本發(fā)明涉及一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

以往，公知有一種所謂的透明顯示裝置，該透明顯示裝置具有在顯示部顯示出圖像的同時能夠透過顯示部而看到該顯示部的對面?zhèn)鹊慕Y(jié)構(gòu)。例如，在日本專利第5477963號公報中，公開一種透明有機(jī)EL(Electro Luminescence)顯示裝置，該顯示裝置具有白色發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管元件和配置在有機(jī)發(fā)光二極管元件的光取出側(cè)的濾色器，濾色器只形成在陽極和陰極的交叉部，并且濾色器之間的間隙成為透明的透光區(qū)域。此外，在專利文獻(xiàn)2中公開一種透明顯示裝置，該透明顯示裝置在與多個子像素鄰接的一個區(qū)域內(nèi)具有透明區(qū)域(透光區(qū)域)(參照日本特開2012-238544號公報的圖14(b))。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提高具有透光區(qū)域的顯示裝置的透射性。

(1)在本發(fā)明的一技術(shù)方案中，顯示裝置的特征在于，具有：多個像素，該多個像素分別沿著第1方向和與所述第1方向交叉的第2方向排列；沿著所述第1方向延伸的多個第1布線；沿著所述第2方向延伸的多個第2布線，所述多個像素分別具有發(fā)光區(qū)域和透光區(qū)域，所述透光區(qū)域包含沿著所述第1方向與所述發(fā)光區(qū)域相鄰的第1透光區(qū)域和沿著所述第2方向與所述發(fā)光區(qū)域相鄰的第2透光區(qū)域，所述透光區(qū)域利用所述多個第1布線和所述多個第2布線中的至少一個布線而被劃分成多個區(qū)域，所述多個區(qū)域包含在所述第1方向和所述第2方向中的至少一個方向上的寬度互不相同的第1區(qū)域和第2區(qū)域。

(2)在本發(fā)明的另一技術(shù)方案中，顯示裝置的特征在于，具有：多個像素，該多個像素分別沿著第1方向和與所述第1方向交叉的第2方向排列，所述多個像素分別具有發(fā)光區(qū)域和透光區(qū)域，所述透光區(qū)域包含沿著所述第1方向與所述發(fā)光區(qū)域相鄰的第1透光區(qū)域和沿著所述第2方向與所述發(fā)光區(qū)域相鄰的第2透光區(qū)域，所述第1透光區(qū)域和所述第2透光區(qū)域包含在所述第1方向上彼此相鄰的部分，所述透光區(qū)域的形狀是由所述第1透光區(qū)域和所述第2透光區(qū)域構(gòu)成的L字型。

附圖說明

圖1是示意性地表示本實施方式的顯示裝置的開關(guān)元件附近的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖。

圖2是示意性地表示本實施方式的顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖3是構(gòu)成本實施方式的顯示裝置的顯示部的有源矩陣的等效電路圖。

圖4是示意性地表示本發(fā)明的第1實施方式的顯示裝置的一個像素中的布線構(gòu)造的示意圖。

圖5是示意性地表示本發(fā)明的第1實施方式的變形例的顯示裝置的一個像素中的布線構(gòu)造的示意圖。

圖6A是表示黑矩陣(black matrix)的邊緣的剖視圖。

圖6B是表示黑矩陣的厚度與位置的關(guān)系的圖表。

圖6C是表示黑矩陣的透射率與位置的關(guān)系的圖表。

圖7是示意性地表示本發(fā)明的第2實施方式的顯示裝置的一個像素中的布線構(gòu)造的示意圖。

圖8是示意性地表示本發(fā)明的第2實施方式的變形例的顯示裝置的一個像素中的布線構(gòu)造的示意圖。

圖9A是示意性地表示第3實施方式的顯示裝置的一個像素中的布線構(gòu)造的示意圖。

圖9B是圖9A的A-A剖視圖。

附圖標(biāo)記說明

10、基板；20、開關(guān)元件；21、22、源漏區(qū)域；23、多晶硅層；24、第1層間絕緣膜；25、柵線層；27、源漏電極；28、第2層間絕緣膜；30、有機(jī)發(fā)光二極管；31、有機(jī)膜；32、下部電極；33、上部電極；40、密封材料；50、填充材料；60、透明基板；70、第1基底膜；71、第2基底膜；80、絕緣膜；90、第3層間絕緣膜；110、數(shù)據(jù)驅(qū)動電路；120、掃描驅(qū)動電路；132、驅(qū)動元件；140、第1布線；150、第2布線；160、開關(guān)。

具體實施方式

以下，參照附圖說明本發(fā)明的各實施方式。

首先，參照圖1～圖3，針對本發(fā)明的第1～第3實施方式(以下稱為本實施方式)的顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

圖1是示意性地表示本實施方式的顯示裝置的開關(guān)元件附近的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖。本實施方式的顯示裝置100是具有在顯示部A(參照圖2)顯示出圖像的同時，能夠透過顯示部A而看到該顯示部A的對面?zhèn)鹊乃^的透明顯示裝置。此外，顯示裝置100是從有機(jī)發(fā)光二極管30處沿著與基板10相反的方向(圖1中箭頭R方向)獲取光的、所謂的頂部發(fā)光型的、有源驅(qū)動型的OLED(Organic Light Emitting Diode)顯示裝置。

顯示裝置100的主要構(gòu)成為，具有：基板10、開關(guān)元件20、有機(jī)發(fā)光二極管30、密封材料40、填充材料50以及透明基板60，并且將它們層疊起來。此外，在本實施方式中，作為發(fā)光元件，使用有機(jī)發(fā)光二極管，但并不限于此，例如也可以使用所謂的量子點。

開關(guān)元件20具有多晶硅薄膜晶體管。多晶硅薄膜晶體管具有源漏區(qū)域21、22、包含溝道多晶硅(channel Polycrystalline Silicon)層等的多晶硅層23。此外，在多晶硅層23上形成有第1層間絕緣膜24、柵線層25、源漏電極27以及第2層間絕緣膜28。

為了防止鈉、鉀等離子從基板10向多晶硅層23和柵線層25混入，在基板10和開關(guān)元件20之間設(shè)置有由SiNx等構(gòu)成的第1基底膜70。此外，在第1基底膜70和多晶硅層23之間設(shè)置有由SiOx等構(gòu)成的第2基底膜71。此外，在第2基底膜71上設(shè)置有絕緣膜80。

此外，在本實施方式中，雖然使用玻璃作為基板10，但并不限于此，只要具有絕緣性，哪怕是樹脂等也可以。

有機(jī)發(fā)光二極管30具有：有機(jī)膜31、下部電極32以及上部電極33。該下部電極32和上部電極33中的一者作為陽極發(fā)揮作用，另一者作為陰極發(fā)揮作用。

下部電極32以覆蓋成為發(fā)光區(qū)域的部分的方式形成，該下部電極32穿過貫穿第2層間絕緣膜28的孔與源漏電極27的一方相連接。此外，在下部電極32的周緣部、設(shè)置有多晶硅層23和柵線層25等的非發(fā)光區(qū)域上形成有第3層間絕緣膜(以下，稱為堤部)90。有機(jī)膜31以覆蓋下部電極32的方式形成，在非發(fā)光區(qū)域中，借助堤部90，將有機(jī)膜31與下部電極32隔離開。上部電極33以覆蓋有機(jī)膜31的方式形成。

在這里，說明有機(jī)膜31的結(jié)構(gòu)，有機(jī)膜31的結(jié)構(gòu)是公知技術(shù)，因此，在圖1中進(jìn)行簡略化地圖示。有機(jī)膜31的結(jié)構(gòu)為，從陰極側(cè)向陽極側(cè)依次層疊配置電子輸送層、發(fā)光層以及空穴輸送層。此外，可以在陽極和空穴輸送層之間配置陽極緩沖層、空穴注入層。此外，多層結(jié)構(gòu)的有機(jī)膜31也可以包含無機(jī)材料的層。此外，也可以在陰極和電子輸送層之間設(shè)置電子注入層。此外，發(fā)光層和電子輸送層也可以是由能夠兼顧它們二者功能的材料構(gòu)成的一個層。

當(dāng)向下部電極32和上部電極33施加直流電壓時，從陽極側(cè)注入的空穴經(jīng)由空穴輸送層到達(dá)發(fā)光層，另一方面，從陰極側(cè)注入的電子經(jīng)由電子輸送層到達(dá)發(fā)光層，從而使電子和空穴復(fù)合。利用這樣的電子和空穴的復(fù)合，有機(jī)發(fā)光二極管30進(jìn)行規(guī)定波長的發(fā)光。此外，為了提高從發(fā)光層射出的光的利用效率，優(yōu)選的是，下部電極32由光反射率高的材料構(gòu)成?；蛘撸虏侩姌O32也可以是將例如由ITO(Indium Tin Oxide)構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜和例如由銀構(gòu)成的反射膜層疊而成的結(jié)構(gòu)。

密封材料40以覆蓋上部電極33的方式形成。優(yōu)選的是，為了不使水分等進(jìn)入有機(jī)發(fā)光二極管30，而使密封材料40具有高阻氣性且相對于可見光是透明的。例如，作為密封材料40，使用氮化硅那樣的致密的無機(jī)層、或者由無機(jī)層和有機(jī)層構(gòu)成的層疊膜即可。

透明基板60隔著由高分子材料構(gòu)成的透明的填充材料50形成在密封材料40上。

圖2是示意性地表示本實施方式的顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2中的基板10上的被雙點劃線圍住的區(qū)域表示用于顯示圖像的顯示部A。如圖2所示，在顯示部A的周邊配置有向數(shù)據(jù)線D輸出圖像信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路110和向柵線G輸出掃描信號的掃描驅(qū)動電路120。

此外，在顯示部A中，電位布線E沿著與數(shù)據(jù)線D相同方向延伸配置。電位布線E經(jīng)由開關(guān)160(參照圖3)連接于電流供給線S1、S2。

圖3是構(gòu)成本實施方式的顯示裝置的顯示部的有源矩陣的等效電路圖。在本實施方式中，在基板10上設(shè)置有多個柵線G和沿著與柵線G延伸的方向(第1方向X)交叉的方向(第2方向Y)延伸的多個數(shù)據(jù)線D，如圖3所示，在m根柵線G和n根數(shù)據(jù)線D交叉的位置呈矩陣狀地配置有像素P。各像素P由開關(guān)元件20、有機(jī)發(fā)光二極管30、存儲電容130、像素電容131以及驅(qū)動元件132構(gòu)成。有機(jī)發(fā)光二極管30的一個電極與所有像素共用的電流供給線S1、S2相連接以保持規(guī)定的電位。

圖4是示意性地表示本發(fā)明的第1實施方式的顯示裝置的1個像素中的布線構(gòu)造的示意圖。顯示裝置100在顯示部A上具有分別在第1方向X和與第1方向X交叉(在第1實施方式中為正交)的第2方向Y上排列的、用于顯示圖像的多個像素P，圖4示出被排列成多個的像素P中的一個。

各個像素P具有以亮度受控制的方式發(fā)光的發(fā)光區(qū)域L(圖4中的虛線內(nèi)的區(qū)域)。此外，各個像素P具有在第1方向X和第2方向Y上與發(fā)光區(qū)域L相鄰的形狀的透光區(qū)域M(圖4中的虛線內(nèi)的區(qū)域)。具體而言，透光區(qū)域M形成為由第1透光區(qū)域M1和第2透光區(qū)域M2構(gòu)成的形狀(在圖4中為將L字形狀左右翻轉(zhuǎn)而成的形狀、所謂的L字型)，該第1透光區(qū)域M1位于在第1方向X上與發(fā)光區(qū)域L相鄰且比發(fā)光區(qū)域L向第2方向Y延伸的位置，該第2透光區(qū)域M2在第2方向Y上與發(fā)光區(qū)域L相鄰。換言之，發(fā)光區(qū)域L和第2透光區(qū)域M2這兩者與第1透光區(qū)域M1在第1方向X上鄰接，透光區(qū)域M形成為由第1透光區(qū)域M1和第2透光區(qū)域M2構(gòu)成的L字型的形狀。

此外，各個像素P在發(fā)光區(qū)域L具有多個子像素。在第1實施方式中，像素P具有發(fā)光顏色為紅色的子像素P1、發(fā)光顏色為綠色的子像素P2以及發(fā)光顏色為藍(lán)色的子像素P3這三種子像素。而且，發(fā)光區(qū)域L由以多個子像素各自亮度受控制的方式進(jìn)行發(fā)光的多個副發(fā)光區(qū)域L1、L2、L3構(gòu)成。副發(fā)光區(qū)域L1是利用發(fā)光顏色為紅色的子像素P1進(jìn)行發(fā)光的區(qū)域，副發(fā)光區(qū)域L2是利用發(fā)光顏色為綠色的子像素P2進(jìn)行發(fā)光的區(qū)域，副發(fā)光區(qū)域L3是利用發(fā)光顏色為藍(lán)色的子像素P3進(jìn)行發(fā)光的區(qū)域。

而且，如參照圖2、圖3進(jìn)行說明那樣，顯示裝置100在像素中具有包含柵線G、數(shù)據(jù)線D的多個布線，這些布線也位于透光區(qū)域M。布線具有規(guī)定的寬度，位于透光區(qū)域M的布線對透射到透射區(qū)域M的光的一部分進(jìn)行遮光。

在這里，第1實施方式的顯示裝置100在對透光區(qū)域M進(jìn)行遮光的布線的配置方面具有特征，無論配置在圖4所示的1個像素中的布線是柵線G或者數(shù)據(jù)線D中哪種布線等布線的種類如何，在以下的說明中，都將沿著第1方向X延伸的布線稱為第1布線140，將沿著第2方向Y延伸的布線稱為第2布線150。

如圖4所示，在第1實施方式中，將被第1布線140a、第1布線140b、第2布線150a以及第2布線150g圍成的區(qū)域稱為1個像素。而且，在第1布線140a和第2布線150a交叉的位置附近配置有沿著第1方向X排列的三種子像素P1、P2、P3。

此外，第2布線150a和第2布線150b以夾著子像素P1的方式排列。此外，第2布線150c和第2布線150d以夾著子像素P2的方式排列。此外，第2布線150e和第2布線150f以夾著子像素P3的方式排列。

即，兩根第2布線150b、150c以穿過發(fā)光顏色為紅色的子像素P1和發(fā)光顏色為綠色的子像素P2之間的方式排列。同樣的是，兩根第2布線150d、150e以穿過發(fā)光顏色為綠色的子像素P2和發(fā)光顏色為藍(lán)色的子像素P3之間的方式排列。通過實施這樣的排列，透光區(qū)域M的第2透光區(qū)域M2被劃分為與多個子像素分別相鄰的多個鄰接區(qū)域和夾在相鄰的鄰接區(qū)域之間的夾設(shè)區(qū)域。此外，以夾著各子像素的方式排列的兩根第2布線是數(shù)據(jù)線和電流供給線。

如圖4所示，將透光區(qū)域M之中，沿著第2方向Y與子像素P1相鄰的區(qū)域設(shè)為鄰接區(qū)域M21，沿著第2方向Y與子像素P2相鄰的區(qū)域設(shè)為鄰接區(qū)域M22，沿著第2方向Y與子像素P3鄰接的區(qū)域設(shè)為鄰接區(qū)域M23。此外，將夾在鄰接區(qū)域M21和鄰接區(qū)域M22之間的區(qū)域設(shè)為夾設(shè)區(qū)域M24，將夾在鄰接區(qū)域M22和鄰接區(qū)域M23之間的區(qū)域設(shè)為夾設(shè)區(qū)域M25。

如以上說明那樣，在第1實施方式中，具有于第1方向X和第2方向Y與發(fā)光區(qū)域L相鄰的形狀的透光區(qū)域M，能夠確保1個像素中的透光區(qū)域M所占的區(qū)域較大且提高透射性。

此外，在第1實施方式中，透光區(qū)域M被劃分成第1方向X的寬度各不相同的如下三種區(qū)域：第1方向X的寬度為a1、a2、a3的鄰接區(qū)域M21、M22、M23，第1方向X的寬度為b1、b2的夾設(shè)區(qū)域M24、M25以及第1方向X的寬度為c的第1光區(qū)域M1(c>a1、a2、a3>b1、b2)。

在這里，在透光區(qū)域M中，有受各布線的邊緣的影響而產(chǎn)生光的衍射的情況，成為邊緣的部分越多，就越容易產(chǎn)生衍射。此外，在利用布線劃分出的區(qū)域的間隔為等間隔的情況下，即，存在周期性結(jié)構(gòu)的情況下，光的衍射變強(qiáng)。在第1實施方式中，透光區(qū)域M利用第2布線150(150a～150g)而被劃分成寬度互不相同的區(qū)域，因為多個不同周期混合在一起，所以能夠抑制因周期性結(jié)構(gòu)導(dǎo)致衍射變強(qiáng)。

此外，在第1實施方式中，形成為第1方向X的鄰接區(qū)域M21、M22、M23的寬度a1、寬度a2、寬度a3大致相同的結(jié)構(gòu)，但是為了進(jìn)一步抑制衍射變強(qiáng)，也可以形成為寬度a1、寬度a2以及寬度a3各不相同的結(jié)構(gòu)。同樣的是，為了進(jìn)一步抑制衍射增強(qiáng)，也可以形成為第1方向X的夾設(shè)區(qū)域M24、M25的寬度b1、寬度b2互不相同的結(jié)構(gòu)。

此外，在第1實施方式中，將透光區(qū)域M劃分為鄰接區(qū)域M21、M22、M23、夾設(shè)區(qū)域M24、M25以及第1透光區(qū)域M1這6個區(qū)域，但并不限于此，只要是利用至少1個布線以使透光區(qū)域M的第1方向X和第2方向Y的至少一方的寬度不同的方式劃分出多個區(qū)域即可。

圖5是表示第1實施方式的變形例的顯示裝置的1個像素中的布線構(gòu)造的示意圖。第1實施方式的變形例的顯示裝置除了將黑矩陣BM設(shè)置為覆蓋布線這一點以外，在布線的配置等基本的結(jié)構(gòu)上與圖4所示的第1實施方式的結(jié)構(gòu)是相同的，故此省略其詳細(xì)說明。

在第1實施方式的變形例的顯示裝置中，黑矩陣BM設(shè)置為覆蓋第1布線140和第2布線150。而且，參照圖4來說明的夾設(shè)區(qū)域被黑矩陣BM所掩埋。這樣一來，成為布線或者黑矩陣的邊緣的部分將會減少夾設(shè)區(qū)域被掩埋的大小(被劃分出的區(qū)域數(shù)量變少)，因此，難以產(chǎn)生衍射。

此外，通過形成利用黑矩陣BM覆蓋包含各種布線在內(nèi)的由金屬構(gòu)成的具有反射性的結(jié)構(gòu)要素而成的結(jié)構(gòu)，能夠大幅度抑制該結(jié)構(gòu)要素的對外部光(例如太陽光)的反射。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)一種不降低透光區(qū)域M的透射率就能夠大幅度抑制外部光反射的、即有高透射率且即使在明亮的環(huán)境下也容易進(jìn)行觀察的透明顯示裝置。

在這里，參照圖6A～圖6C，針對作為透明顯示裝置的課題的衍射的產(chǎn)生及衍射的抑制進(jìn)行說明。如果成為布線、黑矩陣的邊緣的部分附近的透射率急劇變化，則容易產(chǎn)生衍射。通過使該透射率的變化恒定，能夠抑制衍射增強(qiáng)。在第1實施方式的變形例中，為了使透射率的變化恒定來抑制衍射的產(chǎn)生，將黑矩陣BM的邊緣構(gòu)造形成為圖6A所示那樣的形狀。

圖6A～圖6C是針對黑矩陣的邊緣構(gòu)造進(jìn)行說明的圖。圖6A是表示黑矩陣的邊緣的剖視圖，圖6B是表示黑矩陣的厚度和位置的關(guān)系的圖表，圖6C是表示黑矩陣的透射率和位置的關(guān)系的圖表。

黑矩陣BM具有端部(邊緣)BMa，該端部(邊緣)BMa具有面向貫穿表面和背面的開口(透光區(qū)域M)的端面BMb。如圖6A所示，該端面BMb是從表面和背面中的一方以使表面和背面中的另一方懸伸(overhang)的方式傾斜，并且形成為相對于表面和背面的一方的坡度不超過90°的曲面。此外，在圖6A中，黑矩陣BM直接形成在配置于基板10的布線(圖6A中的第2布線150)之上。然而，黑矩陣BM也可以形成在與面向基板10的透明基板60的布線重疊的位置。

而且，針對作為用于抑制衍射增強(qiáng)的黑矩陣BM的邊緣構(gòu)造的理想的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。當(dāng)端部BMa的厚度為H、端部BMa的突出方向的長度為J時，希望J≥1.0μm。這是因為，在相對于可見光發(fā)揮所希望的光學(xué)的功能方面，希望使之形成為比可見光的波長大的尺寸。

而且，在將以圖6A中的位置(0，0)為原點時的突出方向的位置設(shè)為j、將BM的厚度方向的位置設(shè)為h的情況下，希望滿足h＝-Cln(j)+D(C和D是常數(shù))。圖6B是表示在C＝0.141、D＝0的情況下的、BM的位置h和位置j的關(guān)系的圖表。此外，圖6C是表示在C＝0.141、D＝0的情況下的、透射率和位置j的關(guān)系的圖表。

通過將端部BMa的厚度方向的位置h和端部BMa的突出方向的位置j的關(guān)系設(shè)為圖6B所示那樣的對數(shù)函數(shù)，如圖6C所示，獲得透射率隨著突出方向的位置進(jìn)行線性變化的黑矩陣。通過將黑矩陣的邊緣形成為這樣的結(jié)構(gòu)，能夠抑制衍射增強(qiáng)，并且能夠抑制透射光的色分離，從而能夠?qū)崿F(xiàn)透明性高的顯示裝置。

此外，即使將第1實施方式的變形例的黑矩陣BM的端部(邊緣)的形狀應(yīng)用在第1實施方式的第1布線140、第2布線150的邊緣的形狀中，也能夠獲得相同的效果。

圖7是示意性地表示第2實施方式的顯示裝置的1個像素中的布線構(gòu)造的示意圖。第2實施方式的顯示裝置除了在1個像素中的布線構(gòu)造上與第1實施方式的顯示裝置不同以外，基本的構(gòu)造是相同的。

如圖7所示，在第2實施方式中，將第1布線140a、第1布線140b、第2布線150a以及第2布線150d圍成的區(qū)域作為1個像素。而且，3種子像素P1、P2、P3沿著第1方向X排列配置在第1布線140a和第2布線150a交叉的位置附近。

此外，第2布線150a和第2布線150b以夾著子像素P1的方式排列。此外，第2布線150b和第2布線150c以夾著子像素P2的方式排列。

而且，第2布線150b(第3布線)和第2布線150c(第4布線)從副發(fā)光區(qū)域L2、L3處起以遠(yuǎn)離第1透光區(qū)域M1且接近第2布線150a的方式彎曲，并且延伸到像素的端部。

利用以上那樣的布線構(gòu)造，透光區(qū)域M被劃分為夾在第2布線150a和第2布線150b之間的夾設(shè)區(qū)域M24、夾在第2布線150b和第2布線150c之間的夾設(shè)區(qū)域M25以及除此以外的區(qū)域這三個區(qū)域。

而且，如圖7所示，在第2實施方式中，在透光區(qū)域M中，穿過第1光透區(qū)域M1和第2透光區(qū)域M2的第1方向X的寬度c2比穿過第1光透區(qū)域M1的第1方向X的寬度c1大。此外，在透光區(qū)域M中，穿過第1透光區(qū)域M1的第2方向Y的寬度d2比穿過第2透光區(qū)域M2的第2方向Y的寬度d1大。

如上所述，在第2實施方式中，具有從第1方向X和第2方向Y與發(fā)光區(qū)域L相鄰的形狀的透光區(qū)域M，因此，能夠確保1個像素中的透光區(qū)域M所占的區(qū)域較大，從而提高透射性。

此外，在第2實施方式中，透光區(qū)域M被劃分為包含第1方向X的寬度為b1、b2的區(qū)域的夾設(shè)區(qū)域M24、M25、包含第1方向X的寬度為c1的區(qū)域的第1透光區(qū)域M1、包含第1方向X的寬度為c2的區(qū)域的包含第1透光區(qū)域M1和第2透光區(qū)域M2的區(qū)域，即，被劃分為包含第1方向X的寬度各不相同的區(qū)域的區(qū)域(c2>c1>b1、b2)。此外，透光區(qū)域M也被稱為劃分為包含第2方向Y的寬度為d1的區(qū)域的第2透光區(qū)域M2、包含第2方向Y的寬度為d2的區(qū)域的第1透光區(qū)域M1，即，也被劃分為包含第2方向Y的寬度各不相同的區(qū)域的區(qū)域。這樣一來，通過將透光區(qū)域M劃分成包含寬度不同的區(qū)域的多個區(qū)域，能夠抑制衍射增強(qiáng)。此外，在第2實施方式中，透光區(qū)域M被劃分成3個區(qū)域，與劃分成6個區(qū)域的第1實施方式相比，因為透光區(qū)域M被劃分成的區(qū)域數(shù)量減少，所以，衍射與之相應(yīng)地難以增強(qiáng)。

此外，在第2實施方式中，第2布線150a、150b、150c的長度各不相同。如果長度不同的布線使用相同的材料，那么不同的布線具有不同的布線電阻，從而在顯示特性方面存在問題。因此，優(yōu)選的是，長度不同的布線使用單位長度的電阻率互不不同的材料。具體而言，優(yōu)選的是，最短的第2布線150a的單位長度的電阻率比其他的布線的單位長度的電阻率大，第二短的第2布線150b(第3布線)的單位長度的電阻率比第2布線150a的單位長度的電阻率小，最長的第2布線150c(第4布線)的單位長度的電阻率比其他的布線的單位長度的電阻率小。

圖8是表示第2實施方式的變形例的顯示裝置的1個像素中的布線構(gòu)造的示意圖。第2實施方式的變形例的顯示裝置除了將黑矩陣BM設(shè)置為覆蓋布線這一點以外，在布線的配置等基本的結(jié)構(gòu)上與圖7所示的第2實施方式的結(jié)構(gòu)相同，故此省略其詳細(xì)說明。

在第2實施方式的變形例的顯示裝置中，黑矩陣BM設(shè)置為覆蓋第1布線140、第2布線150。而且，以與參照圖7來說明的夾設(shè)區(qū)域被黑矩陣BM所掩埋的部分相應(yīng)的程度，使透光區(qū)域M的劃分?jǐn)?shù)量減少，衍射難以增強(qiáng)。此外，在這里雖然省略了說明，但是在第2實施方式的變形例中，黑矩陣BM的邊緣構(gòu)造也優(yōu)選使用圖6A～圖6C所說明的結(jié)構(gòu)。

圖9A、圖9B是說明第3實施方式的顯示裝置的圖。圖9A是示意性地表示第3實施方式的顯示裝置的1個像素中的布線構(gòu)造的示意圖，圖9B是圖9A的A-A剖視圖。第3實施方式的顯示裝置中，除了1個像素中的布線構(gòu)造不同以外，在基本的構(gòu)造上與第2實施方式的顯示裝置是相同的。

在第3實施方式中，與采用了使多個第2布線150隔開規(guī)定的間隔地配置的結(jié)構(gòu)的第2實施方式不同，在像素的端部處，多個第2布線150沿著厚度方向重疊起來(俯視觀察時彼此重疊)，并且沿著像素的端部設(shè)置。具體而言，第2布線150b和第2布線150c從副發(fā)光區(qū)域L1、L2處起以沿著厚度方向與第2布線150a重疊的方式彎曲延伸。這樣一來，在第3實施方式中，第2透光區(qū)域M2構(gòu)成為未被布線劃分的結(jié)構(gòu)，透光區(qū)域M由一個區(qū)域構(gòu)成，因此，與第1實施方式和第2實施方式相比，布線的邊緣部分減少，使得衍射難以增強(qiáng)。

此外，如圖9B所示，在多個第2布線中，長度越短的布線，厚度越薄。即，通過使最短的第2布線150a的厚度最薄，使得其單位長度的電阻率比其他的布線的單位長度的電阻率大。而且，按照第2布線150b、第2布線150c的順序增加厚度，從而使單位長度的電阻率減少。此外，對于上述的第2實施方式中的多個第2布線而言，也可以應(yīng)用在第3實施方式中所說明的長度越短的布線，厚度越薄的結(jié)構(gòu)。

此外，雖然省略圖示，但是在第3實施方式中，也可以與第1實施方式的變形例和第2實施方式的變形例所示的一樣，采用以覆蓋布線的方式設(shè)置黑矩陣BM的結(jié)構(gòu)。以上說明了本發(fā)明優(yōu)選的實施方式，應(yīng)該明白的是其包括可做多種修改，所附的權(quán)利要求書包含這些屬于本發(fā)明思想和范圍的修改。