本申請(qǐng)是2012年6月13日申請(qǐng)的，申請(qǐng)?zhí)枮椤?01210194908.1”，發(fā)明名稱為“發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法”的中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)

本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，且特別是有關(guān)于一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管是一種由含有iii-ⅴ族元素的半導(dǎo)體材料所構(gòu)成的發(fā)光元件，且發(fā)光二極管具有諸如壽命長(zhǎng)、體積小、高抗震性、低熱產(chǎn)生及低功率消耗等優(yōu)點(diǎn)，因此已被廣泛應(yīng)用于家用及各種設(shè)備中的指示器或光源。近年來(lái)，發(fā)光二極管已朝多色彩及高亮度發(fā)展，因此其應(yīng)用領(lǐng)域已擴(kuò)展至大型戶外看板、交通號(hào)志燈及相關(guān)領(lǐng)域。在未來(lái)，發(fā)光二極管甚至可能成為兼具省電及環(huán)保功能的主要照明光源。

舉例而言，以目前高功率白光發(fā)光二極管的封裝方式大多數(shù)是采用藍(lán)光發(fā)光二極管并搭配黃色螢光粉的使用而成。白光發(fā)光二極管的所以發(fā)白光是因?yàn)槠浒l(fā)光二極管芯片發(fā)出藍(lán)光，藍(lán)光通過(guò)黃色螢光粉后會(huì)被轉(zhuǎn)換成黃光，而被黃色螢光粉轉(zhuǎn)換成的黃光與沒(méi)被轉(zhuǎn)換的藍(lán)光即混合成白光。由于發(fā)光二極管所發(fā)出的藍(lán)光具有一定程度的指向性，這會(huì)使得以較大角度偏離光軸的藍(lán)光的光強(qiáng)度較弱，進(jìn)而使得以較大角度偏離光軸的黃光的強(qiáng)度大于藍(lán)光的強(qiáng)度。如此一來(lái)，會(huì)使得照明燈具的照射范圍的邊緣產(chǎn)生黃暈。此外，采用藍(lán)光二極管并搭配黃色螢光粉的白光發(fā)光二極管往往在制程上會(huì)因?yàn)辄S色螢光粉在芯片上分布不均，也使得其出射的白光外圍會(huì)分布一圈黃光，即黃暈現(xiàn)象(yellowishhalo)，以致于影響白光發(fā)光二極管所發(fā)出的光的顏色均勻度。

因此，過(guò)去為了解決黃暈的問(wèn)題通常會(huì)在螢光粉中添加增白劑來(lái)降低黃暈的發(fā)生，其中增白劑例如是白色微粒或是玻璃微粒，如此可以散射發(fā)光二極管的光束降低黃暈的程度。相對(duì)地，增白劑的添加卻往往會(huì)犧牲了發(fā)光二極管整體的出光效率，并且在演色性的表現(xiàn)上也無(wú)法產(chǎn)生任何提升的效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其可呈現(xiàn)出較佳的光學(xué)表現(xiàn)。

本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，用以制作上述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一承載器、至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片、一第一環(huán)形擋墻、一第二環(huán)形擋墻以及一螢光膠體。承載器具有一承載區(qū)以及一圍繞承載區(qū)的周邊區(qū)。發(fā)光二極管芯片配置于承載器的承載區(qū)內(nèi)，且電性連接至承載器。第一環(huán)形擋墻配置于承載器的周邊區(qū)內(nèi)，且圍繞發(fā)光二極管芯片。第二環(huán)形擋墻配置于第一環(huán)形擋墻的內(nèi)側(cè)，且圍繞發(fā)光二極管芯片，其中所述第二環(huán)形擋墻的高度低于第一環(huán)形擋墻的高度。而，螢光膠體配置于承載器上且至少覆蓋發(fā)光二極管芯片與第二環(huán)形擋墻，其中所述螢光膠體包括至少一種螢光粉及至少一種膠體，而所述螢光粉分布于發(fā)光二極管芯片的表面上。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的第一環(huán)形擋墻與第二環(huán)形擋墻之間具有一間距，且在承載器上定義一凹槽，所述螢光膠體填充于凹槽。

本發(fā)明又一實(shí)施例中，所述的承載器與第一環(huán)形擋墻或第二環(huán)形擋墻一體成型。

本發(fā)明又一實(shí)施例中，所述的第一環(huán)形擋墻或第二環(huán)形擋墻為一不連續(xù)的環(huán)形擋墻。

本發(fā)明又一實(shí)施例中，所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)更包括多個(gè)條形擋墻。所述條形擋墻配置于承載器上且連接所述第二環(huán)形擋墻，其中所述條形擋墻與第二環(huán)形擋墻在承載器上定義出多個(gè)格子狀凹槽，而發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述格子狀凹槽內(nèi)。

本發(fā)明提出另一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一承載器、多個(gè)發(fā)光二極管芯片、一環(huán)形擋墻、多個(gè)條形擋墻以及一螢光膠體。發(fā)光二極管芯片配置于承載器上，且電性連接至承載器。環(huán)形擋墻配置于承載器上，且圍繞發(fā)光二極管芯片。所述條形擋墻配置于承載器上且連接環(huán)形擋墻，其中條形擋墻與環(huán)形擋墻在承載器上定義出多個(gè)格子狀凹槽，而發(fā)光二極管芯片設(shè)置于格子狀凹槽內(nèi)。螢光膠體配置于承載器上，且填充于格子狀凹槽中并至少覆蓋發(fā)光二極管芯片，其中螢光膠體包括至少一種螢光粉及至少一種膠體，且螢光粉分布于發(fā)光二極管芯片的表面上。

本發(fā)明又一實(shí)施例中，所述的多個(gè)條形擋墻彼此相連而定義出多個(gè)次環(huán)形擋墻，其中所述多個(gè)次環(huán)形擋墻配置于承載器上且其分別圍繞發(fā)光二極管芯片。

本發(fā)明又一實(shí)施例中，所述的環(huán)狀擋墻的高度與每一條形擋墻的高度相同。

本發(fā)明又一實(shí)施例中，所述的每一條形擋墻的高度低于環(huán)狀擋墻的高度。

本發(fā)明又一實(shí)施例中，所述的承載器與環(huán)形擋墻或條形擋墻一體成型。

本發(fā)明又一實(shí)施例中，所述的發(fā)光二極管芯片系透過(guò)倒裝焊技術(shù)與承載器電性連接。

本發(fā)明又一實(shí)施例中，所述的發(fā)光二極管芯片系透過(guò)打線接合技術(shù)與承載器電性連接。

本發(fā)明又一實(shí)施例中，所述的承載器的材質(zhì)包括陶瓷、高分子聚合物或金屬。

本發(fā)明又一實(shí)施例中，所述的第一環(huán)形擋墻的材質(zhì)與第二環(huán)形擋墻的材質(zhì)包括硅、氧化硅、氮化硼、橡膠、有機(jī)高分子材料或金屬。

本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括以下步驟。提供一承載器，其中承載器具有一承載區(qū)以及一圍繞承載區(qū)的周邊區(qū)。配置至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片于承載器的承載區(qū)內(nèi)，且發(fā)光二極管芯片電性連接至承載器。形成一第一環(huán)形擋墻于承載器的周邊區(qū)內(nèi)。形成一第二環(huán)形擋墻于承載器的周邊區(qū)內(nèi)，其中第二環(huán)形擋墻圍繞發(fā)光二極管芯片并設(shè)置于第一環(huán)形擋墻的內(nèi)側(cè)，且第二環(huán)形擋墻的高度低于第一環(huán)形擋墻的高度。填充一螢光膠體于承載器上以至少覆蓋發(fā)光二極管芯片與第二環(huán)形擋墻，其中所述螢光膠體包括至少一種螢光粉及至少一種膠體混合而成，且螢光粉散布于膠體內(nèi)。之后，進(jìn)行一離心程序，以使螢光膠體中的螢光粉沉降于發(fā)光二極管芯片的表面上。最后，放置烤箱進(jìn)行烘烤定形。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的第一環(huán)形擋墻與第二環(huán)形擋墻之間具有一間距，在承載器上定義一凹槽，且螢光膠體填充于凹槽。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括：形成多個(gè)條形擋墻，配置于承載器上且連接第二環(huán)形擋墻，其中所述條形擋墻與第二環(huán)形擋墻在承載器上定義出多個(gè)格子狀凹槽，而所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述格子狀凹槽內(nèi)。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的承載器與第一環(huán)形擋墻或第二環(huán)形擋墻一體成型。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的第一環(huán)形擋墻或第二環(huán)形擋墻為不連續(xù)的環(huán)形擋墻。

本發(fā)明再提出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括以下步驟。提供一承載器。配置多個(gè)發(fā)光二極管芯片于承載器上，且發(fā)光二極管芯片電性連接至承載器。形成一環(huán)形擋墻于承載器上，其中環(huán)形擋墻圍繞發(fā)光二極管芯片。形成多個(gè)條形擋墻于承載器上，其中條形擋墻連接環(huán)形擋墻，且條形擋墻與環(huán)形擋墻在承載器上定義出多個(gè)格子狀凹槽，而發(fā)光二極管芯片設(shè)置于格子狀凹槽內(nèi)。填充一螢光膠體于承載器的一承載區(qū)內(nèi)，其中螢光膠體填滿格子狀凹槽且至少覆蓋發(fā)光二極管芯片，螢光膠體包括至少一種螢光粉及至少一種膠體混合而成，且螢光粉分散于膠體內(nèi)。進(jìn)行一離心程序以使螢光膠體中的螢光粉沉降于發(fā)光二極管芯片的表面上。最后，放置一烤箱進(jìn)行一烘烤程序。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的條形擋墻彼此相連而定義出多個(gè)次環(huán)形擋墻，其中所述多個(gè)次環(huán)形擋墻配置于承載器上且其分別圍繞發(fā)光二極管芯片。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的填充螢光膠體于承載器的承載區(qū)的步驟，包括：將螢光膠體依序填入格子狀凹槽，使螢光膠體的一上表面與環(huán)狀擋墻的一頂面及每一條形擋墻的一頂面高度相同。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的填充螢光膠體于承載器的承載區(qū)的步驟，包括：將螢光膠體任意填入一部分的格子狀凹槽；以及進(jìn)行一離心程序，以使螢光膠體向兩側(cè)流動(dòng)以填滿格子狀凹槽，且螢光膠體覆蓋于每一條形擋墻的一頂面。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的承載器與環(huán)形擋墻或條形擋墻一體成型。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的環(huán)形擋墻為不連續(xù)的環(huán)形擋墻。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其中配置每一發(fā)光二極管芯片于承載器上的方法系透過(guò)倒裝焊技術(shù)與承載器電性連接。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其中配置每一發(fā)光二極管芯片于承載器上的方法系透過(guò)打線接合技術(shù)與承載器電性連接。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的承載器的材質(zhì)包括陶瓷、高分子聚合物或金屬。

本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述的第一環(huán)形擋墻的材質(zhì)與第二環(huán)形擋墻的材質(zhì)包括硅、氧化硅、氮化硼、橡膠、有機(jī)高分子材料或金屬。

基于上述，由于本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有第一環(huán)形擋墻與第二環(huán)形擋墻的設(shè)計(jì)，且螢光膠體的螢光粉是分布至發(fā)光二極管芯片的表面上，因此可有效避免發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)邊壁黃暈現(xiàn)象的發(fā)生且可有效提升整體的發(fā)光效率。

附圖說(shuō)明

為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作詳細(xì)說(shuō)明，其中：

圖1a為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖1b為圖1a的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。

圖1c為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖1d為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。

圖2a為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖2b為圖2a的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。

圖2c為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖3為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖。

圖4a為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖4b為圖4a的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。

圖4c為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖4d為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。

圖5為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖。

主要元件符號(hào)說(shuō)明：

100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)

110、110a：承載器

112：承載區(qū)

114：周邊區(qū)

120a、120b：發(fā)光二極管芯片

125：導(dǎo)線

130a：第一環(huán)形擋墻

130b：次環(huán)形擋墻

130c：環(huán)形擋墻

131：頂面

132：頂表面

140a、140b：第二環(huán)形擋墻

140c、140d、140e：條形擋墻

141、143：頂面

150：螢光膠體

151：上表面

152：螢光粉

154：膠體

c、c’：格子狀凹槽

d：間距

h1、h2、h3、h4：高度

s10～s16、s20～s26：步驟

u：凹槽

具體實(shí)施方式

圖1a為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖1b為圖1a的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖1a與圖1b，在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a包括一承載器110、至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片120a(圖1a與圖1b中僅示意地繪示一個(gè))、一第一環(huán)形擋墻130a、一第二環(huán)形擋墻140a以及一螢光膠體150。

詳細(xì)來(lái)說(shuō)，承載器110具有一承載區(qū)112以及一圍繞承載區(qū)112的周邊區(qū)114。此處，承載器110的材質(zhì)例如是陶瓷、高分子聚合物、硅、碳化硅、絕緣材料或金屬，其中當(dāng)承載器110的材質(zhì)為金屬時(shí)，承載器110可為一銅基板或一金屬核心印刷電路板(metalcoreprintedcircuitboard,mcpcb)，但并不以此為限。

發(fā)光二極管芯片120a配置于承載器110的承載區(qū)112內(nèi)，且電性連接至承載器110。在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片120a系透過(guò)倒裝焊技術(shù)與承載器110電性連接。也就是說(shuō)，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100為一表面粘著型態(tài)(surfacemounteddevicetype,smdtype)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。此處的發(fā)光二極管芯片120a是以藍(lán)光發(fā)光二極管芯片為舉例說(shuō)明，但并不以此為限。

第一環(huán)形擋墻130a配置于承載器110的周邊區(qū)114內(nèi)，且圍繞發(fā)光二極管芯片120a。第二環(huán)形擋墻140a配置第一環(huán)形擋墻130a的內(nèi)側(cè)，亦位于承載器110的周邊區(qū)114內(nèi)，且圍繞發(fā)光二極管芯片120。特別是，在本實(shí)施例中，第二環(huán)形擋墻140a設(shè)置于發(fā)光二極管芯片120a與第一環(huán)形擋墻130a之間，且第二環(huán)形擋墻140a的高度h2低于第一環(huán)形擋墻130a的高度h1。此外，第一環(huán)形擋墻130a的材質(zhì)與第二環(huán)形擋墻140a的材質(zhì)例如是硅、氧化硅、氮化硼、橡膠、有機(jī)高分子材料或金屬，其中第一環(huán)形擋墻130a的材質(zhì)可與第二環(huán)形擋墻140a的材質(zhì)相同或不同，于此并不加以限制。再者，本實(shí)施例的第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a皆具有不吸光且具有反射功能的特性。此處，第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a皆為一連續(xù)的環(huán)形擋墻。

螢光膠體150配置于承載器110上且至少覆蓋發(fā)光二極管芯片120a與第二環(huán)形擋墻140a。特別是，本實(shí)施例的螢光膠體150包括至少一種螢光粉152及至少一種膠體154，也就是說(shuō)，本實(shí)施例的螢光膠體150是由至少一種螢光粉152與至少一種膠體154混合而成，其中螢光粉152分布于發(fā)光二極管芯片120a的表面上。此處，螢光粉152例如是黃色螢光粉、紅色螢光粉、綠色螢光粉或以上螢光粉任意組合，但并不以此為限。此外，螢光膠體150中亦可添加光擴(kuò)散劑(未繪示)來(lái)調(diào)整發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a所發(fā)出的光的顏色或均勻度等光學(xué)效果。

更具體來(lái)說(shuō)，在本實(shí)施例中，如圖1a所示，第二環(huán)形擋墻140a與第一環(huán)形擋墻130a之間具有一間距d，且在承載器110上定義出一凹槽u。本實(shí)施例中，螢光膠體150填充于凹槽u，且螢光粉152分布于凹槽u的底面及第二環(huán)形擋墻140a的頂表面。

由于本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a具有第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a的設(shè)計(jì)，且螢光膠體150的螢光粉152分布于發(fā)光二極管芯片120a的表面上，又部分螢光粉152分布于凹槽u的底面及第二環(huán)形擋墻140a的頂表面。因此，發(fā)光二極管芯片120a的周圍(即承載器110的周邊區(qū)114)不會(huì)聚集過(guò)多的螢光粉152，即可減少承載器110的周邊區(qū)114內(nèi)的閑置空間，以使較多的螢光粉152分布于發(fā)光二極管芯片120a的表面上。故，當(dāng)具有指向性的發(fā)光二極管芯片120a所發(fā)出的色光(例如是藍(lán)光或紫外光)照射至分布于其上的螢光粉152，以激發(fā)螢光粉152發(fā)出色光(例如是黃光或紅光)，并與發(fā)光二極管芯片120a所發(fā)出的色光(例如是藍(lán)光或紫外光)相混合時(shí)，可有效避免周邊區(qū)114堆疊較多的螢光粉152受到發(fā)光二極管芯片120a激發(fā)而產(chǎn)生黃暈現(xiàn)象。

再者，由于第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a皆具有不吸光且具有反射功能的特性，因此當(dāng)發(fā)光二極管芯片120a所發(fā)出的色光(例如是藍(lán)光)照射至分布于凹槽u內(nèi)的螢光粉152時(shí)，第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a可使色光產(chǎn)生反射及散射現(xiàn)象，進(jìn)而使反射色光及散射色光照射至承載區(qū)112內(nèi)，可有效提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a的出光亮度。簡(jiǎn)言之，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a可呈現(xiàn)較佳的光學(xué)表現(xiàn)。

值得一提的是，本實(shí)施例并不限定發(fā)光二極管芯片120a與承載器110的連接形態(tài)，雖然此處所提及的發(fā)光二極管芯片120a具體化為透過(guò)倒裝焊的方式與承載器110電性連接。但是，于其他實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖1c，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100b的發(fā)光二極管芯片120b亦可透過(guò)多條導(dǎo)線125以打線接合的方式與承載器110電性連接，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。再者，雖然于本實(shí)施例中承載器110、第一環(huán)形擋墻130a及第二環(huán)形擋墻140a為各自獨(dú)立的元件，但于其他未繪示的實(shí)施例中，承載器110與第一環(huán)形擋墻130a亦可為一體成型的結(jié)構(gòu)，其中承載器110的材質(zhì)與第一環(huán)形擋墻130a的材質(zhì)例如皆采用金屬；或者是，承載器110與第二環(huán)形擋墻140a為一體成型的結(jié)構(gòu)，其中承載器110的材質(zhì)以及第二環(huán)形擋墻140a的材質(zhì)例如皆采用金屬。

雖然本實(shí)施例的第二環(huán)形擋墻140a的形態(tài)與第一環(huán)形擋墻130a的形態(tài)相同，皆為一連續(xù)的環(huán)形擋墻。但，于其他實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖1d，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100c的第二環(huán)形擋墻140b亦可為一不連續(xù)的環(huán)形擋墻，而第一環(huán)形擋墻130a在相同概念下，亦可為一不連續(xù)的環(huán)形擋墻(未繪示)，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。此外，于其他未繪示的實(shí)施例中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可參照上述實(shí)施例的說(shuō)明，依據(jù)實(shí)際需求，而選用上述元件、元件的材質(zhì)、元件的型態(tài)及其配置方式，以達(dá)到所需的技術(shù)效果。

圖2a為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2b為圖2a的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。本實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參照前述實(shí)施例，本實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

請(qǐng)同時(shí)參考圖2a與圖2b，圖2a與圖2b的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100d與圖1a及圖1b的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a相似，其不同之處在于：圖2a與圖2b的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100d包括多個(gè)發(fā)光二極管芯片120a，其中這些發(fā)光二極管芯片120a是透過(guò)倒裝焊技術(shù)與承載器110電性連接。此處的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100d例如是一芯片-電路板接合(chiponboard,cob)型態(tài)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。此外，螢光膠體150的螢光粉152是分布于這些發(fā)光二極管芯片120a的表面上、這些發(fā)光二極管芯片120a之間的間隙內(nèi)。當(dāng)然，如圖2a所示，螢光膠體150亦可填充于于承載器110上所定義的凹槽u，且螢光粉152分布于凹槽u內(nèi)及第二環(huán)形擋墻140a的頂表面。

由于本實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片120a是采用倒裝焊技術(shù)與承載器110電性連接，可節(jié)省多個(gè)發(fā)光二極管芯片120a間預(yù)留的打線區(qū)域，因此在單位面積下可于承載器110上配置較多的發(fā)光二極管芯片120a，即可配置較多的芯片數(shù)量，可有效提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100d的出光亮度。再者，由于本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a具有第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a的設(shè)計(jì)，且螢光膠體150的螢光粉152是分布于所述發(fā)光二極管芯片120a的表面上與各芯片120a之間的間隙內(nèi)，以及第二環(huán)形擋墻140a的頂表面與第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a之間的間隙內(nèi)。因此，所述發(fā)光二極管芯片120a的周圍(即承載器110的周邊區(qū)114)不會(huì)聚集過(guò)多的螢光粉152，不但可減少承載器110的周邊區(qū)114內(nèi)的閑置空間，更由于第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a皆具有不吸光且具有反射功能的特性，故第二環(huán)形擋墻140a的頂表面及第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a之間的間隙內(nèi)所聚集的螢光粉152不易受到發(fā)光二極管芯片120a的激發(fā)，可有效避免周邊區(qū)114產(chǎn)生黃暈現(xiàn)象。

此外，由于第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a皆具有不吸光且具有反射功能的特性，因此反射及散射所述發(fā)光二極管芯片120a所產(chǎn)生的色光至承載區(qū)112內(nèi)，可有效提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100d的出光亮度。簡(jiǎn)言之，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100d可呈現(xiàn)較佳的光學(xué)表現(xiàn)。

值得一提的是，本實(shí)施例并不限定所述發(fā)光二極管芯片120a與承載器110的連接形態(tài)，雖然此處所提及的所述發(fā)光二極管芯片120a具體化為透過(guò)倒裝焊的方式與承載器110電性連接。但，于其他實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖2c，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100e的所述發(fā)光二極管芯片120b亦可透過(guò)多條導(dǎo)線125以打線接合的方式與承載器110電性連接，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。

此外，雖然于本實(shí)施例中承載器110、第一環(huán)形擋墻130a及第二環(huán)形擋墻140a為各自獨(dú)立的元件，但于其他未繪示的實(shí)施例中，承載器110與第一環(huán)形擋墻130a亦可為一體成型的結(jié)構(gòu)，其中承載器110的材質(zhì)與第一環(huán)形擋墻130a的材質(zhì)例如皆采用金屬；或者是，承載器110及第二環(huán)形擋墻140a亦可為一體成型的結(jié)構(gòu)，其中承載器110的材質(zhì)以及第二環(huán)形擋墻140a的材質(zhì)例如皆采用金屬。

雖然本實(shí)施例的圖2b所示的第二環(huán)形擋墻140a的形態(tài)與第一環(huán)形擋墻130a的形態(tài)相同，即皆為一連續(xù)的環(huán)形擋墻。但，于其他未繪示的實(shí)施例中，第二環(huán)形擋墻亦可為一不連續(xù)的環(huán)形擋墻(請(qǐng)參考如圖1d所示)，而第一環(huán)形擋墻130a在相同概念下，亦可為一不連續(xù)的環(huán)形擋墻(未繪示)，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。

以上僅介紹本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a、100b、100c、100d、100e的結(jié)構(gòu)，并未介紹本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a、100b、100c、100d、100e的制作方法。對(duì)此，以下將以一實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a、100b、100c、100d、100e的結(jié)構(gòu)的制作方法。

圖3為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖。請(qǐng)參考圖3，并同時(shí)配合參考圖1a至1d及圖2a至2c的圖式。

依照本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，首先，步驟s10，提供一承載器110，其中承載器110具有一承載區(qū)112以及一圍繞承載區(qū)112的周邊區(qū)114。此處，承載器110的材質(zhì)例如是陶瓷、高分子聚合物、硅、碳化硅、絕緣材料或金屬，其中當(dāng)承載器110的材質(zhì)為金屬時(shí)，承載器110可為一銅基板或一金屬核心印刷電路板(metalcoreprintedcircuitboard,mcpcb)，但并不以此為限。

接著，步驟s11，配置至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片120a(或120b)于承載器110的承載區(qū)112內(nèi)，且發(fā)光二極管芯片120a(或120b)電性連接至承載器110。此處，發(fā)光二極管芯片120a(或120b)是透過(guò)倒裝焊(或打線接合)技術(shù)與承載器110電性連接。

接著，步驟s12，形成一第一環(huán)形擋墻130a于承載器110的周邊區(qū)114內(nèi)。

接著，步驟s13，形成一第二環(huán)形擋墻140a(或140b)于承載器110的周邊區(qū)114內(nèi)。特別是，第二環(huán)形擋墻140a(或140b)圍繞發(fā)光二極管芯片120a(或120b)并設(shè)置于第一環(huán)形擋墻130a的內(nèi)側(cè)，亦于發(fā)光二極管芯片120a(或120b)與第一環(huán)形擋墻130a之間。第二環(huán)形擋墻140a(或140b)的高度h2低于第一環(huán)形擋墻130a的高度h1。此處，更具體來(lái)說(shuō)，第二環(huán)擋墻140a(或140b)與第一環(huán)形擋墻130a之間具有一間距d，且在承載器110上定義出凹槽u。第一環(huán)形擋墻130a的材質(zhì)與第二環(huán)形擋墻140a(或140b)的材質(zhì)具有不吸光且具有反射功能的特性，例如是硅、氧化硅、氮化硼、橡膠、有機(jī)高分子材料或金屬，其中第一環(huán)形擋墻130a的材質(zhì)可與第二環(huán)形擋墻140a(或140b)的材質(zhì)相同或不同，于此并不加以限制。本實(shí)施例中，第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a(或140b)可為一連續(xù)的環(huán)形擋墻，亦可以非連續(xù)的環(huán)形擋墻作改變。

需說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中并不限定第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a(或140b)的形成順序。也就是說(shuō)，可先形成第一環(huán)形擋墻130a后，再形成第二環(huán)形擋墻140a(或140b)；或者是，第一環(huán)形擋墻130a與承載器110一體成型后，再形成第二環(huán)形擋墻140a(或140b)于承載器110上；或者是，先形成第二環(huán)形擋墻140a(或140b)后，再形成第一環(huán)形擋墻130a，于此并不加以限制。此外，形成第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a(或140b)的方法可包括透過(guò)點(diǎn)膠機(jī)(未繪示)來(lái)進(jìn)行點(diǎn)膠程序(此時(shí)，第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a(或140b)的材質(zhì)例如是橡膠)或是透過(guò)光刻、蝕刻及電鍍程序來(lái)形成(此時(shí)，第一環(huán)形擋墻130a與第二環(huán)形擋墻140a(或140b)的材質(zhì)例如是金屬)。

之后，步驟s14，填充一螢光膠體150于承載器110上以至少覆蓋發(fā)光二極管芯片120a(或120b)與第二環(huán)形擋墻140b，其中螢光膠體150包括至少一種螢光粉152及至少一種膠體154混合而成，且螢光粉152散布于膠體154內(nèi)。需說(shuō)明的是，填充螢光膠體150的方法例如是透過(guò)點(diǎn)膠機(jī)(未繪示)來(lái)進(jìn)行點(diǎn)膠程序。為了避免點(diǎn)膠的過(guò)程中，螢光膠體150中的螢光粉152沉淀速度不一致，因此通常會(huì)于螢光膠體150中摻雜有抗沉淀劑，例如二氧化硅(sio2)(未繪示)。再者，螢光膠體150中亦可添加有一光擴(kuò)散劑(未繪示)來(lái)調(diào)整發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a所發(fā)出的光的顏色或均勻度等光學(xué)效果。

接著，步驟s15，進(jìn)行一離心程序以使螢光膠體150中的螢光粉152沉降至發(fā)光二極管芯片120(或120b)的表面上。此處，進(jìn)行離心程序是采用離心機(jī)(未繪示)來(lái)實(shí)現(xiàn)，透過(guò)離心機(jī)的離心力將分散于膠體154內(nèi)的螢光粉152分布于發(fā)光二極管芯片120(或120b)的表面上，可使螢光粉152平均分布于發(fā)光二極管芯片120(或120b)的表面，而避免螢光粉152囤積的厚度不均一，而影響光學(xué)效果，或因過(guò)多的螢光粉152囤積至承載器110的周邊區(qū)114而產(chǎn)生邊壁黃暈現(xiàn)象。當(dāng)然，于離心程序的過(guò)程中，螢光粉152亦可能因?yàn)殡x心力的關(guān)系而填充于凹槽u內(nèi)。

最后，步驟s16，放置一烤箱進(jìn)行一烘烤程序以固化螢光膠體150，而完成發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a、100b、100c、100d、100e的制作。

由于本實(shí)施例是先進(jìn)行完離心程序后，即已使螢光膠體150中的螢光粉152分布于發(fā)光二極管芯片120(或120b)的表面上，才進(jìn)行烘烤程序。相較于已知填充完螢光膠體后即進(jìn)行烘烤程序而言，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a、100b、100c、100d、100e的色度座標(biāo)不易偏移或增大(拉長(zhǎng))，即可較為集中，可具有較佳的色度表現(xiàn)。此外，透過(guò)離心程序亦可將螢光膠體150中的氣泡脫離，而使所形成的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a、100b、100c、100d、100e具有較佳的光學(xué)表現(xiàn)。

圖4a為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖4b為圖4a的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。本實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參照前述實(shí)施例，本實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

請(qǐng)同時(shí)參考圖4a與圖4b，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100f包括一承載器110a、多個(gè)發(fā)光二極管芯片120a、一環(huán)形擋墻130c、多個(gè)條形擋墻140c以及一螢光膠體150。承載器110a的材質(zhì)例如是陶瓷、高分子聚合物或金屬，其中當(dāng)承載器110a的材質(zhì)為金屬時(shí)，承載器110a可為一銅基板或一金屬核心印刷電路板(metalcoreprintedcircuitboard,mcpcb)，但并不以此為限。本實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片120a配置于承載器110a上且電性連接至承載器110a，其中發(fā)光二極管芯片120a是透過(guò)倒裝焊技術(shù)與承載器110a電性連接。環(huán)形擋墻130c配置于承載器110a上且圍繞發(fā)光二極管芯片120a。

條形擋墻140c配置于承載器110a上且連接環(huán)形擋墻130c，其中條形擋墻140c與環(huán)形擋墻130c在承載器110a上定義出多個(gè)格子狀凹槽c，而發(fā)光二極管芯片120a分別設(shè)置于格子狀凹槽c內(nèi)。于另一實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖4d，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100h的條形擋墻140e亦可為彼此相連而定義出多個(gè)次環(huán)形擋墻130b，次環(huán)形擋墻130b配置于承載器110a上且其分別圍繞各個(gè)發(fā)光二極管芯片120a，而定義出多個(gè)格子狀凹槽c’。請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D4a與圖4b，螢光膠體150配置于承載器110a上，且填充于格子狀凹槽c中并至少覆蓋發(fā)光二極管芯片120a，其中螢光膠體150包括至少一種螢光粉152及至少一種膠體154，且螢光粉152分布于發(fā)光二極管芯片120a的表面上。更具體來(lái)說(shuō)，在本實(shí)施例中，環(huán)狀擋墻130c的高度h3與每一條形擋墻140c的高度h4實(shí)質(zhì)上相同，其中所述條形擋墻140c是由連續(xù)的條形擋墻(即圖4b中縱軸方向的擋墻)與不連續(xù)的條形擋墻(即圖4b中橫軸方向的擋墻)所組成，但并不以此為限。環(huán)形擋墻130c的材質(zhì)與每一條形擋墻140c的材質(zhì)例如是硅、氧化硅、氮化硼、橡膠、有機(jī)高分子材料或金屬。

由于本實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片120a是采用倒裝焊技術(shù)與承載器110a電性連接，可節(jié)省多個(gè)發(fā)光二極管芯片120a間預(yù)留的打線區(qū)域，因此在單位面積下可于承載器110a上配置較多的發(fā)光二極管芯片120a，即可配置較多的芯片數(shù)量，可有效提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100h的出光亮度。再者，由于本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100f具有環(huán)形擋墻130c及所述條形擋墻140c的搭配設(shè)計(jì)，因此可減少承載器110a上的閑置空間，而減少過(guò)多螢光粉152堆積于環(huán)形擋墻130c及條形擋墻140c之間的間隙，使其不易受到發(fā)光二極管芯片120a的激發(fā)，故可有效避免邊壁產(chǎn)生黃暈現(xiàn)象。此外，由于本實(shí)施例的環(huán)形擋墻130c及所述條形擋墻140c具有不吸光且具有反射功能的特性，因此可反射及散射所述發(fā)光二極管芯片120a所產(chǎn)生的色光，可有效提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100h的出光亮度。簡(jiǎn)言之，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100h可呈現(xiàn)較佳的光學(xué)表現(xiàn)。

值得一提的是，本實(shí)施例并不限定所述發(fā)光二極管芯片120a與承載器110a的連接形態(tài)，雖然此處所提及的所述發(fā)光二極管芯片120a具體化為透過(guò)倒裝焊的方式與承載器110a電性連接。但，于其他未繪示的實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的所述發(fā)光二極管芯片亦可透過(guò)打線接合的方式與承載器電性連接，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。再者，雖然于本實(shí)施例中承載器110a、環(huán)形擋墻130c及條形擋墻140c為各自獨(dú)立的元件，但于其他未繪示的實(shí)施例中，承載器110a與環(huán)形擋墻130c亦可為一體成型的結(jié)構(gòu)，其中承載器110a的材質(zhì)與第一環(huán)形擋墻130c的材質(zhì)例如皆采用金屬；或者是，承載器110a及所述條形擋墻140c亦可為一體成型的結(jié)構(gòu)，其中承載器110a的材質(zhì)以及所述條形擋墻140c的材質(zhì)例如皆采用金屬。此外，雖然本實(shí)施例的所述條形擋墻140c的高度h4實(shí)質(zhì)上與環(huán)形擋墻130c的高度h3相同，但于其他實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖4c，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100g的每一條形擋墻140d的高度h5亦可低于環(huán)狀擋墻130a的高度h3，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。另外，于其他未繪示的實(shí)施例中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可參照上述實(shí)施例的說(shuō)明，依據(jù)實(shí)際需求，而選用上述元件、元件的材質(zhì)、元件的型態(tài)及其配置方式，以達(dá)到所需的技術(shù)效果。

以上僅介紹本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100h、100i的結(jié)構(gòu)，并未介紹本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100h、100i的制作方法。對(duì)此，以下將以一實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100h、100i的結(jié)構(gòu)的制作方法。

圖5為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖。請(qǐng)參考圖5，并同時(shí)配合參考圖4a至4c的圖式。依照本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，首先，步驟s20，提供一承載器110a。此處，承載器110a的材質(zhì)例如是陶瓷、高分子聚合物或金屬，其中當(dāng)承載器110a的材質(zhì)為金屬時(shí)，承載器110a可為一銅基板或一金屬核心印刷電路板(metalcoreprintedcircuitboard,mcpcb)，但并不以此為限。

接著，步驟s21，配置多個(gè)發(fā)光二極管芯片120a于承載器110上，且所述發(fā)光二極管芯片120a電性連接至承載器110a。此處，這些發(fā)光二極管芯片120a是透過(guò)倒裝焊技術(shù)與承載器110a電性連接。當(dāng)然，于其他未繪示的實(shí)施例中，這些發(fā)光二極管芯片是透過(guò)打線接合技術(shù)與承載器電性連接。

接著，步驟s22，形成一環(huán)形擋墻130c于承載器110a上，其中環(huán)形擋墻130c圍繞發(fā)光二極管芯片120a。

接著，步驟s23，形成多個(gè)條形擋墻140c(或140d)于承載器110a上。條形擋墻140c(或140d)連接環(huán)形擋墻130c，且條形擋墻140c(或140d)與環(huán)形擋墻130c在承載器110a上定義出多個(gè)格子狀凹槽c，而發(fā)光二極管芯片120a設(shè)置于格子狀凹槽c內(nèi)。此處，條形擋墻140c(或140d)的高度h4(或h5)相同于(或低于)環(huán)形擋墻130c的高度h3。環(huán)形擋墻130c的材質(zhì)與條形擋墻140c(或140d)的材質(zhì)具有不吸光且具有反射功能的特性，例如是硅、氧化硅、氮化硼、橡膠、有機(jī)高分子材料或金屬。本實(shí)施例中，環(huán)形擋墻130c的材質(zhì)可與條形擋墻140c(或140d)的材質(zhì)相同或不同，于此并不加以限制。此處，環(huán)形擋墻130c為一連續(xù)的環(huán)形擋墻，而條形擋墻140c(或140d)可連續(xù)的條形擋墻與非連續(xù)的條形擋墻的組合。

需說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中并不限定環(huán)形擋墻130c與條形擋墻140c(或140d)的形成順序。也就是說(shuō)，可先形成環(huán)形擋墻130c后，再形成條形擋墻140c(或140d)；或者是，環(huán)形擋墻130c與承載器110a一體成型后，再形成條形擋墻140c(或140d)于承載器110a上；或者是，先形成條形擋墻140c(或140d)與承載器110a一體成型后，再形成環(huán)形擋墻130c，于此并不加以限制。此外，形成環(huán)形擋墻130c與條形擋墻140c(或140d)的方法可包括透過(guò)點(diǎn)膠機(jī)(未繪示)來(lái)進(jìn)行點(diǎn)膠程序(此時(shí)，環(huán)形擋墻130c與條形擋墻140c(或140d)的材質(zhì)例如是橡膠)或是透過(guò)光刻、蝕刻及電鍍程序來(lái)形成(此時(shí)，環(huán)形擋墻130c與條形擋墻140c(或140d)的材質(zhì)例如是金屬)。

之后，步驟s24，填充一螢光膠體150于承載器110a的一承載區(qū)(即配置發(fā)光二極管芯片120a的區(qū)域)上內(nèi)，其中螢光膠體150填滿格子狀凹槽c且至少覆蓋發(fā)光二極管芯片120a。螢光膠體包150括至少一種螢光粉152及至少一種膠體154混合而成，且螢光粉152散布于膠體154內(nèi)。需說(shuō)明的是，填充螢光膠體150的方法例如是透過(guò)點(diǎn)膠機(jī)(未繪示)來(lái)進(jìn)行點(diǎn)膠程序。為了避免點(diǎn)膠的過(guò)程中，螢光膠體150中的螢光粉152沉淀速度不一致，因此通常會(huì)于螢光膠體150中摻雜有抗沉淀劑，例如二氧化硅(sio2)(未繪示)。再者，螢光膠體150中亦可填加有一光擴(kuò)散劑(未繪示)來(lái)調(diào)整發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a所發(fā)出的光的顏色或均勻度等光學(xué)效果。

更具體來(lái)說(shuō)，在本實(shí)施例中，當(dāng)這些條形擋墻140c的高度h4相同于環(huán)形擋墻130c的高度h3時(shí)，填充螢光膠體150于承載器110a的承載區(qū)的步驟，可包括：將螢光膠體150依序填入格子狀凹槽c，使螢光膠體150的一上表面151與環(huán)狀擋墻130a的一頂面131及每一條形擋墻140a的一頂面141高度相同，請(qǐng)參考圖4a。于另一實(shí)施例中，當(dāng)這些條形擋墻140d的高度h5低于環(huán)形擋墻130c的高度h3時(shí)，填充螢光膠體150于承載器110a的承載區(qū)的步驟，包括：將螢光膠體150任意填入一部分的格子狀凹槽c，接著直接進(jìn)行后續(xù)步驟s23的離心程序，以使螢光膠體150向兩側(cè)流動(dòng)以填滿格子狀凹槽c，且螢光膠體150覆蓋于每一條形擋墻140d的一頂面143，請(qǐng)參考圖4c。

接著，步驟s25，進(jìn)行一離心程序以使螢光膠體150中的螢光粉152沉降于這些發(fā)光二極管芯片120a的表面上。此處，進(jìn)行離心程序是采用離心機(jī)(未繪示)來(lái)實(shí)現(xiàn)，透過(guò)離心機(jī)的離心力將分散于膠體154內(nèi)的螢光粉152沉降于這些發(fā)光二極管芯片120的表面上，可避免過(guò)多的螢光粉152囤積至承載器110a的閑置空間上而產(chǎn)生邊壁黃暈現(xiàn)象。

最后，步驟s26，放置一烤箱進(jìn)行一烘烤程序以固化螢光膠體150，而完成發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100f、100g、100h、100i的制作。

由于本實(shí)施例是先進(jìn)行完離心程序后，即已使螢光膠體150中的螢光粉152分布于這些發(fā)光二極管芯片120a的表面上，才進(jìn)行烘烤程序。相較于已知填充完螢光膠體后即進(jìn)行烘烤程序而言，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100f、100g、100h、100i的色度座標(biāo)不易偏移或增大(拉長(zhǎng))，即可較為集中，可具有較佳的色度表現(xiàn)。再者，當(dāng)環(huán)形擋墻130c與這些條狀擋墻140c具有相同的高度時(shí)，于進(jìn)行離心程序時(shí)，可有效避免凹膠的現(xiàn)象產(chǎn)生。此外，透過(guò)離心程序亦可將螢光膠體150中的氣泡脫離，而使所形成的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100f、100g、100h、100i具有較佳的光學(xué)表現(xiàn)。

綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片可采用倒裝焊技術(shù)與承載器電性連接，因此在單位面積下可于承載器上配置較多的發(fā)光二極管芯片，即具有較多的芯片數(shù)量，可有效提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光亮度。再者，由于本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有第一環(huán)形擋墻與第二環(huán)形擋墻的搭配設(shè)計(jì)、環(huán)形擋墻、環(huán)形擋墻與條形擋墻的搭配設(shè)計(jì)，且螢光膠體的螢光粉是分布于發(fā)光二極管芯片的表面上。因此，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的周邊不會(huì)聚集過(guò)多的螢光粉，即可減少承載器上的閑置空間，以使較多的螢光粉分布于發(fā)光二極管芯片的表面上，故可有效避免邊壁產(chǎn)生黃暈現(xiàn)象。此外，由于第一環(huán)形擋墻、第二環(huán)形擋墻、環(huán)形擋墻及條形擋墻皆具有不吸光且具有反射功能的特性，因此可反射及散射發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的色光，可有效提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光亮度。簡(jiǎn)言之，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)可呈現(xiàn)較佳的光學(xué)表現(xiàn)。

此外，本發(fā)明是透過(guò)離心機(jī)的離心力將分散于螢光膠體的膠體內(nèi)的螢光粉沉降至發(fā)光二極管芯片的表面上，如此一來(lái)，螢光粉可平均分布于發(fā)光二極管芯片的表面，而避免螢光粉囤積分布的厚度不均一，而影響光學(xué)效果，或因過(guò)多的螢光粉囤積至承載器的閑置空間而產(chǎn)生邊壁黃暈現(xiàn)象。再者，由于本實(shí)施例是先進(jìn)行完離心程序后，即已使螢光膠體中的螢光粉分布于發(fā)光二極管芯片的表面上，才進(jìn)行烘烤程序。相較于已知填充完螢光膠體后即進(jìn)行烘烤程序而言，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的色度座標(biāo)不易偏移或增大(拉長(zhǎng))，即可較為集中，可具有較佳的色度表現(xiàn)。此外，當(dāng)環(huán)形擋墻與條狀擋墻具有相同的高度時(shí)，于進(jìn)行離心程序時(shí)，可有效避免凹膠的現(xiàn)象產(chǎn)生。另外，透過(guò)離心程序亦可將螢光膠體中的氣泡脫離，而使所形成的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有較佳的光學(xué)表現(xiàn)。

值得一提的是，在上述本實(shí)施例中，擋墻可為一封閉環(huán)狀或一非封閉環(huán)狀，其中封閉環(huán)狀例如是四邊形、圓形、橢圓形、蛋形、星形或其他多邊形，而非封閉環(huán)狀例如是弧形、線形或隨機(jī)變化曲線形。特別是，擋墻的形狀可對(duì)應(yīng)發(fā)光二極管芯片的外型，意即擋墻的形狀與發(fā)光二極管的外型共形(conformal)設(shè)置。

在上述實(shí)施例中，第一環(huán)形擋墻為一連續(xù)的環(huán)形擋墻，高度可以是等高或不等高變化。

在上述實(shí)施例中，第二環(huán)形擋墻為一連續(xù)的環(huán)形擋墻，高度可以是等高或不等高變化。

在上述實(shí)施例中，第一環(huán)形擋墻可以是不連續(xù)的環(huán)形擋墻，高度可以是等高或不等高變化。在一實(shí)施例中，第二環(huán)形擋墻可以是不連續(xù)的環(huán)形擋墻，高度可以是等高或不等高變化。

在上述實(shí)施例中，第一環(huán)形擋墻可以是反射材料，或者是非反射材料表面涂布反射材料。

在上述實(shí)施例中，第二環(huán)形擋墻可以是反射材料，或者是非反射材料表面涂布反射材料。

在上述實(shí)施例中，螢光粉濃度分布狀況會(huì)隨著發(fā)光二極管芯片高度、第一環(huán)形擋墻高度、第二環(huán)形擋墻高度、發(fā)光二極管芯片及第一環(huán)形擋墻之間距離、第一環(huán)形擋墻及第二環(huán)形擋墻之間距離而變化。

在上述實(shí)施例中，螢光粉濃度由螢光膠體表面往發(fā)光二極管芯片表面逐漸增加或減少。

在上述實(shí)施例中，螢光粉濃度由發(fā)光二極管芯片表面往發(fā)光二極管芯片側(cè)面逐漸增加或減少。

在上述實(shí)施例中，當(dāng)螢光粉濃度由螢光膠體表面往發(fā)光二極管芯片表面逐漸增加或減少時(shí)，螢光粉濃度由發(fā)光二極管芯片表面往發(fā)光二極管芯片側(cè)面逐漸增加或減少。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。