技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一基板、多個(gè)第一疊層結(jié)構(gòu)以及兩個(gè)第二疊層結(jié)構(gòu)。第一疊層結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板上，且每個(gè)第一疊層結(jié)構(gòu)包括多個(gè)交互疊層的金屬層與氧化層。第二疊層結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板上，且每個(gè)第二疊層結(jié)構(gòu)包括多個(gè)交互疊層的氮化硅層與氧化層。第一疊層結(jié)構(gòu)設(shè)置于兩個(gè)第二疊層結(jié)構(gòu)之間。

技術(shù)研發(fā)人員：江昱維;邱家榮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：旺宏電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.08
技術(shù)公布日：2017.10.24