技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管，包括形成于襯底上的有源層，其中，所述有源層包括疊層設(shè)置的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層；所述第一半導(dǎo)體層的材料是原子比In/(Ga+Zn)為50％以下的銦鎵鋅氧化物，所述第二半導(dǎo)體層的材料是原子比In/(Ga+Zn)為55％以上的銦鎵鋅氧化物。本發(fā)明還公開了包含如上所述薄膜晶體管的陣列基板及其制備方法，該陣列基板可應(yīng)用于液晶顯示裝置(LCD)或有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(OLED)中。如上所提供的薄膜晶體管，采用兩層IGZO半導(dǎo)體材料作為有源層半導(dǎo)體，在滿足薄膜晶體管的特性要求的同時，進(jìn)一步提高IGZO有源層半導(dǎo)體的載流子遷移率。

技術(shù)研發(fā)人員：秦芳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢華星光電技術(shù)有限公司
文檔號碼：201610538743
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.08
技術(shù)公布日：2016.11.23