1.一種半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包括：
半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片電連接至基板；以及
模制部，該模制部被設(shè)置在所述基板和所述半導(dǎo)體芯片上，并且包括按照交替圖案布置的第一模制構(gòu)件和第二模制構(gòu)件，
其中，所述第一模制構(gòu)件具有第一物理柔性并且所述第二模制構(gòu)件具有第二物理柔性，所述第一物理柔性與所述第二物理柔性不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝還包括：
互連構(gòu)件，所述互連構(gòu)件將所述半導(dǎo)體芯片電連接至所述基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述基板包括：
主體，該主體具有彼此相反的前側(cè)表面和后側(cè)表面；
第一外部互連圖案，所述第一外部互連圖案被設(shè)置在所述主體的所述前側(cè)表面上；
第二外部互連圖案，所述第二外部互連圖案被設(shè)置在所述主體的所述后側(cè)表面上；
第一外部絕緣層，該第一外部絕緣層覆蓋所述第一外部互連圖案；
第二外部絕緣層，該第二外部絕緣層覆蓋所述第二外部互連圖案；
內(nèi)部互連圖案，所述內(nèi)部互連圖案被設(shè)置在所述主體中以具有多層的結(jié)構(gòu)；以及
通孔電極，所述通孔電極被設(shè)置在所述主體中以將所述第一外部互連圖案和所述第二外部互連圖案連接至所述內(nèi)部互連圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述主體包括柔性絕緣材料或柔性有機(jī)材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一外部互連圖案包括連接至互連構(gòu)件的基板焊盤(pán)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述互連構(gòu)件包括金屬線或金屬凸起。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，
其中，所述第一模制構(gòu)件沿著所述基板的表面在第一方向上延伸以具有條形狀， 并且被布置為沿著主體的表面在與所述第一方向垂直的第二方向上按照預(yù)定距離彼此間隔開(kāi)；并且
其中，所述第二模制構(gòu)件按照條形狀設(shè)置在所述第一模制構(gòu)件之間，以提供按照交替圖案的布置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，
其中，所述第一物理柔性小于所述第二物理柔性，并且
其中，所述第一模制構(gòu)件中的每一個(gè)包括具有第一楊氏模量的第一材料，并且所述第二模制構(gòu)件中的每一個(gè)包括具有第二楊氏模量的第二材料，所述第二楊氏模量小于所述第一楊氏模量。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一楊氏模量在大約20吉帕斯卡GPa至大約30GPa的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一模制構(gòu)件中的每一個(gè)由環(huán)氧模塑料EMC材料形成或者包括EMC材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第二模制構(gòu)件中的每一個(gè)由具有在大約0.01GPa至大約0.1GPa的范圍內(nèi)的第二楊氏模量的絕緣材料形成或者包括該絕緣材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第二模制構(gòu)件中的每一個(gè)包括硅樹(shù)脂材料或硅橡膠材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一模制構(gòu)件中的至少兩個(gè)被設(shè)置在所述基板的兩個(gè)最外邊緣上，以用作用于維持所述模制部的外形的支撐部。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一模制構(gòu)件中的至少一個(gè)以及所述第二模制構(gòu)件中的至少一個(gè)被設(shè)置為與所述半導(dǎo)體芯片交叉并且與所述半導(dǎo)體芯片的頂面和兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁交疊。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一模制構(gòu)件包括：
第一圖案，所述第一圖案沿著所述基板的表面在第一方向上延伸以具有條形狀，并且被布置為沿著所述基板的所述表面在與所述第一方向垂直的第二方向上彼此間隔開(kāi)；以及
第二圖案，所述第二圖案在所述第二方向上與所述半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁間隔開(kāi)，
其中，所述第二模制構(gòu)件被設(shè)置在所述第一模制構(gòu)件之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其中，最靠近所述半導(dǎo)體芯片的所述第一圖案在所述第一方向上與所述半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁間隔開(kāi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第二模制構(gòu)件被設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁的相鄰面上。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一模制構(gòu)件包括：
第一圖案，所述第一圖案沿著所述基板的表面在第一方向上延伸以具有條形狀，并且被布置為沿著所述基板的所述表面在與所述第一方向垂直的第二方向上彼此間隔開(kāi)；以及
第二圖案，所述第二圖案被設(shè)置為在所述第二方向上接觸所述半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁，
其中，所述第二模制構(gòu)件被設(shè)置在所述第一模制構(gòu)件之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝，
其中，所述第一圖案的頂面和所述第二圖案的頂面位于比所述半導(dǎo)體芯片的頂面高的水平處；并且
其中，所述第二模制構(gòu)件被設(shè)置在所述第一圖案的頂面和所述第二圖案的頂面上方，以形成覆蓋所述第一圖案的頂面和所述第二圖案的頂面的單個(gè)第二模制構(gòu)件。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述單個(gè)第二模制構(gòu)件包括硅樹(shù)脂材料或硅橡膠材料。
21.一種半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包括：
半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片電連接至基板；
模制部，該模制部被設(shè)置在所述基板和所述半導(dǎo)體芯片上，
其中，所述模制部包括第一模制構(gòu)件以及形成在所述第一模制構(gòu)件上方和周?chē)牡诙Ｖ茦?gòu)件；并且
其中，所述第一模制構(gòu)件中的每一個(gè)具有第一楊氏模量并且所述第二模制構(gòu)件具有第二楊氏模量，所述第一楊氏模量大于所述第二楊氏模量。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝還包括：
互連構(gòu)件，所述互連構(gòu)件將所述半導(dǎo)體芯片電連接至所述基板。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一模制構(gòu)件具有第一物 理柔性，并且所述第二模制構(gòu)件具有小于所述第一物理柔性的第二物理柔性。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一模制構(gòu)件的第一圖案包括：
第一組所述第一圖案，該第一組所述第一圖案被設(shè)置為與所述半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)相對(duì)的第一側(cè)壁相鄰，該第一組所述第一圖案在與所述第一側(cè)壁平行的第一方向上延伸；以及
第二組所述第一圖案，該第二組所述第一圖案被設(shè)置為與所述半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)相對(duì)的第二側(cè)壁相鄰，
其中，該第二組所述第一圖案在所述第一方向上延伸以與所述半導(dǎo)體芯片的頂面的多個(gè)部分交疊。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一模制構(gòu)件的第二圖案包括：
第一組所述第二圖案，該第一組所述第二圖案被設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的頂面上；
第二組所述第二圖案，該第二組所述第二圖案被設(shè)置為接觸所述半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁；以及
第三組所述第二圖案，該第三組所述第二圖案被設(shè)置在所述第一組所述第一圖案之間。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體封裝，其中，構(gòu)成所述第一模制構(gòu)件的所述第一圖案和所述第二圖案的頂面位于比所述半導(dǎo)體芯片的頂面高的水平處。
27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第二模制構(gòu)件的厚度大于所述第一模制構(gòu)件的厚度。
28.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第二模制構(gòu)件包括硅樹(shù)脂材料或硅橡膠材料。