阻值ITO層、低面阻值ITO層，最頂層為低面阻值ITO層，最頂層的低面阻值ITO層連接P型電極；低面阻值ITO層和高面阻值ITO層由SnO2和In2O3構(gòu)成。本發(fā)明還公開一種提高ITO電流擴(kuò)展的發(fā)光二極管制作方法。本發(fā)明有效提高ITO電流擴(kuò)展效果，減小電極的遮光面積，提高有源區(qū)光的萃取率，提高芯片可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：林志偉;陳凱軒;張永;卓祥景;姜偉;汪洋;童吉楚;方天足
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廈門乾照光電股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610557361
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.15
技術(shù)公布日：2016.12.07