技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體裝置，包括布置在半導(dǎo)體基板上的半導(dǎo)體層狀結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體層狀結(jié)構(gòu)包括場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的第一摻雜區(qū)域和場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的本體區(qū)域的至少一部分。本體區(qū)域具有第一導(dǎo)電性類型，且第一摻雜區(qū)域具有第二導(dǎo)電性類型。半導(dǎo)體裝置包括導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體層狀結(jié)構(gòu)的至少一個側(cè)壁處提供到場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的第一摻雜區(qū)域的和到場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的本體區(qū)域的電接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：J·鮑姆加特爾;C·格魯貝爾;A·豪格霍費爾;R·K·喬希;M·普埃爾茲;J·施泰因布倫納
受保護的技術(shù)使用者：英飛凌科技奧地利有限公司
文檔號碼：201610497599
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.29
技術(shù)公布日：2017.01.11