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半導(dǎo)體裝置的制作方法

文檔序號(hào):12129769閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體裝置,其既能抑制步驟數(shù)的增加,又能獲得對(duì)半導(dǎo)體芯片的優(yōu)異的磁屏蔽效果。實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備:襯底;磁阻存儲(chǔ)器芯片,安裝在襯底上;以及密封樹(shù)脂層,將磁阻存儲(chǔ)器芯片密封。磁阻存儲(chǔ)器芯片具備:磁阻存儲(chǔ)器元件層;以及有機(jī)樹(shù)脂層,以覆蓋磁阻存儲(chǔ)器元件層的至少一部分的方式設(shè)置,且含有磁性體粉末。

技術(shù)研發(fā)人員:大塚雅司
受保護(hù)的技術(shù)使用者:株式會(huì)社東芝
文檔號(hào)碼:201610227298
技術(shù)研發(fā)日:2016.04.13
技術(shù)公布日:2017.03.22

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