技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明通過檢測等離子體處理中的異常放電的發(fā)生，快速地檢測基板的剝離。本發(fā)明在將具有載置基板(G)的基板載置面的載置臺(21)配置于腔室(20)的內(nèi)部的等離子體處理裝置(11)中，在基板載置面上載置有基板(G)的狀態(tài)下，在基板(G)所覆蓋的位置將導(dǎo)電性銷(60)以在基板載置面露出的方式配置于載置臺(21)，在對基板(G)的等離子體處理中，由直流電源(63)對導(dǎo)電性銷(60)施加直流電壓，監(jiān)視導(dǎo)電性銷(60)的電位和流過導(dǎo)電性銷(60)的電流中的至少一者。在導(dǎo)電性銷(60)的電位發(fā)生變化時或者流過導(dǎo)電性銷(60)的電流發(fā)生變化時，控制等離子體處理裝置(11)的裝置控制器(44)判斷發(fā)生了基板(G)的剝離，中止等離子體的生成。

技術(shù)研發(fā)人員：山涌純;齊藤均;里吉務(wù)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
文檔號碼：201610364963
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.27
技術(shù)公布日：2016.12.07