1.一種薄膜晶體管，包括形成于襯底上的有源層，其特征在于，所述有源層包括疊層設(shè)置的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層；所述第一半導(dǎo)體層的材料是原子比In/(Ga+Zn)為50％以下的銦鎵鋅氧化物，所述第二半導(dǎo)體層的材料是原子比In/(Ga+Zn)為55％以上的銦鎵鋅氧化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層的材料是原子比In/(Ga+Zn)為40％～50％的銦鎵鋅氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體層的材料是原子比In/(Ga+Zn)為55％～60％的銦鎵鋅氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體層上還覆設(shè)有一氧保護層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括柵電極、源電極和漏電極；其中，所述襯底上形成有一緩沖層，所述有源層的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層依次形成于所述緩沖層上，所述氧保護層上依次形成有柵絕緣層和所述柵電極，所述柵電極上設(shè)置有絕緣介質(zhì)層并且所述絕緣介質(zhì)層覆蓋所述襯底；所述源電極和漏電極形成于所述絕緣介質(zhì)層上，所述源電極和漏電極分別通過設(shè)置于所述絕緣介質(zhì)層中的過孔與所述有源層連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧保護層覆蓋所述有源層的中間區(qū)域，所述氧保護層的兩側(cè)裸露出所述有源層；應(yīng)用離子注入工藝或等離子轟擊工藝，將裸露出的有源層的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體，在所述有源層的一端形成源極連接部，另一端形成漏極連接部；所述源電極通過設(shè)置于所述絕緣介質(zhì)層中的過孔連接到所述源極連接部，所述漏電極通過設(shè)置于所述絕緣介質(zhì)層中的過孔連接到所述漏極連接部。
7.一種薄膜晶體管陣列基板，包括玻璃基板以及陣列設(shè)置于所述玻璃基板上的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為權(quán)利要求1-6任一所述的薄膜晶體管。
8.一種如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，包括步驟：
S1、提供一玻璃基板，在該玻璃基板上形成緩沖層；
S2、在所述緩沖層依次制備第一半導(dǎo)體薄膜層和第二半導(dǎo)體薄膜層；
S3、通過第一道光罩工藝將所述第一半導(dǎo)體薄膜和第二半導(dǎo)體薄膜刻蝕形成圖案化的有源層，所述有源層包括疊層設(shè)置的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層；
S4、在具有有源層的玻璃基板上依次制備柵絕緣薄膜層和柵電極薄膜層；
S5、通過第二道光罩工藝將所述柵絕緣薄膜層和柵電極薄膜層刻蝕形成圖案化的柵絕緣層和柵電極；
S6、在所述柵電極上制備絕緣介質(zhì)層，并且所述絕緣介質(zhì)層覆蓋所述玻璃基板；
S7、通過第三道光罩工藝在所述絕緣介質(zhì)層中制備過孔；
S8、在所述絕緣介質(zhì)層上制備一金屬導(dǎo)電薄膜層；
S9、通過第四道光罩工藝將所述金屬導(dǎo)電薄膜層刻蝕形成圖案化的源電極和漏電極；所述源電極和漏電極分別通過所述絕緣介質(zhì)層中的過孔與所述有源層連接。
9.根據(jù)如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，步驟S2中，在所述第二半導(dǎo)體薄膜層上還制備形成氧保護薄膜層。
10.根據(jù)如權(quán)利要求8或9所述的薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，步驟S5具體包括：
S51、應(yīng)用頂柵自對準工藝刻蝕形成所述柵絕緣層和柵電極；
S52、應(yīng)用離子注入工藝或等離子轟擊工藝，將所述第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的兩端轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體，其中的一端形成源極連接部，另一端形成漏極連接部。