封裝結(jié)構(gòu)及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，尤指一種覆晶式封裝結(jié)構(gòu)及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)達(dá)，現(xiàn)今的電子產(chǎn)品已趨向輕薄短小與功能多樣化的方向設(shè)計(jì)，半導(dǎo)體封裝技術(shù)也隨之開發(fā)出不同的封裝型態(tài)。為滿足半導(dǎo)體裝置的高積集度(Integrat1n)以及微型化(Miniaturizat1n)需求，除傳統(tǒng)打線式(Wire bonding)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)外，也可藉由覆晶(Flip chip)方式，以提升布線密度。
[0003]圖1A至圖1B為現(xiàn)有覆晶式封裝結(jié)構(gòu)I的剖視示意圖。
[0004]如圖1A所示，一半導(dǎo)體晶片11藉由多個(gè)焊錫凸塊13結(jié)合至一封裝基板10上。
[0005]如圖1B所示，形成底膠12于該半導(dǎo)體晶片11與該封裝基板10之間，以包覆該些焊錫凸塊13。
[0006]然而，形成該底膠12時(shí)由外向內(nèi)灌注，所以該底膠12不易流入該封裝基板10較中間的區(qū)域，因而無法完整包覆該區(qū)域的焊錫凸塊13。因此，遂發(fā)展出一種直接壓合非導(dǎo)電性絕緣膜(Non-conductive Film，簡稱NCF)以減少底膠固化時(shí)間的NCF制程。
[0007]圖1A’至圖1C’為現(xiàn)有晶片尺寸封裝(Chip Scale Package,簡稱CSP)的覆晶式封裝結(jié)構(gòu)I’的制法的剖視示意圖。
[0008]如圖1A’所示，形成一非導(dǎo)電性絕緣膜(NCF) 12’于一晶圓11’上，再將該晶圓11’與該非導(dǎo)電性絕緣膜12’沿切割路徑S進(jìn)行切單制程，以取得多個(gè)具有該非導(dǎo)電性絕緣膜12’的晶片11。
[0009]如圖1B’所示，提供一具有電性接觸墊100的封裝基板10，且形成焊錫凸塊13于該電性接觸墊100上。
[0010]于進(jìn)行切單制程時(shí)，該非導(dǎo)電性絕緣膜12’的邊緣會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力集中現(xiàn)象而導(dǎo)致其發(fā)生碎裂(如圖1B’所示的裂痕k)，且切割用的刀具于長期使用后容易鈍化，導(dǎo)致該非導(dǎo)電性絕緣膜12’的邊緣會(huì)發(fā)生切割不良的情形，也會(huì)使該非導(dǎo)電性絕緣膜12’發(fā)生碎裂。
[0011]如圖1C’所示，將該晶片11以該非導(dǎo)電性絕緣膜12’熱壓貼合于該封裝基板10上，令該晶片11的電極墊110結(jié)合該焊錫凸塊13以電性連接該電性接觸墊100，而制成該封裝結(jié)構(gòu)1’，且該非導(dǎo)電性絕緣膜12’未接觸該絕緣保護(hù)層101。
[0012]然而，現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)I’的制法中，由于該非導(dǎo)電性絕緣膜12’的邊緣會(huì)發(fā)生碎裂，所以當(dāng)進(jìn)行熱壓貼合制程后，該非導(dǎo)電性絕緣膜12’的邊緣會(huì)產(chǎn)生空隙(void) 120，使該晶片11與該封裝基板10之間并無法完全密封，即該空隙120位于該晶片11與該封裝基板10之間，因而容易滲入水氣，以致于后續(xù)制程中容易發(fā)生爆米花現(xiàn)象(Popcorn)，致使產(chǎn)品良率降低。
[0013]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實(shí)已成為目前業(yè)界亟待克服的難題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制法，可避免后續(xù)制程中發(fā)生爆米花現(xiàn)象，以提聞廣品良率。
[0015]本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)，包括:封裝基板，其具有一絕緣保護(hù)層；電子元件，其設(shè)于該封裝基板上，且該電子元件具有相對(duì)的作用面與非作用面，該作用面具有多個(gè)電極墊并結(jié)合于該封裝基板上；以及絕緣膜，其形成于該電子元件與該封裝基板之間，以包覆該些導(dǎo)電元件，且該絕緣保護(hù)層位于對(duì)應(yīng)該絕緣膜的邊緣。
[0016]本發(fā)明還提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，包括:提供一具有相對(duì)的作用面與非作用面的電子元件，該電子元件的作用面具有多個(gè)電極墊，且一絕緣膜覆蓋該作用面與該些電極墊，該絕緣膜具有至少一縫隙；以及將該電子元件以該絕緣膜結(jié)合至一具有一絕緣保護(hù)層的封裝基板上，且該絕緣保護(hù)層位于對(duì)應(yīng)該絕緣膜的邊緣。
[0017]前述的制法中，該電子元件的制程包括:形成該絕緣膜于一基材上，再將該基材與該絕緣膜進(jìn)行切單制程。
[0018]前述的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該絕緣膜為非導(dǎo)電性絕緣膜。
[0019]前述的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該絕緣保護(hù)層為防焊層。
[0020]前述的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該電子元件為主動(dòng)元件、被動(dòng)元件或其組合者。
[0021]前述的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該絕緣保護(hù)層圍繞該絕緣膜的邊緣。
[0022]前述的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該絕緣膜堆迭于該絕緣保護(hù)層上。
[0023]前述的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該絕緣保護(hù)層的上視狀為凹凸?fàn)?。該絕緣保護(hù)層具有溝槽。該絕緣保護(hù)層為階梯狀。
[0024]前述的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，結(jié)合該電子元件與該封裝基板之前，該封裝基板具有相對(duì)的第一表面與第二表面，該些導(dǎo)電元件與該絕緣保護(hù)層形成于該第一表面上。因此，結(jié)合該電子元件與該封裝基板之后，該絕緣膜結(jié)合至該封裝基板的第一表面上。
[0025]另外，前述的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，結(jié)合該電子元件與該封裝基板之前，該封裝基板還具有線路層，該線路層具有多個(gè)電性接觸墊與導(dǎo)電跡線，該絕緣保護(hù)層外露該些電性接觸墊。例如，結(jié)合該電子元件與該封裝基板之前，該絕緣保護(hù)層還外露部分該導(dǎo)電跡線，則結(jié)合該電子元件與該封裝基板之后，該絕緣膜還結(jié)合至部分該導(dǎo)電跡線上。
[0026]由上可知，本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法，藉由該絕緣膜結(jié)合至該絕緣保護(hù)層上，以填補(bǔ)該絕緣膜的邊緣的空隙，使該電子元件與該封裝基板之間能有效密封，即該電子元件與該封裝基板之間沒有空隙，因而不易滲入水氣，所以相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明可避免后續(xù)制程中發(fā)生爆米花現(xiàn)象，以提聞廣品良率。
【附圖說明】
[0027]圖1A至圖1B為現(xiàn)有覆晶式封裝結(jié)構(gòu)的制法的剖視示意圖；
[0028]圖1A’至圖1C’為現(xiàn)有覆晶式封裝結(jié)構(gòu)的另一制法的剖視示意圖；
[0029]圖2A至圖2C為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的制法的剖視示意圖；其中，圖2B’為圖2B的另一實(shí)施例，圖2C’及圖2C”為圖2C的其它實(shí)施例；
[0030]圖3A至圖3E為本發(fā)明的絕緣保護(hù)層的不同實(shí)施例的上視示意圖；其中，圖3E’為圖3E的剖面圖；以及
[0031 ] 圖4為圖2C的其它實(shí)施例。
[0032]符號(hào)說明
[0033]1,1，，2，2，，2” 封裝結(jié)構(gòu)
[0034]10, 20封裝基板
[0035]100, 200電性接觸墊
[0036]101，201，201a_201e, 201e’，401 絕緣保護(hù)層
[0037]11晶片
[0038]11，晶圓
[0039]110,210電極墊
[0040]12底膠
[0041]12’非導(dǎo)電性絕緣膜
[0042]120空隙
[0043]13焊錫凸塊
[0044]20a第一表面
[0045]20b第二表面
[0046]20’線路層
[0047]202導(dǎo)電跡線
[0048]21電子元件
[0049]21，基材
[0050]21a作用面
[0051]21b非作用面
[0052]22,22’絕緣膜
[0053]23導(dǎo)電元件
[0054]301溝槽
[0055]k裂痕
[0056]S切割路徑
[0057]t縫隙
[0058]r寬度。
【具體實(shí)施方式】
[0059]以下藉由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0060]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“第一”、“第二”、及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0061]圖2A至圖2C為本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)2的制法的剖視示意圖。
[0062]如圖2A所示，形成一絕緣膜22于一基材21’上，以令該絕緣膜22’覆蓋該基材21’，再將該基材21’與該絕緣膜22’沿切割路徑S進(jìn)行切單制程，以取得多個(gè)具有該絕緣膜22’的電子元件21。
[0063]于本實(shí)施例中，該電子元件21為主動(dòng)元件、被動(dòng)元件或其組合者,且該主動(dòng)元件例如為晶片，而該被動(dòng)元件例如為電阻、電容及電感。
[0064]此外，該電子元件21具有相對(duì)的作用面21a與非作用面21b，該作用面21a具有多個(gè)電極墊210。
[0065]又，該絕緣膜22覆蓋該作用面21a與該些電極墊210，且該絕緣膜22為非導(dǎo)電性絕緣膜(Non-conductive Film,簡稱 NCF)。
[0066]如圖2B所7K,提供一具有相對(duì)的第一表面20a與第二表面20b的封裝基板20,且于該第一表面20a上具有一線路層20’與一絕緣保護(hù)層201。
[0067]于本實(shí)施例中，該封裝基板20的材質(zhì)可為介電材或其它現(xiàn)有材質(zhì)，并無特別限制，且該封裝基板20可具有電性連接該線路層20’的內(nèi)部線路(圖略)，而該絕緣保護(hù)層201為防焊層，如綠漆、黑漆。
[0068]此外，該線路層20’具有多個(gè)電性接觸墊200與多個(gè)導(dǎo)電跡線2