攝像器件和電子裝置分案申請本申請是申請日為2012年2月21日、發(fā)明名稱為“固體攝像器件、其制造方法以及電子裝置”的申請?zhí)枮?01210041349.0的專利申請的分案申請。相關(guān)申請的交叉參考本申請包含與2011年2月25日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP2011-040531所公開的內(nèi)容相關(guān)的主題，因此將該日本優(yōu)先權(quán)申請的全部內(nèi)容以引用的方式并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及攝像器件以及電子裝置。

背景技術(shù)：
例如數(shù)碼攝像機(jī)及數(shù)碼相機(jī)等電子裝置包含固體攝像器件。例如，固體攝像器件包括互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)型圖像傳感器或電荷耦合元件(ChargeCoupledDevice，CCD)型圖像傳感器。在固體攝像器件中，在基板的像素區(qū)域中排列有多個(gè)像素。在每一像素上設(shè)置有光電轉(zhuǎn)換部。例如，光電轉(zhuǎn)換部為光電二極管，用于經(jīng)由感光表面接收入射光并通過對所接收的光執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生信號(hào)電荷。在固體攝像器件的CCD型圖像傳感器中，在像素區(qū)域中垂直地排列成行的多個(gè)像素列之間設(shè)有垂直傳輸部。在所述垂直傳輸部中，多個(gè)傳輸電極被設(shè)置成隔著柵極絕緣膜面向垂直溝道區(qū)域，且垂直傳輸部設(shè)置成在垂直方向上傳輸由電荷讀出部從光電轉(zhuǎn)換部讀取的信號(hào)電荷。相比而言，在CMOS型圖像傳感器中，像素配置成除了包括光電轉(zhuǎn)換部外，還包括像素晶體管。像素晶體管配置成讀取光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的信號(hào)電荷，并將所讀取的信號(hào)電荷作為電信號(hào)輸出至信號(hào)線。一般而言，固體攝像器件設(shè)置在基板的前表面?zhèn)?，且光電轉(zhuǎn)換部通過感光表面接收從前表面?zhèn)热肷涞墓猓诨宓乃銮氨砻鎮(zhèn)仍O(shè)有多條配線層疊的多層配線層。在為“前表面照射類型”的情況下，厚的多層配線層設(shè)置于微透鏡與感光表面之間。由此，當(dāng)光相對于感光表面呈傾斜狀態(tài)進(jìn)入時(shí)，光會(huì)被多層配線層中所包含的配線遮擋而可能不能到達(dá)感光表面JS。另外，入射光不進(jìn)入位于光的正下方的像素的光電二極管內(nèi)，而可能進(jìn)入其他像素的光電二極管內(nèi)。由此，在所捕捉的圖像中可能會(huì)產(chǎn)生例如陰影或混色等缺點(diǎn)。而且，除此之外，還難以提高靈敏度。因此，已提出了光電轉(zhuǎn)換部從后表面?zhèn)冉邮杖肷涔獾摹昂蟊砻嬲丈漕愋汀保龊蟊砻鎮(zhèn)葹榕c基板中設(shè)置有多層配線層的前表面相反的一側(cè)。然而，在此種“后表面照射類型”中，進(jìn)入一個(gè)像素的入射光也有可能不進(jìn)入該像素的光電二極管內(nèi)而進(jìn)入相鄰的其他像素的光電二極管內(nèi)。由此，由于光學(xué)現(xiàn)象，信號(hào)中會(huì)含有噪聲，且在所捕捉的圖像中會(huì)產(chǎn)生如“混色”等缺點(diǎn)，并且所捕捉的圖像的質(zhì)量可能會(huì)降低。為抑制這些缺點(diǎn)的產(chǎn)生，可在多個(gè)像素之間設(shè)置遮光膜(例如，參見日本未經(jīng)審查的專利申請公開公報(bào)2010-109295號(hào)和2010-186818號(hào))。另外，在固體攝像器件中，由于上面設(shè)置有光電轉(zhuǎn)換部的半導(dǎo)體基板的界面狀態(tài)，會(huì)有暗電流產(chǎn)生，為抑制暗電流的產(chǎn)生，提出了含有空穴累積二極管(HoleAccumulationDiode；HAD)結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換部。在空穴累積二極管結(jié)構(gòu)中，由于在n型電荷累積區(qū)域的感光表面上形成有正電荷(空穴)累積區(qū)域，因而暗電流的產(chǎn)生得到抑制。另外，為在光電轉(zhuǎn)換部的界面部分中形成正電荷累積區(qū)域，提出了通過設(shè)置“具有負(fù)固定電荷的膜”作為釘扎層來抑制暗電流產(chǎn)生的方案。例如，高介電常數(shù)膜(例如氧化鉿(HfO2)膜)可用作“具有負(fù)固定電荷的膜”(例如，參見日本未經(jīng)審查的專利申請公開公報(bào)2008-306154號(hào)等)。另外，在固體攝像器件中，為防止各像素所輸出的信號(hào)中混入電噪聲，設(shè)有使多個(gè)像素電隔離的像素分隔部。例如，在像素分隔部上設(shè)置高濃度雜質(zhì)區(qū)，所述高濃度雜質(zhì)區(qū)是通過向半導(dǎo)體基板離子注入高濃度的雜質(zhì)而形成。圖23為“后表面照射類型”的CMOS圖像傳感器中像素P的主要部分的截面圖。如圖23所示，在“后表面照射類型”的CMOS圖像傳感器中，在被半導(dǎo)體基板101的內(nèi)部部分中的像素分隔部101pb分隔的部分中設(shè)有光電二極管21。在光電二極管21中，形成有n型半導(dǎo)體區(qū)域101n作為電荷累積區(qū)域。光電二極管21為HAD結(jié)構(gòu)，n型半導(dǎo)體區(qū)域101n被形成為在半導(dǎo)體基板101的深度方向z上位于p型半導(dǎo)體區(qū)域101pa與101pc之間。另外，像素分隔部101pb是通過對半導(dǎo)體基板101離子注入高濃度的p型雜質(zhì)而形成。盡管在圖23中未示出，然而在半導(dǎo)體基板101的前表面(圖23中的下表面)設(shè)置有像素晶體管，且如圖23所示，將配線層111設(shè)置成覆蓋所述像素晶體管。配線層111形成為使絕緣層111z覆蓋配線111h。此外，配線層111的前表面(下表面)上設(shè)置有支撐基板SS。相比而言，在半導(dǎo)體基板101的后表面(圖23中的上表面)上設(shè)置有遮光膜60、濾色器CF以及微透鏡ML，且光電二極管21接收經(jīng)由這些部分中的每一部分進(jìn)入的入射光H。此處，如圖23所示，例如，遮光膜60隔著絕緣膜SZ形成于半導(dǎo)體基板101的上表面上，絕緣膜SZ為氧化硅膜。遮光膜60設(shè)置在半導(dǎo)體基板101的內(nèi)部部分中所設(shè)置的像素分隔部101pb之上。例如，遮光膜60是使用例如金屬等遮光材料形成。再者，遮光膜60的上表面被平坦化膜HT覆蓋，且所述平坦化膜HT的上表面上設(shè)置有濾色器CF以及微透鏡ML。例如，在濾色器CF中，三基色的每一濾光層對應(yīng)拜耳(Bayer)陣列中的每一像素P布置。然而，在上述配置的情況下，為形成遮光膜60，感光表面JS與微透鏡ML之間的距離變大。由此，微透鏡ML的聚焦性能可能會(huì)變差，并且所捕捉的圖像的質(zhì)量可能會(huì)降低。再者，盡管形成有遮光膜60，然而由于進(jìn)入一個(gè)像素P的入射光H會(huì)在遮光膜60的下面透射并進(jìn)入相鄰的其他像素P的光電二極管21中，因此所捕捉的圖像的質(zhì)量也可能會(huì)降低。具體而言，當(dāng)入射光H以大程度傾斜的狀態(tài)進(jìn)入時(shí)，入射光H會(huì)穿過通過離子注入高濃度的雜質(zhì)而形成的像素分隔部101pb，并進(jìn)入相鄰的其他像素P的光電二極管21中。由此，會(huì)產(chǎn)生所謂的“混色”，并且所捕捉的彩色圖像的顏色再現(xiàn)性會(huì)降低。另外，因?yàn)椤瓣幱啊钡漠a(chǎn)生，所捕捉的圖像的質(zhì)量會(huì)降低。因此，在固體攝像器件中，由于因傾斜光泄露而產(chǎn)生的光學(xué)噪聲，難以充分地提高所捕捉的圖像的質(zhì)量。除此之外，當(dāng)通過離子注入雜質(zhì)而形成像素分隔部101pb時(shí)，考慮到雜質(zhì)的擴(kuò)散等因素，像素分隔部101pb的寬度會(huì)變大。由此，難以擴(kuò)大光電二極管21的占據(jù)面積。因此，光電二極管21的飽和電荷累積量(Qs)減少，難以提高所捕捉的圖像的質(zhì)量。上述缺點(diǎn)并不限于“后表面照射類型”固體攝像器件的情形，也會(huì)產(chǎn)生于“前表面照射類型”固體攝像器件的情形中。因此，在固體攝像器件中，因?yàn)楦鞣N因素的存在，難以提高所捕捉的圖像的質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
因此，需要提供能夠提高所捕捉的圖像的質(zhì)量等的攝像器件以及電子裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種攝像器件，包括：多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部，其設(shè)置在半導(dǎo)體基板中；以及溝槽，其在平面上具有格子形狀，其中至少部分的所述溝槽設(shè)置在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部的相鄰光電轉(zhuǎn)換部之間，所述溝槽的所述至少部分包括：第一部分，其包括釘扎層，以及第二部分，其包括所述釘扎層和絕緣層，其中，所述第一部分的直徑小于所述第二部分的直徑。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種攝像器件，其包括：多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部，其設(shè)置在半導(dǎo)體基板中；以及溝槽，其在平面上具有格子形狀，其中至少部分的所述溝槽設(shè)置在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部的相鄰光電轉(zhuǎn)換部之間，所述溝槽的所述至少部分包括：第一部分，其包括絕緣層，以及第二部分，其包括釘扎層和所述絕緣層，其中，所述第一部分與所述半導(dǎo)體基板的p型區(qū)域接觸。根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例，提供一種電子裝置，其包括：攝像器件，所述攝像器件包括：多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部，其設(shè)置在半導(dǎo)體基板中；以及溝槽，其在平面上具有格子形狀，其中至少部分的所述溝槽設(shè)置在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部的相鄰光電轉(zhuǎn)換部之間，所述溝槽的所述至少部分包括：第一部分，其包括釘扎層和絕緣層，以及第二部分，其包括所述絕緣層，其中，所述第一部分的直徑小于所述第二部分的直徑。附圖說明圖1為第一實(shí)施例中照相機(jī)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。圖2為第一實(shí)施例中固體攝像器件的整體結(jié)構(gòu)的圖。圖3為第一實(shí)施例中固體攝像器件的主要部分的圖。圖4為第一實(shí)施例中固體攝像器件的主要部分的圖。圖5為第一實(shí)施例中固體攝像器件的主要部分的圖。圖6為在第一實(shí)施例中在執(zhí)行成像時(shí)被發(fā)送至像素的像素晶體管的控制信號(hào)的時(shí)序圖。圖7為示出了第一實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。圖8為示出了第一實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。圖9為示出了第一實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。圖10為示出了第一實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。圖11為示出了第一實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。圖12為示出了第一實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。圖13為示出了第一實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。圖14為示出了第二實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。圖15為示出了第二實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。圖16為第三實(shí)施例中固體攝像器件的主要部分的圖。圖17為示出了第三實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。圖18為示出了第三實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。圖19為第四實(shí)施例中固體攝像器件的主要部分的圖。圖20為第四實(shí)施例中固體攝像器件的主要部分的圖。圖21為第四實(shí)施例中固體攝像器件的主要部分的圖。圖22為第五實(shí)施例中固體攝像器件的主要部分的圖。圖23為“后表面照射類型”的CMOS型圖像傳感器中像素P的主要部分的截面圖。具體實(shí)施方式以下將參照附圖對本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行說明。另外，將按下列順序進(jìn)行說明。1.第一實(shí)施例(后表面照射類型的情形)2.第二實(shí)施例(制造方法與第一實(shí)施例部分地不相同的情形)3.第三實(shí)施例(在下部的溝槽中設(shè)置有絕緣膜及釘扎層的情形)4.第四實(shí)施例(溝槽的深度根據(jù)所接收光的波長而異的情形)5.第五實(shí)施例(前表面照射類型的情形)6.其他1.第一實(shí)施例(A)裝置結(jié)構(gòu)(A-1)照相機(jī)的主要部分的結(jié)構(gòu)圖1為第一實(shí)施例中照相機(jī)40的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，照相機(jī)40包括固體攝像器件1、光學(xué)系統(tǒng)42、控制部43以及信號(hào)處理部44。以下將對所述各部依序進(jìn)行說明。固體攝像器件1通過成像表面PS接收經(jīng)由光學(xué)系統(tǒng)42作為目標(biāo)圖像進(jìn)入的入射光H，然后對所接收的光執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換并產(chǎn)生信號(hào)電荷。其中，固體攝像器件1是基于由控制部43所輸出的控制信號(hào)而受到驅(qū)動(dòng)來讀取信號(hào)電荷，并輸出電信號(hào)。光學(xué)系統(tǒng)42包括例如成像透鏡或光圈等光學(xué)構(gòu)件，并被設(shè)置成將入射光H聚集至固體攝像器件1的成像表面PS上?？刂撇?3輸出各種控制信號(hào)至固體攝像器件1以及信號(hào)處理部44，并控制及驅(qū)動(dòng)固體攝像器件1以及信號(hào)處理部44。信號(hào)處理部44被設(shè)置成通過將固體攝像器件1輸出的電信號(hào)作為原始數(shù)據(jù)而執(zhí)行信號(hào)處理，來產(chǎn)生目標(biāo)圖像的數(shù)字圖像。(A-2)固體攝像器件的主要部分的結(jié)構(gòu)以下將對固體攝像器件1的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例中固體攝像器件1的整體結(jié)構(gòu)的圖。本實(shí)施例的固體攝像器件1為CMOS型圖像傳感器，并包括如圖2所示的半導(dǎo)體基板101。例如，半導(dǎo)體基板101可通過將單晶硅半導(dǎo)體基板減薄而形成，并且在半導(dǎo)體基板的表面上設(shè)置有像素區(qū)域PA和周邊區(qū)域SA。如圖2所示，像素區(qū)域PA為矩形，且在水平方向x和垂直方向y上各設(shè)置有多個(gè)像素P。即像素P以矩陣形式成行排列。在像素區(qū)域PA中，像素P設(shè)置成接收入射光并產(chǎn)生信號(hào)電荷。此外，所產(chǎn)生的信號(hào)電荷被像素晶體管(圖中未示出)所讀取并作為電信號(hào)輸出。像素P的具體結(jié)構(gòu)將在下文中予以說明。如圖2所示，周邊區(qū)域SA位于像素區(qū)域PA的外圍。此外，在周邊區(qū)域SA中設(shè)置有周邊電路。詳細(xì)而言，如圖2所示，設(shè)有垂直驅(qū)動(dòng)電路13、列電路14、水平驅(qū)動(dòng)電路15、外部輸出電路17、時(shí)序發(fā)生器(TG)18以及快門驅(qū)動(dòng)電路19作為周邊電路。如圖2所示，垂直驅(qū)動(dòng)電路13在周邊區(qū)域SA中設(shè)置于像素區(qū)域PA的側(cè)部，且垂直驅(qū)動(dòng)電路13設(shè)置成以行為單位選取及驅(qū)動(dòng)像素區(qū)域PA的像素P。如圖2所示，列電路14在周邊區(qū)域SA中設(shè)置于像素區(qū)域PA的下端，并以列為單位對像素P所輸出的信號(hào)執(zhí)行信號(hào)處理。其中，列電路14包括相關(guān)雙采樣(CorrelatedDoubleSampling；CDS)電路(圖中未示出)，并執(zhí)行信號(hào)處理以消除固定模式噪聲。如圖2所示，水平驅(qū)動(dòng)電路15電連接至列電路14。例如，水平驅(qū)動(dòng)電路15包括移位寄存器并依序?qū)⑿盘?hào)輸出至外部輸出電路17，所述信號(hào)是針對每一列像素P而保持在列電路14中。如圖2所示，外部輸出電路17電連接至列電路14。另外，當(dāng)外部輸出電路17對列電路14輸出的信號(hào)執(zhí)行信號(hào)處理后，外部輸出電路17將經(jīng)過處理的信號(hào)輸出至外部。外部輸出電路17包括自動(dòng)增益控制(AutomaticGainControl；AGC)電路17a和模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)電路17b。在外部輸出電路17中，當(dāng)AGC電路17a將信號(hào)乘以增益后，ADC電路17b將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)并將數(shù)字信號(hào)輸出至外部。如圖2所示，時(shí)序發(fā)生器18分別電連接至垂直驅(qū)動(dòng)電路13、列電路14、水平驅(qū)動(dòng)電路15、外部輸出電路17以及快門驅(qū)動(dòng)電路19。時(shí)序發(fā)生器18產(chǎn)生各種時(shí)序信號(hào)，并將這些時(shí)序信號(hào)輸出至垂直驅(qū)動(dòng)電路13、列電路14、水平驅(qū)動(dòng)電路15、外部輸出電路17以及快門驅(qū)動(dòng)電路19。因此，時(shí)序發(fā)生器18對每一個(gè)部分執(zhí)行驅(qū)動(dòng)控制?？扉T驅(qū)動(dòng)電路19設(shè)置成以行為單位選取像素P并調(diào)節(jié)像素P的曝光時(shí)間。(A-3)固體攝像器件的具體結(jié)構(gòu)以下將對本實(shí)施例的固體攝像器件的詳細(xì)內(nèi)容進(jìn)行說明。圖3至圖5為第一實(shí)施例中固體攝像器件的主要部分的圖。圖3為像素P的剖視圖。此外，圖4為像素P的俯視圖。另外，圖5示出了像素P的電路配置。此外，圖3示出沿圖4所示的線III-III截取的剖面。此外，在圖4中，為便于說明，在某些情形中使用實(shí)線之外的虛線等來表示用于圖示各構(gòu)件的部分。如圖3所示，固體攝像器件1包括位于半導(dǎo)體基板101的內(nèi)部部分中的光電二極管21和像素分隔部301。其中，每一個(gè)部分均設(shè)置于由減薄的單晶硅形成的半導(dǎo)體基板101中。例如濾色器CF以及微透鏡ML等構(gòu)件設(shè)置于半導(dǎo)體基板101的后表面(圖3中的上表面)上。相比之下，盡管在圖3中未示出，然而半導(dǎo)體基板101的前表面(圖3中的下表面)上設(shè)置有圖5中所示的像素晶體管Tr。并且，如圖3所示，配線層111設(shè)置成覆蓋像素晶體管Tr。另外，在配線層111中，在與半導(dǎo)體基板101側(cè)相對側(cè)的表面上設(shè)置有支撐基板SS。即，本實(shí)施例的固體攝像器件1為“后表面照射類型CMOS圖像傳感器”，并構(gòu)成為使光電二極管21接收從后表面(上表面)入射的光H且通過成像而產(chǎn)生彩色圖像。以下將依序說明各部分的具體結(jié)構(gòu)。(a)光電二極管21在固體攝像器件1中，多個(gè)光電二極管21在像素區(qū)域PA中設(shè)置成對應(yīng)于圖2中所示的多個(gè)像素P。即，這多個(gè)光電二極管21在成像表面(xy平面)中分別在水平方向x和與水平方向x垂直的垂直方向y上排列成行。光電二極管21設(shè)置成通過接收入射光H以及對所接收的光執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生信號(hào)電荷，并累積所產(chǎn)生的信號(hào)電荷。其中，如圖3所示，光電二極管21接收從半導(dǎo)體基板101的后表面(圖3中的上表面)側(cè)入射的光H。如圖3所示，在光電二極管21的上方設(shè)置有平坦化膜HT、濾色器CF以及微透鏡ML，依序經(jīng)由各個(gè)部分而進(jìn)入的入射光H經(jīng)過感光表面JS被接收，并對所接收的光執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換。如圖3所示，光電二極管21設(shè)置在半導(dǎo)體基板101中。例如，光電二極管21形成為電荷累積區(qū)域，其中n型半導(dǎo)體區(qū)域101n累積電荷(電子)。在光電二極管21中，n型半導(dǎo)體區(qū)域101n設(shè)置于半導(dǎo)體基板101的p型半導(dǎo)體區(qū)域101pa和101pc的內(nèi)部部分中。此處，在n型半導(dǎo)體區(qū)域101n中，p型半導(dǎo)體區(qū)域101pc設(shè)置于半導(dǎo)體基板101的前表面(下表面)側(cè)中，p型半導(dǎo)體區(qū)域101pc所具有的雜質(zhì)濃度高于后表面(上表面)側(cè)。即，光電二極管21為HAD結(jié)構(gòu)，且為抑制暗電流的產(chǎn)生，p型半導(dǎo)體區(qū)域101pa和101pc形成于n型半導(dǎo)體區(qū)域101n的上表面?zhèn)扰c下表面?zhèn)鹊拿恳唤缑嬷?。如圖3所示，用于將多個(gè)像素P電分隔開的像素分隔部301設(shè)置于半導(dǎo)體基板101的內(nèi)部部分中，且光電二極管21設(shè)置于被像素分隔部301所分隔的像素P的區(qū)域中。例如，如圖4所示，像素分隔部301形成為格子狀以布置于這多個(gè)像素P之間，且光電二極管21形成于被像素分隔部101pb所分隔的像素P的區(qū)域中。另外，如圖5所示，各光電二極管21的陽極接地，且各光電二極管21設(shè)置成使像素晶體管Tr讀取所累積的信號(hào)電荷(此處為電子)并將信號(hào)電荷作為電信號(hào)輸出至垂直信號(hào)線27。(b)濾色器CF在固體攝像器件1中，如圖3所示，濾色器CF設(shè)置于半導(dǎo)體基板101的后表面(圖3中的上表面)側(cè)上。如圖4所示，濾色器CF包括紅色濾光層CFR、綠色濾光層CFG以及藍(lán)色濾光層CFB。紅色濾光層CFR、綠色濾光層CFG以及藍(lán)色濾光層CFB布置成彼此相鄰，且這些層均設(shè)置成對應(yīng)所述多個(gè)像素P中的每一者。其中，如圖4所示，紅色濾光層CFR、綠色濾光層CFG以及藍(lán)色濾光層CFB均設(shè)置成按拜耳陣列(Bayerarray)成行排列。即，多個(gè)綠色濾光層CFG設(shè)置成在對角線方向上排列成一行以形成格子模式。而且，紅色濾光層CFR與藍(lán)色濾光層CFB在所述多個(gè)綠色濾光層CFG中設(shè)置成在對角線方向上排列成行。在濾色器CF中，紅色濾光層CFR在對應(yīng)于紅色的波長波段(例如，625nm至740nm)處具有較高的透光率。即，紅色濾光層CFR形成為使入射光H呈紅色并透射至感光表面JS。另外，在濾色器CF中，綠色濾光層CFG在對應(yīng)于綠色的波長波段(例如，500nm至565nm)處具有較高的透光率。即，綠色濾光層CFG形成為對以下波長范圍的光具有更高的透光率且使入射光H呈綠色并將綠色光透射至感光表面JS：此波長范圍的波長短于在紅色濾光層CFR中具有較高透光率的波長。另外，在濾色器CF中，藍(lán)色濾光層CFB在對應(yīng)于藍(lán)色的波長波段(例如，450nm至485nm)內(nèi)具有較高的透光率。即，藍(lán)色濾光層CFB形成為對以下波長范圍的光具有較高透光率且使入射光呈藍(lán)色并將藍(lán)色光透射至感光表面JS：此波長范圍的波長短于在綠色濾光層CFG中具有較高透光率的波長。因此，在濾色器CF中，將分別對波長范圍互不相同的光具有較高透光率的多種濾光層CFR、CFG以及CFB布置成彼此相鄰地對應(yīng)于所述多個(gè)像素P中的每一者。(c)微透鏡ML在固體攝像器件1中，如圖3所示，微透鏡ML設(shè)置于半導(dǎo)體基板101的后表面(圖3中的上表面)側(cè)中濾色器CF的上表面上。多個(gè)微透鏡ML設(shè)置成對應(yīng)于每個(gè)像素P。微透鏡ML為凸透鏡，在半導(dǎo)體基板101的后表面?zhèn)戎幸酝蛊鹦螤钔怀?，且微透鏡ML設(shè)置成將入射光H聚集至每個(gè)像素P的光電二極管21。例如，微透鏡ML是使用例如樹脂等有機(jī)材料形成的。(d)像素分隔部301在固體攝像器件1中，如圖3和圖4所示，像素分隔部301形成為在半導(dǎo)體基板101的內(nèi)部部分中的多個(gè)像素P之間進(jìn)行分隔。另外，像素分隔部301電分隔多個(gè)像素P。即，像素分隔部301電分隔各像素P的光電二極管21。如圖3所示，在位于多個(gè)像素P之間的像素分隔部301中，p型半導(dǎo)體區(qū)域101pa和101pc設(shè)置于n型半導(dǎo)體區(qū)域101n之間，n型半導(dǎo)體區(qū)域101n構(gòu)成光電二極管21的電荷累積區(qū)域。另外，如圖3所示，在半導(dǎo)體基板101中的一部分中設(shè)置有溝槽TR，所述部分在入射光H所進(jìn)入的后表面(上表面)側(cè)中位于光電二極管21的側(cè)部中。具體而言，如圖3所示，溝槽TR形成為包括第一溝槽TR1以及第二溝槽TR2。其中，第一溝槽TR1設(shè)置于半導(dǎo)體基板101中的較深部分中。另外，第二溝槽TR2在半導(dǎo)體基板101中設(shè)置于比第一溝槽TR1淺的部分中。即，第二溝槽TR2的側(cè)面形成為從半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)在下方垂直延伸，且第一溝槽TR1的側(cè)面形成為從第二溝槽TR2的底面的中心部分在下方垂直延伸。另外，第二溝槽TR2的寬度形成為寬于第一溝槽TR1的寬度。另外，溝槽TR在多個(gè)像素P之間形成為沿半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)的方向(y方向(x方向上也同樣))上相互對稱。另外，如圖3所示，像素分隔部301包括釘扎層311、絕緣膜312以及遮光層313，且所述部分中的每一部分均設(shè)置于溝槽TR的內(nèi)部部分中。如圖4所示，像素分隔部301的平面形狀為格子形狀并布置于多個(gè)像素P之間。另外，溝槽TR在像素分隔部301中形成為格子形狀。其中，第一溝槽TR1以及第二溝槽TR2均形成為格子形狀。再者，釘扎層311、絕緣膜312以及遮光層313設(shè)置于溝槽TR的內(nèi)部部分中。另外，光電二極管21形成于矩形區(qū)域中，此矩形區(qū)域被格子狀的像素分隔部101pb分隔。以下將詳細(xì)說明構(gòu)成像素分隔部301的每一部分。(d-1)釘扎層311如圖3所示，釘扎層311在半導(dǎo)體基板101的較深部分中設(shè)置于第一溝槽TR1的內(nèi)部部分中。此處，釘扎層311形成為掩埋第一溝槽TR1的整個(gè)內(nèi)部部分。并且，釘扎層311形成為覆蓋第二溝槽TR2的內(nèi)表面，第二溝槽TR2在半導(dǎo)體基板101的較淺部分中形成于第一溝槽TR1上。此處，釘扎層311的內(nèi)側(cè)表面被第二溝槽TR2的內(nèi)側(cè)部分中的絕緣膜312所覆蓋。另外，遮光層313嵌入被絕緣膜312所覆蓋的釘扎層311的內(nèi)側(cè)部分。而且，除像素分隔部301外，釘扎層311形成為在半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)上覆蓋入射光H所進(jìn)入的感光表面JS。具體而言，釘扎層311是使用具有負(fù)固定電荷的高介電常數(shù)材料形成的，從而形成正電荷(空穴)累積區(qū)域，并且釘扎層與半導(dǎo)體基板101間的界面部中的暗電流的產(chǎn)生得到抑制。由于釘扎層311形成為具有負(fù)固定電荷，且負(fù)固定電荷會(huì)在釘扎層與半導(dǎo)體基板101間的界面增加電場，因此形成正電荷(空穴)累積區(qū)域。因此，釘扎層311的材料具有比絕緣膜312的材料高的介電常數(shù)，例如，釘扎層由氧化鉿(HfO2)形成。除此之外，釘扎層311還可由氧化鋯(ZrO2)或者氧化鉭(Ta2O5)形成。(d-2)絕緣膜312如圖3所示，絕緣膜312形成為覆蓋在半導(dǎo)體基板101的較淺部分中形成于第一溝槽TR1上的第二溝槽TR2的內(nèi)表面。而且，除像素分隔部301外，絕緣膜312形成為在半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)中隔著釘扎層311覆蓋感光表面JS(參見圖4)。絕緣膜312是由介電常數(shù)低于釘扎層311的材料(例如SiO2)形成的。(d-3)遮光層313如圖3所示，遮光層313在半導(dǎo)體基板101的較淺部分中形成為隔著釘扎層311以及絕緣膜312而掩埋第二溝槽TR2的內(nèi)部部分。此處，如圖4所示，遮光層313的平面形狀形成為格子形狀。遮光層313是由能夠遮光的遮光材料所形成。例如，遮光層313是使用例如鎢(W)等金屬材料形成的。除鎢以外，遮光層313還可使用鋁(Al)形成。(e)像素晶體管Tr在固體攝像器件1中，多個(gè)像素晶體管Tr設(shè)置成對應(yīng)于圖2中所示的多個(gè)像素P。如圖5所示，像素晶體管Tr包括傳輸晶體管22、放大晶體管23、選擇晶體管24以及復(fù)位晶體管25，用來讀取來自光電二極管21的信號(hào)電荷并將所讀取的信號(hào)電荷作為電信號(hào)輸出。盡管在圖3中未示出，然而構(gòu)成像素晶體管Tr的晶體管22至25中的每一者在半導(dǎo)體基板101中均設(shè)置于設(shè)有配線層111的前表面上。例如，晶體管22至25中的每一者均為N溝道MOS晶體管，例如，每一柵極均是使用多晶硅形成的。并且，晶體管22至25中的每一者均被配線層111所覆蓋。在像素晶體管Tr中，如圖5所示，傳輸晶體管22設(shè)置成將光電二極管21所產(chǎn)生的信號(hào)電荷傳輸至浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD。具體而言，如圖5所示，傳輸晶體管22設(shè)置于光電二極管21的陰極與浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD之間。另外，傳輸晶體管22的柵極電連接至傳輸線26。傳輸晶體管22基于從傳輸線26發(fā)送至柵極的傳輸信號(hào)TG而將光電二極管21中所累積的信號(hào)電荷傳輸至浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD。在像素晶體管Tr中，如圖5所示，放大晶體管23設(shè)置成將在浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD中從電荷轉(zhuǎn)換成電壓而得到的電信號(hào)放大，并輸出放大后的電信號(hào)。具體而言，如圖5所示，放大晶體管23的柵極電連接至浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD。而且，放大晶體管23的漏極電連接至電源線Vdd，且放大晶體管的源極電連接至選擇晶體管24。當(dāng)選擇晶體管24被選擇而導(dǎo)通時(shí)，會(huì)有恒定的電流從恒流源I提供至放大晶體管23，且放大晶體管作為源極跟隨器運(yùn)行。因此，由于選擇信號(hào)被提供至選擇晶體管24，因而在浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD中由電荷轉(zhuǎn)換成電壓而得到的電信號(hào)在放大晶體管23中被放大。在像素晶體管Tr中，如圖5所示，選擇晶體管24設(shè)置成基于選擇信號(hào)而將放大晶體管23所輸出的電信號(hào)輸出至垂直信號(hào)線27。具體而言，如圖5所示，選擇晶體管24的柵極連接至提供有選擇信號(hào)的地址線28。并且，在提供選擇信號(hào)時(shí)，選擇晶體管24導(dǎo)通，如上所述，選擇晶體管24將經(jīng)放大晶體管23放大的輸出信號(hào)輸出至垂直信號(hào)線27。在像素晶體管Tr中，如圖5所示，復(fù)位晶體管25設(shè)置成將放大晶體管23的柵極電位復(fù)位。具體而言，如圖5所示，復(fù)位晶體管25的柵極電連接至提供有復(fù)位信號(hào)的復(fù)位線29。并且，復(fù)位晶體管25的漏極電連接至電源線Vdd，且復(fù)位晶體管的源極電連接至浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD。另外，復(fù)位晶體管25基于從復(fù)位線29發(fā)送的復(fù)位信號(hào)而經(jīng)由浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD將放大晶體管23的柵極電位復(fù)位至電源電壓。圖6為第一實(shí)施例中執(zhí)行成像時(shí)發(fā)送至像素P的像素晶體管Tr的控制信號(hào)的時(shí)序圖。在圖6中，(a)示出了輸入至選擇晶體管24的柵極的選擇信號(hào)SEL。并且，(b)示出了輸入至復(fù)位晶體管25的柵極的復(fù)位信號(hào)RST。另外，(c)示出了輸入至傳輸晶體管22的柵極的傳輸信號(hào)TG(參見圖5)。如圖6所示，當(dāng)執(zhí)行成像時(shí)，在第一時(shí)間點(diǎn)t1，當(dāng)選擇信號(hào)SEL被設(shè)定為高電平時(shí)，選擇晶體管24導(dǎo)通。并且，在第二時(shí)間點(diǎn)t2，當(dāng)復(fù)位信號(hào)RST被設(shè)定為高電平時(shí)，復(fù)位晶體管25導(dǎo)通。由此，放大晶體管23的柵極電位被復(fù)位(參見圖5)。另外，如圖6所示，在第三時(shí)間點(diǎn)t3，當(dāng)復(fù)位信號(hào)RST被設(shè)定為低電平時(shí)，復(fù)位晶體管25關(guān)斷。并且，此后，對應(yīng)于復(fù)位電平的電壓作為輸出信號(hào)被讀取至列電路14(參見圖2和圖5)。另外，如圖6所示，在第四時(shí)間點(diǎn)t4，當(dāng)傳輸信號(hào)TG被設(shè)定為高電平時(shí)，傳輸晶體管22導(dǎo)通。由此，由光電二極管21所累積的信號(hào)電荷被傳輸至浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD(參見圖5)。另外，如圖6所示，在第五時(shí)間點(diǎn)t5，當(dāng)傳輸信號(hào)TG被設(shè)定為低電平時(shí)，傳輸晶體管22關(guān)斷。此后，對應(yīng)于所累積的信號(hào)電荷量的信號(hào)電平的電壓作為輸出信號(hào)被讀取至列電路14(參見圖2和圖5)。在列電路14中，在先讀取的復(fù)位電平的信號(hào)與后讀取的信號(hào)電平的信號(hào)之間執(zhí)行差分處理，并累積所處理的信號(hào)(參見圖2和圖5)。由此，由于在為每一像素P所設(shè)置的各晶體管中的Vth等因素的變化而產(chǎn)生的固定模式噪聲被消除。由于晶體管22、24以及25的各柵極均以行為單位進(jìn)行連接，因而上述驅(qū)動(dòng)像素P的操作是對以行為單位排列的多個(gè)像素P同時(shí)執(zhí)行，所述行單位包括在水平方向x上排列成行的多個(gè)像素P。具體而言，通過上述垂直驅(qū)動(dòng)電路13所提供的選擇信號(hào)，以水平線(像素行)為單位在垂直方向上依序選擇所述像素。另外，各像素P的晶體管是由時(shí)序發(fā)生器18所輸出的各種時(shí)序信號(hào)進(jìn)行控制。因此，各像素的信號(hào)通過垂直信號(hào)線27被讀取至用于每一列像素P的列電路14(參見圖2和圖5)。另外，由列電路14所累積的信號(hào)由水平驅(qū)動(dòng)電路15進(jìn)行選擇并被依序輸出至外部輸出電路17(參見圖2和圖5)。另外，信號(hào)處理部44通過將成像所得到的信號(hào)作為原始數(shù)據(jù)來執(zhí)行信號(hào)處理，并產(chǎn)生數(shù)字圖像(參見圖1)。(f)配線層111在固體攝像器件1中，如圖3所示，配線層111在半導(dǎo)體基板101中設(shè)置于與后表面(上表面)相對的側(cè)的前表面(下表面)上，所述后表面上設(shè)置有例如濾色器CF以及微透鏡ML等各部分。配線層111包括配線111h以及絕緣層111z，配線層111配置成使配線111h在絕緣層111z中電連接至各元件。配線層111是所謂的多層式配線，是通過對構(gòu)成絕緣層111z的各層間絕緣膜及配線111h交替地進(jìn)行多次層疊而形成。此處，多條配線111h形成為隔著絕緣層111z進(jìn)行層疊，以用作圖5中所示的傳輸線26、地址線28、垂直信號(hào)線27及復(fù)位線29等的配線。另外，在配線層111中，支撐基板SS設(shè)置于與半導(dǎo)體基板101所處的側(cè)相對的側(cè)的表面上。例如，設(shè)有包含厚度為幾百微米的硅半導(dǎo)體的基板作為支撐基板SS。(B)制造方法以下將對制造上述固體攝像器件1的方法的主要部分進(jìn)行說明。圖7至圖13為本發(fā)明第一實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。與圖3類似，以剖面圖的形式示出了圖7至圖13。在本實(shí)施例中，將依序通過各圖所示的步驟來制造例如圖3等所示的固體攝像器件1。以下將依序具體說明各步驟。(a)形成光電二極管21等首先，如圖7所示，形成光電二極管21等。此處，例如光電二極管21等各部分均是通過從包含單晶硅半導(dǎo)體的半導(dǎo)體基板101的前表面離子注入雜質(zhì)而形成。例如，在p型半導(dǎo)體區(qū)域101pa形成于半導(dǎo)體基板101的整個(gè)表面上后，形成p型半導(dǎo)體區(qū)域101pc，p型半導(dǎo)體區(qū)域101pc具有高于p型半導(dǎo)體區(qū)域101pa的雜質(zhì)濃度。另外，n型半導(dǎo)體區(qū)域101n在半導(dǎo)體基板101中形成于其中形成有光電二極管21的部分上。另外，在像素晶體管Tr(圖7中未圖示)形成于半導(dǎo)體基板101的前表面上后，形成配線層111以覆蓋像素晶體管Tr。另外，將支撐基板SS結(jié)合至配線層111的前表面。此后，例如，減薄半導(dǎo)體基板101。例如，可以根據(jù)以下條件執(zhí)行減薄?！p薄后的半導(dǎo)體基板101的厚度：2.0μm至10μm?！し椒ǎ夯瘜W(xué)機(jī)械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)法(另外，也可以為干蝕刻或濕蝕刻)。另外，類似于上文所述，在SOI基板(圖中未示出)的半導(dǎo)體層上形成例如光電二極管21以及像素晶體管Tr等構(gòu)件，在設(shè)置配線層111以及支撐基板SS后，可執(zhí)行減薄處理。(b)形成第二溝槽TR2接下來，如圖8所示，形成第二溝槽TR2。此處，第二溝槽TR2在半導(dǎo)體基板101中形成于位于多個(gè)像素P之間的像素分隔部301中。具體而言，如圖8所示，通過圖案化處理在半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)上形成硬掩模HM。例如，通過設(shè)置厚度為0.1至0.5μm的SiO2膜(例如HDP或P-TEOS)而形成硬掩模HM。例如，通過執(zhí)行以下條件的干蝕刻處理來對硬掩模HM進(jìn)行圖案化處理?！で皇覊毫Γ?0至200mTorr·源功率：500至3000W(60Hz)·偏壓功率：500至2000W(2Hz)·CF4氣流：10至200sccm此后，通過使用硬掩模HM處理半導(dǎo)體基板101來形成第二溝槽TR2。例如，根據(jù)以下條件對硅(Si)半導(dǎo)體基板101執(zhí)行干蝕刻，形成第二溝槽TR2?！で皇覊毫Γ?至100mTorr·源功率：500至2000W·偏壓功率：100至1000W·Cl2氣流：10至300sccm·O2氣流：1至50sccm例如，從光譜特性的觀點(diǎn)而言，第二溝槽TR2可形成為滿足以下條件。·深度：0.2至4μm(優(yōu)選地，1.0μm以上)·寬度：0.04至5μm(為確保折射性能，優(yōu)選采用下限)另外，在本步驟中，除上文所列舉的材料外，硬掩模HM還可由例如P-SiN等SiN膜形成。(c)形成第一溝槽TR1接下來，如圖9所示，形成第一溝槽TR1。此處，在半導(dǎo)體基板101的像素分隔部301中，第一溝槽TR1形成于第二溝槽TR2的底部部分上。具體而言，如圖9所示，在硬掩模HM的開口部分以及第二溝槽TR2的內(nèi)表面處形成側(cè)壁SW。側(cè)壁SW的側(cè)表面為傾斜的，從而使硬掩模HM的開口及第二溝槽TR2的寬度朝半導(dǎo)體基板101下部部分變窄。例如，側(cè)壁SW是通過形成不同種類的膜(例如P-SiN)并對這些膜執(zhí)行干蝕刻而形成。并且，第一溝槽TR1是通過使用其上設(shè)置有側(cè)壁SW的硬掩模HM作為掩模處理半導(dǎo)體基板101而形成。例如，為對半導(dǎo)體基板101執(zhí)行干蝕刻處理，可以根據(jù)以下條件形成第一溝槽TR1?！ど疃龋?.3至10μm(從圖像浮散特性(bloomingcharacteristic)的觀點(diǎn)看，優(yōu)選為從半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)起深1.5μm以上)·寬度：0.02至5μm以上(為確保絕緣性能，優(yōu)選地采用下限且更優(yōu)選地為0.05μm以上)(d)去除硬掩模HM和側(cè)壁SW接下來，如圖10所示，去除硬掩模HM和側(cè)壁SW。此處，例如，通過對硬掩模HM和側(cè)壁SW執(zhí)行蝕刻處理，將硬掩模HM和側(cè)壁SW從半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)去除。由此，暴露出半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)。(e)形成釘扎層311接下來，如圖11所示，形成釘扎層311。此處，釘扎層311在半導(dǎo)體基板101的較深部分中形成為掩埋第一溝槽TR1的整個(gè)內(nèi)部部分。并且，釘扎層311在半導(dǎo)體基板101的較淺部分中形成為覆蓋形成于第一溝槽TR1上的第二溝槽TR2的內(nèi)表面。另外，除像素分隔部301外，釘扎層311在半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)上形成為覆蓋入射光H所進(jìn)入的感光表面JS。釘扎層311的材料為介電常數(shù)高于絕緣膜312的絕緣材料，且使用具有負(fù)固定電荷的高介電常數(shù)材料。例如，根據(jù)以下條件形成釘扎層311?！げ牧希篐fO2·形成方法：化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition，CVD)法·第二溝槽TR2的內(nèi)表面及半導(dǎo)體基板101的上部部分的厚度：1至200nm例如，除HfO2外，釘扎層311還可以使用例如Al2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5或者M(jìn)gO2等其他材料形成。這些材料已被證實(shí)適用于絕緣柵型場效應(yīng)晶體管等的柵極絕緣膜。因此，由于膜的形成方法已確定，所以可容易地形成釘扎層。在這些材料中，更優(yōu)選地使用氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(Ta2O5)和三氧化二鋁(Al2O3)。由于所述材料具有高的釘扎性(負(fù)固定電荷量)，因而可很好地獲得對白點(diǎn)及暗電流的抑制效果。而且，因?yàn)榭梢垣@得高的工藝可行性，所以上述材料為優(yōu)選的。除此之外，還可以使用例如以下材料：氧化鑭(La2O3)、氧化鐠(Pr2O3)、氧化鈰(CeO2)、氧化釹(Nd2O3)、氧化钷(Pm2O3)、氧化釤(Sm2O3)、氧化銪(Eu2O3)、氧化釓(Gd2O3)、氧化鋱(Tb2O3)、氧化鏑(Dy2O3)、氧化鈥(Ho2O3)、氧化鉺(Er2O3)、氧化銩(Tm2O3)、氧化鐿(Yb2O3)、氧化镥(Lu2O3)或氧化釔(Y2O3)。另外，可以通過使用氮化鉿膜、氮化鋁膜、氧氮化鉿膜或者氧氮化鋁膜來形成釘扎層311。另外，除化學(xué)氣相沉積(CVD)法之外，還可根據(jù)各種膜形成方法(例如濺射法或者原子層沉積(AtomicLayerDeposition，ALD)法)形成釘扎層311。例如，在根據(jù)有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(OrganicMetalChemicalVaporDeposition，MOCVD)法形成氧化鉿(HfO2)膜時(shí)，可根據(jù)使用下列前體的下列制造條件形成膜?！で绑w：四(乙基甲基氨基)鉿(Tetrakisethylmethylamidohafnium，TEMA-Hf)、四(二甲基氨基)鉿(Tetrakisdimethylamidohafnium，TDMA-Hf)或者四(二乙基氨基)鉿(Tetrakisdiethylamidohafnium，TDEA-Hf)·膜形成基板溫度：200℃至600℃·前體流速：10cm3/min至500cm3/min·前體的照射時(shí)間：1至15秒·臭氧(O3)流速：5cm3/min至50cm3/min另外，當(dāng)根據(jù)ALD法形成氧化鉿膜時(shí)，可根據(jù)使用下列前體的下列制造條件形成膜?！で绑w：四(乙基甲基氨基)鉿(Tetrakisethylmethylamidohafnium，TEMA-Hf)、四(二甲基氨基)鉿(Tetrakisdimethylamidohafnium，TDMA-Hf)或者四(二乙基氨基)鉿(Tetrakisdiethylamidohafnium，TDEA-Hf)·膜形成基板溫度：200℃至500℃·前體流速：10cm3/min至500cm3/min·前體的照射時(shí)間：1至15秒·臭氧(O3)流速：5cm3/min至50cm3/min由于在ALD法中，可同時(shí)形成約1nm的能在膜形成過程中降低界面電位的SiO2層，因此ALD法是更優(yōu)選的。除此之外，可在釘扎層311上形成防反射膜。(f)形成絕緣膜312接下來，如圖12所示，形成絕緣膜312。此處，絕緣膜312在半導(dǎo)體基板101的較淺部分中形成為覆蓋形成于第一溝槽TR1上的第二溝槽TR2的內(nèi)表面。另外，除像素分隔部301外，絕緣膜312也形成于半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)上，使得絕緣膜312隔著釘扎層311覆蓋感光表面JS。絕緣膜312是使用介電常數(shù)低于釘扎層311的材料而形成。例如，可根據(jù)下列條件形成絕緣膜312?！げ牧希篠iO2·形成方法：CVD法·厚度：5μm以下(為了確保靈敏度)(g)形成遮光層313接下來，如圖13所示，形成遮光層313。此處，遮光層313在半導(dǎo)體基板101的較淺部分中形成為隔著釘扎層311及絕緣膜312掩埋第二溝槽TR2的內(nèi)部部分。遮光層313是使用能夠遮光的遮光材料形成。例如，可根據(jù)下列條件來形成遮光層313?！げ牧希烘u(W)·形成方法：濺射法在本步驟中，遮光層313在半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)上形成為掩埋第二溝槽TR2的內(nèi)部部分。此后，在遮光層313中，去除設(shè)置于半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)上的部分。由此，遮光層313不形成于感光表面JS上而是嵌入至第二溝槽TR2的內(nèi)部部分。因此，像素分隔部301形成于多個(gè)像素P之間。另外，遮光層313可通過例如CVD方法等其他膜形成方法、通過由其他遮光材料形成膜而形成。除鎢(W)之外，還可使用鋁(Al)形成遮光層313。當(dāng)使用鋁或鎢之外的金屬(例如，銅)時(shí)，在可見光范圍的部分中的反射性能會(huì)降低。另外，當(dāng)使用鋁或鎢之外的在硅中具有高擴(kuò)散系數(shù)的金屬時(shí)，由于所述金屬可能擴(kuò)散至硅半導(dǎo)體基板101中，因而產(chǎn)生暗電流的可能性會(huì)增大。(h)形成濾色器CF及微透鏡ML接下來，如圖3所示，形成濾色器CF及微透鏡ML中的每一構(gòu)件。此處，在半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)上形成濾色器CF。例如，在通過涂布方法(例如旋涂法)涂覆包含著色物質(zhì)(例如顏料或染料)的涂覆液體與感光樹脂以及形成覆蓋膜后，通過光刻技術(shù)對涂布膜進(jìn)行圖案化處理而形成濾色器CF。由此，通過形成每一濾光層CFR、CFG及CFB而提供濾色器CF。此后，在濾色器CF的上表面上設(shè)置微透鏡ML。例如，在通過光刻技術(shù)對感光樹脂膜進(jìn)行圖案化處理后，通過以回流處理將經(jīng)圖案化處理的樹脂變形為透鏡形狀而形成微透鏡ML。除此之外，在透鏡材料膜上形成透鏡形狀的抗蝕劑圖案后，可通過將抗蝕劑圖案作為掩模執(zhí)行回蝕處理而形成微透鏡ML。以此方式，通過依序執(zhí)行每一步驟而制得“后表面照射類型”的CMOS圖像傳感器。(C)結(jié)論如上所述，在本實(shí)施例中，通過感光表面JS接收入射光H的多個(gè)光電二極管21設(shè)置成分別對應(yīng)于半導(dǎo)體基板101的內(nèi)部部分中的多個(gè)像素P。而且，像素分隔部301在半導(dǎo)體基板101的內(nèi)部部分中設(shè)置于多個(gè)像素P之間(參見圖3)。如上所述，與本實(shí)施例不同，當(dāng)像素分隔部101pb是通過從半導(dǎo)體基板101的前表面(下表面)側(cè)離子注入高濃度的雜質(zhì)而形成時(shí)(參見圖23)，由于因傾斜光泄露而產(chǎn)生光學(xué)噪聲，因而使圖像質(zhì)量降低。例如，產(chǎn)生“混色”，并且所捕捉的彩色圖像的顏色再現(xiàn)性降低。另外，因?yàn)椤瓣幱啊钡漠a(chǎn)生，所捕捉的圖像的質(zhì)量會(huì)降低。除此之外，當(dāng)通過離子注入高濃度的雜質(zhì)而形成像素分隔部101pb(參見圖23)時(shí)，考慮到雜質(zhì)的擴(kuò)散等因素，像素分隔部101pb的寬度會(huì)變大。尤其是，在“后表面照射類型”的情形中，像素分隔部101pb的寬度在半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)側(cè)中變大。由此，難以擴(kuò)大光電二極管21的占據(jù)面積。因此，光電二極管21的飽和電荷累積量(Qs)減少，并且難以提高所捕捉的圖像的質(zhì)量。另外，由于波長較短的光在由單晶硅半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體基板101中在光線所進(jìn)入的后表面(上表面)附近被吸收，具體而言，因此會(huì)在接收波長較短的光(例如藍(lán)光)的像素之間明顯地產(chǎn)生“混色”。然而，在本實(shí)施例中，釘扎層311、絕緣膜312以及遮光層313在半導(dǎo)體基板101中嵌入至溝槽TR內(nèi)，溝槽TR位于入射光H所進(jìn)入的后表面(入射表面)側(cè)中的光電二極管21的側(cè)部(參見圖3)。由此，像素分隔部301能夠遮光并光學(xué)分隔多個(gè)像素P，且對所述多個(gè)像素P進(jìn)行絕緣及電隔離。因此，由于在像素分隔部301中實(shí)現(xiàn)了像素間的遮光和元件隔離這兩種功能，因而在本實(shí)施例中可改善光譜特性和圖像浮散特性。另外，由于像素分隔部301在本實(shí)施例中不是通過離子注入高濃度的雜質(zhì)而形成，因而飽和電荷累積量(Qs)不會(huì)減少，并且可容易地提高所捕捉的圖像的質(zhì)量。除此之外，在本實(shí)施例中，包含第一溝槽TR1和第二溝槽TR2的多級(jí)式結(jié)構(gòu)的溝槽TR設(shè)置于像素分隔部301中。此處，第二溝槽TR2的寬度形成為寬于第一溝槽TR1的寬度，且第二溝槽TR2在半導(dǎo)體基板101中位于比第一溝槽TR1淺的部分中。此外，在本實(shí)施例中，釘扎層311形成為掩埋第一溝槽TR1的內(nèi)部部分并覆蓋第二溝槽TR2的內(nèi)表面。另外，絕緣膜312形成為隔著釘扎層311覆蓋第二溝槽TR2的內(nèi)表面。并且，遮光層313形成為隔著釘扎層311和絕緣膜312掩埋第二溝槽TR2的內(nèi)部部分。因此，在本實(shí)施例中，由于像素分隔部301包含釘扎層311，因此暗電流的產(chǎn)生得到抑制，且可防止在所捕捉的圖像中產(chǎn)生白點(diǎn)。而且，由于釘扎層311包含負(fù)固定電荷，因此在后表面中形成溝槽時(shí)產(chǎn)生的載流子(電子或空穴)可被保持至固定電荷。另外，在本實(shí)施例的多級(jí)式結(jié)構(gòu)的溝槽TR中，金屬材料不嵌入至處于較深位置的第一溝槽TR1，而是嵌入至設(shè)置于最上層級(jí)的淺位置上的第二溝槽TR2的內(nèi)部部分，且形成有遮光層313。由此，遮光層313可通過均勻地且無空隙地將金屬材料掩埋至第二溝槽TR2而形成。因此，由于遮光層313可在所述多個(gè)像素P之間有效地遮光，因而可防止產(chǎn)生“混色”及“陰影”。即，當(dāng)金屬材料嵌入于較深的溝槽(例如，深度為0.5μm以上)內(nèi)作為遮光材料時(shí)，會(huì)產(chǎn)生空隙且難以均勻地掩埋金屬材料。因此，難以防止產(chǎn)生“混色”及“陰影”。然而，根據(jù)本實(shí)施例，則可消除這些缺點(diǎn)。因此，在本實(shí)施例中，可提高所捕捉的圖像的質(zhì)量。2.第二實(shí)施例(A)制造方法圖14和圖15示出了第二實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。與圖3類似，分別以剖面圖形式示出圖14和圖15。在本實(shí)施例的固體攝像器件的制造方法中，與第一實(shí)施例的情形類似，形成光電二極管21等(參見圖7)以及形成第二溝槽TR2(參見圖8)。此后，依序通過圖14和圖15中所示的步驟形成第一溝槽TR1。另外，與第一實(shí)施例的情形類似，形成釘扎層311(參見圖11)、形成絕緣膜312(參見圖12)、形成遮光層313(參見圖13)、形成濾色器CF以及形成微透鏡ML(參見圖3)。如圖14和圖15所示，在本實(shí)施例中，形成第一溝槽TR1的步驟與第一實(shí)施例的步驟不同。除該點(diǎn)以及與該點(diǎn)相關(guān)的內(nèi)容以外，本實(shí)施例均與第一實(shí)施例類似。因此，將適當(dāng)?shù)厥÷詫χ貜?fù)部分的說明。下面依序?qū)Ω鞑襟E進(jìn)行詳細(xì)說明。(a)形成光致抗蝕劑圖案PR在形成第二溝槽TR2后(參見圖8)，如圖14所示形成光致抗蝕劑圖案PR。此處，當(dāng)在上面形成有硬掩模HM的半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)上形成光致抗蝕劑膜(圖中未示出)后，通過光刻技術(shù)對光致抗蝕劑膜(圖中未示出)進(jìn)行圖案化處理而形成光致抗蝕劑圖案PR。具體而言，在半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)側(cè)中，將光致抗蝕劑圖案PR的圖案形狀形成為使上面形成有第一溝槽TR1的部分為開口的、而其他部分則被覆蓋。即，光致抗蝕劑圖案PR形成為如下狀態(tài)：在該狀態(tài)中，在第二溝槽TR2的底部表面上形成第一溝槽TR1的部分被暴露出、而第二溝槽TR2的其他內(nèi)部表面則被覆蓋。(b)形成第一溝槽TR1接下來，如圖15所示，形成第一溝槽TR1。此處，與第一實(shí)施例的情形類似，第一溝槽TR1在半導(dǎo)體基板101的像素分隔部301中形成于第二溝槽TR2的底部部分上。而且，通過將光致抗蝕劑圖案PR和硬掩模HM從半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)側(cè)去除而暴露出后表面。此后，與第一實(shí)施例的情形相似，通過各步驟而制得“后表面照射類型”的CMOS圖像傳感器。(B)結(jié)論如上所述，在本實(shí)施例中可形成與第一實(shí)施例的情形具有相同結(jié)構(gòu)的固體攝像器件。因此，在本實(shí)施例中可很好地實(shí)現(xiàn)與第一實(shí)施例的情形相同的效果。3.第三實(shí)施例(A)器件結(jié)構(gòu)圖16為第三實(shí)施例中固體攝像器件的主要部分的圖。與圖3類似，圖16示出了像素P的截面。如圖16所示，在本實(shí)施例中，釘扎層311c和絕緣膜312c不同于第一實(shí)施例。除該點(diǎn)以及與該點(diǎn)相關(guān)的內(nèi)容以外，本實(shí)施例均與第一實(shí)施例類似。因此，將適當(dāng)?shù)厥÷詫χ貜?fù)部分的說明。(a)釘扎層311c如圖16所示，與第一實(shí)施例的情形相似，釘扎層311c形成為覆蓋第二溝槽TR2的內(nèi)表面，第二溝槽TR2在半導(dǎo)體基板101的較淺部分中形成于第一溝槽TR1上。然而，如圖16所示，與第一實(shí)施例的情形不同，釘扎層311c不形成為掩埋半導(dǎo)體基板101的較深部分中的第一溝槽TR1的整個(gè)內(nèi)部部分。此處，釘扎層311c形成為覆蓋第一溝槽TR1的內(nèi)表面。(b)絕緣膜312c如圖16所示，與第一實(shí)施例的情形類似，絕緣膜312c形成為隔著釘扎層311c覆蓋在半導(dǎo)體基板101的較淺部分中形成于第一溝槽TR1上的第二溝槽TR2的內(nèi)表面。然而，如圖16所示，與第一實(shí)施例的情形不同，絕緣膜312c也形成于位于半導(dǎo)體基板101的較深部分中的第一溝槽TR1的內(nèi)部部分處。此處，絕緣膜312c形成為隔著釘扎層311c掩埋第一溝槽TR1的內(nèi)部部分。(B)制造方法以下將說明制造固體攝像器件的方法的主要部分。圖17和圖18為第三實(shí)施例中制造固體攝像器件的方法的圖。與圖16類似，分別以剖面圖示出圖17和圖18。在本實(shí)施例的固體攝像器件的制造方法中，與第一實(shí)施例的情形相似，形成光電二極管21等、形成第二溝槽TR2、形成第一溝槽TR1以及去除硬掩模HM和側(cè)壁SW(參見圖7至圖10)。此后，依序通過圖17和圖18中所示的步驟形成圖16等中所示的固體攝像器件。另外，在通過與第二實(shí)施例的情形相似的步驟而形成第一溝槽TR1后，可依序通過圖17和圖18中所示的步驟而形成圖16等中所示的固體攝像器件。下面依序?qū)Ω鞑襟E進(jìn)行詳細(xì)說明。(a)形成釘扎層311c及絕緣膜312c如上所述，在形成第一溝槽TR1以及第二溝槽TR2等后，如圖17所示形成釘扎層311c和絕緣膜312c。此處，釘扎層311c形成為分別覆蓋第一溝槽TR1和第二溝槽TR2的內(nèi)表面。例如，與第一實(shí)施例的情形類似，釘扎層311c是通過形成HfO2膜而形成。此后，絕緣膜312c形成為掩埋被釘扎層311c所覆蓋的第一溝槽TR1的內(nèi)側(cè)部分且覆蓋第二溝槽TR2的內(nèi)表面。例如，與第一實(shí)施例的情形相似，絕緣膜312c是通過形成SiO2膜而形成。(b)形成遮光層313接下來，如圖18所示，形成遮光層313。此處，與第一實(shí)施例的情形相似，遮光層313形成為隔著釘扎層311c和絕緣膜312c掩埋第二溝槽TR2的內(nèi)部部分。(c)形成濾色器CF及微透鏡ML接下來，如圖16所示，與第一實(shí)施例的情形類似地形成例如濾色器CF及微透鏡ML等各構(gòu)件。由此，制得“后表面照射類型”的CMOS圖像傳感器。(C)結(jié)論如上所述，與第一實(shí)施例的情形相似，在本實(shí)施例中，釘扎層311c形成于第一溝槽TR1的內(nèi)部部分中并覆蓋第二溝槽TR2的內(nèi)表面。絕緣膜312c形成為隔著釘扎層311c覆蓋第二溝槽TR2的內(nèi)表面。另外，遮光層313形成為隔著釘扎層311c和絕緣膜312c掩埋第二溝槽TR2的內(nèi)部部分。此處，釘扎層311c形成為覆蓋第一溝槽TR1的內(nèi)表面。而且，絕緣膜312c形成為隔著釘扎層311c掩埋第一溝槽TR1的內(nèi)部部分。因此，與第一實(shí)施例的情形類似，在本實(shí)施例中可提高所捕捉的圖像的質(zhì)量。另外，絕緣膜312c具有補(bǔ)償釘扎性能的效果。由此，由于絕緣膜312c設(shè)置于第一溝槽TR1中，可實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的釘扎性能。4.第四實(shí)施例(A)器件結(jié)構(gòu)等圖19至圖21為第四實(shí)施例中固體攝像器件的主要部分的圖。與圖16類似，圖19和圖20分別為像素P的剖面圖。另外，圖21為像素P的俯視圖。此處，圖19為沿圖21中所示的線XIX-XIX截取的剖面圖，且示出了多個(gè)像素P中的上面設(shè)置有紅色濾光層CFR的像素P的剖面。除此之外，與圖21的情形類似地形成位于上面設(shè)有紅色濾光層CFR的像素P的外圍的像素分隔部301。另外，圖20為沿圖21中所示的線XX-XX截取的剖面圖，且示出了多個(gè)像素P中的上面設(shè)置有藍(lán)色濾光層CFB的像素P的剖面。除此之外，在像素分隔部301中，與圖21的情形類似地形成位于其上設(shè)置有紅色濾光層CFR的像素P的外圍中的部分以外的部分。另外，與圖4類似，在圖21中，為便于說明，在某些情形中使用實(shí)線之外的虛線等來表示用于示出各構(gòu)件的部分。如圖19和圖20所示，在本實(shí)施例中，在像素分隔部301中，位于上面設(shè)置有紅色濾光層CFR的像素P的外圍中的部分與該部分之外的其他部分互不相同。即，在其他實(shí)施例中，像素分隔部301形成為在各像素P之間具有相同的形狀。然而，在本實(shí)施例中，像素分隔部301的形狀根據(jù)每個(gè)像素P中所接收的光的波長范圍而改變。除該點(diǎn)以及與該點(diǎn)相關(guān)的內(nèi)容以外，本實(shí)施例均與第一實(shí)施例類似。由此，將適當(dāng)?shù)厥÷詫χ貜?fù)部分的說明。在本實(shí)施例中，如圖19和圖20所示，在溝槽TR中，由紅色濾光層CFR透射紅色光的像素P的光電二極管21的外圍部分形成至比接收綠色光或藍(lán)色光的像素P之間的部分更深的部分。即，所述多個(gè)像素P中的其中設(shè)有濾光層CFR的像素P的外圍部分中的溝槽TR比其他像素P的部分中的溝槽深，在所述多種濾光層CFR、CFG及CFB中，濾光層CFR對于最長波長的波長范圍的光具有更高的透射率。此處，所述多個(gè)像素P中用于接收最長波長的波長范圍的紅色光的像素P的外圍部分的第一溝槽TR1d(圖19)形成為深于其他部分的第一溝槽TR1(圖20)。例如，自半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)起的第一溝槽TR1和TR1d的深度可形成為滿足以下條件。這樣，可很好地獲得圖像浮散特性。·位于上面設(shè)有紅色濾光層CFR的像素P的外圍中的部分：0.2μm以上(優(yōu)選地，1.5μm以上)·上述部分以外的部分：0.2μm以上(優(yōu)選地，1.0μm以上)此外，釘扎層311d形成為覆蓋第一溝槽TR1和TR1d的內(nèi)表面。另外，絕緣膜312d形成為隔著釘扎層311d掩埋第一溝槽TR1的內(nèi)部部分。(B)結(jié)論如上所述，與第三實(shí)施例類似，在本實(shí)施例中，釘扎層311d形成于第一溝槽TR1的內(nèi)部部分中并覆蓋第二溝槽TR2的內(nèi)表面。絕緣膜312d形成為隔著釘扎層311d覆蓋第二溝槽TR2的內(nèi)表面。另外，遮光層313形成為隔著釘扎層311d和絕緣膜312d掩埋第二溝槽TR2的內(nèi)部部分。因此，與第三實(shí)施例的情形類似，在本實(shí)施例中，可提高所捕捉的圖像的質(zhì)量。而且，在本實(shí)施例中，其中設(shè)置有濾光層CFR的像素P的外圍部分中的溝槽TR比其他像素P的部分中的溝槽深，在所述多種濾光層CFR、CFG及CFB中，濾光層CFR對于最長波長的波長范圍的光具有更高的透射率。另外，釘扎層311d、絕緣膜312d以及遮光層313設(shè)置于溝槽TR中。在由單晶硅半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體基板101中，例如藍(lán)色光等波長較短的光在光所進(jìn)入的表面附近被吸收。然而，如紅色光等具有較長波長的光則到達(dá)半導(dǎo)體基板101的較深部分。相比之下，在本實(shí)施例中，位于接收波長較長的光(如紅色光)的光電二極管21的外圍中的釘扎層311d和絕緣膜312d形成至比接收其他波長較短的光的光電二極管21的外圍更深的位置。由此，在本實(shí)施例中，即使在波長較長的光到達(dá)半導(dǎo)體基板101的較深部分并產(chǎn)生電荷時(shí)，像素分隔部301也可有效地電分隔所述多個(gè)像素P。另外，溝槽TR形成為在所述多個(gè)像素P中以下像素P的外圍部分以外的部分中較淺：在此像素P中設(shè)有對于最長波長的波長范圍的光具有較高透射率的濾光層CFR。在其中形成有深溝槽TR的情形中，因蝕刻處理等而產(chǎn)生的破壞可能很大。然而，在較淺部分中，破壞可減小。因此，在本實(shí)施例中，可進(jìn)一步提高所捕捉的圖像的質(zhì)量。另外，在上述實(shí)施例中，與第三實(shí)施例的情形類似，說明了在第一溝槽TR1和TR1d的內(nèi)部部分中設(shè)置釘扎層311d和絕緣膜312d的情形。然而，本發(fā)明并不限于此。即，與第一和第二實(shí)施例的情形類似，也可以是只有釘扎層311設(shè)置于第一溝槽TR1和TR1d的內(nèi)部部分中。另外，在本實(shí)施例中，與較低層級(jí)的互不相同的第一溝槽TR1和TR1d不同，接收紅色光的像素P的外圍部分與其他部分在較上層級(jí)的第二溝槽TR2中具有相同的深度。然而，本發(fā)明并不限于此。與較低層級(jí)的第一溝槽TR1和TR1d類似，在較上層級(jí)的第二溝槽TR2中，接收紅色光的像素P的外圍部分也可形成為比其他部分深。例如，自半導(dǎo)體基板101的后表面(上表面)起的第二溝槽TR2的深度可形成為滿足以下條件?！の挥谏厦嬖O(shè)有紅色濾光層CFR的像素P的外圍中的部分：0.2至4μm(優(yōu)選地，1.0μm以上)·上述部分以外的部分：0.2至4μm以上(優(yōu)選地，0.5μm以上)5.第五實(shí)施例(A)器件結(jié)構(gòu)等圖22為第五實(shí)施例中固體攝像器件的主要部分的圖。與圖3類似，圖22示出了像素P的剖面。如圖22所示，本實(shí)施例的固體攝像器件為“前表面照射類型”。即，配線層111設(shè)置在半導(dǎo)體基板101的前表面(圖22中的上表面)側(cè)上，且感光表面JS接收從前表面?zhèn)冗M(jìn)入的入射光H。而且，像素分隔部301設(shè)置于半導(dǎo)體基板101的前表面(上表面)側(cè)上。另外，半導(dǎo)體基板101沒有被減薄，且沒有設(shè)置支撐基板SS(參見圖3)。除該點(diǎn)以及與該點(diǎn)相關(guān)的內(nèi)容以外，本實(shí)施例均與第一實(shí)施例類似。由此，將適當(dāng)?shù)厥÷詫χ貜?fù)部分的說明。在本實(shí)施例中，如圖22所示，在固體攝像器件中，光電二極管21和像素分隔部301設(shè)置于半導(dǎo)體基板101的內(nèi)部部分中。如圖22所示，光電二極管21設(shè)置成使n型半導(dǎo)體區(qū)域101n在半導(dǎo)體基板101的前表面(上表面)側(cè)位于p型半導(dǎo)體區(qū)域101pa和101pc的內(nèi)部部分中。如圖22所示，像素分隔部301配置成與第一實(shí)施例類似。即，像素分隔部301包括釘扎層311、絕緣膜312和遮光層313，且各部分均設(shè)置于溝槽TR的內(nèi)部部分中。在配線層111中，配線111h在絕緣層111z中設(shè)置于感光表面JS的上部部分以外的部分上。而且，與第一實(shí)施例類似，濾色器CF以及微透鏡ML設(shè)置于配線層111的上表面上。盡管在圖22中未示出，然而在半導(dǎo)體基板101的前表面(上表面)上設(shè)置有圖5中所示的像素晶體管Tr。配線層111形成為覆蓋像素晶體管Tr。在本實(shí)施例中，與第一實(shí)施例類似，在制造攝像器件時(shí)，p型半導(dǎo)體區(qū)域101pa、p型半導(dǎo)體區(qū)域101pc以及n型半導(dǎo)體區(qū)域101n是通過從半導(dǎo)體基板101的前表面離子注入雜質(zhì)而形成。而且，與第一實(shí)施例類似，溝槽TR形成于半導(dǎo)體基板101的前表面?zhèn)壬?。另外，與第一實(shí)施例類似，釘扎層311、絕緣膜312和遮光層313形成于溝槽TR中。而且，在半導(dǎo)體基板101的前表面上形成像素晶體管Tr后，形成配線層111以覆蓋像素晶體管Tr。另外，形成濾色器CF以及微透鏡ML，于是制得“前表面照射類型”的CMOS圖像傳感器。(B)結(jié)論如上所述，在本實(shí)施例中，與第一實(shí)施例的情形類似，像素分隔部301包括釘扎層311、絕緣膜312和遮光層313，且各部分均設(shè)置于溝槽TR的內(nèi)部部分中(參見圖22)。因此，與第一實(shí)施例類似，在本實(shí)施例中可提高所捕捉的圖像的質(zhì)量。如上所述，本實(shí)施例的固體攝像器件為“前表面照射類型”。在“前表面照射類型”的情形中，當(dāng)通過從入射光所進(jìn)入的前表面?zhèn)入x子注入高濃度的雜質(zhì)而設(shè)置像素分隔部時(shí)，具體而言，難以提高用于接收波長較長的光(如紅色光)的像素的飽和電荷累積量(Qs)。原因在于，考慮到雜質(zhì)的擴(kuò)散，在半導(dǎo)體基板101的后表面(下表面)側(cè)中變?yōu)楦邼舛入s質(zhì)區(qū)的像素分隔部的寬度容易變大。然而，在本實(shí)施例中，像素分隔部301在半導(dǎo)體基板101中嵌入至設(shè)置于光電二極管21的側(cè)部中的溝槽TR的內(nèi)部部分。由此，由于像素P在相對于感光表面JS較深的區(qū)域中被分隔，具體而言，因而可在接收紅色光的光電二極管21中提高飽和電荷累積量(Qs)，且可提高動(dòng)態(tài)范圍。而且，在本實(shí)施例中，說明了像素分隔部301設(shè)置成與第一實(shí)施例中相同的情況。然而，本發(fā)明不限于此，也可以如同其它實(shí)施例中一樣設(shè)置像素分隔部301。6.其他在實(shí)施本發(fā)明時(shí)，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例。即，本發(fā)明可采用各種變形。在上述實(shí)施例中，說明了將本發(fā)明應(yīng)用于照相機(jī)的情形。然而，本發(fā)明并不限于此。即，本發(fā)明還可應(yīng)用于例如掃描儀或復(fù)印機(jī)等包含固體攝像器件的其他電子裝置。在上述實(shí)施例中，說明了設(shè)置傳輸晶體管、放大晶體管、選擇晶體管以及復(fù)位晶體管這四種晶體管作為像素晶體管的情形。然而，本發(fā)明并不限于此。例如，本發(fā)明還可應(yīng)用于設(shè)置傳輸晶體管、放大晶體管以及復(fù)位晶體管這三種晶體管作為像素晶體管的情形。在上述實(shí)施例中，說明了一一地為一個(gè)光電二極管設(shè)置傳輸晶體管、放大晶體管、選擇晶體管以及復(fù)位晶體管的情形。然而，本發(fā)明并不限于此。例如，本發(fā)明還可應(yīng)用于一一地為多個(gè)光電二極管設(shè)置放大晶體管、選擇晶體管以及復(fù)位晶體管的情形。另外，除CMOS型圖像傳感器外，本發(fā)明還可應(yīng)用于CCD型圖像傳感器。另外，在上述實(shí)施例中，說明了像素分隔部301包括絕緣膜312的情形。然而，本發(fā)明并不限于此。也可不設(shè)置絕緣膜312。另外，在制造固體攝像器件的方法中，當(dāng)在形成像素分隔部301的部分中形成溝槽TR時(shí)，可相對于其他部分同時(shí)形成溝槽。例如，當(dāng)與配線111h類似地形成的焊盤電極的表面(圖中未示出)被暴露于配線層111中時(shí)，可在上述的同一步驟中在所述表面的上部部分上形成溝槽。這樣，可進(jìn)一步提高可生產(chǎn)性。而且，在上文中，說明了溝槽TR包含兩級(jí)式結(jié)構(gòu)的情形。然而，本發(fā)明并不限于此?？蓸?gòu)造出包含三個(gè)或更多個(gè)級(jí)的溝槽TR。在此種情形中，例如，通過將遮光層嵌入至最上層級(jí)內(nèi)且將釘扎層或絕緣膜嵌入至最上層級(jí)以外的層級(jí)中來設(shè)置像素分隔部。另外，可適當(dāng)?shù)貙⑸鲜龈鲗?shí)施例相組合。即，本發(fā)明還可包括以下配置。(1)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種固體攝像器件，其包括：多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部，各光電轉(zhuǎn)換部設(shè)置成對應(yīng)于半導(dǎo)體基板中多個(gè)像素中的每一者，并通過感光表面接收入射光；以及像素分隔部，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的內(nèi)部部分中的所述多個(gè)像素之間，并電隔離所述多個(gè)像素，其中，在溝槽的內(nèi)部部分中至少設(shè)置有釘扎層及遮光層，所述溝槽設(shè)置于在所述入射光所進(jìn)入的所述半導(dǎo)體基板的入射表面?zhèn)戎懈魉龉怆娹D(zhuǎn)換部的側(cè)部上，所述溝槽包括第一溝槽及第二溝槽，所述第二溝槽在所述半導(dǎo)體基板中位于比所述第一溝槽淺的部分中，所述第二溝槽的寬度比所述第一溝槽的寬度寬，所述釘扎層形成于所述第一溝槽的內(nèi)部部分中，并覆蓋所述第二溝槽的內(nèi)表面，所述遮光層形成為至少隔著所述釘扎層掩埋所述第二溝槽的內(nèi)部部分。(2)在(1)所述的固體攝像器件中，所述釘扎層形成為掩埋所述第一溝槽的整個(gè)內(nèi)部部分。(3)在(2)所述的固體攝像器件中，所述固體攝像器件還包括絕緣膜，其形成為隔著所述釘扎層覆蓋所述第二溝槽的所述內(nèi)表面，其中，所述遮光層形成為隔著所述釘扎層及所述絕緣膜掩埋所述第二溝槽的所述內(nèi)部部分。(4)在(1)所述的固體攝像器件中，所述固體攝像器件還包括絕緣膜，其形成為隔著所述釘扎層覆蓋所述第二溝槽的所述內(nèi)表面，其中，所述釘扎層形成為覆蓋所述第一溝槽的內(nèi)表面，所述絕緣膜形成為隔著所述釘扎層掩埋所述第一溝槽的所述內(nèi)部部分，所述遮光層形成為隔著所述釘扎層及所述絕緣膜掩埋所述第二溝槽的所述內(nèi)部部分。(5)在(1)至(4)任一者中所述的固體攝像器件中，所述釘扎層是由包含負(fù)的固定電荷的材料形成的。(6)在(1)至(5)任一者中所述的固體攝像器件中，所述釘扎層是使用氧化鉿、五氧化二鉭或氧化鋁形成的。(7)在(1)至(6)任一者中所述的固體攝像器件中，所述遮光層是使用鋁或鎢形成的。(8)在(1)至(7)任一者中所述的固體攝像器件中，所述固體攝像器件還包括像素晶體管，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的與所述入射表面相反側(cè)的表面上，并輸出由所述光電轉(zhuǎn)換部所產(chǎn)生的信號(hào)電荷作為電信號(hào)，以及配線層，其設(shè)置成覆蓋所述半導(dǎo)體基板的與所述入射表面相反側(cè)的表面上的所述像素晶體管。(9)在(1)至(8)任一者中所述的固體攝像器件中，所述固體攝像器件還包括濾色器，其用于將所述入射光透射至所述感光表面，其中，在所述濾色器中，對波長范圍互不相同的光具有高透射率的多種濾光層布置成彼此相鄰且對應(yīng)于所述多個(gè)像素中的每一者，在所述多個(gè)像素中，以下像素的周邊的所述溝槽形成為比其它部分中的所述溝槽深：在所述像素中，設(shè)有在所述多種濾光層中對最長波長的波長范圍的光具有更高透射率的濾光層。(10)根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，提供制造固體攝像器件的方法，所述制造固體攝像器件的方法包括以下步驟：對應(yīng)于半導(dǎo)體基板中的多個(gè)像素設(shè)置多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部，所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部通過感光表面接收入射光；以及在所述半導(dǎo)體基板的內(nèi)部部分中的所述多個(gè)像素之間形成像素分隔部，所述像素分隔部電隔離所述多個(gè)像素，其中，所述形成像素分隔部的步驟包括：在溝槽的內(nèi)部部分中至少設(shè)置釘扎層及遮光層，所述溝槽設(shè)置于在所述入射光所進(jìn)入的所述半導(dǎo)體基板的入射表面?zhèn)戎懈魉龉怆娹D(zhuǎn)換部的側(cè)部上，所述溝槽形成為包括第一溝槽及第二溝槽，所述第二溝槽在所述半導(dǎo)體基板中位于比所述第一溝槽淺的部分中，所述第二溝槽的寬度比所述第一溝槽的寬度寬，所述釘扎層形成為覆蓋所述第一溝槽的內(nèi)部部分及所述第二溝槽的內(nèi)表面，所述遮光層形成為至少隔著所述釘扎層掩埋所述第二溝槽的內(nèi)部部分。(11)根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例，提供一種電子裝置，所述電子裝置包括：多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部，各光電轉(zhuǎn)換部設(shè)置成對應(yīng)于半導(dǎo)體基板中多個(gè)像素中的每一者，并通過感光表面接收入射光；以及像素分隔部，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的內(nèi)部部分中的所述多個(gè)像素之間，并電隔離所述多個(gè)像素，其中，在溝槽的內(nèi)部部分中至少設(shè)置有釘扎層及遮光層，所述溝槽設(shè)置于在所述入射光所進(jìn)入的所述半導(dǎo)體基板的入射表面?zhèn)戎懈魉龉怆娹D(zhuǎn)換部的側(cè)部上，所述溝槽包括第一溝槽及第二溝槽，所述第二溝槽在所述半導(dǎo)體基板中位于比所述第一溝槽淺的部分中，所述第二溝槽的寬度比所述第一溝槽的寬度寬，所述釘扎層形成于所述第一溝槽的內(nèi)部部分中，并覆蓋所述第二溝槽的內(nèi)表面，所述遮光層形成為至少隔著所述釘扎層掩埋所述第二溝槽的內(nèi)部部分。另外，在上述實(shí)施例中，光電二極管21為光電轉(zhuǎn)換部的實(shí)例。另外，在上述實(shí)施例中，照相機(jī)40為電子裝置的實(shí)例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以在本發(fā)明隨附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合以及改變。