技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種高耐壓半導體裝置，包括一金屬氧化半導體(MOS)裝置，以及一電阻裝置。該MOS裝置包括一源極和一漏極、一漏極絕緣區(qū)，毗鄰該漏極、一柵極，毗鄰該源極。該電阻裝置形成在該漏極絕緣區(qū)上且電性連接該漏極。該電阻裝置系由多個電阻區(qū)段連接而成，且每一該等電阻區(qū)段的形狀包括一弧形。本發(fā)明提供的高耐壓半導體裝置，降低所需面積、減少電阻值、及避免影響崩潰電壓。

技術研發(fā)人員：林鑫成;江小玲
受保護的技術使用者：世界先進積體電路股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.04.13
技術公布日：2017.10.24