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一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構及封裝方法

文檔序號:9218717閱讀:370來源:國知局
一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構及封裝方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及LED芯片封裝技術領域,特別是一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構及封裝方法。
【背景技術】
[0002]貼片芯片Chip LED是較為標準化的貼片類LED,由于其標準化的特性,使得其便于大規(guī)模的生產和使用,廣泛的應用于指示和顯示領域。
[0003]目前ChipSMD發(fā)光二極管均采用在PCB板支架上固晶焊線,再壓模封裝、切割的封裝方法。此封裝方法雖然封裝工藝簡單,便于大規(guī)模批量生產,但是此種封裝的LED采用PCB板支架,PCB的導熱系數只能達到16.5ff/°C K,造成此種封裝的LED熱阻較大,產品散熱性能較差,產品光衰嚴重,只能用于封裝功率較小的產品。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術問題是克服現有技術的不足而提供一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構及封裝方法,提升Chip LED散熱,降低LED光衰,提升LED壽命。
[0005]本發(fā)明為解決上述技術問題采用以下技術方案:
根據本發(fā)明提出的一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構,包括銅底材的支架、封裝膠、至少一個LED芯片、一條用于使得LED芯片與支架導通的金線;其中,
LED芯片固定在支架上,金線鍵合在LED芯片和支架上,LED芯片的外層包覆有封裝膠。
[0006]作為本發(fā)明所述的一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構進一步優(yōu)化方案,所述支架的厚度為0.15-0.5mm。
[0007]作為本發(fā)明所述的一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構進一步優(yōu)化方案,所述LED芯片是通過固晶機固定到支架上。
[0008]作為本發(fā)明所述的一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構進一步優(yōu)化方案,所述金線是通過焊線機鍵合在LED芯片和支架上。
[0009]作為本發(fā)明所述的一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構進一步優(yōu)化方案,所述支架的鍍層為銀或金或合金。
[0010]作為本發(fā)明所述的一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構進一步優(yōu)化方案,所述封裝膠為純樹脂或硅膠。
[0011]基于一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構的方法,包括如下步驟:
A、提供銅底材的支架;
B、將至少一個LED芯片通過固晶機固定到支架上;
C、固晶后烘烤,烘烤條件為150°C2HRS ;
D、采用焊線機將金線鍵合到LED芯片和支架上,用來導通LED芯片和支架的連接;
E、采用壓模方式封膠后并切割、測試,完成低熱阻貼片發(fā)光二極管的封裝。
[0012]本發(fā)明采用以上技術方案與現有技術相比,具有以下技術效果:(1)使用銅底材支架替代傳統PCB支架,降低了LED熱阻,提升了 LED散熱性能;
(2)在良好的散熱條件下使得ChipLED壽命得到保障;
(3)使得ChipLED可以完成中高功率的封裝,提升Chip LED的亮度,拓展了 Chip LED的應用領域,使得Chip LED應用到照明領域成為可能;
(4)封裝工藝與傳統工藝一致,適合于大規(guī)模批量生產。
【附圖說明】
[0013]圖1是本發(fā)明結構示意圖。
[0014]圖中的附圖標記解釋為:1-LED芯片,2-金線,3-封裝膠,4_支架。
【具體實施方式】
[0015]下面結合附圖對本發(fā)明的技術方案做進一步的詳細說明:
如圖1所示是本發(fā)明結構示意圖,一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構,包括銅底材的支架4、封裝膠、至少一個LED芯片1、一條用于使得LED芯片與支架導通的金線2 ;其中,LED芯片固定在支架上,金線鍵合在LED芯片和支架上,LED芯片的外層包覆有封裝膠3。
[0016]所述支架的厚度為0.15-0.5mm。
[0017]所述LED芯片是通過固晶機固定到支架上。
[0018]所述金線是通過焊線機鍵合在LED芯片和支架上。
[0019]所述支架的鍍層為銀或金或合金。
[0020]所述封裝膠為純樹脂或硅膠。
[0021]基于一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構的方法,包括如下步驟:
A、提供銅底材的支架;
B、將至少一個LED芯片通過固晶機固定到支架上;
C、固晶后烘烤,烘烤條件為150°C2HRS ;
D、采用焊線機將金線鍵合到LED芯片和支架上,用來導通LED芯片和支架的連接;
E、采用壓模方式封膠后并切割、測試,完成低熱阻貼片發(fā)光二極管的封裝。
[0022]此種封裝的Chip LED,與傳統封裝的Chip LED相比,封裝工藝與傳統封裝一致,將傳統的PCB支架替換為銅底材支架,PCB導熱系數為16.5ff/°C K,銅的導熱系數為400ff/°C K,極大的降低了 LED熱阻,提升LED散熱性能。
[0023]本發(fā)明采用以上技術方案與現有技術相比,具有以下技術效果:
(1)使用銅底材支架替代傳統PCB支架,降低了LED熱阻,提升了 LED散熱性能;
(2)在良好的散熱條件下使得ChipLED壽命得到保障;
(3)使得ChipLED可以完成中高功率的封裝,提升Chip LED的亮度,拓展了 Chip LED的應用領域,使得Chip LED應用到照明領域成為可能;
(4)封裝工藝與傳統工藝一致,適合于大規(guī)模批量生產。
[0024]顯然,本發(fā)明的上述實施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例,而并非是對本發(fā)明的實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說,在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而這些屬于本發(fā)明的實質精神所引伸出的顯而易見的變化或變動仍屬于本發(fā)明的保護范圍。
【主權項】
1.一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構,其特征在于,包括銅底材的支架、封裝膠、至少一個LED芯片、一條用于使得LED芯片與支架導通的金線;其中, LED芯片固定在支架上,金線鍵合在LED芯片和支架上,LED芯片的外層包覆有封裝膠。2.根據權利要求1所述的一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構,其特征在于,所述支架的厚度為0.15-0.5mm。3.根據權利要求1所述的一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構,其特征在于,所述LED芯片是通過固晶機固定到支架上。4.根據權利要求1所述的一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構,其特征在于,所述金線是通過焊線機鍵合在LED芯片和支架上。5.根據權利要求1所述的一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構,其特征在于,所述支架的鍍層為銀或金或合金。6.根據權利要求1所述的一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構,其特征在于,所述封裝膠為純樹脂或硅膠。7.基于權利要求1所述的一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝方法,其特征在于,包括如下步驟: A、提供銅底材的支架; B、將至少一個LED芯片通過固晶機固定到支架上; C、固晶后烘烤,烘烤條件為150°C2HRS ; D、采用焊線機將金線鍵合到LED芯片和支架上,用來導通LED芯片和支架的連接; E、采用壓模方式封膠后并切割、測試,完成低熱阻貼片發(fā)光二極管的封裝。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝結構,包括銅底材的支架、封裝膠、至少一個LED芯片、一條用于使得LED芯片與支架導通的金線;其中,LED芯片固定在支架上,金線鍵合在LED芯片和支架上,LED芯片的外層包覆有封裝膠。本發(fā)明還公開了一種低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝方法,包括如下步驟:A、提供銅底材的支架;B、將至少一個LED芯片通過固晶機固定到支架上;C、固晶后烘烤,烘烤條件為150℃2HRS;D、采用焊線機將金線鍵合到LED芯片和支架上,用來導通LED芯片和支架的連接;E、采用壓模方式封膠后并切割、測試,完成低熱阻貼片發(fā)光二極管封裝的封裝。本發(fā)明極大地降低了Chip LED熱阻,提升Chip LED散熱,降低LED光衰,提升LED壽命。
【IPC分類】H01L33/64, H01L33/48, H01L33/00
【公開號】CN104934517
【申請?zhí)枴緾N201510206231
【發(fā)明人】嚴春偉
【申請人】江蘇穩(wěn)潤光電有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2015年4月28日
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