技術(shù)總結(jié)
提供了一種功率半導(dǎo)體器件邊緣結(jié)構(gòu)，尤其是具有第一負(fù)載端子(11)、第二負(fù)載端子(12)和半導(dǎo)體主體(10)的半導(dǎo)體器件(1)。半導(dǎo)體主體(10)包括有源區(qū)域(13)和包圍有源區(qū)域(13)的結(jié)終止區(qū)域(14)，有源區(qū)域(13)被配置為傳導(dǎo)第一負(fù)載端子(11)與第二負(fù)載端子(12)之間的負(fù)載電流。半導(dǎo)體主體(10)包括：漂移層(101)；主體區(qū)(16)；保護(hù)區(qū)(17)；場停止區(qū)(18?1)；和低摻雜區(qū)(18?2)，其中，主體區(qū)(16)、保護(hù)區(qū)(17)、場停止區(qū)(18?1)和低摻雜區(qū)(18?2)被布置在半導(dǎo)體主體(10)內(nèi)，以使得它們沿著垂直延伸方向(Z)呈現(xiàn)至少1μm的共同深度范圍(DR)。

技術(shù)研發(fā)人員：E·法爾克;H-J·舒爾策;A·施韋格曼
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英飛凌科技股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610516124
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.01
技術(shù)公布日：2017.01.11