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封裝上封裝構(gòu)件及其制造方法與流程

文檔序號(hào):11628216閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種制作封裝上封裝構(gòu)件的方法。先提供一載板,其上具有第一鈍化層,然后于第一鈍化層上形成重分布層,其中重分布層包含至少一介電層以及至少一金屬層,金屬層包含多數(shù)個(gè)第一凸塊焊盤以及第二凸塊焊盤,從介電層的一上表面暴露出來,其中第一凸塊焊盤是設(shè)置于一芯片接合區(qū),而第二凸塊焊盤是設(shè)置于芯片接合區(qū)周圍的一周邊區(qū),之后于第一凸塊焊盤上接合至少一芯片,其中芯片是通過設(shè)置于第一凸塊焊盤上的多數(shù)個(gè)凸塊與重分布層電連結(jié),最后于第二凸塊焊盤上接合一晶粒封裝,其中晶粒封裝是通過設(shè)置于第二凸塊焊盤上的多數(shù)個(gè)第二凸塊與重分布層電連接。

技術(shù)研發(fā)人員:吳鐵將;施信益
受保護(hù)的技術(shù)使用者:美光科技公司
技術(shù)研發(fā)日:2016.03.31
技術(shù)公布日:2017.08.01
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