本發(fā)明有關一種封裝結構及其制法，尤指一種可發(fā)光的封裝結構及其制法。

背景技術：

發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，簡稱LED)因具有壽命長、體積小、耐震性高及耗電量低等優(yōu)點，故廣泛地應用于照明需求的電子產品中。于工業(yè)上、各式電子產品、及生活家電的應用日趨普及。

圖1為揭示一種悉知LED封裝件的剖面圖，該LED封裝件1包括有：一透光件16；一熒光層14結合于透光件16上；一發(fā)光元件10設置于熒光層14上；一包覆層12設置于熒光層14上，且覆蓋發(fā)光元件10的側面。

然而，悉知LED封裝件中，當通電后，發(fā)光元件10透過熒光層14發(fā)射的光線，往往從熒光層14的側邊外泄出，造成大量的光損耗，形成發(fā)光效率不佳的缺點，此一問題于透光件16及熒光層14過薄時(約250μm)更顯嚴重。

因此，如何克服悉知技術中的問題，實已成目前亟欲解決的課題。

技術實現要素：

鑒于上述悉知技術的缺失，本發(fā)明提供一種封裝結構及其制法，可避免光線從熒光層的外側緣外泄出去。

本發(fā)明的封裝結構的制法，其包括：提供多個發(fā)光元件，并于該些發(fā)光元件間形成包覆層，其中，各該發(fā)光元件具有相對的第一表面與第二表面、及鄰接該第一表面與該第二表面的側面，且該包覆層覆蓋該些發(fā)光元件的側面；形成熒光層于該些多個發(fā)光元件的第一表面與該包覆層上；于任二相鄰的該發(fā)光元件之間的包覆層形成溝槽，且令該溝槽貫穿該包覆層及熒光層；以及形成反射層于該些溝槽的槽壁上。

前述的制法中，該熒光層上還結合有一透光層；該些溝槽還延伸至該透光層。

前述的制法中，還包括沿該些溝槽進行切單制程。

本發(fā)明還提供一種封裝結構，包括：發(fā)光元件，其具有相對的第一表面與第二表面、及鄰接該第一表面與該第二表面的側面；包覆層，其形成于該發(fā)光元件的側面上；熒光層，其形成于該包覆層與該發(fā)光元件的第一表面上，其中，該包覆層的側邊及該熒光層的側邊并共同形成為一斜面；以及反射層，其形成于該斜面上，且遮蓋該熒光層的側邊。

前述的結構中，還包括有透光層結合于該熒光層上。

前述的制法與結構中，該包覆層為透光材質所形成者；該反射層為金屬層或白膠。

本發(fā)明又提供一種封裝結構的制法，包括：提供多個發(fā)光元件，并形成熒光層于該些發(fā)光元件上，其中，該些發(fā)光元件具有相對的第一表面與第二表面、及鄰接該第一表面與該第二表面的側面，且該熒光層覆蓋該發(fā)光元件的第一表面與側面；于該熒光層上形成透光層，以令該透光層覆蓋該熒光層；于該透光層中形成多個位于該些發(fā)光元件之間的溝槽，其中，該溝槽的深度超過形成在該第一表面的熒光層的高度；以及形成反射層于該些溝槽的槽壁上。

前述的制法中，還包括沿該些溝槽進行切單制程。

本發(fā)明再提供一種封裝結構，包括：發(fā)光元件，其具有相對的第一表面與第二表面、及鄰接該第一表面與該第二表面的側面；熒光層，其覆蓋該發(fā)光元件的該第一表面與該側面；透光層，其覆蓋該熒光層，其中該透光層外側緣形成有一斜面；以及反射層，形成于該斜面上，而遮蓋該熒光層的外側緣。

前述的結構與制法中，該反射層為金屬層或白膠。

由上可知，本發(fā)明的封裝結構及其制法藉由在多個發(fā)光元件間形成溝槽，且該溝槽的深度至少穿透熒光層(及包覆層)或至少超過形成于發(fā)光元件第一表面上的熒光層的高度，以于熒光層外側緣或透光層外側緣形成有斜面的結構，并使形成于該斜面上的反射層遮蓋該熒光層側邊，避免光線從熒光層的側邊外泄出去。再者，透過該些溝槽的槽壁為斜面，使該反射層具有斜度，以利于反射光線，且可藉由調整該溝槽的深度或角度以調整光源射出角度。

附圖說明

圖1為悉知LED封裝件的剖面圖；

圖2A至圖2E為本發(fā)明的封裝結構的制法的第一實施例的剖面示意圖，其中圖2C’、圖2D’與圖2E’為對應圖2C、圖2D與圖2E的另一實施例；以及

圖3A至圖3E為本發(fā)明的封裝結構的制法的第二實施例的剖面示意圖，其中圖3D’與圖3E’為對應圖3D與圖3E的另一實施例。

符號說明

1 LED封裝件

2,2’,3,3’ 封裝結構

10,20,30 發(fā)光元件

20a,30a 第一表面

20b,30b 第二表面

20c,30c 側面

21,31 第一離型層

21’,31’ 第二離型層

12,22 包覆層

23,33 溝槽

231,331 槽壁

14,24,34 熒光層

16 透光件

26,36 透光層

36a 第一側

36b 第二側

27,35,37 反射層

S 切割路徑

h 熒光層的高度。

具體實施方式

以下藉由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。

須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本發(fā)明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、及“一”等的用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發(fā)明可實施的范疇。

請參閱圖2A至圖2E，其為本發(fā)明的封裝結構及其制法的第一實施例的剖面示意圖。

如圖2所示，結合多個發(fā)光元件20于第一離型層21上，其中該些發(fā)光元件20具有相對的第一表面20a與第二表面20b、及鄰接該第一表面20a與該第二表面20b的側面20c。于本實施例中，該些發(fā)光元件20為發(fā)光二極管，并透過該第二表面20b以供該些發(fā)光元件20結合于該第一離型層21上。

如圖2B所示，形成包覆層22于該些多個發(fā)光元件20之間，且該包覆層22覆蓋于該些發(fā)光元件20的側面20c，但不覆蓋第一表面20a。于本實施例中，該包覆層22為透光材質所形成者，例如透明膠層(如透明硅膠)，且該包覆層22以充填方式或模封(molding)方式形成。

如圖2C所示，形成熒光層24于發(fā)光元件20的第一表面20a與該包覆層22上。該熒光層24為將熒光顆粒以噴灑或噴涂(spray-coating)或靜電涂布方式形成于該發(fā)光元件20的第一表面20a與該包覆層22上，亦或預先將熒光顆粒與一膠膜結合再貼附于該發(fā)光元件20的第一表面20a與該包覆層22上，以使該些熒光顆粒均勻布設于該于該些發(fā)光元件20的第一表面20a與該包覆層22上。由于包覆層22未覆蓋發(fā)光元件20的第一表面20a，如此當發(fā)光元件20的第一表面20a發(fā)出光線時，光線直接進入熒光層24后，可直接與其中的熒光顆粒進行反應，以產生理想的色光。

另外可選擇于該熒光層24上形成有第二離型層21’，以于后續(xù)制程進行時，避免破壞熒光層24。

如圖2D所示，于任二相鄰的該發(fā)光元件20之間的包覆層22形成溝槽23，其中該溝槽23的深度至少穿透該包覆層22及熒光層24；該溝槽23的斷面例如呈倒V狀，也就是對應于覆蓋各該發(fā)光元件20的包覆層22及熒光層24的外側緣形成有一斜面，該斜面即為對應該溝槽23的槽壁231；另外，可藉由調整該倒V狀溝槽23的深度及角度以調整光源射出角度；此外，該溝槽23例如以切割方式形成。

接著形成反射層27于該些溝槽23的槽壁231上，也就是于斜面上形成反射層27。于本實施例中，該反射層27為一金屬層。在一些實施例中，可利用電鍍、沉積、涂布或濺鍍等方式將金屬層附著于該斜面上；此外，也可于該些溝槽23中填入例如為白膠的反射層。另由于第一離型層21與第二離型層21’的設置，可避免反射層形成于發(fā)光元件20與熒光層24上。

如圖2E所示，接著，移除該第一離型層21與該第二離型層21’，以外露該發(fā)光元件20的第二表面20b與該包覆層22，并沿如圖2D所示的切割路徑S(即沿該些溝槽23)進行切單制程，以制得多個發(fā)光式封裝結構2。

請參閱圖2C’、圖2D’與圖2E’，為對應圖2C、圖2D與圖2E的另一實施例。本實施例與第一實施例大致相同，主要差異在于透光層26的形成，故不再贅述相同制程部分。

如圖2C’、圖2D’與圖2E’所示，可選擇將熒光層24結合一透光層26，其中，該透光層26為玻璃、透明膠、或玻璃與透明膠的組合。此外，該些溝槽23可延伸至該熒光層24或者延伸至該熒光層24及該透光層26。透過本實施例，可得到發(fā)光式封裝結構2’。

本發(fā)明還提供一種封裝結構2,2’，包括：一發(fā)光元件20、一熒光層24、一包覆層22、一透光層26以及一反射層27。

所述的發(fā)光元件20為發(fā)光二極管，其具有相對的第一表面20a與第二表面20b、及鄰接該第一表面20a與該第二表面20b的側面20c，而該包覆層22形成于該側面20c上，另該熒光層24形成于該發(fā)光元件20及該包覆層22上且覆蓋該發(fā)光元件20的該第一表面20a，其中該包覆層22的側邊及該熒光層24的側邊并共同形成為一斜面，以供反射層27形成于該斜面上，且遮蓋該熒光層24的側邊。另所述的透光層26可選擇覆蓋該熒光層24。

該透光層26為玻璃、透明膠、或玻璃與透明膠的組合。該反射層27為一金屬層。

請參閱圖3A至圖3E為本發(fā)明的封裝結構的制法的第二實施例的剖面示意圖。本實施例與第一實施例主要差異在于熒光層的形成位置，故不再贅述相同制程部分。

如圖3A所示，結合多個發(fā)光元件30于第一離型層31上，其中該些發(fā)光元件30具有相對的第一表面30a與第二表面30b、及鄰接該第一表面30a與該第二表面30b的側面30c。于本實施例中，該些發(fā)光元件30透過該第二表面30b以供該些發(fā)光元件30結合于該第一離型層31上。接著形成熒光層34于該些發(fā)光元件30上，且該熒光層34覆蓋該發(fā)光元件30的第一表面30a與側面30c。

于本實施例中，不需如同第一實施例于多個發(fā)光元件之間形成包覆層。

如圖3B所示，形成透光層36于該第一離型層31與該熒光層34上，以覆蓋該熒光層34。該透光層36例如為透明膠。

如圖3C所示，于該透光層36中形成多個位于該些發(fā)光元件30之間的溝槽33，且該溝槽33的深度至少超過形成于該發(fā)光元件第一表面上的該熒光層34的高度h。該溝槽33例如以切割透光層36方式形成。如圖所示，該溝槽33的斷面例如呈倒V狀，也就是對應于覆蓋各該發(fā)光元件30的透光層36的外側緣形成有一斜面，該斜面即為對應該溝槽33的槽壁331。

如圖3D所示，形成反射層35于該溝槽33的槽壁331上。在本實施例中，反射層35為一白膠，且該白膠填滿該溝槽33。

如圖3E所示，沿如圖3D所示的切割路徑S(即沿該些溝槽33)進行切單制程，并移除該第一離型層31，以外露該發(fā)光元件30的第二表面30b、該熒光層34與該透光層36，進而制得多個發(fā)光式封裝結構3。

請參閱圖3D’與圖3E’，為對應圖3D與圖3E的另一實施例。本實施例與第二實施例大致相同，主要差異在于反射層37的材質與形成方式，故不再贅述相同制程部分。

如圖3D’與圖3E’所示，于該透光層36中形成多個位于該些發(fā)光元件30之間的溝槽33，并形成反射層37于該溝槽33的槽壁331上，該反射層37為一金屬層，在一些實施例中，可利用電鍍、沉積、涂布或濺鍍等方式將金屬層附著于溝槽33的斷面，也就是該斜面上。此外，可于該透光層36上形成第二離型層31’，以于形成反射層37時保護透光層36。之后移除該第一離型層31與第二離型層31’，并沿如圖3D’所示的切割路徑S(即沿該些溝槽33)進行切單制程，以制得多個發(fā)光式封裝結構3’。

本發(fā)明還提供一種封裝結構3,3’，包括：一發(fā)光元件30、一熒光層34、一透光層36以及一反射層35,37。

所述的發(fā)光元件30為發(fā)光二極管，其具有相對的第一表面30a與第二表面30b、及鄰接該第一表面30a與該第二表面30b的側面30c，其中，熒光層34覆蓋該發(fā)光元件30的該第一表面30a與該側面30c。

所述的透光層36其具有相對的第一側36a與第二側36b，且該透光層36覆蓋該熒光層34，其中該透光層36的第二側36b與該發(fā)光元件30的第二表面30b共平面，且該第一側36a的面積大于第二側36b的面積，亦即于該透光層36的外側緣形成一斜面。該透光層36為透明膠。

所述的反射層35,37形成于該斜面上，而遮蓋住熒光層34的外側緣。于一實施例中，所述的反射層35例如為白膠。于另一實施例中，所述的反射層37例如為金屬層。

透過前述說明可知，本發(fā)明的封裝結構及其制法藉由在多個發(fā)光元件間形成溝槽，且該溝槽的深度至少穿透熒光層(及包覆層)或至少超過形成于發(fā)光元件第一表面上的熒光層的高度，以于熒光層外側緣或透光層外側緣形成有斜面的結構，并使形成于該斜面上的反射層遮蓋該熒光層側邊，避免光線從熒光層的側邊外泄出去，此外，透過該些溝槽的槽壁為斜面，使該反射層具有斜度，以利于反射光線，且可藉由調整該溝槽的深度或角度以調整光源射出角度。

上述實施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領域技術人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修改。因此本發(fā)明的權利保護范圍，應如權利要求書所列。