本申請要求于2015年5月4日提交的美國臨時(shí)申請No.62/156597的優(yōu)先權(quán)。以上引用的申請的全部公開通過引用的方式并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及襯底處理系統(tǒng)，更具體地，涉及作為金屬擴(kuò)散阻擋層的無定形碳的選擇性沉積。

背景技術(shù)：

這里提供的背景描述是為了總體呈現(xiàn)本公開的背景的目的。在此背景技術(shù)部分中描述的程度上的當(dāng)前指定的發(fā)明人的工作，以及在提交申請時(shí)可能無法以其他方式有資格作為現(xiàn)有技術(shù)的說明書的各方面，既不明確也不暗示地承認(rèn)是針對本公開的現(xiàn)有技術(shù)。

現(xiàn)在參考圖1，襯底10包括例如銅(Cu)之類的金屬層12，和設(shè)置在金屬層12上的電介質(zhì)層14。掩模層16沉積在電介質(zhì)層14上，并被圖案化用于隨后的蝕刻。特征18諸如通孔被蝕刻通過掩模層16中的開口到電介質(zhì)層14向下到金屬層12。之后，沉積保形的金屬擴(kuò)散阻擋層20。在一些實(shí)施例中，金屬擴(kuò)散阻擋層20包括氮化鉭(TaN)層22和鉭(T)層24。金屬擴(kuò)散阻擋層20防止金屬擴(kuò)散到電介質(zhì)層14。

現(xiàn)在參照圖2，特征18被填充有諸如銅等金屬，如以26所示的。即使金屬擴(kuò)散阻擋層20是非常薄的，但由于電子在其界面散射，因而它仍然貢獻(xiàn)了通孔的電阻的大部分(在由參考數(shù)字30標(biāo)識(shí)的位置)。修正的方法，例如通孔底部回蝕，可以被用于降低特征18的電阻。然而，這種方法使得處理流程復(fù)雜化并沒有完全除去在特征18的底部的阻擋材料。因此，這些方法不顯著降低接觸電阻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

用于提供金屬擴(kuò)散阻擋層的方法包括：提供包含金屬層的襯底；在所述金屬層上沉積電介質(zhì)層；在所述電介質(zhì)層中定義特征，其中所述特征包括由所述電介質(zhì)層定義的側(cè)壁和由所述金屬層定義的底表面；在所述特征的 所述側(cè)壁上選擇性地沉積金屬擴(kuò)散阻擋層，其中，所述金屬擴(kuò)散阻擋層包括無定形碳；以及在所述特征中沉積金屬。

在其他特征中，選擇性地沉積所述金屬擴(kuò)散層包括不在所述特征的所述底表面上沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層。定義所述特征還包括：沉積并圖案化所述電介質(zhì)層上的掩模層；以及蝕刻所述電介質(zhì)層的暴露部分以定義所述特征。沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層使用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP-CVD)進(jìn)行。在所述HDP-CVD過程中沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層包括供給包含甲烷和氦氣的等離子體處理氣體混合物。甲烷與氦氣的比率小于0.15。甲烷與氦氣的比率小于0.10。甲烷與氦氣的比率小于0.05。

在其他特征中，沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層包括在所述HDP-CVD過程中供給包含乙炔和分子氫的等離子體處理氣體混合物。所述HDP-CVD在處理室中進(jìn)行，所述處理室包括圓頂形室、布置在所述圓頂形室的外表面上的線圈和布置在所述圓頂形室內(nèi)的基座。所述方法還包括通過供給在第一頻率的第一RF功率和在第二頻率的第二RF功率使線圈偏置。所述第一頻率低于所述第二頻率。所述第一RF功率和所述第二RF功率的組合的RF功率在介于2000W和4000W的范圍內(nèi)。所述第一頻率是360kHz，所述第二頻率是400kHz。

在其他特征中，該方法包括通過供給在第一頻率的RF功率使線圈偏置。所述RF功率在介于2000W和4000W之間的范圍內(nèi)。所述第一頻率是400kHz。

在其他特征中，所述基座包括嵌入電極，并且所述方法還包括通過供給在第一頻率的RF功率使所述嵌入電極偏置。所述RF功率在介于500W和2250W之間的范圍內(nèi)供給。所述第一頻率為13.56MHz。

在其他特征中，該方法包括在沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層時(shí)控制處理溫度小于或等于200℃。

在其他特征中，該方法包括在沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層時(shí)控制處理溫度在介于80℃和180℃之間的范圍內(nèi)。該方法包括設(shè)置所述金屬擴(kuò)散阻擋層的沉積速率為在介于/分鐘和200埃/分鐘之間的范圍內(nèi)。

在其他特征中，使用混合機(jī)制沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層，在該混合 機(jī)制中，所述金屬擴(kuò)散阻擋層既被沉積又通過濺射被侵蝕。

具體而言，本發(fā)明的一些方面可以闡述如下：

1.一種用于提供金屬擴(kuò)散阻擋層的方法，其包括：

提供包含金屬層的襯底；

在所述金屬層上沉積電介質(zhì)層；

在所述電介質(zhì)層中定義特征，其中，所述特征包括由所述電介質(zhì)層定義的側(cè)壁和由所述金屬層定義的底表面；

在所述特征的所述側(cè)壁上選擇性地沉積金屬擴(kuò)散阻擋層，其中，所述金屬擴(kuò)散阻擋層包括無定形碳；以及

在所述特征中沉積金屬。

2.根據(jù)條款1所述的方法，其中，選擇性地沉積所述金屬擴(kuò)散層包括不在所述特征的所述底表面上沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層。

3.根據(jù)條款1所述的方法，其中，定義所述特征還包括：

沉積并圖案化所述電介質(zhì)層上的掩模層；以及

蝕刻所述電介質(zhì)層的暴露部分以定義所述特征。

4.根據(jù)條款1所述的方法，其中，沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層使用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP-CVD)進(jìn)行。

5.根據(jù)條款4所述的方法，其中，沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層包括在所述HDP-CVD過程中供給包含甲烷和氦氣的等離子體處理氣體混合物。

6.根據(jù)條款5所述的方法，其中，甲烷與氦氣的比率小于0.15。

7.根據(jù)條款5所述的方法，其中，甲烷與氦氣的比率小于0.10。

8.根據(jù)條款5所述的方法，其中，甲烷與氦氣的比率小于0.05。

9.根據(jù)條款4所述的方法，其中沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層包括在所述HDP-CVD過程中供給包含乙炔和分子氫的等離子體處理氣體混合物。

10.根據(jù)條款4所述的方法，其中，所述HDP-CVD在處理室中進(jìn)行，所述處理室包括圓頂形室、布置在所述圓頂形室的外表面上的線圈和布置在所述圓頂形室內(nèi)的基座。

11.根據(jù)條款10所述的方法，其還包括通過供給在第一頻率的第一RF功率和在第二頻率的第二RF功率使所述線圈偏置，并且其中所述第一頻率 低于所述第二頻率，并且其中所述第一RF功率和所述第二RF功率的組合的RF功率在介于2000W和4000W之間的范圍內(nèi)。

12.根據(jù)條款11所述的方法，其中，所述第一頻率是360kHz，所述第二頻率是400kHz。

13.根據(jù)條款10所述的方法，其還包括通過供給在第一頻率的RF功率使所述線圈偏置，其中，所述RF功率在介于2000W和4000W之間的范圍內(nèi)。

14.根據(jù)條款13所述的方法，其中，所述第一頻率是400kHz。

15.根據(jù)條款10所述的方法，其中，所述基座包括嵌入電極，并且所述方法還包括通過供給在第一頻率的RF功率使所述嵌入電極偏置。

16.根據(jù)條款15所述的方法，其中所述RF功率在介于500W和2250W之間的范圍內(nèi)被供給。

17.根據(jù)條款15所述的方法，其中，所述第一頻率是13.56MHz。

18.根據(jù)條款4所述的方法，其還包括在沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層時(shí)控制處理溫度小于或等于200℃。

19.根據(jù)條款4所述的方法，其還包括在沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層時(shí)控制處理溫度在介于80℃和180℃之間的范圍內(nèi)。

20.根據(jù)條款1所述的方法，其還包括設(shè)置所述金屬擴(kuò)散阻擋層的沉積速率為在介于/分鐘和200埃/分鐘之間的范圍內(nèi)。

21.根據(jù)條款4所述的方法，其中，使用混合機(jī)制沉積所述金屬擴(kuò)散阻擋層，在該混合機(jī)制中，所述金屬擴(kuò)散阻擋層既被沉積又通過濺射被侵蝕。

從詳細(xì)描述、權(quán)利要求和附圖中本公開內(nèi)容的適用性的進(jìn)一步范圍將變得顯而易見。詳細(xì)描述和具體實(shí)施例僅用于說明的目的，并非意在限制本公開的范圍。

附圖說明

根據(jù)詳細(xì)描述和附圖，本發(fā)明將被更充分地理解，其中：

圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的襯底的側(cè)剖視圖；

圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的在金屬填充后的圖1的襯底的側(cè)剖視圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明所述的襯底的實(shí)施例的側(cè)剖視圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明所述的在金屬填充后的圖3的襯底的實(shí)施例的側(cè)剖視圖；

圖5和6是根據(jù)本發(fā)明所述的用于沉積選擇性金屬擴(kuò)散阻擋層的方法的實(shí)施例的流程圖；和

圖7是根據(jù)本發(fā)明所述的高密度等離子體(HDP)化學(xué)氣相沉積(CVD)襯底處理系統(tǒng)的實(shí)施例的功能框圖。

在附圖中，附圖標(biāo)記可以被重新使用以標(biāo)識(shí)相似和/或相同的元件。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在參考圖3，襯底50包含金屬層12和設(shè)置在金屬層12上的電介質(zhì)層14。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)層14為低k或超低k(ULK)電介質(zhì)材料。掩模層16沉積在電介質(zhì)層14上，并被圖案化用于隨后的蝕刻。諸如通孔之類的特征52通過掩模層16中的開口被蝕刻到電介質(zhì)層14內(nèi)向下到金屬層12。

隨后，包括無定形碳的金屬擴(kuò)散阻擋層54用等離子體處理選擇性地沉積，所述等離子體處理諸如高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP-CVD)。金屬擴(kuò)散阻擋層54防止金屬擴(kuò)散到電介質(zhì)層14內(nèi)。在掩模層16的場區(qū)和特征52的側(cè)壁上，但不在特征52的底表面上，選擇性地沉積金屬擴(kuò)散阻擋層54。

現(xiàn)在參考圖4，特征52被填充有如Cu之類的金屬，如以56所示的。相比于圖2中的襯底10，特征52(在由附圖標(biāo)記60標(biāo)識(shí)的位置)的電阻顯著減小。

現(xiàn)在參考圖5和6，示出了用于處理襯底50的方法的實(shí)施例。在圖5中，示出了方法100，所述方法100包括提供包含金屬層的襯底(在104)。在金屬層上沉積低k或ULK電介質(zhì)層(在108)。在112，沉積和圖案化掩模層。在114，在不包括掩模的區(qū)域中去除電介質(zhì)層的一部分。例如，濕法或干法蝕刻可以被用于去除電介質(zhì)層的一部分。在116，在掩模層 的場區(qū)和特征的壁上而不在特征的底表面上選擇性地沉積無定形碳層。在120，特征填充有如銅之類的金屬。

在圖6，示出了用于沉積包含無定形碳的金屬擴(kuò)散阻擋層的方法200(步驟116)的實(shí)施例。在204，設(shè)置處理溫度或襯底溫度在預(yù)定溫度范圍內(nèi)。在208，輸送處理氣體到處理室。在一些實(shí)施例中，處理室進(jìn)行HDP-CVD。在212，設(shè)置等離子體的RF功率在預(yù)定的范圍內(nèi)，并且激發(fā)等離子體。在214，沉積金屬擴(kuò)散阻擋層。

在一些實(shí)施例中，處理氣體混合物包括甲烷(CH₄)和氦氣(He)，但也可使用其它處理氣體混合物。在一些實(shí)施例中，因?yàn)槟繕?biāo)應(yīng)用通常是相對薄的層，CH₄由He稀釋，以產(chǎn)生相對低的沉積速率(約/分鐘)。在一些實(shí)施例中，甲烷以30sccm供給，而He以1000sccm供給。在一些實(shí)施例中，源功率(低頻率(LF)和中頻(MF))被設(shè)置為3000W，而高頻(HF)偏置功率設(shè)置為1000W。在一些實(shí)施例中，高頻功率低于典型的HDP氧化處理(>2500W)。在一些實(shí)施例中，溫度低于200℃，以最大化非晶性，從而改進(jìn)阻擋性質(zhì)。在一些實(shí)施例中，在Cu襯底上同時(shí)進(jìn)行無定形碳沉積和蝕刻。

更具體地，在一些實(shí)施例中，(LF+MF)功率設(shè)置在從2000W到4000W的范圍內(nèi)。高頻功率被設(shè)置在500W到2250W的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，CH₄和He以小于或等于0.15、0.10或0.05的比率供給。在一些實(shí)施例中，處理溫度被設(shè)置在從80℃至180℃的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，沉積速率被設(shè)置在從/分鐘至/分鐘的范圍內(nèi)。所使用的特定值在某種程度上取決于所使用的具體的處理化學(xué)物和處理室。如果該HF功率太低，則沉積在Cu層上的無定形碳可能不被蝕刻太多。如果HF功率過高，電介質(zhì)層上的無定形碳會(huì)被蝕刻。這兩種情況都降低沉積的選擇性。此外，如果沉積速度過高，則非晶碳膜可在Cu襯底上更容易成核。

在其它實(shí)施例中，處理氣體混合物可以包括乙炔(C₂H₂)和分子氫(H₂)。C₂H₂比CH₄較少富H。如果使用比CH₄較少富H的碳前體，則摻合H₂可用于改善選擇性。

在圖7，示出了使用等離子處理(例如HDP-CVD)沉積金屬擴(kuò)散 阻擋層的襯底處理系統(tǒng)300的實(shí)施例。在HDP-CVD反應(yīng)器中電介質(zhì)膜的沉積通常是通過混合機(jī)制進(jìn)行的，在該混合機(jī)制中，材料通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積化學(xué)物沉積并且同時(shí)通過濺射被侵蝕以在特征內(nèi)提供期望的膜輪廓。

僅作為示例，在轉(zhuǎn)讓給Novellus Systems Inc.的，于1995年4月11日授權(quán)的，美國專利No.5405480，“Induction Plasma Source”，或轉(zhuǎn)讓給Novellus Systems Inc.的，于2009年2月17日授權(quán)的，美國專利No.7491660，“Method ofForming Nitride Films With High Compressive Stress For Improved PFET Device Performance中示出了適當(dāng)?shù)腍DP-CVD系統(tǒng)，這兩者其整體通過引用并入本文。雖然描述了電感耦合HDP-CVD，但可使用其他的等離子體工藝，如任何電感或電容耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝。

在圖7中，示例性HDP-CVD襯底處理系統(tǒng)250包括包圍襯底處理室250的部件并包含RF等離子體的襯底處理室252。襯底處理室252包括圓頂形室254。感應(yīng)線圈256圍繞圓頂形室254的外表面設(shè)置。氣體噴射器258圍繞基座262布置以將氣體供給到圓頂形室254中。感應(yīng)線圈256由RF功率激發(fā)而產(chǎn)生在處理室產(chǎn)生等離子體的磁場。

在一些實(shí)施例中，氣體噴射器258包括以隔開的間隔圍繞基座262的外圍布置的氣體噴射器的陣列?；?62支撐襯底260，并包括電極264。信號(hào)產(chǎn)生器268產(chǎn)生輸出到感應(yīng)線圈256的低頻(LF)信號(hào)或LF和中頻(MF)信號(hào)。例如，信號(hào)產(chǎn)生器268在從2000W至4000W范圍內(nèi)的組合功率下可產(chǎn)生在360kHz的低頻信號(hào)和400kHz的中頻信號(hào)。替代地，可以使用在4000W至2000W的范圍內(nèi)的功率下的400kHz的單一信號(hào)。信號(hào)產(chǎn)生器272產(chǎn)生被輸出到電極264的高頻(HF)信號(hào)。例如，信號(hào)產(chǎn)生器272在從500W到2250W的范圍內(nèi)的功率下產(chǎn)生在13.56MHz的HF信號(hào)。

控制器280與信號(hào)產(chǎn)生器268和272進(jìn)行通信，并根據(jù)需要控制信號(hào)產(chǎn)生器268和272?？刂破?80進(jìn)一步與氣體輸送系統(tǒng)290通信并控制氣體輸送系統(tǒng)290以根據(jù)需要輸送處理氣體混合物和/或吹掃氣體。氣體輸送系統(tǒng)290包括一個(gè)或多個(gè)氣體源292-1，292-2，...，和292-N(統(tǒng)稱為氣體源 292)，其中N是大于零的整數(shù)。氣體源供給一種或多種前體和它們的混合物。氣體源也可供給吹掃氣體。在一些實(shí)施例中，氣體源292通過閥294-1，294-2，...，和294-N(統(tǒng)稱為閥294)和質(zhì)量流量控制器296-1，296-2，...，和296-N(統(tǒng)稱為質(zhì)量流量控制器296)直接連接到處理室和/或歧管300，但可以使用其他的氣體輸送系統(tǒng)。歧管300的輸出被饋送到氣體噴射器258。

控制器280進(jìn)一步與基座溫度控制系統(tǒng)310進(jìn)行通信?；鶞囟瓤刂葡到y(tǒng)310可以包括加熱器、冷卻器或可用于在處理期間控制襯底260的溫度的加熱器和冷卻器。閥和泵(均未示出)可以用來控制室中的壓強(qiáng)和/或從處理室抽空反應(yīng)物。在一些實(shí)施例中，處理在真空壓強(qiáng)下進(jìn)行。

前面的描述在本質(zhì)上僅僅是說明性的，并且決不旨在限制本公開、本公開的應(yīng)用或用途。本公開的廣泛教導(dǎo)可以以各種形式來實(shí)現(xiàn)。由于其它的修改將根據(jù)對附圖、說明書和權(quán)利要求書的研究變得顯而易見，因此，雖然本公開包括特定示例，但本公開的真實(shí)范圍不應(yīng)當(dāng)受此限制。應(yīng)當(dāng)理解的是，在方法中的一個(gè)或多個(gè)步驟可以以不同的順序(或同時(shí))而不改變本公開的原理來執(zhí)行。此外，雖然上面描述的各實(shí)施方式為具有特定特征，但相對于本公開的任何實(shí)施方式描述的這些特征中的任何一個(gè)或多個(gè)可以在任何其他實(shí)施方式的特征中執(zhí)行和/或結(jié)合任何其他實(shí)施方式的特征來執(zhí)行，即使該組合未明確說明也如此。換句話說，所描述的實(shí)施方式不是相互排斥的，并且一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式彼此的排列保持在本公開的范圍內(nèi)。

元件之間(例如，模塊，電路元件，半導(dǎo)體層等之間)的空間和功能關(guān)系使用包括“連接”、“接合”、“聯(lián)接”、“相鄰”、“鄰近”、“在...上”、“上方”、“下方”和“設(shè)置”之類的各種術(shù)語進(jìn)行描述。當(dāng)在上述公開中描述第一和第二元件之間的關(guān)系時(shí)，除非明確地描述為“直接”，否則這種關(guān)系可以是其中沒有其他中間元件存在于所述第一和第二元件之間的直接的關(guān)系，但也可以是其中一個(gè)或多個(gè)中間元件(或者在空間上或功能上)存在于所述第一和第二元件之間的間接的關(guān)系。如本文所使用的，短語A、B和C中的至少一個(gè)應(yīng)該被解釋為指使用非排他性的邏輯或(OR)的邏輯(A或B或C)，且不應(yīng)該被解釋為指“A中的至少一個(gè)，B中的至少一個(gè)，和C中的至少一個(gè)”。

在一些實(shí)現(xiàn)方式中，控制器是系統(tǒng)的一部分，該系統(tǒng)可以是上述實(shí)例的一部分。這種系統(tǒng)可以包括半導(dǎo)體處理設(shè)備，該半導(dǎo)體處理設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)處理工具、一個(gè)或多個(gè)處理室、用于處理的一個(gè)或多個(gè)平臺(tái)和/或具體的處理組件(晶片基座、氣流系統(tǒng)等)。這些系統(tǒng)可以與用于控制它們在處理半導(dǎo)體晶片或襯底之前、期間和之后的操作的電子器件一體化。電子器件可以稱為“控制器”，該控制器可以控制一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)的各種元件或子部件。根據(jù)處理要求和/或系統(tǒng)的類型，控制器可以被編程以控制本文公開的任何工藝，包括控制工藝氣體輸送、溫度設(shè)置(例如，加熱和/或冷卻)、壓強(qiáng)設(shè)置、真空設(shè)置、功率設(shè)置、射頻(RF)產(chǎn)生器設(shè)置、RF匹配電路設(shè)置、頻率設(shè)置、流速設(shè)置、流體輸送設(shè)置、位置及操作設(shè)置、晶片轉(zhuǎn)移進(jìn)出工具和其他轉(zhuǎn)移工具和/或與具體系統(tǒng)連接或通過接口連接的裝載鎖。

寬泛地講，控制器可以定義為接收指令、發(fā)布指令、控制操作、啟用清潔操作、啟用端點(diǎn)測量等等的具有各種集成電路、邏輯、存儲(chǔ)器和/或軟件的電子器件。集成電路可以包括存儲(chǔ)程序指令的固件形式的芯片、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、定義為專用集成電路(ASIC)的芯片和/或一個(gè)或多個(gè)微處理器或執(zhí)行程序指令(例如，軟件)的微控制器。程序指令可以是以各種單獨(dú)設(shè)置的形式(或程序文件)發(fā)送到控制器的指令，該設(shè)置定義用于在半導(dǎo)體晶片或系統(tǒng)上或針對半導(dǎo)體晶片或系統(tǒng)執(zhí)行特定過程的操作參數(shù)。在一些實(shí)施方式中，操作參數(shù)可以是由工藝工程師定義的用于在制備晶片的一個(gè)或多個(gè)(種)層、材料、金屬、氧化物、硅、二氧化硅、表面、電路和/或管芯期間完成一個(gè)或多個(gè)處理步驟的配方(recipe)的一部分。

在一些實(shí)現(xiàn)方式中，控制器可以是與系統(tǒng)集成、耦接或者說是通過網(wǎng)絡(luò)連接系統(tǒng)或它們的組合的計(jì)算機(jī)的一部分或者與該計(jì)算機(jī)耦接。例如，控制器可以在“云端”或者是fab主機(jī)系統(tǒng)的全部或一部分，從而可以允許遠(yuǎn)程訪問晶片處理。計(jì)算機(jī)可以啟用對系統(tǒng)的遠(yuǎn)程訪問以監(jiān)測制造操作的當(dāng)前進(jìn)程，檢查過去的制造操作的歷史，檢查多個(gè)制造操作的趨勢或性能標(biāo)準(zhǔn)，改變當(dāng)前處理的參數(shù)，設(shè)置處理步驟以跟隨當(dāng)前的處理或者開始新的工藝。在一些實(shí)施例中，遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)(例如，服務(wù)器)可以通過網(wǎng)絡(luò)給系統(tǒng)提供工藝配方，網(wǎng)絡(luò)可以包括本地網(wǎng)絡(luò)或互聯(lián)網(wǎng)。遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)可以包括允許輸入 或編程參數(shù)和/或設(shè)置的用戶界面，該參數(shù)和/或設(shè)置然后從遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)傳輸?shù)较到y(tǒng)。在一些實(shí)施例中，控制器接收數(shù)據(jù)形式的指令，該指令指明在一個(gè)或多個(gè)操作期間將要執(zhí)行的每個(gè)處理步驟的參數(shù)。應(yīng)當(dāng)理解，參數(shù)可以針對將要執(zhí)行的工藝類型以及工具類型，控制器被配置成連接或控制該工具類型。因此，如上所述，控制器可以例如通過包括一個(gè)或多個(gè)分立的控制器而分布，這些分立的控制器通過網(wǎng)絡(luò)連接在一起并且朝著共同的目標(biāo)(例如，本文所述的工藝和控制)工作。用于這些目的的分布式控制器的實(shí)例可以是與結(jié)合以控制室內(nèi)工藝的一個(gè)或多個(gè)遠(yuǎn)程集成電路(例如，在平臺(tái)水平或作為遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)的一部分)通信的室上的一個(gè)或多個(gè)集成電路。

在非限制性的條件下，示例的系統(tǒng)可以包括等離子體蝕刻室或模塊、沉積室或模塊、旋轉(zhuǎn)清洗室或模塊、金屬電鍍室或模塊、清潔室或模塊、倒角邊緣蝕刻室或模塊、物理氣相沉積(PVD)室或模塊、化學(xué)氣相沉積(CVD)室或模塊、原子層沉積(ALD)室或模塊、原子層蝕刻(ALE)室或模塊、離子注入室或模塊、軌道室或模塊、以及在半導(dǎo)體晶片的制備和/或制造中可以關(guān)聯(lián)上或使用的任何其他的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。

如上所述，根據(jù)工具將要執(zhí)行的一個(gè)或多個(gè)工藝步驟，控制器可以與一個(gè)或多個(gè)其他的工具電路或模塊、其他工具組件、組合工具、其他工具界面、相鄰的工具、鄰接工具、位于整個(gè)工廠中的工具、主機(jī)、另一個(gè)控制器、或者在將晶片的容器往來于半導(dǎo)體制造工廠中的工具位置和/或裝載口搬運(yùn)的材料搬運(yùn)中使用的工具通信。