本發(fā)明涉及一種柔性元件。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體材料的制造過(guò)程中，可能會(huì)需要使用熱退火工藝。高能量光照射式技術(shù)，例如紅外線照射技術(shù)(IR-lamp)或快閃式照射技術(shù)(FLA)可適用于熱退火工藝。高能量光照射式技術(shù)可具有低制造溫度以及減少制造時(shí)間的特點(diǎn)。

當(dāng)使用高能量光照射式技術(shù)于制造柔性(flexible)元件時(shí)，在熱退火過(guò)程中可能會(huì)造成柔性基板的焦化。柔性基板由可吸收特定波長(zhǎng)光線的材料所制造而成，所述柔性基板的焦化可能是由于光線吸收所造成的。有鑒于上述情況，如何防止熱退火時(shí)的基板焦化以提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的品質(zhì)，實(shí)為相關(guān)領(lǐng)域極欲解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明一實(shí)施例提供一種柔性元件，可包括：柔性基板；緩沖層，配置于柔性基板上；光反射層，配置于柔性基板上，其中光反射層的反射波長(zhǎng)例如為200nm～1100nm，反射率大于80％，且光反射層的應(yīng)力方向與柔性基板的應(yīng)力方向可為相同；以及元件層，配置于光反射層以及緩沖層上。

在一實(shí)施例中，光反射層配置于緩沖層內(nèi)。

在一實(shí)施例中，光反射層是圖案化光反射層，且圖案化光反射層不與元件層的一柵電極重疊或是不與元件層的多晶硅層重疊。

在一實(shí)施例中，還包含阻擋層，其中光反射層位于阻擋層上，且位于阻擋層以及緩沖層之間。

在一實(shí)施例中，光反射層是圖案化光反射層，且圖案化光反射層不與元件層的柵電極重疊。

在一實(shí)施例中，光反射層是圖案化光反射層，且圖案化光反射層不與元件層的多晶硅層重疊。

在一實(shí)施例中，還包含光吸收膜，其中光吸收膜位于光反射層上方或位于光反射層下方。

在一實(shí)施例中，光吸收膜具有多層結(jié)構(gòu)，其中多層結(jié)構(gòu)包括多個(gè)不同能隙材料的堆疊層。

在一實(shí)施例中，光吸收膜的能隙范圍在1.1eV～1.8eV之間。

在一實(shí)施例中，光吸收膜位于緩沖層內(nèi)，且與光反射層分離。

在一實(shí)施例中，光吸收膜位于緩沖層內(nèi)，且與光反射層接觸。

在一實(shí)施例中，光吸收膜是圖案化光吸收膜，且圖案化光吸收膜不與元件層的柵電極重疊或是不與元件層的多晶硅層重疊。

在一實(shí)施例中，光吸收膜的材料包括非晶硅、微晶硅、鉬、鈦、鉻、鎢、鋯、釩、鈮、鉭、鉑、銅、金、鋅、鎘、鋁、銀、碳、錫或上述的組合。

在一實(shí)施例中，光反射層是圖案化光反射層且光吸收膜是圖案化光吸收膜，其中圖案化光反射層以及圖案化光吸收膜具有相同的圖案。

在一實(shí)施例中，光反射層是圖案化光反射層且光吸收膜是圖案化光吸收膜，其中圖案化光反射層以及圖案化光吸收膜具有不同的圖案。

在一實(shí)施例中，光反射層包括金屬層，包括有金屬層及陶瓷層的堆疊層，包括有第一陶瓷層、金屬層及第二陶瓷層的堆疊層，或上述的組合。

在一實(shí)施例中，光反射層包括金屬材料，金屬材料包括銠、鋁、釹化鋁、銅、金、銀、鋁合金、銠合金或上述的組合。

在一實(shí)施例中，光反射層還包括陶瓷材料，陶瓷材料包括氧化物材料、氮化物材料或上述的組合，且陶瓷材料在波長(zhǎng)范圍為200nm～1100nm時(shí)具有大于30％的穿透率。

在一實(shí)施例中，元件層，包括：多晶硅層，包括源極區(qū)、漏極區(qū)以及位于源極區(qū)以及漏極區(qū)之間的通道區(qū)；柵絕緣層，配置于多晶硅層上；以及柵電極，配置于柵絕緣層上。

在一實(shí)施例中，還包括介電層，配置于元件層上。

附圖說(shuō)明

圖1A為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖1B為圖1A的柔性元件于熱退火工藝過(guò)后的產(chǎn)品的剖面示意圖；

圖2為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖3為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例三的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖4為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例四的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖5為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例五的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖6為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例六的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖7為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例七的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖8為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例八的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖9為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例九的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖10為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖11為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十一的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖12為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十二的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖13為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十三的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖14為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十四的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖15為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十五的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖16為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十六的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖17為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十七的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖18為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十八的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖19為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十九的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖20為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二十的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖21為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二十一的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖22為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二十二的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖23為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二十三的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖；

圖24為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二十四的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。

其中附圖標(biāo)記為：

110：柔性基板 120：阻擋層

130：緩沖層 130a：第一部分層

130b：第二部分層 140：光反射層

145：光吸收膜 150：元件層

151：多晶硅層 151CH：通道區(qū)

151DR：漏極區(qū) 151SR：源極區(qū)

152：柵絕緣層 153：柵電極

160：介電層 171：源極電極

172：漏極電極 L：光線

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的實(shí)施例現(xiàn)在將詳細(xì)地說(shuō)明，并且以附圖表示。若有可能，在附圖及說(shuō)明書中相同的元件符號(hào)用來(lái)代表相同或相似的部分。

圖1A為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖1A，柔性元件可包括柔性基板110、阻擋層120、緩沖層130、光反射層140、元件層150以及介電層160。柔性基板110可包括有機(jī)材料，例如聚酰亞胺(PI)，但不限定于此。阻擋層120位于柔性基板110上，其中阻擋層120可以包括多個(gè)交替堆疊的氧化物材料層以及氮化物材料層。阻擋層120可用于阻擋水分以及氧氣的滲透。緩沖層130位于柔性基板110上，其中緩沖層130例如是通過(guò)具有良好耐熱性的材料所制成，但不限定于此。

在本實(shí)施例中，光反射層140是位于柔性基板110上，更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，其可位于緩沖層130內(nèi)。緩沖層130以及光反射層140的制造方式例如為:在阻擋層120上設(shè)置第一部分層130a，接著在第一部分層130a的上方設(shè)置光反射層140，并將第二部分層130b設(shè)置于光反射層140上。于此，第一部分層130a以及第二部分層130b構(gòu)成緩沖層130。如此，光反射層140可被認(rèn)為是位于緩沖層130內(nèi)。

光反射層140可具有200nm～1100nm的反射波長(zhǎng)以及大于80％的反射率，并且光反射層140的應(yīng)力方向可與柔性基板110的應(yīng)力方向相同。于此，應(yīng)力方向指的是由光反射層140以及柔性基板110所接收的應(yīng)力類型。舉例而言，上述層可以接收具有正應(yīng)力值的拉伸應(yīng)力或是具有負(fù)應(yīng)力值的壓縮應(yīng)力。在本實(shí)施例中，光反射層140以及柔性基板110二者皆是接收壓縮應(yīng)力，意即上述兩者都具有相同的應(yīng)力方向。此外，這兩層所接收的總壓縮應(yīng)力小于-500MPa，可以防止各層的剝落。

此外，光反射層140可以包括金屬層、金屬層及陶瓷層的堆疊層、包括第一陶瓷層、金屬層及第二陶瓷層的堆疊層或上述的組合。于前述所定義的層中，當(dāng)光反射層140包括金屬材料時(shí)，該金屬材料可包括銠，鋁，釹化鋁，銅，金，銀，鋁合金，銠合金或上述的組合。此外，當(dāng)光反射層140還包括陶瓷材料時(shí)，所述陶瓷材料可以包括氧化物材料、氮化物材料或上述的組合。于此，陶瓷材料在波長(zhǎng)范圍為200nm～1100nm時(shí)可具有大于30％的穿透率。在一實(shí)施例中，光反射層140可為包括第一陶瓷層、金屬層及第二陶瓷層的堆疊層。所述金屬層可夾層在第一陶瓷層以及第二陶瓷層間之間，其中第一陶瓷層及第二陶瓷層由氧化物、氮化物、摻雜氧化物或混合氧化物所制成，例如：氧化銦錫(ITO)、氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘(CdO)、氮化鈦(TiN)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋁鋅(AZO)、摻氟氧化鋅(ZnO:F)、摻氟氧化錫(SnO:F)、摻鉭氧化鈦(TiO2:Ta)、In2O3-ZnO、CdIn2O4、Cd2SnO4以及Zn2SnO4。光反射層140將具有所需的反射性。然而，值得注意的是，光反射層140的各層并不限于此，各種金屬層及陶瓷層的組合皆可適用。

于圖1A中，元件層150位于光反射層140以及緩沖層130上。元件層150可包括多晶硅層151，柵絕緣層152以及柵電極153。于此，多晶硅層151包括源極區(qū)151SR、漏極區(qū)151DR以及位于源極區(qū)151SR和漏極區(qū)151DR之間的通道區(qū)151CH。柵絕緣層152位于多晶硅層151上，并覆蓋所述的源極區(qū)151SR、漏極區(qū)151DR以及通道區(qū)151CH。柵電極153位于柵絕緣層152上。此外，介電層160位于元件層150上，并且覆蓋柵電極153。

如圖1A所示在熱退火工藝的期間，例如是透過(guò)紅外線照射技術(shù)(IR-lamp)或快閃式照射技術(shù)(FLA)執(zhí)行熱退火工藝，將光線L照射至柔性元件上，并活化位于元件層150以及介電層160中的材料。所照射的光線L可通過(guò)柵絕緣層152以及介電層160到達(dá)光反射層140，光線L會(huì)被反射回元件層150以及介電層160。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。此外，光反射層140可反射所照射的光線L，可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖1B為圖1A的柔性元件于熱退火工藝過(guò)后的產(chǎn)品的剖面示意圖。當(dāng)熱退火工藝完成后，源極電極171以及漏極電極172是設(shè)置于介電層160上。源極電極171以及漏極電極172穿過(guò)位于介電層160以及柵絕緣層152中的開口，可與多晶硅層151的源極區(qū)151SR以及漏極區(qū)151DR電性連接。于圖1B中、元件層150、介電層160、源極電極171以及漏極電極172構(gòu)成主動(dòng)元件(如：薄膜晶體管)。在本實(shí)施例中，于圖1B柔性元件的中間及左側(cè)部分繪示了兩個(gè)主動(dòng)元件。此外，于該些主動(dòng)元件的右側(cè)，可進(jìn)一步包括儲(chǔ)存電容。然而，本發(fā)明的柔性元件并不限于此，并且可以包括至少一個(gè)主動(dòng)元件及/或儲(chǔ)存電容。

于圖1A以及圖1B的實(shí)施例中，光反射層140是位于緩沖層130內(nèi)。然而，本發(fā)明不限于此，光反射層140的位置以及圖案是可以改變的。在本發(fā)明中不同實(shí)施例的柔性元件將在下面的段落中進(jìn)行描述。于下述的實(shí)施例中，呈現(xiàn)了在熱退火工藝期間的柔性元件。然而，于熱退火工藝過(guò)后，在該些實(shí)施例中的柔性元件可被進(jìn)一步修飾，例如，可參考圖1B所示的實(shí)施例中設(shè)置源極電極以及漏極電極。

圖2為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例二的柔性元件與圖1A的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖2的柔性元件中，其光反射層140為圖案化光反射層140。在本實(shí)施例中，緩沖層130以及光反射層140的制造方式例如為:在阻擋層120上設(shè)置第一部分層130a，在第一部分層130a的上方設(shè)置光反射層140，接著，光反射層140被圖案化以形成圖案化光反射層140，其中圖案化光反射層140不與元件層150的柵電極153重疊。光反射層140以及柵電極153之間的寄生電容可減少。第二部分層130b被設(shè)置于圖案化的光反射層140上。于此，第一部分層130a以及第二部分層130b構(gòu)成緩沖層130。如此，光反射層140可被認(rèn)為是位于緩沖層130內(nèi)。

相似地，于實(shí)施例二中，所照射的光線L可通過(guò)柵絕緣層152以及介電層160到達(dá)光反射層140，光線L會(huì)被反射回元件層150以及介電層160。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。此外，光反射層140可反射所照射的光線L，可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖3為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例三的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例三的柔性元件與圖2的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖3的柔性元件中，光反射層140為圖案化光反射層140，并且圖案化光反射層140不與元件層150的多晶硅層151重疊。柔性元件的寄生電容還可以進(jìn)一步減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例三中具有光反射層140。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。此外，光反射層140可反射所照射的光線L，可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖4為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例四的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例四的柔性元件與圖1A的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。在本實(shí)施例中，光反射層140位于阻擋層120上方，光反射層140可與阻擋層120接觸。此外，光反射層140位于阻擋層120以及緩沖層130之間。

相似地，在實(shí)施例四中具有光反射層140。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。此外，光反射層140可反射所照射的光線L，可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖5為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例五的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例五的柔性元件與圖4的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖5的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140，并且圖案化光反射層140不與元件層150的柵電極153重疊。光反射層140以及柵電極153之間的寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例五中具有光反射層140。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。此外，光反射層140可反射所照射的光線L，可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖6為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例六的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例六的柔性元件與圖5的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖6的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140，并且圖案化光反射層140不與元件層150的多晶硅層151重疊。柔性元件的寄生電容可進(jìn)一步減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例六中具有光反射層140。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。此外，光反射層140可反射所照射的光線L，可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖7為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例七的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例七的柔性元件與圖4的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖7的柔性元件中，還包括光吸收膜145，其中光吸收膜145可位于光反射層140的上方。

于此，光吸收膜145的材料可包括非晶硅、微晶硅、鉬、鈦、鉻、鎢、鋯、釩、鈮、鉭、鉑、銅、金、鋅、鎘、鋁、銀、碳、錫或上述的組合。光吸收膜145的能隙范圍在1.1eV～1.8eV之間，但不限于此。在一實(shí)施例中，光吸收膜145可以是多層結(jié)構(gòu)，其中多層結(jié)構(gòu)包括不同能隙材料(例如高能隙材料和低能隙材料)的堆疊層。在本實(shí)施例中，緩沖層130、光反射層140以及光吸收膜145的制造方式例如為:在阻擋層120上設(shè)置光反射層140。接著，將第一部分層130a設(shè)置在光反射層140上，且將光吸收膜145設(shè)置在第一部分層130a上并且將其圖案化。圖案化光吸收膜145不與元件層150的柵電極153重疊，寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。將第二部分層130b設(shè)置于圖案化的光吸收膜145的上方。第一部分層130a以及第二部分層130b構(gòu)成緩沖層130。因此，光吸收膜145是位于緩沖層130內(nèi)，并且與光反射層140分離。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。

相似地，在實(shí)施例七中具有光反射層140。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。此外，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例七(圖7)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，緩沖層130、光反射層140以及光吸收膜145的制造方式為:在阻擋層120上設(shè)置光吸收膜145。接著，將第一部分層130a設(shè)置在光吸收膜145上，且將光反射層140設(shè)置在第一部分層130a上并且將其圖案化。圖案化光反射層140不與元件層150的柵電極153重疊，寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。將第二部分層130b設(shè)置于圖案化光反射層140上。如此，圖案化光反射層140可被設(shè)置于光吸收膜145上。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖8為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例八的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例八的柔性元件與圖7的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖8的柔性元件中，光吸收膜145是圖案化光吸收膜145，并且圖案化光吸收膜145不與元件層150的多晶硅層151重疊。柔性元件的寄生電容可進(jìn)一步減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例八中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例八(圖8)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，將光吸收膜145設(shè)置于阻擋層120上。光反射層140位于緩沖層130內(nèi)且設(shè)置于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140，其中圖案化光反射層140不與元件層150的多晶硅層151重疊。柔性元件的寄生電容可進(jìn)一步減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140的作用可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖9為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例九的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例九的柔性元件與圖7的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖9的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有相同的圖案。于此，圖案化的光反射層140和光吸收膜145不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例九中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例九(圖9)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，將光吸收膜145設(shè)置于阻擋層120上。光反射層140位于緩沖層130內(nèi)且設(shè)置于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有相同的圖案。于此，圖案化的光反射層140和光吸收膜145不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖10為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例十的柔性元件與圖7的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖10的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有不同的圖案。于此，光反射層140不與多晶硅層151重疊且光吸收膜145不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例十中包括有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例十(圖10)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，將光吸收膜145設(shè)置于阻擋層120上。光反射層140位于緩沖層130內(nèi)且設(shè)置于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有不同的圖案。于此，光吸收膜145不與多晶硅層151重疊且光反射層140不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖11為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十一的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例十一的柔性元件與圖10的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖11的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有不同的圖案。光反射層140不與柵電極153重疊且光吸收膜145不與元件層150的多晶硅層151重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例十一中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例十一(圖11)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，將光吸收膜145設(shè)置于阻擋層120上。光反射層140位于緩沖層130內(nèi)且設(shè)置于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有不同的圖案。光吸收膜145不與柵電極153重疊且光反射層140不與元件層150的多晶硅層151重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖12為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十二的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例十二的柔性元件與圖9的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖12的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化的光反射層140和圖案化的光吸收膜145可具有相同的圖案。于此，圖案化的光反射層140和光吸收膜145不與元件層150的多晶硅層151重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例十二中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例十二(圖12)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，將光吸收膜145設(shè)置于阻擋層120上。光反射層140位于緩沖層130內(nèi)且設(shè)置于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有相同的圖案。于此，圖案化的光反射層140和光吸收膜145不與元件層150的多晶硅層151重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖13為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十三的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例十三的柔性元件與圖7的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。

在本實(shí)施例中，緩沖層130、光反射層140以及光吸收膜145的制造方式例如為:在阻擋層120上設(shè)置第一部分層130a。接著，將光反射層140設(shè)置在第一部分層130a上以及將光吸收膜145設(shè)置在光反射層140上，并且將其圖案化。圖案化光吸收膜145不與元件層150的柵電極153重疊，寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。將第二部分層130b設(shè)置于圖案化光吸收膜145上。第一部分層130a以及第二部分層130b構(gòu)成緩沖層130。因此，光反射層140以及光吸收膜145是位于緩沖層130內(nèi)，并且光吸收膜145可與光反射層140接觸。

相似地，在實(shí)施例十三中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例十三(圖13)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，光反射層140以及光吸收膜145的制造方式為:在阻擋層120上設(shè)置第一部分層130a。接著，將光吸收膜145設(shè)置在第一部分層130a上以及將光反射層140設(shè)置在光吸收膜145上，并且將其圖案化。圖案化的光反射層140不與元件層150的柵電極153重疊，寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。將第二部分層130b設(shè)置于圖案化光反射層140上。因此，光反射層140以及光吸收膜145是位于緩沖層130內(nèi)，并且光反射層140可與光吸收膜145接觸。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖14為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十四的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例十四的柔性元件與圖13的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖14的柔性元件中，光吸收膜145是圖案化光吸收膜145且圖案化光吸收膜145不與元件層150的多晶硅層151重疊。柔性元件的寄生電容可進(jìn)一步減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例十四中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例十四(圖14)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，光反射層140以及光吸收膜145位于緩沖層130內(nèi)，并且光反射層140可與光吸收膜145接觸。光反射層140位于光吸收膜145上并且被圖案化。圖案化光反射層140不與元件層150的多晶硅層151重疊。柔性元件的寄生電容可進(jìn)一步減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖15為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十五的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例十五的柔性元件與圖13的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖15的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有相同的圖案。于此，圖案化光反射層140和光吸收膜145不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例十五中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例十五(圖15)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。因此，光反射層140以及光吸收膜145是位于緩沖層130內(nèi)，并且光反射層140可與光吸收膜145接觸。光反射層140位于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有相同的圖案。于此，圖案化的光反射層140和光吸收膜145不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖16為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十六的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例十六的柔性元件與圖13的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖16的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化的光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有不同的圖案。于此，光反射層140不與柵電極153重疊且光吸收膜145不與元件層150的多晶硅層151重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例十六中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可用以防止柔性基板110上的焦化，并且可制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例十六(圖16)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，光反射層140以及光吸收膜145是位于緩沖層130內(nèi)，并且光反射層140可與光吸收膜145接觸。光反射層140位于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有不同的圖案。于此，光吸收膜145不與柵電極153重疊，且光反射層140不與元件層150的多晶硅層151重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖17為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十七的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例十七的柔性元件與圖16的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖17的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有不同的圖案。于此，光反射層140不與多晶硅層151重疊，且光吸收膜145不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。在本實(shí)施例中，緩沖層130、光反射層140以及光吸收膜145的制造方式例如為:在阻擋層120上設(shè)置第一部分層130a，并且將第一部分層130a圖案化。光反射層140被設(shè)置于圖案化的第一部分層130a內(nèi)，繼而將光吸收膜145設(shè)置于光反射層140上并且將其圖案化。將第二部分層130b設(shè)置于光吸收膜145上。于此，第一部分層130a以及第二部分層130b構(gòu)成緩沖層130。光反射層140以及光吸收膜145是位于緩沖層130內(nèi)。

相似地，在實(shí)施例十七中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例十七(圖17)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，光反射層140以及光吸收膜145是位于緩沖層130內(nèi)，并且光反射層140可與光吸收膜145接觸。光反射層140位于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有不同的圖案。于此，光吸收膜145不與多晶硅層151重疊，且光反射層140不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖18為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十八的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例十八的柔性元件與圖15的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖18的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有相同的圖案。于此，圖案化的光反射層140和光吸收膜145不與元件層150的多晶硅層151重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例十八中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例十八(圖18)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，光反射層140以及光吸收膜145是位于緩沖層130內(nèi)，并且光反射層140可與光吸收膜145接觸。光反射層140位于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化的光吸收膜145。圖案化的光反射層140和圖案化的光吸收膜145可具有相同的圖案。于此，圖案化的光反射層140和光吸收膜145不與元件層150的多晶硅層151重疊。寄生電容可以減少柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖19為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例十九的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例十九的柔性元件與圖7的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖19的柔性元件中，光吸收膜145可與光反射層140接觸。在本實(shí)施例中，緩沖層130、光反射層140以及光吸收膜145的制造方式例如為:在阻擋層120上設(shè)置光反射層140，接著在光反射層140上設(shè)置圖案化光吸收膜145。將緩沖層130設(shè)置于光吸收膜145上且填入光吸收膜145的圖案化開口內(nèi)。如此，光吸收膜145可被認(rèn)為是位于緩沖層130內(nèi)。

相似地，在實(shí)施例十九中，光吸收膜145被包括在內(nèi)。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例十九(圖19)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，緩沖層130、光反射層140以及光吸收膜145的制造方式為，在阻擋層120上設(shè)置光吸收膜145，接著在光吸收膜145上設(shè)置圖案化光反射層140。將緩沖層130設(shè)置于光反射層140上且填入光反射層140的圖案化開口內(nèi)。光反射層140可與光吸收膜145接觸，并且光反射層140可以被認(rèn)為是位于緩沖層130內(nèi)。于此，圖案化光反射層140不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖20依據(jù)為本發(fā)明實(shí)施例二十的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例二十的柔性元件與圖19的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖20的柔性元件中，光吸收膜145是圖案化光吸收膜145且圖案化光吸收膜145不與元件層150的多晶硅層151重疊。柔性元件的寄生電容可進(jìn)一步減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例二十中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例二十(圖20)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，光反射層140是位于緩沖層130內(nèi)，并且可與光吸收膜145接觸。光反射層140位于光吸收膜145上，并且將光反射層140圖案化。圖案化光反射層140不與元件層150的多晶硅層151重疊。柔性元件的寄生電容可進(jìn)一步減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖21為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二十一的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例二十一的柔性元件與圖19的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖21的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有相同的圖案并且彼此接觸。于此，圖案化的光反射層140和光吸收膜145不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例二十一中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例二十一(圖21)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，光反射層140是位于緩沖層130內(nèi)，并且可與光吸收膜145接觸。光反射層140位于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有相同的圖案。于此，圖案化的光反射層140和光吸收膜145不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖22為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二十二的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。于圖22的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有不同的圖案。于此，光反射層140不與柵電極153重疊，且光吸收膜145不與元件層150的多晶硅層151重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例二十二中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例二十二(圖22)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，光反射層140是位于緩沖層130內(nèi)，并且可與光吸收膜145接觸。光反射層140位于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有不同的圖案。于此，光吸收膜145不與柵電極153重疊，且光反射層140不與元件層150的多晶硅層151重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖23為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二十三的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例二十三的柔性元件與圖22的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖23的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化的光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有不同的圖案。光反射層140不與多晶硅層151重疊，而光吸收膜145不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可進(jìn)一步減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例二十三中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例二十三(圖23)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，光反射層140是位于緩沖層130內(nèi)，并且可與光吸收膜145接觸。光反射層140位于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有不同的圖案。光吸收膜145不與多晶硅層151重疊，而光反射層140不與元件層150的柵電極153重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

圖24為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二十四的柔性元件于熱退火工藝期間的剖面示意圖。實(shí)施例二十四的柔性元件與圖21的柔性元件可采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的部份，其相關(guān)描述在此不予贅述。于圖24的柔性元件中，光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有相同的圖案。于此，圖案化的光反射層140和光吸收膜145不與元件層150的多晶硅層151重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。

相似地，在實(shí)施例二十四中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射層140所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射層140被包括在內(nèi)。各層的活化以及熱退火處理的效率可獲得提升。進(jìn)一步說(shuō)明，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在另一個(gè)實(shí)施例中，于實(shí)施例二十四(圖24)的光反射層140與光吸收膜145的位置及圖案可以互換。例如，光反射層140是位于緩沖層130內(nèi)，并且可與光吸收膜145接觸。光反射層140位于光吸收膜145上。光反射層140是圖案化光反射層140且光吸收膜145是圖案化光吸收膜145。圖案化光反射層140和圖案化光吸收膜145可具有相同的圖案。于此，圖案化的光反射層140和光吸收膜145不與元件層150的多晶硅層151重疊。寄生電容可以減少，柔性元件的性能可獲得提升。相似地，在本實(shí)施例中，光反射層140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有較高品質(zhì)的柔性元件。

在一些實(shí)施例中，本發(fā)明的柔性元件可以包括光反射層，其中所述的光反射層具有特定的反射波長(zhǎng)及反射率，柔性元件可反射于熱退火工藝中所照射的光線。換句話說(shuō)，熱退火工藝的效率可獲得提升，并且可以防止基板的焦化。此外，在柔性元件中還可包括有光吸收膜，吸收由光反射層所反射的光線，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，當(dāng)光反射層以及光吸收膜被圖案化，使得它們不與元件層的柵電極或多晶硅層重疊時(shí)，可減少寄生電容，使得柔性元件的性能獲得提升。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施例發(fā)明如上，然其并非用于限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通知常識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的改動(dòng)與修飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求及其均等范圍所界定的范圍為準(zhǔn)。