技術(shù)領(lǐng)域

所描述的技術(shù)總體上涉及一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

近來(lái)，顯示裝置的趨勢(shì)是板型平板顯示器的使用。在平板顯示器中，自發(fā)光電致發(fā)光技術(shù)具有諸如寬視角、高對(duì)比度和高刷新速率的有利特性，因此被認(rèn)為是下一代顯示裝置的首選。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器具有由有機(jī)材料形成的發(fā)光層，并具有亮度高、改善的驅(qū)動(dòng)電壓和多色顯示能力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個(gè)發(fā)明方面涉及一種顯示裝置。

另一方面在于一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底；顯示單元，設(shè)置于基底上，顯示單元包括薄膜晶體管、電連接到薄膜晶體管的顯示元件以及設(shè)置在薄膜晶體管和顯示元件之間的平坦化層，其中，顯示單元包括顯示區(qū)域和在顯示區(qū)域周?chē)姆秋@示區(qū)域，電壓線布置在非顯示區(qū)域中，其中，平坦化層包括將平坦化層分為中心部分和外圍部分的分割區(qū)域，分割區(qū)域位于在顯示區(qū)域周?chē)姆秋@示區(qū)域中，其中，電壓線部分地暴露于分割區(qū)域中，平坦化層至少覆蓋電壓線的暴露于分割區(qū)域中的側(cè)面。

電壓線可包括：第一電壓線，設(shè)置在與顯示區(qū)域的一側(cè)對(duì)應(yīng)的位置處；一對(duì)第一連接部，沿第一方向橫跨分割區(qū)域從第一電壓線突出，其中，一對(duì)第一連接部的暴露于分割區(qū)域中的側(cè)面可被從中心部分延伸的第一覆蓋部和從外圍部分延伸的第二覆蓋部覆蓋，第一覆蓋部和第二覆蓋部可彼此分離。

每個(gè)第一連接部可包括：第一區(qū)域，沿第一方向從第一電壓線延伸；第 二區(qū)域，沿第一方向從第一區(qū)域連續(xù)延伸，其中，第二區(qū)域可沿與第一方向垂直的方向從第一區(qū)域偏移。

第一覆蓋部可沿第一方向從中心部分延伸并可覆蓋第一區(qū)域的側(cè)面，第二覆蓋部可沿與第一方向相反的方向從外圍部分延伸并可覆蓋第二區(qū)域的側(cè)面。

電壓線還可包括第二電壓線，所述第二電壓線覆蓋第一電壓線的一對(duì)第一端部和顯示區(qū)域的剩余區(qū)域，中心部分可以以疊置的方式與第二電壓線的內(nèi)邊緣部分接觸。

第二電壓線可包括：一對(duì)彎曲部，覆蓋一對(duì)第一端部；一對(duì)第二連接部，分別沿第一方向橫跨分割區(qū)域從一對(duì)彎曲部突出，其中，第二覆蓋部可覆蓋一對(duì)第二連接部的暴露于分割區(qū)域中的側(cè)面。

一對(duì)第二連接部可分別與一對(duì)彎曲部的端部分隔開(kāi)，第一覆蓋部可沿第一方向覆蓋形成于一對(duì)彎曲部的端部上的側(cè)面。

顯示裝置還可包括壩狀部，所述壩狀部以疊置的方式與第二電壓線的外邊緣部分接觸，其中，壩狀部可位于分割區(qū)域中。

壩狀部可通過(guò)使用與用于形成平坦化層的材料相同的材料與平坦化層形成在同一層中。

顯示裝置還可包括密封顯示單元的薄膜包封層，其中，薄膜包封層可包括至少一層有機(jī)層和至少一層無(wú)機(jī)層，并且所述至少一層有機(jī)層可位于壩狀部的內(nèi)部。

所述至少一層無(wú)機(jī)層可延伸至外圍部分外側(cè)的區(qū)域。

薄膜晶體管可包括有源層、柵電極、源電極和漏電極，源電極、漏電極和電壓線中的每個(gè)可以具有鈦、鋁和鈦的三層結(jié)構(gòu)。

柵極絕緣層可設(shè)置于有源層和柵電極之間，層間絕緣層可設(shè)置在柵電極與源電極和漏電極之間，其中，柵極絕緣層和層間絕緣層甚至可在非顯示區(qū)域中延伸，所述至少一層無(wú)機(jī)層可在外圍部分外側(cè)的區(qū)域中與柵極絕緣層或?qū)娱g絕緣層接觸。

所述至少一層無(wú)機(jī)層可經(jīng)過(guò)柵極絕緣層或?qū)娱g絕緣層的端部并可與基底的上表面接觸。

顯示元件可為有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括電連接到薄膜晶體管的第一電極、與第一電極相對(duì)的第二電極以及設(shè)置于第一電極和第二 電極之間的中間層。

另一方面在于一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底；顯示單元，設(shè)置于基底上并包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括薄膜晶體管、電連接到薄膜晶體管的顯示元件以及置于薄膜晶體管和顯示元件之間的平坦化層，其中，顯示單元包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域，其中，非顯示區(qū)域包括電壓線，其中，平坦化層包括中心部分、外圍部分以及置于中心部分和外圍部分之間的分割區(qū)域，其中，分割區(qū)域位于非顯示區(qū)域中，其中，平坦化層至少覆蓋電壓線的形成于分割區(qū)域中的側(cè)面。

在上述顯示裝置中，電壓線包括：第一電壓線，設(shè)置在與顯示區(qū)域的一側(cè)對(duì)應(yīng)的位置處；一對(duì)連接器，沿第一方向從第一電壓線突出，其中，第一連接器的側(cè)面被從中心部分延伸的一對(duì)第一覆蓋部和從外圍部分延伸的一對(duì)第二覆蓋部覆蓋，其中，第一覆蓋部和第二覆蓋部彼此分離。在上述顯示裝置中，每個(gè)第一連接器包括：第一區(qū)域，沿第一方向從第一電壓線延伸；第二區(qū)域，沿第一方向從第一區(qū)域連續(xù)延伸，其中，第一區(qū)域與第二區(qū)域在與第一方向相交的第二方向上沒(méi)有對(duì)齊。

在上述顯示裝置中，第一覆蓋部沿第一方向從中心部分延伸并覆蓋第一區(qū)域的側(cè)面，其中，第二覆蓋部沿與第一方向相反的第三方向從外圍部分延伸并覆蓋第二區(qū)域的側(cè)面。在上述顯示裝置中，電壓線還包括第二電壓線，所述第二電壓線覆蓋第一電壓線的一對(duì)第一端部和顯示區(qū)域的除顯示區(qū)域的所述一側(cè)之外的剩余區(qū)域，其中，中心部分在顯示裝置的深度維度上與第二電壓線的內(nèi)邊緣部分接觸并疊置。

在上述顯示裝置中，第二電壓線包括：一對(duì)彎曲部，覆蓋第一端部；一對(duì)第二連接器，分別沿第一方向從彎曲部突出，其中，第二覆蓋部覆蓋第二連接器的側(cè)面。在上述顯示裝置中，第二連接器分別與彎曲部的端部分隔開(kāi)，其中，第一覆蓋部覆蓋形成于彎曲部的端部上的側(cè)面。

上述顯示裝置還包括壩狀部，所述壩狀部在顯示裝置的深度維度上與第二電壓線的外邊緣部分接觸并疊置，其中，壩狀部位于分割區(qū)域中并且不與中心部分接觸。在顯示裝置中，壩狀部與平坦化層形成在同一層上并由與形成平坦化層的材料相同的材料形成。上述顯示裝置還包括密封顯示單元的薄膜包封層，其中，薄膜包封層包括至少一層有機(jī)層和至少一層無(wú)機(jī)層，其中，所述至少一層有機(jī)層位于壩狀部的內(nèi)部。

在上述顯示裝置內(nèi)，所述至少一層無(wú)機(jī)層延伸至外圍部分外側(cè)的區(qū)域。在上述顯示裝置中，薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極和漏電極，其中，源電極、漏電極和電壓線中的每個(gè)具有由鈦、鋁和鈦形成的三層結(jié)構(gòu)。上述顯示裝置還包括：柵極絕緣層，置于有源層和柵電極之間；層間絕緣層，置于柵電極與源電極之間和柵電極與漏電極之間，其中，柵極絕緣層和層間絕緣層延伸至非顯示區(qū)域中，其中，所述至少一層無(wú)機(jī)層在外圍部分外側(cè)的區(qū)域中與柵極絕緣層或?qū)娱g絕緣層接觸。

在上述顯示裝置中，所述至少一層無(wú)機(jī)層形成于柵極絕緣層或?qū)娱g絕緣層的端部上方并與基底的上表面接觸。在上述顯示裝置中，顯示元件包括有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括電連接到薄膜晶體管的第一電極、與第一電極相對(duì)的第二電極以及置于第一電極和第二電極之間的中間層。

另一方面在于一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底，包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域；平坦化層，形成于顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域的一部分上方；電壓線，形成于基底的非顯示區(qū)域中，其中，平坦化層包括形成于顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域中的第一部分以及僅形成于非顯示區(qū)域中的第二部分，其中，電壓線與平坦化層的至少一部分形成在同一層上。

上述顯示裝置還包括薄膜包封層，所述薄膜包封層包括相對(duì)于彼此交替地形成于平坦化層的第一部分上方的至少一層有機(jī)層和至少一層無(wú)機(jī)層。在上述顯示裝置中，所述至少一層無(wú)機(jī)層包括至少在平坦化層的第二部分上方彼此接觸的多個(gè)無(wú)機(jī)層。在上述顯示裝置中，平坦化層還包括壩狀部，所述壩狀部形成于非顯示區(qū)域中并置于平坦化層的第一部分和第二部分之間，其中，有機(jī)層與壩狀部在顯示裝置的深度維度上不疊置。在上述顯示裝置中，電壓線包括第一電壓線和第二電壓線，其中，第二電壓線沿第一方向延伸，其中，第一電壓線沿與第一方向相交的第二方向延伸，其中，第二電壓線形成于非顯示區(qū)域中。

根據(jù)所公開(kāi)的實(shí)施例中的至少一個(gè)，顯示裝置被構(gòu)造為防止潮氣或氧滲透到顯示元件中，從而使諸如暗點(diǎn)的缺陷最小化。

附圖說(shuō)明

圖1是示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的示意性平面圖。

圖2是沿圖1的I-I’線截取的示意性剖視圖。

圖3是示出了圖1中示出的顯示裝置的電壓線和平坦化層的示意性平面圖。

圖4是示意性地示出了圖3中的區(qū)域A的放大圖。

圖5是沿圖4的II-II’線截取的示意性剖視圖。

圖6是示意性地示出了圖3中的區(qū)域B的放大圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)地參照實(shí)施例，在附圖中示出了實(shí)施例的示例。就這點(diǎn)而言，本示例性實(shí)施例可以具有不同的形式并且不應(yīng)該被解釋為受限于在這里所闡述的描述。因此，通過(guò)參照附圖僅在下面描述示例性實(shí)施例以解釋本描述的多個(gè)方面。如這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任何和所有組合。諸如“……中的至少一個(gè)(種)”的表達(dá)出現(xiàn)在一列元件之前時(shí)，修飾整列元件而不是修飾該列的個(gè)別元件。此外，為了不使本公開(kāi)的主題不必要的模糊，將省去對(duì)公知的功能或構(gòu)造的詳細(xì)描述。

將理解的是，盡管在這里可以使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等來(lái)描述各種組件，但是這些組件不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)組件與另一組件區(qū)分開(kāi)。

在下述描述中，使用技術(shù)術(shù)語(yǔ)僅為了解釋具體的示例性實(shí)施例，而不限制發(fā)明構(gòu)思。如在這里使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”和“該(所述)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。附圖中的元件的尺寸可以為了便于解釋而被夸大。換言之，因?yàn)楦綀D中的組件的尺寸和厚度為了便于解釋而被隨意示出，所以下面的實(shí)施例不限于此。

將理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或組件被稱為設(shè)置或形成“在”另一層、區(qū)域或組件“上”或“下”時(shí)，該層、區(qū)域或組件可以直接地或間接地設(shè)置或形成在另一層、區(qū)域或組件上或下。即，例如，可以存在中間層、中間區(qū)域或中間組件。此外，詞語(yǔ)“在……上”或“在……上方”是根據(jù)附圖選擇的。

在下文中，將參照附圖描述示例性實(shí)施例。在附圖中，同樣的附圖標(biāo)號(hào)表示同樣的元件，并且將省略其重復(fù)描述。在本公開(kāi)中，術(shù)語(yǔ)“基本上”包括完全、幾乎完全或者根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員在某些應(yīng)用下在任何顯著程度上的含義。術(shù)語(yǔ)“連接”可以包括電連接。

圖1是示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置10的示意性平面圖。圖2 是沿圖1的I-I’線截取的示意性剖視圖。圖3是示出了圖1中示出的顯示裝置10的電壓線200和平坦化層109(參照?qǐng)D2)的示意性平面圖。圖4是示意性地示出了圖3中的區(qū)域A的放大圖。圖5是沿圖4的II-II’線截取的示意性剖視圖。圖6是示意性地示出了圖3中的區(qū)域B的放大圖。

參照?qǐng)D1至圖6，示例性實(shí)施例的顯示裝置10包括基底101、設(shè)置于基底101上的顯示單元100和密封顯示單元100的薄膜包封層300。

基底101可由一種或更多種材料形成。例如，基底101由包含SiO₂作為主要成分的透明玻璃材料形成。然而，基底101不限于此。在另一個(gè)示例中，基底101由透明塑料材料形成。塑料材料的示例包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘甲二酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纖維素(TAC)和醋酸丙酸纖維素(CAP)。

如果顯示裝置10是被構(gòu)造為穿過(guò)基底101發(fā)射光以顯示圖像的底發(fā)射型顯示裝置，那么基底101可以包括透明材料。然而，如果顯示裝置10是被構(gòu)造為沿與基底101相對(duì)的方向發(fā)射光以顯示圖像的頂發(fā)射型顯示裝置，那么基底101不包括透明材料。在這種情況下，基底101可以包括金屬材料?？梢杂糜谛纬苫?01的金屬材料的示例包括鐵、鉻、錳、鎳、鈦、鉬、不銹鋼(SUS)、因瓦合金(Invar)、鉻鎳鐵合金(Inconel)和可伐合金(Kovar)。

顯示單元100設(shè)置于基底101上。顯示單元100可以包括用戶可識(shí)別的圖像形成于其中的顯示區(qū)域DA和在顯示區(qū)域DA周?chē)姆秋@示區(qū)域NDA。

顯示元件100b可布置在顯示區(qū)域DA中。例如，顯示元件100b為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。電壓線200可布置在非顯示區(qū)域NDA中，用于向諸如顯示元件100b的元件供電。焊盤(pán)單元150可設(shè)置于非顯示區(qū)域NDA中，用于將電信號(hào)從電源(未示出)或信號(hào)發(fā)生器傳輸至顯示區(qū)域DA。

在下文中，將參照?qǐng)D2描述顯示單元100。

緩沖層102可設(shè)置于基底101上。緩沖層102可設(shè)置在顯示區(qū)域DA中，并且甚至可在非顯示區(qū)域NDA中延伸。

緩沖層102可在基底101的上側(cè)上形成平坦的表面并且可以阻擋外來(lái)物質(zhì)或潮氣通過(guò)基底101侵入。例如，緩沖層102包括諸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦的無(wú)機(jī)材料，或者諸如聚酰亞胺、聚酯或亞克力(acrylic)的有機(jī)材料。緩沖層102可具有包括所列材料 中的兩種或更多種的堆疊結(jié)構(gòu)。

薄膜晶體管100a和電連接到薄膜晶體管100a的顯示元件100b可布置在基底101上方。

每個(gè)薄膜晶體管100a可包括有源層103、柵電極105、源電極107和漏電極108。以下描述將在每個(gè)薄膜晶體管100a為有源層103、柵電極105、源電極107和漏電極108順序地形成的頂柵類型晶體管的假定下展開(kāi)。然而，所描述的技術(shù)不限于此，薄膜晶體管100a可為諸如底柵類型晶體管的其它類型晶體管。

有源層103可以由諸如非晶硅或多晶硅的半導(dǎo)體材料形成。然而，所描述的技術(shù)不限于此，有源層103可以包括另外的材料。在一些示例性實(shí)施例中，有源層103包括有機(jī)半導(dǎo)體材料。

在其它示例性實(shí)施例中，有源層103包括氧化物半導(dǎo)體材料。例如，有源層103包括從諸如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)和鍺(Ge)的第12、13和14族金屬元素及其組合選擇的材料的氧化物。

柵極絕緣層104設(shè)置于有源層103上。柵極絕緣層104可具有包括諸如氧化硅和/或氮化硅的一種或更多種無(wú)機(jī)材料的單層或多層結(jié)構(gòu)。柵極絕緣層104使有源層103和柵電極105彼此絕緣。柵極絕緣層104除了可形成于顯示區(qū)域DA中之外還可形成于非顯示區(qū)域NDA的一部分中。

柵電極105設(shè)置于柵極絕緣層104上。柵電極105可連接到柵極線(未示出)，導(dǎo)通/截止信號(hào)通過(guò)柵極線施加到薄膜晶體管100a。

柵電極105可包括具有低電阻的金屬材料。例如，柵電極105具有包括鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中的至少一種的單層或多層結(jié)構(gòu)。

層間絕緣層106設(shè)置于柵電極105上。層間絕緣層106使源電極107和漏電極108與柵電極105絕緣。層間絕緣層106除了可形成于顯示區(qū)域DA中之外還可形成于非顯示區(qū)域NDA的一部分中。

層間絕緣層106可以具有包括一種或更多種無(wú)機(jī)材料的單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，無(wú)機(jī)材料包括金屬氧化物或金屬氮化物。無(wú)機(jī)材料的示例包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化鉿(HfO₂)和氧化鋯(ZrO₂)。

源電極107和漏電極108設(shè)置于層間絕緣層106上。源電極107和漏電極108與有源層103的區(qū)域接觸。

源電極107和漏電極108均可具有包括鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中的至少一種的單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，源電極107和漏電極108均可具有鈦(Ti)、鋁(Al)和鈦(Ti)的三層結(jié)構(gòu)。

平坦化層109覆蓋薄膜晶體管100a。平坦化層109防止由薄膜晶體管100a導(dǎo)致的高度差并形成平坦的上表面。此外，平坦化層109防止由不均勻的下表面導(dǎo)致的顯示元件100b的缺陷。

平坦化層109可具有包括一種或更多種有機(jī)材料的單層或多層結(jié)構(gòu)。有機(jī)材料的示例包括：諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物；丙烯酸類聚合物、酰亞胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、含氟聚合物、對(duì)二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物及其共混物?？蛇x擇的，平坦化層109可具有由無(wú)機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層形成的多層結(jié)構(gòu)。

平坦化層109可包括形成于在顯示區(qū)域DA周?chē)姆秋@示區(qū)域NDA中的分割區(qū)域V。分割區(qū)域V可通過(guò)部分地去除平坦化層109形成，以防止潮氣穿過(guò)由有機(jī)物形成的平坦化層109滲透至顯示區(qū)域DA中。分割區(qū)域V可將平坦化層109分為中心部分109a和外圍部分109b，中心部分109a的面積可以大于顯示區(qū)域DA的面積。

顯示元件100b設(shè)置于平坦化層109上。例如，每個(gè)顯示元件100b為OLED，所述OLED包括第一電極111、與第一電極111相對(duì)的第二電極113以及設(shè)置于第一電極111和第二電極113之間的中間層112。

第一電極111可設(shè)置于平坦化層109上并且可以通過(guò)形成在平坦化層109中的接觸孔電連接到薄膜晶體管100a。第一電極111可具有通過(guò)圖案化工藝形成的諸如島狀的外形。

例如，第一電極111為反射電極。例如，第一電極111包括反射層和設(shè)置于反射層上的透明或半透明電極層，反射層包括銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物。透明或半透明電極層可包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧 化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化銦鎵(IGO)和氧化鋁鋅(AZO)中的至少一種。

第二電極113可為包括金屬薄膜的透明或半透明電極，金屬薄膜包括具有低逸出功的鋰(Li)、鈣(Ca)、LiF/Ca、LiF/Al、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或其化合物。此外，輔助電極層或匯流電極可以通過(guò)使用諸如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明電極形成材料形成在金屬薄膜上。因此，第二電極113可以透射從包括在中間層112中的有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光。從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光可以直接入射在第二電極113上或者在被作為反射電極的第一電極111反射后入射在第二電極113上。

在本示例性實(shí)施例中，顯示單元100不限于頂發(fā)射型。例如，顯示單元100是光從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射到基底101的底發(fā)射型顯示單元100。在這種情況下，第一電極111可為透明或半透明電極，第二電極113可為反射電極?？蛇x擇的，顯示單元100可以是構(gòu)造為通過(guò)其頂部和底部發(fā)射光的雙側(cè)發(fā)射型顯示單元。

像素限定層119由絕緣材料形成在第一電極111上。像素限定層119可以利用從聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹(shù)脂、苯并環(huán)丁烯和酚樹(shù)脂中選擇的至少一種有機(jī)絕緣材料通過(guò)旋涂方法形成。像素限定層119暴露第一電極111的一定區(qū)域，包括有機(jī)發(fā)射層的中間層112設(shè)置于第一電極111的暴露區(qū)域中。例如，像素限定層119限定OLED的像素區(qū)域。

中間層112的有機(jī)發(fā)射層可包括低分子量有機(jī)材料或高分子量有機(jī)材料。除了包括有機(jī)發(fā)射層之外，中間層112還可包括功能層，諸如空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)或電子注入層(EIL)。

圍繞顯示區(qū)域DA的電壓線200與將平坦化層109分為中心部分109a和外圍部分109b的分割區(qū)域V可以設(shè)置于非顯示區(qū)域NDA中。電壓線200可部分地暴露于分割區(qū)域V中，平坦化層109可至少覆蓋電壓線200的暴露于分割區(qū)域V中的側(cè)面。

電壓線200可以包括與用于形成源電極107和漏電極108的材料相同的材料。例如，電壓線200具有堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括由鈦(Ti)形成的第一層200a、由鋁(Al)形成的第二層200b和由鈦(Ti)形成的第三層200c。由于鋁(Al)相較于鈦(Ti)容易被蝕刻，所以如果電壓線200的側(cè)面暴露于分割區(qū)域V中，則形成于第二層200b(鋁(Al)層)上的第一層 200a(鈦(Ti)層)和第三層200c(鈦(Ti)層)由于第二層200b的蝕刻速率相對(duì)高而會(huì)在蝕刻工藝中受損。因此，電壓線200的階梯覆蓋性會(huì)劣化。結(jié)果，形成于電壓線200上方的薄膜包封層300會(huì)具有缺陷。因此，平坦化層109至少覆蓋電壓線200的暴露于分割區(qū)域V中的側(cè)面，以防止薄膜包封層300中形成缺陷。

電壓線200可以包括第一電壓線210和第二電壓線220。例如，第一電壓線210為驅(qū)動(dòng)電壓(ELVDD)線，第二電壓線220為共電壓(ELVSS)線。第二電壓線200可連接到第二電極113。在圖2中，第二電壓線220通過(guò)線116連接到第二電極113。然而，所描述的技術(shù)不限于此。例如，第二電壓線220和第二電極113直接彼此連接。

第一電壓線210可設(shè)置在與顯示區(qū)域DA的一側(cè)對(duì)應(yīng)的位置處。例如，如果顯示區(qū)域DA具有矩形形狀，則第一電壓線210設(shè)置在與顯示區(qū)域DA的一邊對(duì)應(yīng)的位置處。第一電壓線210可以與顯示區(qū)域DA的所述一邊平行并且比顯示區(qū)域DA的所述一邊長(zhǎng)。顯示區(qū)域DA的與第一電壓線210對(duì)應(yīng)的所述一邊可以是與焊盤(pán)單元150相鄰的一邊。

一對(duì)第一連接部(或連接器)214可沿第一方向橫跨分割區(qū)域V從第一電壓線210突出。第一方向是從顯示區(qū)域DA朝向焊盤(pán)單元150限定的方向。一對(duì)第一連接部214可連接到焊盤(pán)單元150。第一電壓線210可以被中心部分109a覆蓋，一對(duì)第一連接部214可暴露于分割區(qū)域V中。

一對(duì)第一連接部214的暴露于分割區(qū)域V中的至少側(cè)面可被平坦化層109覆蓋。例如，一對(duì)第一連接部214的側(cè)面被從中心部分109a延伸的第一覆蓋部110a和從外圍部分109b延伸的第二覆蓋部110b覆蓋。由于分割區(qū)域V形成為防止潮氣穿過(guò)平坦化層109滲透至顯示區(qū)域DA中，因此第一覆蓋部110a與第二覆蓋部110b分離地形成。

例如，每個(gè)第一連接部214包括沿第一方向從第一電壓線210延伸的第一區(qū)域P1和沿第一方向從第一區(qū)域P1連續(xù)延伸的第二區(qū)域P2。此外，第二區(qū)域P2可在與第一方向基本垂直的方向上從第一區(qū)域P1偏移。在此狀態(tài)下，第一區(qū)域P1的側(cè)面被從中心部分109a沿第一方向延伸的第一覆蓋部110a覆蓋，并且第二區(qū)域P2的側(cè)面被從外圍部分109b沿與第一方向相反的方向延伸的第二覆蓋部110b覆蓋，因此第一覆蓋部110a可與第二覆蓋部110b分離。

第二電壓線220可覆蓋第一電壓線210的一對(duì)第一端部212和顯示區(qū)域 DA的剩余區(qū)域，中心部分109a可以以疊置的方式與第二電壓線220的內(nèi)邊緣部分接觸，因此第二電壓線220的內(nèi)側(cè)可以被覆蓋。

第二電壓線220可包括覆蓋一對(duì)第一端部212的外側(cè)的一對(duì)彎曲部222，以及分別沿第一方向橫跨分割區(qū)域V從所述一對(duì)彎曲部222突出的一對(duì)第二連接部224。一對(duì)第二連接部224可連接到焊盤(pán)單元150。

一對(duì)第二連接部224可暴露于分割區(qū)域V中，一對(duì)第二連接部224的側(cè)面可被第二覆蓋部110b覆蓋。此外，沿第一方向形成于一對(duì)彎曲部222的端部上的側(cè)面222E可以被第一覆蓋部110a覆蓋。在此情況下，所述一對(duì)第二連接部224可分別與所述一對(duì)彎曲部222的端部分離，因此第一覆蓋部110a可以與第二覆蓋部110b分離。

壩狀部109c可形成于分割區(qū)域V中。壩狀部109c以疊置方式與第二電壓線220的外邊緣部分接觸，因此第二電壓線220的外側(cè)可被壩狀部109c覆蓋。當(dāng)薄膜包封層300的有機(jī)層310和330形成為密封顯示單元100時(shí)，壩狀部109c阻擋有機(jī)物朝向基底101的邊緣流動(dòng)，從而防止有機(jī)層310和330的邊緣尾部的形成。

壩狀部109c可通過(guò)使用與形成平坦化層109的材料相同的材料與平坦化層109形成在同一層中。然而，壩狀部109c不限于此。例如，壩狀部109c具有兩層或更多層。例如，如果壩狀部109c具有雙層結(jié)構(gòu)，則下層包括與用于形成平坦化層109的材料相同的材料，并且上層包括與用于形成像素限定層119的材料相同的材料?？尚纬啥鄠€(gè)壩狀部109c。在這種情況下，壩狀部109c的高度可沿朝向基底101的方向增大。

薄膜包封層300可密封顯示單元100以防止潮氣或氧滲透到顯示單元100中。薄膜包封層300可包括諸如有機(jī)層310和330的一層或更多層有機(jī)層以及一層或更多層無(wú)機(jī)層320和340。在圖2示出的示例中，薄膜包封層300包括交替堆疊的兩層有機(jī)層310、330和兩層無(wú)機(jī)層320、340。然而，薄膜包封層300不限于此。例如，薄膜包封層300還包括交替堆疊的無(wú)機(jī)包封層和有機(jī)包封層，無(wú)機(jī)包封層的層數(shù)和有機(jī)包封層的層數(shù)不受限制。

例如，有機(jī)層310和330由丙烯酸樹(shù)脂、甲基丙烯酸樹(shù)脂、聚異戊二烯、乙烯基樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、纖維素樹(shù)脂和二萘嵌苯樹(shù)脂中的至少一種形成。

當(dāng)有機(jī)層310和330形成時(shí)，壩狀部109c阻擋有機(jī)物朝向基底101的邊 緣流動(dòng)。即，有機(jī)層310和330形成在壩狀部109c的內(nèi)部。

無(wú)機(jī)層320和340可以包括氮化硅、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰和氮氧化硅(SiON)中的至少一種。

無(wú)機(jī)層320和340可比有機(jī)層310和330大并且可覆蓋外圍部分109b。因此，分割區(qū)域V可被無(wú)機(jī)層320和340覆蓋。在此情況下，如上所述，至少電壓線200的暴露于分割區(qū)域V中的側(cè)面被平坦化層109覆蓋，從而改善電壓線200的階梯覆蓋性并防止形成于電壓線200上方的無(wú)機(jī)層320和340的缺陷。按照這種方式，可以防止潮氣或氧滲透到顯示元件100b中并可以最小化諸如暗點(diǎn)的缺陷。

無(wú)機(jī)層320和340可延伸至外圍部分109b外側(cè)的區(qū)域，并可在外圍部分109b外側(cè)的區(qū)域彼此接觸。此外，無(wú)機(jī)層320和340中的至少一個(gè)可在外圍部分109b外側(cè)的區(qū)域中與柵極絕緣層104或?qū)娱g絕緣層106接觸。因此，可防止潮氣穿過(guò)側(cè)面的滲透并且可以改善薄膜包封層300的粘著性。

此外，在外圍部分109b外側(cè)的區(qū)域中，無(wú)機(jī)層320和340中的至少一個(gè)可經(jīng)過(guò)層間絕緣層106的端部。于是，無(wú)機(jī)層320和340中的所述至少一個(gè)可與基底101的上表面接觸，還可與柵極絕緣層104和層間絕緣層106接觸。在此情況下，無(wú)機(jī)層320和340的邊緣部分不會(huì)剝離，因此薄膜包封層的密封特性不會(huì)劣化或失效。

應(yīng)理解的是，在此描述的示例性實(shí)施例應(yīng)僅以描述性含義來(lái)考慮，而不是出于限制的目的。在每個(gè)示例性實(shí)施例中對(duì)特征或方面的描述通常應(yīng)被認(rèn)為可用于其它示例性實(shí)施例中的其它相似特征或方面。

雖然參照附圖描述了發(fā)明技術(shù)，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解，在不脫離由權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可以在此做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。