1.一種提高ITO電流擴展的發(fā)光二極管，其特征在于：襯底上形成外延層，外延層上形成歐姆接觸層，歐姆接觸層上形成ITO電流擴展層，該ITO電流擴展層由低面阻值ITO層和高面阻值ITO層構(gòu)成；歐姆接觸層上生長底層低面阻值ITO層，在底層低面阻值ITO層上循環(huán)生長高面阻值ITO層、低面阻值ITO層，最頂層為低面阻值ITO層，最頂層的低面阻值ITO層連接P型電極；低面阻值ITO層和高面阻值ITO層由SnO2和In2O3構(gòu)成，低面電阻ITO層中的SnO2重量比例為6%＜SnO2＜10%；高面電阻ITO層中的SnO2重量比例為2%＜SnO2＜6%。
2.如權(quán)利要求1所述的一種提高ITO電流擴展的發(fā)光二極管，其特征在于：襯底與外延層之間依次生成緩沖層和非故意摻雜層，緩沖層與襯底接觸，而非故意摻雜層與外延層接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的一種提高ITO電流擴展的發(fā)光二極管，其特征在于：外延層中有源區(qū)與第二型導(dǎo)電層之間生長電子阻擋層。
4.如權(quán)利要求1所述的一種提高ITO電流擴展的發(fā)光二極管，其特征在于：單個周期的低面電阻ITO層的厚度大于高面電阻ITO層，且高面電阻ITO層的厚度≦3nm，單個循環(huán)低面電阻ITO層和高面電阻ITO層的厚度小于15nm。
5.一種提高ITO電流擴展的發(fā)光二極管制作方法，其特征在于：包括以下步驟：
一，在襯底上生長外延層，在外延層上蒸鍍SiO2，蝕刻SiO2并保留電極區(qū)域的SiO2作為電流阻擋層；
二，在電流阻擋層上及其它區(qū)域的外延層上制作底層低面電阻ITO層；
三，在電流阻擋層周圍設(shè)置分離槽，隔離電流阻擋層上的ITO層與外延層上的ITO層；
四，制作電極于電流阻擋層上的ITO層，且電極面積小于電流阻擋層面積；
五，高溫退火合金，使得低面電阻ITO層與外延層形成歐姆接觸，同時使得電流阻擋層上的低面電阻ITO層與電極形成歐姆接觸；
六，在底層低面電阻ITO層上循壞生長若干層高/低面電阻ITO層，且與電極無連接；
七，最頂層為低面電阻ITO層，且最頂層低面電阻ITO層設(shè)置在電流阻擋層上的底層低面電阻ITO層上，與P型電極形成連接；低面阻值ITO層和高面阻值ITO層由SnO2和In2O3構(gòu)成，低面電阻ITO層中的SnO2重量比例為6%＜SnO2＜10%；高面電阻ITO層中的SnO2重量比例為2%＜SnO2＜6%。
6.如權(quán)利要求5所述的一種提高ITO電流擴展的發(fā)光二極管制作方法，其特征在于：步驟六中，單個周期的低面電阻ITO層的厚度大于高面電阻ITO層，且高面電阻ITO層的厚度≦3nm，單個循環(huán)低面電阻ITO層和高面電阻ITO層的厚度小于15nm。
7.如權(quán)利要求5所述的一種提高ITO電流擴展的發(fā)光二極管制作方法，其特征在于：在襯底與外延層之間依次生長緩沖層和非故意摻雜層，緩沖層與襯底接觸，而非故意摻雜層與外延層接觸。