本公開的各種實(shí)施方式涉及封裝技術(shù)，并且更具體地，涉及利用模制構(gòu)件的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。

背景技術(shù)：

高性能多功能的電子系統(tǒng)日益受歡迎。同時(shí)，電子系統(tǒng)特別地隨著便攜式電子系統(tǒng)的不斷普及而日益尺寸縮小。結(jié)果，常常需要具有大容量的緊湊半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

另外，隨著對(duì)便攜式電子系統(tǒng)和可穿戴電子系統(tǒng)的興趣增加，具有足夠柔性的“柔性”電子系統(tǒng)日益受歡迎。在這些系統(tǒng)中，封裝基板或安裝在該封裝基板上的半導(dǎo)體芯片可以具有薄的外形，使得可以容易地使封裝基板或半導(dǎo)體芯片彎曲、扭曲或者變彎等。然而，可能難以獲得以物理方式并以化學(xué)方式保護(hù)封裝基板和半導(dǎo)體芯片的足夠柔性的模制構(gòu)件。

因此，可靠且柔性的半導(dǎo)體封裝及其制造方法是所希望的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

各種實(shí)施方式致力于利用模制構(gòu)件的半導(dǎo)體封裝、制造該半導(dǎo)體封裝的方法、包括該半導(dǎo)體封裝的電子系統(tǒng)以及包括該半導(dǎo)體封裝的存儲(chǔ)卡。

根據(jù)實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體封裝包括：半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片電連接至基板；以及模制部，該模制部被設(shè)置在所述基板和所述半導(dǎo)體芯片上，并且包括按照交替圖案布置的第一模制構(gòu)件和第二模制構(gòu)件。所述第一模制構(gòu)件具有不同于(例如小于)所述第二模制構(gòu)件的第二物理柔性的第一物理柔性。

根據(jù)實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體封裝包括：半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片電連接至基板；以及模制部，該模制部被設(shè)置在所述基板和所述半導(dǎo)體芯片上，其中，所述模制部包括第一模制構(gòu)件以及形成在所述第一模制構(gòu)件上方和周圍的第二模制構(gòu)件。所述第一模制構(gòu)件具有第一楊氏模量并且所述第二模制構(gòu)件具有第二楊氏模量，其中，所述第 一楊氏模量大于所述第二楊氏模量。

根據(jù)實(shí)施方式，提供了一種制造半導(dǎo)體封裝的方法。所述方法包括將半導(dǎo)體芯片附接至基板并且在所述基板上形成模制部以覆蓋所述半導(dǎo)體芯片。所述模制部被形成為包括按照交替圖案布置的第一模制構(gòu)件和第二模制構(gòu)件。所述第一模制構(gòu)件的第一物理柔性不同于(例如小于)所述第二模制構(gòu)件的第二物理柔性。

根據(jù)實(shí)施方式，提供了一種包括半導(dǎo)體封裝的電子系統(tǒng)。所述半導(dǎo)體封裝包括：半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片電連接至基板；以及模制部，該模制部被設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片和所述基板上，并且包括按照交替圖案布置的第一模制構(gòu)件和第二模制構(gòu)件。所述第一模制構(gòu)件具有不同于(例如小于)所述第二模制構(gòu)件的第二物理柔性的第一物理柔性。

根據(jù)實(shí)施方式，提供了一種包括半導(dǎo)體封裝的電子系統(tǒng)。所述半導(dǎo)體封裝包括：半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片被設(shè)置在基板上；以及模制部，該模制部被設(shè)置在所述基板和所述半導(dǎo)體芯片上，其中，所述模制部包括第一模制構(gòu)件以及形成在所述第一模制構(gòu)件上方和周圍的第二模制構(gòu)件。所述第一模制構(gòu)件中的每一個(gè)具有第一楊氏模量并且所述第二模制構(gòu)件具有第二楊氏模量，其中，所述第一楊氏模量大于所述第二楊氏模量。

根據(jù)實(shí)施方式，提供了一種包括半導(dǎo)體封裝的存儲(chǔ)卡。所述半導(dǎo)體封裝包括：半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片電連接至基板；以及模制部，該模制部被設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片和所述基板上，并且包括按照交替圖案布置的第一模制構(gòu)件和第二模制構(gòu)件。所述第一模制構(gòu)件具有不同于(例如小于)所述第二模制構(gòu)件的第二物理柔性的第一物理柔性。

根據(jù)實(shí)施方式，提供了一種包括半導(dǎo)體封裝的存儲(chǔ)卡。所述半導(dǎo)體封裝包括：半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片電連接至基板；以及模制部，該模制部被設(shè)置在所述基板和所述半導(dǎo)體芯片上，其中，所述模制部包括第一模制構(gòu)件以及形成在所述第一模制構(gòu)件上方和周圍的第二模制構(gòu)件。所述第一模制構(gòu)件中的每一個(gè)具有第一楊氏模量并且所述第二模制構(gòu)件具有第二楊氏模量，其中，所述第一楊氏模量大于所述第二楊氏模量。

附圖說明

鑒于附圖和伴隨的詳細(xì)描述，本公開的各種實(shí)施方式將變得更顯而易見，附圖中：

圖1和圖2分別是例示了根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的平面圖和截面圖；

圖3是例示了根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的應(yīng)力消除動(dòng)作的截面圖；

圖4和圖5分別是例示了根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的平面圖和截面圖；

圖6和圖7分別是例示了根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的平面圖和截面圖；

圖8和圖9分別是例示了根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的平面圖和截面圖；

圖10、圖11、圖12、圖13、圖14和圖15是例示了根據(jù)實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體封裝的方法的截面圖和平面圖；

圖16、圖17、圖18、圖19和圖20是例示了根據(jù)實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體封裝的方法的截面圖和平面圖；

圖21是例示了根據(jù)各種實(shí)施方式的包括至少一個(gè)半導(dǎo)體封裝的電子系統(tǒng)的框圖；以及

圖22是例示了根據(jù)各種實(shí)施方式的包括具有至少一個(gè)半導(dǎo)體封裝的存儲(chǔ)卡的電子系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

將在下文中參照附圖描述實(shí)施方式的各種示例。相同的附圖標(biāo)記在本說明書中自始至終指代相同的元件。

圖1和圖2分別是例示了根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的示例的表示的平面圖和截面圖。圖2的截面圖是沿著圖1的線I-I’截取的。另外，圖3是例示了根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的應(yīng)力消除動(dòng)作的示例的截面圖。

在圖1和圖2中，實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10可以包括基板100、設(shè)置在基板100上的半導(dǎo)體芯片120以及設(shè)置在基板100的表面上以覆蓋半導(dǎo)體芯片120的模制部134。模制部134可以包括第一模制構(gòu)件130和第二模制構(gòu)件132。

第一模制構(gòu)件130和第二模制構(gòu)件132中的每一個(gè)可以被形成為矩形條或平面條。可以按照橫向方向交替地布置或者排列第一模制構(gòu)件130和第二模制構(gòu)件132。換句話說，可以按照交替圖案布置第一模制構(gòu)件130和第二模制構(gòu)件132。另外，第一模制構(gòu)件130可以具有不同于(例如小于)第二模制構(gòu)件132的第二物理柔性的第一物理柔性。

基板100可以是平板構(gòu)件或者包括平板構(gòu)件，該平板構(gòu)件包括主體102、第一外部互連圖案104、第二外部互連圖案105、外部絕緣層106和108、內(nèi)部互連圖案103a以及通孔電極103b?；?00可以包括印刷電路板(PCB)、有機(jī)基板或絕緣基板。如果基板100包括PCB，則該P(yáng)CB可以是能夠容易地彎曲、扭轉(zhuǎn)或者變彎的柔性PCB。如果基板100包括絕緣基板，則主體102可以由絕緣材料形成或者包括絕緣材料。如果基板100包括有機(jī)基板，則主體102可以由絕緣材料形成或者包括有機(jī)材料。在各種實(shí)施方式中，有機(jī)材料可以是從由聚合樹脂材料、環(huán)氧樹脂材料和塑性材料構(gòu)成的組中選擇的至少一種或者包括從由聚合樹脂材料、環(huán)氧樹脂材料和塑性材料構(gòu)成的組中選擇的至少一種。

基板100的主體102可以包括上面設(shè)置有半導(dǎo)體芯片120的前側(cè)表面102a以及與前側(cè)表面102a相反的后側(cè)表面102b。第一外部互連圖案104可以被設(shè)置在主體102的前側(cè)表面102a上，并且第二外部互連圖案105可以被設(shè)置在主體102的后側(cè)表面102b上。第一互連圖案104和第二互連圖案105中的每一個(gè)可以包括銅材料。

內(nèi)部互連圖案103a和通孔電極103b可以被設(shè)置在主體102中，并且通孔電極103b可以將內(nèi)部互連圖案103a電連接至外部互連圖案104和105。內(nèi)部互連圖案103a和通孔電極103b中的每一個(gè)可以是銅材料或者包括銅材料。在各種實(shí)施方式中，內(nèi)部互連圖案103a可以是多層結(jié)構(gòu)或者包括多層結(jié)構(gòu)。通孔電極103b中的每一個(gè)可以提供將內(nèi)部互連圖案103a中的一個(gè)連接至第一外部互連圖案104中的一個(gè)或者第二外部互連圖案105中的一個(gè)的信號(hào)路徑。

設(shè)置在主體102的前側(cè)表面102a上的第一外部互連圖案104以及設(shè)置在主體102的后側(cè)表面102b上的第二外部互連圖案105可以分別用外部絕緣層106和外部絕緣層108覆蓋。也就是說，外部絕緣層106和外部絕緣層108可以包括設(shè)置在主體102的前側(cè)表面102a上以覆蓋第一外部互連圖案104的第一絕緣層106以及設(shè)置在主體102的后側(cè)表面102b上以覆蓋第二外部互連圖案105的第二絕緣層108。第一外部絕緣層106和第二外部絕緣層108中的每一個(gè)可以包括阻焊劑材料。

第一外部絕緣層106可以包括使第一外部互連圖案104的多個(gè)部分暴露的第一開口110a。第一外部互連圖案104的由第一開口110a暴露的部分可以作為基板焊盤110。

設(shè)置在主體102的后側(cè)表面102b上的第二外部絕緣層108可以包括使第二外部互連圖案105的多個(gè)部分暴露的第二開口109。第二外部互連圖案105的由第二開口 109暴露的部分可以作為附接有外部連接端子111的球焊盤。在各種實(shí)施方式中，外部連接端子111可以是焊球或者包括焊球。

半導(dǎo)體芯片120可以被設(shè)置在基板100的第一外部絕緣層106上。可以通過設(shè)置在半導(dǎo)體芯片120與第一外部絕緣層106之間的粘合構(gòu)件122來使半導(dǎo)體芯片120固定到第一外部絕緣層106，但是本公開不限于此。粘合構(gòu)件122可以是粘合劑或粘合帶或者包括粘合劑或粘合帶。在各種實(shí)施方式中，粘合構(gòu)件122可以是粘片膜(DAF)或者包括粘片膜(DAF)。

多個(gè)有源器件(諸如晶體管)可以被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片120中。在一些情況下，無源器件(諸如電容器和/或電阻器)也可以被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片120中。半導(dǎo)體芯片120可以包括彼此相反的第一表面120a和第二表面120b，并且有源器件可以被設(shè)置在與第一表面120a相鄰的有源層中。多個(gè)芯片焊盤124可以被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片120的第一表面120a上。盡管圖2例示了芯片焊盤124被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片120的邊緣上的示例，但是本公開不限于此。芯片焊盤124中的每一個(gè)可以由鋁材料或銅材料形成或者包括鋁材料或銅材料。

半導(dǎo)體芯片120可以通過互連構(gòu)件126電連接至基板100。盡管圖2例示了互連構(gòu)件126是金屬線的示例，但是本公開不限于此。例如，在各種實(shí)施方式中，可以按照倒裝芯片形式將半導(dǎo)體芯片120安裝在基板100上。在這種情況下，半導(dǎo)體芯片120可以在無需使用金屬線的情況下通過金屬凸起電連接至基板100。如果互連構(gòu)件126是金屬線，則金屬線的第一端可以接合至半導(dǎo)體芯片120的芯片焊盤124并且金屬線的第二端可以接合至基板100的基板焊盤110。因此，半導(dǎo)體芯片120可以通過金屬線電連接至基板100。

模制部134可以被設(shè)置在基板100的表面上以覆蓋半導(dǎo)體芯片120。模制部134可以包括具有第一楊氏模量的第一模制構(gòu)件130以及具有第二楊氏模量的第二模制構(gòu)件132，其中，第一楊氏模量不同于(例如大于)第二楊氏模量。

楊氏模量可以被稱為拉伸模量或彈性模量(用于使材料樣本伸展或壓縮的每單位面積力的量度)。更具體地，可以將楊氏模量表征為應(yīng)力與應(yīng)變的比率，其中，應(yīng)力用壓力單位表示并且應(yīng)變是無量綱的。因此，楊氏模量可以用壓力單位表達(dá)，所述壓力單位是國(guó)際單位制(SI)中的帕斯卡(Pa)，或者在實(shí)踐中更常見的是兆帕斯卡(MPa或N/mm²)或吉帕斯卡(GPa或kN/mm²)。在美國(guó)常用單位中，可以將楊氏模量表 達(dá)為磅(即，力)/平方英寸(psi)。

第一模制構(gòu)件130的第一楊氏模量與第二模制構(gòu)件132的第二楊氏模量之間的差可以被表達(dá)為百分比或比率。第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大預(yù)定百分比或者大預(yù)定百分比的范圍內(nèi)的預(yù)定百分比。例如，第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大100％或更多。作為另一示例，第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大100％-4000％的范圍內(nèi)的百分比。然而，可以利用被選擇來實(shí)現(xiàn)所期望的目的的任何適合的百分比。

在實(shí)施方式中，第一模制構(gòu)件130中的每一個(gè)可以由具有大約20GPa至大約30GPa的范圍內(nèi)的第一楊氏模量的絕緣材料形成或者包括該絕緣材料。具有第一楊氏模量的絕緣材料可以是例如環(huán)氧模塑料(EMC)材料或者包括例如環(huán)氧模塑料(EMC)材料。

此外，第二模制構(gòu)件132中的每一個(gè)可以由具有大約0.01GPa至大約0.1GPa的范圍內(nèi)的第二楊氏模量的絕緣材料形成或者包括該絕緣材料。具有第二楊氏模量的絕緣材料可以是例如硅樹脂材料或硅橡膠材料或者包括例如硅樹脂材料或硅橡膠材料。

在第一楊氏模量在大約20GPa至大約30GPa的范圍內(nèi)并且第二楊氏模量在大約0.001GPa至大約0.1GPa的范圍內(nèi)的實(shí)施方式中，第一楊氏模量比第二楊氏模量大了大約200％-4000％的范圍內(nèi)的百分比。

如圖1所示，第一模制構(gòu)件130和第二模制構(gòu)件132可以被設(shè)置在基板100和半導(dǎo)體芯片120上。第一模制構(gòu)件130和第二模制構(gòu)件132中的每一個(gè)可以被形成為矩形條或平面條。第一模制構(gòu)件130可以與第二模制構(gòu)件132交替地布置或者排列。換句話說，可以按照交替圖案布置第一模制構(gòu)件130和第二模制構(gòu)件132。第一模制構(gòu)件130可以在第一方向上延伸以形成條形狀，并且可以在與第一方向垂直的第二方向上彼此間隔開。第二模制構(gòu)件132可以被設(shè)置在第一模制構(gòu)件130之間以形成在第一方向上延伸的條形狀。因此，第一模制構(gòu)件130和第二模制構(gòu)件132可以被交替地布置或者排列在第二方向上，并且可以在第一方向上延伸以形成條形狀。

因?yàn)榈谝荒Ｖ茦?gòu)件130的第一楊氏模量大于第二模制構(gòu)件132的第二楊氏模量，所以第一模制構(gòu)件130可以比第二模制構(gòu)件132更剛性。因此，第一模制構(gòu)件130中的兩個(gè)可以被設(shè)置在基板100的兩個(gè)最外邊緣上以作為維持模制部134的外形的支撐部。另外，設(shè)置在半導(dǎo)體芯片120上的第一模制構(gòu)件130和第二模制構(gòu)件132可以在第一方向上延伸，以與半導(dǎo)體芯片120的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁120c和側(cè)壁120d以及與 半導(dǎo)體芯片120的頂面對(duì)應(yīng)的第一表面120a交疊。

因?yàn)榈谝荒Ｖ茦?gòu)件130和第二模制構(gòu)件132被交替地布置或者排列在基板100和半導(dǎo)體芯片120上，所以可以將模制部134劃分為具有第一物理柔性的第一區(qū)域140和具有第二物理柔性的第二區(qū)域150。具有第一物理柔性的第一區(qū)域140可以對(duì)應(yīng)于設(shè)置有第一模制構(gòu)件130的區(qū)域，并且具有第二物理柔性的第二區(qū)域150可以對(duì)應(yīng)于設(shè)置有第二模制構(gòu)件132的區(qū)域。

因?yàn)榈谝荒Ｖ茦?gòu)件130具有大于第二模制構(gòu)件132的第二楊氏模量的第一楊氏模量，所以第二區(qū)域150的第二物理柔性可以大于第一區(qū)域140的第一物理柔性。因此，與第一區(qū)域140相比，可以更容易地使第二區(qū)域150彎曲、扭曲或者變彎。

因?yàn)榫哂邢鄬?duì)較高的物理柔性的第二區(qū)域150被設(shè)置在第一區(qū)域140之間，所以當(dāng)對(duì)半導(dǎo)體封裝10施加外力時(shí)第二區(qū)域150可以減輕局部集中于半導(dǎo)體封裝10的應(yīng)力。

如圖3所例示的，如果對(duì)基板100施加外力F1，則半導(dǎo)體封裝10可以彎曲或者變彎。結(jié)果，可以靈活地使第二模制構(gòu)件132延伸或者壓縮。

例如，可以如由第一箭頭“a1”所指示的那樣使第二模制構(gòu)件132的底面延伸，并且可以如由第二箭頭“b1”所指示的那樣使第二模制構(gòu)件132的頂面壓縮。也就是說，如果第二模制構(gòu)件132局部延伸或者壓縮，則第一模制構(gòu)件130的位置可能改變以導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝10的彎曲或變彎。在這種情況下，由于第二模制構(gòu)件132的存在可以使施加到基板100和半導(dǎo)體芯片120的應(yīng)力分散。因此，即使半導(dǎo)體封裝10由于外力F1而彎曲、扭曲或者變彎，基板100和半導(dǎo)體芯片120也可能不被拉伸應(yīng)力或壓縮應(yīng)力損壞。

圖4和圖5分別是根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝20的平面圖和截面圖。圖5的截面圖是沿著圖4的線Ⅱ-Ⅱ’截取的。

參照?qǐng)D4和圖5，實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝20可以包括基板200、設(shè)置在基板200上的半導(dǎo)體芯片220以及設(shè)置在基板200上的模制部234。模制部234可以包括第一模制構(gòu)件230和第二模制構(gòu)件232。第一模制構(gòu)件230可以具有不同于(例如小于)第二模制構(gòu)件232的第二物理柔性的第一物理柔性。

基板200可以是平板構(gòu)件或者包括平板構(gòu)件，該平板構(gòu)件包括主體202、外部互連圖案204和205、外部絕緣層206和208、內(nèi)部互連圖案203a以及通孔電極203b。 基板200可以包括PCB、有機(jī)基板或絕緣基板。基板200的主體202可以包括彼此相反的前側(cè)表面202a和后側(cè)表面202b。外部互連圖案204和205可以包括設(shè)置在主體202的前側(cè)表面202a上的第一外部互連圖案204以及設(shè)置在主體202的后側(cè)表面202b上的第二外部互連圖案205。第一互連圖案204和第二互連圖案205中的每一個(gè)可以由銅材料形成或者包括銅材料。

內(nèi)部互連圖案203a和通孔電極203b可以被設(shè)置在主體202中。通孔電極103b可以將內(nèi)部互連圖案203a電連接至第一外部互連圖案204和第二外部互連圖案205。內(nèi)部互連圖案203a和通孔電極203b中的每一個(gè)可以由銅材料形成或者包括銅材料。

設(shè)置在主體202的前側(cè)表面202a上的第一外部互連圖案204可以用外部絕緣層206和外部絕緣層208中的第一外部絕緣層206覆蓋。設(shè)置在主體202的后側(cè)表面202b上的第二外部互連圖案205可以用外部絕緣層206和外部絕緣層208中的第二外部絕緣層208覆蓋。第一外部絕緣層206和第二外部絕緣層208中的每一個(gè)可以由例如阻焊劑材料形成或者包括例如阻焊劑材料。

第一外部絕緣層206可以包括使與第一外部互連圖案204的部分對(duì)應(yīng)的基板焊盤210暴露的第一開口210a。第二外部絕緣層208可以包括使第二外部互連圖案205的部分暴露的第二開口209。第二外部互連圖案205的由第二開口209暴露的部分可以用作附接有外部連接端子211(諸如焊球)的球焊盤。

半導(dǎo)體芯片220可以被設(shè)置在基板200的第一外部絕緣層206上?？梢酝ㄟ^設(shè)置在半導(dǎo)體芯片220與第一外部絕緣層206之間的粘合構(gòu)件222來使半導(dǎo)體芯片220固定到第一外部絕緣層206。

半導(dǎo)體芯片220可以包括彼此相反的第一表面220a和第二表面220b。半導(dǎo)體芯片220還可以包括與第一表面220a相鄰的有源層。有源器件(諸如晶體管)可以被設(shè)置在有源層中。多個(gè)芯片焊盤224可以被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片220的第一表面220a上。芯片焊盤224中的每一個(gè)可以由鋁材料或銅材料形成或者包括鋁材料或銅材料。

半導(dǎo)體芯片220可以通過互連構(gòu)件226電連接至基板200。盡管圖5例示了互連構(gòu)件226是金屬線的示例，但是本公開不限于此。例如，在各種實(shí)施方式中，可以按照倒裝芯片形式將半導(dǎo)體芯片220安裝在基板200上。在這種情況下，半導(dǎo)體芯片220可以在無需使用金屬線的情況下通過金屬凸起電連接至基板200。如果互連構(gòu)件226是金屬線，則金屬線的第一端可以接合至半導(dǎo)體芯片220的芯片焊盤224并且金 屬線的第二端可以接合至基板200的基板焊盤210。

模制部234可以被設(shè)置在基板200的表面上以覆蓋半導(dǎo)體芯片220。模制部234可以包括第一模制構(gòu)件230和第二模制構(gòu)件232。

第一模制構(gòu)件230和第二模制構(gòu)件232中的每一個(gè)可以被形成為矩形條或平面條?？梢园凑諜M向方向交替地布置或者排列第一模制構(gòu)件230和第二模制構(gòu)件232。換句話說，可以按照交替圖案布置第一模制構(gòu)件230和第二模制構(gòu)件232。

第一模制構(gòu)件230可以具有第一楊氏模量并且第二模制構(gòu)件232可以具有第二楊氏模量，其中，第一楊氏模量不同于(例如大于)第二楊氏模量。第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大預(yù)定百分比或者大預(yù)定百分比的范圍內(nèi)的預(yù)定百分比。例如，第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大100％或更多。作為另一示例，第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大100％-4000％的范圍內(nèi)的百分比。然而，可以利用被選擇來實(shí)現(xiàn)所期望的目的的任何適合的百分比。

在實(shí)施方式中，第一模制構(gòu)件230中的每一個(gè)可以由具有大約20GPa至大約30GPa的范圍內(nèi)的第一楊氏模量的絕緣材料形成或者包括該絕緣材料。在各種實(shí)施方式中，具有第一楊氏模量的絕緣材料可以是環(huán)氧模塑料(EMC)材料或者包括環(huán)氧模塑料(EMC)材料。

此外，第二模制構(gòu)件232中的每一個(gè)可以由具有大約0.01GPa至大約0.1GPa的范圍內(nèi)的第二楊氏模量的絕緣材料形成或者包括該絕緣材料。具有第二楊氏模量的絕緣材料可以是例如硅樹脂材料或硅橡膠材料或者包括例如硅樹脂材料或硅橡膠材料。

參照?qǐng)D4，第一模制構(gòu)件230可以包括第一圖案230a和第二圖案230b。半導(dǎo)體芯片220可以包括彼此相對(duì)并且與第一方向平行的一對(duì)第一側(cè)壁220c。半導(dǎo)體芯片220還可以包括彼此相對(duì)并且與和第一方向垂直的第二方向平行的一對(duì)第二側(cè)壁220d。

在這種情況下，第一模制構(gòu)件230的第一圖案230a可以被布置為與第一側(cè)壁220c相鄰，在第二方向上彼此間隔開，并且形成在第一方向上延伸的條形狀。最靠近半導(dǎo)體芯片220的第一圖案230a可以按照第一間隙“d1”與第一側(cè)壁220c間隔開。第一模制構(gòu)件230的第二圖案230b可以被布置為與第二側(cè)壁220d相鄰，在第二方向上彼此間隔開，并且形成在第一方向上延伸的條形狀。第二圖案230b可以按照第二間隙“d2”與第二側(cè)壁220d間隔開。

因此，第二圖案230b的長(zhǎng)度可以小于第一圖案230a的長(zhǎng)度。第一圖案230a中的兩個(gè)可以被設(shè)置在基板200的兩個(gè)最外邊緣上，以用作維持模制部234的外形特征的支撐部。

第二模制構(gòu)件232可以被設(shè)置在第一模制構(gòu)件230之間。第二模制構(gòu)件232可以包括被設(shè)置在第一模制構(gòu)件230的第一圖案230a之間的第一圖案232a以及被設(shè)置為圍繞第二圖案230b和半導(dǎo)體芯片220的第二圖案232b。第二模制構(gòu)件232可以被設(shè)置為填充第一間隙“d1”和第二間隙“d2”。

結(jié)果，半導(dǎo)體芯片220可以被物理柔性大于第一模制構(gòu)件230的物理柔性的第二模制構(gòu)件232圍繞。因此，如果對(duì)半導(dǎo)體封裝20施加外力，則可以在不損壞半導(dǎo)體芯片220的情況下使半導(dǎo)體封裝20彎曲、扭曲或者變彎。

圖6和圖7分別是根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝30的平面圖和截面圖。截面圖是沿著圖6的線Ⅲ-Ⅲ’截取的。

參照?qǐng)D6和圖7，半導(dǎo)體封裝30可以包括基板300、設(shè)置在基板300上的半導(dǎo)體芯片320以及設(shè)置在基板300上的模制部334。模制部334可以包括第一模制構(gòu)件330和第二模制構(gòu)件332。第一模制構(gòu)件330可以具有不同于(例如小于)第二模制構(gòu)件332的第二物理柔性的第一物理柔性。

基板300可以是平板構(gòu)件或者包括平板構(gòu)件，該平板構(gòu)件包括主體302、外部互連圖案304和305、外部絕緣層306和308、內(nèi)部互連圖案303a以及通孔電極303b?；?00可以包括PCB、有機(jī)基板或絕緣基板。基板300的主體302可以包括彼此相反的前側(cè)表面302a和后側(cè)表面302b。

外部互連圖案304和305可以包括設(shè)置在主體302的前側(cè)表面302a上的第一外部互連圖案304以及設(shè)置在主體302的后側(cè)表面302b上的第二外部互連圖案305。第一互連圖案304和第二互連圖案305中的每一個(gè)可以由銅材料形成或者包括銅材料。內(nèi)部互連圖案303a和通孔電極303b中的每一個(gè)可以由銅材料形成或者包括銅材料。

設(shè)置在主體302的前側(cè)表面302a上的第一外部互連圖案304可以用外部絕緣層306和外部絕緣層308中的第一外部絕緣層306覆蓋。類似地，設(shè)置在主體302的后側(cè)表面302b上的第二外部互連圖案305可以用外部絕緣層306和外部絕緣層308中的第二外部絕緣層308覆蓋。第一外部絕緣層306和第二外部絕緣層308中的每一個(gè) 可以由例如阻焊劑材料形成或者包括例如阻焊劑材料。

第一外部絕緣層306可以包括使與第一外部互連圖案304的部分對(duì)應(yīng)的基板焊盤310暴露的第一開口310a。第二外部絕緣層308可以包括使第二外部互連圖案305的部分暴露的第二開口309。第二外部互連圖案305的由第二開口309暴露的部分可以用作附接有外部連接端子311(諸如焊球)的球焊盤。

半導(dǎo)體芯片320可以被設(shè)置在基板300的第一外部絕緣層306上?？梢酝ㄟ^設(shè)置在半導(dǎo)體芯片320與第一外部絕緣層306之間的粘合構(gòu)件322來使半導(dǎo)體芯片320固定到第一外部絕緣層306。

半導(dǎo)體芯片320可以包括彼此相反的第一表面320a和第二表面320b。半導(dǎo)體芯片320還可以包括與第一表面320a相鄰的有源層。有源器件(諸如晶體管)可以被設(shè)置在有源層中。并且，多個(gè)芯片焊盤324可以被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片320的第一表面320a上。芯片焊盤324中的每一個(gè)可以由鋁材料或銅材料形成或者包括鋁材料或銅材料。

半導(dǎo)體芯片320可以通過互連構(gòu)件326電連接至基板300。盡管圖7例示了互連構(gòu)件326是金屬線的示例，但是本公開不限于此。例如，在各種實(shí)施方式中，可以按照倒裝芯片形式將半導(dǎo)體芯片320安裝在基板300上。在這種情況下，半導(dǎo)體芯片320可以在無需使用金屬線的情況下通過金屬凸起電連接至基板300。如果互連構(gòu)件326是金屬線，則金屬線的第一端可以接合至半導(dǎo)體芯片320的芯片焊盤324并且金屬線的第二端可以接合至基板300的基板焊盤310。

返回參照?qǐng)D6，半導(dǎo)體芯片320可以包括彼此相對(duì)并且與第一方向平行的一對(duì)第二側(cè)壁320c。半導(dǎo)體芯片320還可以包括彼此相對(duì)并且與和第一方向垂直的第二方向平行的一對(duì)第一側(cè)壁320d。

模制部334可以被設(shè)置在基板的表面上以覆蓋半導(dǎo)體芯片320。模制部334可以包括第一模制構(gòu)件330和第二模制構(gòu)件332。第一模制構(gòu)件330中的每一個(gè)可以被形成為矩形條或平面條。一般而言，第一模制構(gòu)件330可以按照一個(gè)或更多個(gè)條形圖案形成在第二模制構(gòu)件332中。

在實(shí)施方式中，第一模制構(gòu)件330可以包括第一條形圖案330a和330b以及第二條形圖案330c、330d和330e?？梢匝刂谝环较蚝偷诙较虬凑站仃囆问讲贾玫谝荒Ｖ茦?gòu)件330的第一條形圖案330a和330b。也就是說，第一條形圖案330a和330b 可以在第一方向和第二方向上彼此間隔開。

第一組第一條形圖案330a可以被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片320的第二側(cè)壁320c的相鄰面上以在第一方向上延伸。第二組第一條形圖案330b可以被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片320的第一側(cè)壁320d的相鄰面上以在第一方向上延伸。第二組第一條形圖案330b可以在第一方向上延伸以與半導(dǎo)體芯片320的第一表面320a的多個(gè)部分交疊。第一組第一條形圖案330a中的一些可以被設(shè)置在基板200的兩個(gè)最外邊緣上，以用作維持模制部334的外形的支撐部。

第一組第二條形圖案330c可以被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片320的第一表面320a上。第二組第二條形圖案330d可以被設(shè)置為接觸半導(dǎo)體芯片320的第二側(cè)壁320c。第三組第二條形圖案330e可以被設(shè)置在第一組第一條形圖案330a之間。第二條形圖案330c、330d和330e可以在第二方向上彼此間隔開。在實(shí)施方式中，可以按照網(wǎng)格形式布置第一條形圖案330a和330b以及第二條形圖案330c、330d和330e。

第一模制構(gòu)件330可以具有第一楊氏模量并且第二模制構(gòu)件332可以具有第二楊氏模量，其中，第一楊氏模量不同于(例如大于)第二楊氏模量。

第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大預(yù)定百分比或者大預(yù)定百分比的范圍內(nèi)的預(yù)定百分比。例如，第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大100％或更多。作為另一示例，第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大100％-4000％的范圍內(nèi)的百分比。然而，可以利用被選擇來實(shí)現(xiàn)所期望的目的的任何適合的百分比。

在實(shí)施方式中，第一模制構(gòu)件330中的每一個(gè)可以由具有大約20GPa至大約30GPa的范圍內(nèi)的第一楊氏模量的絕緣材料形成或者包括該絕緣材料。在各種實(shí)施方式中，具有第一楊氏模量的絕緣材料可以是例如環(huán)氧模塑料(EMC)材料或者包括例如環(huán)氧模塑料(EMC)材料。

模制部334的第二模制構(gòu)件332可以被設(shè)置為填充第一模制構(gòu)件330的第一圖案330a、330b與第一模制構(gòu)件330的第二圖案330c、330d和330e之間的空間，并且覆蓋第一圖案330a、330b以及第二圖案330c、330d和330e的頂面。也就是說，第二模制構(gòu)件332可以被設(shè)置為在第一模制構(gòu)件330的頂面上具有預(yù)定厚度。

在實(shí)施方式中，第二模制構(gòu)件332可以包括具有大約0.01GPa至大約0.1GPa的范圍內(nèi)的第二楊氏模量的絕緣材料。在各種實(shí)施方式中，具有第二楊氏模量的絕緣材料可以是例如硅樹脂材料或硅橡膠材料或者包括例如硅樹脂材料或硅橡膠材料。

在第一楊氏模量在大約20GPa至大約30GPa的范圍內(nèi)并且第二楊氏模量在大約0.001GPa至大約0.1GPa的范圍內(nèi)的實(shí)施方式中，第一楊氏模量比第二楊氏模量大大約200％-4000％的范圍內(nèi)的百分比。圖8和圖9分別是例示了根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝40的平面圖和截面圖。圖9的截面圖是沿著圖8的線Ⅳ-Ⅳ’截取的。

除了關(guān)于半導(dǎo)體封裝30的模制部334以外，圖8和圖9的半導(dǎo)體封裝40可以具有與參照?qǐng)D6和圖7所描述的半導(dǎo)體封裝30基本上相同的配置。

圖8和圖9的半導(dǎo)體封裝40可以包括基板300、設(shè)置在基板300上的半導(dǎo)體芯片320以及設(shè)置在基板300上的模制部440。模制部440可以包括第一模制構(gòu)件430和第二模制構(gòu)件432。第一模制構(gòu)件430可以具有不同于(例如小于)第二模制構(gòu)件432的第二物理柔性的第一物理柔性。

半導(dǎo)體芯片320可以被設(shè)置在基板300的第一外部絕緣層306上?？梢酝ㄟ^粘合構(gòu)件322來使半導(dǎo)體芯片320固定到第一外部絕緣層306。半導(dǎo)體芯片320可以通過諸如金屬線的互連構(gòu)件326電連接至基板300。

模制部440可以被設(shè)置在基板300的表面上以覆蓋半導(dǎo)體芯片320。模制部440可以包括第一模制構(gòu)件430和第二模制構(gòu)件432。

具體地參照?qǐng)D8，第一模制構(gòu)件430可以包括第一圖案430a和第二圖案430b。第一模制構(gòu)件430的第一圖案430a可以被布置在半導(dǎo)體芯片320的第二側(cè)壁320c的相鄰面上。第一圖案430a可以在第二方向上彼此間隔開并且具有在第一方向上延伸的條形狀。

第一圖案430a中的兩個(gè)可以被設(shè)置為分別直接接觸半導(dǎo)體芯片320的第二側(cè)壁320c。另外，第一圖案430a中的兩個(gè)可以被設(shè)置在基板300的兩個(gè)最外邊緣上，以用作用于維持模制部440的外形的支撐部。接觸半導(dǎo)體芯片320的第二側(cè)壁320c的該對(duì)第一圖案430a可以為半導(dǎo)體芯片320提供支撐。第二圖案430b可以被布置在第二側(cè)壁320d的相鄰面上以在第二方向上彼此間隔開，并且以具有在第一方向上延伸的條形狀。第二圖案430b可以接觸第二側(cè)壁320d。

第一模制構(gòu)件430可以具有第一楊氏模量并且第二模制構(gòu)件432可以具有第二楊氏模量，其中，第一楊氏模量不同于(例如大于)第二楊氏模量。

第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大預(yù)定百分比或者大預(yù)定百分比的范圍內(nèi)的預(yù)定百分比。例如，第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大100％或更多。作為另一示 例，第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大100％-4000％的范圍內(nèi)的百分比。然而，可以利用被選擇來實(shí)現(xiàn)所期望的目的的任何適合的百分比。在實(shí)施方式中，模制部440的第一模制構(gòu)件430中的每一個(gè)可以由具有大約20GPa至大約30GPa的第一楊氏模量的絕緣材料形成或者包括該絕緣材料。例如，具有第一楊氏模量的絕緣材料可以是例如環(huán)氧模塑料(EMC)材料或者包括例如環(huán)氧模塑料(EMC)材料。第二模制構(gòu)件432可以填充第一圖案430a與第二圖案430b之間的空間，并且可以延伸以覆蓋第一圖案430a和第二圖案430b的頂面。

此外，第二模制構(gòu)件432可以由具有小于第一楊氏模量的第二楊氏模量的絕緣材料形成或者包括該絕緣材料。在實(shí)施方式中，第二模制構(gòu)件432可以由具有大約0.01GPa至大約0.1GPa的第二楊氏模量的絕緣材料形成或者包括該絕緣材料。在各種實(shí)施方式中，具有第二楊氏模量的絕緣材料可以是例如硅樹脂材料或硅橡膠材料或者包括例如硅樹脂材料或硅橡膠材料。

圖10、圖11、圖12、圖13、圖14和圖15是在描述根據(jù)實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體封裝的方法時(shí)使用的截面圖和平面圖。

參照?qǐng)D10，可以提供基板1000?；?000可以包括用作基礎(chǔ)構(gòu)件的主體1002、形成在主體1002的兩個(gè)相反的表面上的外部互連圖案1004和1005以及覆蓋外部互連圖案1004和1005的外部絕緣層1006和1008。

基板1000可以由柔性材料形成或者包括柔性材料。在各種實(shí)施方式中，基板1000可以是柔性PCB、柔性絕緣基板或柔性有機(jī)基板。如果基板1000是有機(jī)基板，則主體1002可以被形成為包括能夠彎曲、扭曲或者變彎的有機(jī)材料。在各種實(shí)施方式中，主體1002的有機(jī)材料可以由從由聚合樹脂材料、環(huán)氧樹脂材料和塑性材料構(gòu)成的組中選擇的至少一種形成或者包括從由聚合樹脂材料、環(huán)氧樹脂材料和塑性材料構(gòu)成的組中選擇的至少一種。主體1002可以包括彼此相反的前側(cè)表面1002a和后側(cè)表面1002b。

外部互連圖案1004和1005可以包括形成在主體1002的前側(cè)表面1002a上的第一外部互連圖案1004以及形成在主體1002的后側(cè)表面1002b上的第二外部互連圖案1005。第一外部互連圖案1004或第二外部互連圖案1005可以通過執(zhí)行減去法(例如，其包括在主體1002上沉積銅箔并且選擇性地對(duì)銅箔的部分進(jìn)行蝕刻以形成電路圖案)來執(zhí)行。另選地，可以執(zhí)行疊加法，其包括利用電鍍工藝在主體1002的前側(cè)表 面1002a或后側(cè)表面1002b上直接形成電路圖案。

內(nèi)部互連圖案1003a和通孔電極1003b可以被設(shè)置在主體1002中。通孔電極1003b可以將內(nèi)部互連圖案1003a電連接至第一外部互連圖案1004和第二外部互連圖案1005。在各種實(shí)施方式中，內(nèi)部互連圖案1003a可以被形成為具有多層結(jié)構(gòu)。

外部絕緣層1006和1008可以被形成為覆蓋第一外部互連圖案1004和第二外部互連圖案1005。外部絕緣層1006和1008可以包括覆蓋第一外部互連圖案1004的第一外部絕緣層1006以及覆蓋第二外部互連圖案1005的第二外部絕緣層1008。也就是說，第一外部絕緣層1006可以形成在主體1002的前側(cè)表面1002a上以覆蓋第一外部互連圖案1004。第二外部絕緣層1008可以形成在主體1002的后側(cè)表面1002b上以覆蓋第二外部互連圖案1005。第一外部絕緣層1006和第二外部絕緣層1008可以由阻焊劑材料形成或者包括阻焊劑材料。

第一外部絕緣層1006可以被形成為具有使第一外部互連圖案1004的部分暴露的第一開口1010a。第一外部互連圖案1004的由第一開口1010a暴露的部分可以作為基板焊盤1010。第二外部絕緣層1008可以被形成為具有使第二外部互連圖案1005的部分暴露的第二開口1043。第二外部互連圖案1005的由第二開口1043暴露的部分可以用作球焊盤1044。

參照?qǐng)D11，半導(dǎo)體芯片1020可以被安裝在基板1000上?？梢酝ㄟ^例如設(shè)置在半導(dǎo)體芯片1020與第一外部絕緣層1006之間的粘合構(gòu)件122來使半導(dǎo)體芯片1020固定到第一外部絕緣層1006。粘合構(gòu)件1022例如可以是粘合劑或粘合帶。在各種實(shí)施方式中，粘合構(gòu)件1022可以是粘片膜(DAF)。

多個(gè)有源器件(諸如晶體管)可以形成在半導(dǎo)體芯片1020中。在一些情況下，無源器件(諸如電容器和/或電阻器)也可以形成在半導(dǎo)體芯片1020中。在各種實(shí)施方式中，有源器件可以形成在與和后側(cè)表面1020b相反的前側(cè)表面1020a相鄰的有源層中。

多個(gè)芯片焊盤1024可以形成在半導(dǎo)體芯片1020的前側(cè)表面1020a上。在實(shí)施方式中，多個(gè)芯片焊盤1024可以由鋁材料或銅材料形成或者包括鋁材料或銅材料。芯片焊盤1024可以電連接至基板1000。

半導(dǎo)體芯片1020可以通過互連構(gòu)件1026電連接至基板1000。在圖11中，示出了互連構(gòu)件1026由金屬線形成的示例。作為另一示例，可以按照倒裝芯片形式將半 導(dǎo)體芯片1020安裝在基板1000上。在這種情況下，半導(dǎo)體芯片1020可以在無需使用金屬線的情況下通過金屬凸起電連接至基板1000。如果互連構(gòu)件1026由金屬線形成，則金屬線的第一端可以接合至半導(dǎo)體芯片1020的芯片焊盤1024并且金屬線的第二端可以接合至基板1000的基板焊盤1010。

參照?qǐng)D12和圖13，預(yù)模制構(gòu)件1034a可以被設(shè)置在上面安裝有半導(dǎo)體芯片1020的基板1000上。預(yù)模制構(gòu)件1034a可以包括第一預(yù)模制構(gòu)件1030a和第二預(yù)模制構(gòu)件1032a。在各種實(shí)施方式中，預(yù)模制構(gòu)件1034a可以附接至載體1027的表面，并且可以利用載體1027來轉(zhuǎn)移預(yù)模制構(gòu)件1034a。

參照與圖12所示的預(yù)模制構(gòu)件1034a的俯視圖對(duì)應(yīng)的圖13，預(yù)模制構(gòu)件1034a被示出為包括第一預(yù)模制構(gòu)件1030a和第二預(yù)模制構(gòu)件1032a。第一預(yù)模制構(gòu)件1030a和第二預(yù)模制構(gòu)件1032a中的每一個(gè)可以被形成為矩形條或平面條?？梢园凑諜M向方向交替地布置或者排列第一預(yù)模制構(gòu)件1030a和第二預(yù)模制構(gòu)件1032a。換句話說，可以按照交替圖案布置第一預(yù)模制構(gòu)件1030a和第二預(yù)模制構(gòu)件1032a。另選地，可以說第一預(yù)模制構(gòu)件1030a和第二預(yù)模制構(gòu)件1032a在第一方向上延伸以形成平面形狀或條形狀。另外，可以按照與第一方向垂直的第二方向交替地布置或者排列第一預(yù)模制構(gòu)件1030a和第二預(yù)模制構(gòu)件1032a。

第一預(yù)模制構(gòu)件1030a和第二預(yù)模制構(gòu)件1032a可以按照片形來層壓并且可以附接至載體1027?？梢允沟谝活A(yù)模制構(gòu)件1030a和第二預(yù)模制構(gòu)件1032a固定到載體1027。載體1027可以在后續(xù)工藝中與第一預(yù)模制構(gòu)件1030a和第二預(yù)模制構(gòu)件1032a分離。

在各種實(shí)施方式中，載體1027可以由粘合膜形成或者包括粘合膜。粘合膜可以在后續(xù)工藝中與第一預(yù)模制構(gòu)件1030a和第二預(yù)模制構(gòu)件1032a分離。在此階段，包括第一預(yù)模制構(gòu)件1030a和第二預(yù)模制構(gòu)件1032a的預(yù)模制構(gòu)件1034a尚未固化。

如圖14和圖15所例示的，可以形成覆蓋半導(dǎo)體芯片1020和基板1000的模制部1034。圖14的截面圖是沿著圖15的線Ⅴ-Ⅴ’截取的。為了形成模制部1034，可以將附接有預(yù)模制構(gòu)件1034a的載體1027轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體芯片1020上。如由圖12中的箭頭所指示的，可以朝向基板1000向下壓載體1027。

接下來，可以從預(yù)模制構(gòu)件1034a去除載體1027?？梢允诡A(yù)模制構(gòu)件1034a固化以形成包括第一模制構(gòu)件1030和第二模制構(gòu)件1032的模制部1034。第一模制構(gòu) 件1030可以在第一方向上延伸以形成條形狀，并且可以被交替地布置或者排列在第二方向上以彼此間隔開。第二模制構(gòu)件1032可以被形成為填充第一模制構(gòu)件1030之間的間隙。因此，第二模制構(gòu)件1032也可以在第一方向上延伸以形成條形狀。結(jié)果，第一模制構(gòu)件1030和第二模制構(gòu)件1032可以被交替地布置或者排列在第二方向上，并且可以在第一方向上延伸以形成條形狀。

第一模制構(gòu)件1030可以具有第一楊氏模量并且第二模制構(gòu)件1032可以具有第二楊氏模量，其中，第一楊氏模量不同于(例如大于)第二楊氏模量。

第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大預(yù)定百分比或者大預(yù)定百分比的范圍內(nèi)的預(yù)定百分比。例如，第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大100％或更多。作為另一示例，第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大100％-4000％的范圍內(nèi)的百分比。然而，可以利用被選擇來實(shí)現(xiàn)所期望的目的的任何適合的百分比。第一模制構(gòu)件1030可以由具有大約20GPa至大約30GPa的范圍內(nèi)的第一楊氏模量的絕緣材料形成或者包括該絕緣材料。在各種實(shí)施方式中，具有第一楊氏模量的絕緣材料可以包括環(huán)氧模塑料(EMC)材料。

此外，第二模制構(gòu)件1032可以被形成為包括具有大約0.01GPa至大約0.1GPa的范圍內(nèi)的第二楊氏模量的絕緣材料。在各種實(shí)施方式中，具有第二楊氏模量的絕緣材料可以由例如硅樹脂材料或硅橡膠材料形成或者包括例如硅樹脂材料或硅橡膠材料。

因?yàn)榈谝荒Ｖ茦?gòu)件1030由具有大于第二模制構(gòu)件1032的第二楊氏模量的第一楊氏模量的材料形成，所以第二模制構(gòu)件1032的第二物理柔性可以大于第一模制構(gòu)件1030的第一物理柔性。因此，當(dāng)對(duì)模制部1034施加外力時(shí)，與第一模制構(gòu)件1030相比可以更容易地使第二模制構(gòu)件1032彎曲、扭曲或者變彎。

第一模制構(gòu)件1030可以比第二模制構(gòu)件1032更剛性。因此，第一模制構(gòu)件1030中的兩個(gè)可以被設(shè)置在基板1000的兩個(gè)最外邊緣上，以用作用于維持模制部1034的外形的支撐部。另外，最靠近半導(dǎo)體芯片1020的第一模制構(gòu)件1030可以按照距離“d3”與第一側(cè)壁1020c間隔開。第一模制構(gòu)件1030與半導(dǎo)體芯片1020之間的間隙可以具有第二模制構(gòu)件1032。

第一模制構(gòu)件1030和第二模制構(gòu)件1032中的一些可以在第一方向上延伸，以分別與半導(dǎo)體芯片120的兩個(gè)相對(duì)的第二側(cè)壁1020d交疊。另外，第一模制構(gòu)件1030 和第二模制構(gòu)件1032可以與對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片1020的頂面的前側(cè)表面1020a交疊。外部連接端子1042可以形成在由第二外部絕緣層1008的第二開口1043暴露的球焊盤1044上。外部連接端子1042可以由焊球形成或者包括焊球。

盡管與使用片形預(yù)模制構(gòu)件1034a來形成模制部1034的示例相結(jié)合地描述了上述實(shí)施方式，但是本公開不限于此。例如，在各種實(shí)施方式中，可以使用轉(zhuǎn)移模制法或針點(diǎn)澆口模制法來形成模制部1034。

圖16、圖17、圖18、圖19和圖20是例示了根據(jù)實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體封裝的方法的截面圖和平面圖。

參照?qǐng)D16，可以提供基板2000?；?000可以包括主體2002、形成在主體2002的兩個(gè)相反的表面上的外部互連圖案2004和2005以及覆蓋外部互連圖案2004和2005的外部絕緣層2006和2008?；?000可以由柔性材料形成或者包括柔性材料。在各種實(shí)施方式中，基板2000可以是柔性PCB、柔性絕緣基板或柔性有機(jī)基板。主體2002可以包括彼此相反的前側(cè)表面2002a和后側(cè)表面2002b。

外部互連圖案2004和2005可以包括形成在主體2002的前側(cè)表面2002a上的第一外部互連圖案2004以及形成在主體2002的后側(cè)表面2002b上的第二外部互連圖案2005。可以通過減去法或通過疊加法來形成第一外部互連圖案2004或第二外部互連圖案2005。內(nèi)部互連圖案2003a和通孔電極2003b可以被設(shè)置在主體2002中。通孔電極2003b可以將內(nèi)部互連圖案2003a電連接至第一外部互連圖案2004和第二外部互連圖案2005。

外部絕緣層2006和2008可以包括覆蓋第一外部互連圖案2004的第一外部絕緣層2006以及覆蓋第二外部互連圖案2005的第二外部絕緣層2008。也就是說，第一外部絕緣層2006可以形成在主體2002的前側(cè)表面2002a上以覆蓋第一外部互連圖案2004。此外，第二外部絕緣層2008可以形成在主體2002的后側(cè)表面2002b上以覆蓋第二外部互連圖案2005。在實(shí)施方式中，第一外部絕緣層2006和第二外部絕緣層2008可以由阻焊劑材料形成或者包括阻焊劑材料。

第一外部絕緣層2006可以被形成為具有使第一外部互連圖案2004的部分暴露的第一開口2010a。第一外部互連圖案2004的由第一開口2010a暴露的部分可以作為基板焊盤2010。第二外部絕緣層2008可以被形成為具有使第二外部互連圖案2005的部分暴露的第二開口2043。第二外部互連圖案2005的由第二開口2043暴露的部 分可以作為球焊盤2044。

參照?qǐng)D17，半導(dǎo)體芯片2020可以被安裝在基板2000上?？梢酝ㄟ^例如設(shè)置在半導(dǎo)體芯片2020與第一外部絕緣層2006之間的粘合構(gòu)件122來使半導(dǎo)體芯片2020固定到第一外部絕緣層2006。粘合構(gòu)件2022例如可以是粘合劑或粘合帶。在各種實(shí)施方式中，粘合構(gòu)件2022可以是粘片膜(DAF)。

在各種實(shí)施方式中，有源層可以被形成為與和后側(cè)表面2020b相反的前側(cè)表面2020a相鄰。多個(gè)芯片焊盤2024可以被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片2020的前側(cè)表面2020a上。多個(gè)芯片焊盤2024可以由鋁材料或銅材料形成或者包括鋁材料或銅材料。芯片焊盤2024可以電連接至基板2000。

半導(dǎo)體芯片2020可以通過互連構(gòu)件2026電連接至基板2000?；ミB構(gòu)件2026可以是金屬線。在各種實(shí)施方式中，半導(dǎo)體芯片2020可以是倒裝芯片。在這種情況下，半導(dǎo)體芯片2020可以在無需使用金屬線的情況下通過金屬凸起電連接至基板2000。如果互連構(gòu)件2026由金屬線形成，則金屬線的第一端可以接合至半導(dǎo)體芯片2020的芯片焊盤2024并且金屬線的第二端可以接合至基板2000的基板焊盤2010。

參照?qǐng)D18，第一模制構(gòu)件2042可以形成在基板2000和半導(dǎo)體芯片2020上?？梢岳镁W(wǎng)格狀模具使用壓縮模制技術(shù)或針點(diǎn)澆口模制技術(shù)來形成第一模制構(gòu)件2042。

第一模制構(gòu)件2042可以由具有第一楊氏模量的絕緣材料形成或者包括具有第一楊氏模量的絕緣材料。在實(shí)施方式中，第一模制構(gòu)件2042可以被形成為包括具有大約20GPa至大約30GPa的第一楊氏模量的絕緣材料。在各種實(shí)施方式中，具有第一楊氏模量的絕緣材料可以由環(huán)氧模塑料(EMC)材料形成或者包括環(huán)氧模塑料(EMC)材料。第一模制構(gòu)件2042可以被形成為使得第一模制構(gòu)件1042的頂面位于比半導(dǎo)體芯片2020的前側(cè)表面2020a高的水平處。

參照與圖18的俯視圖對(duì)應(yīng)的圖19，第一模制構(gòu)件2042可以包括第一圖案2042a和2042b以及第二圖案2042c、2042d和2042e。第一圖案2042a和2042b可以被形成為具有大于第二圖案2042c、2042d和2042e的第二長(zhǎng)度L2的第一長(zhǎng)度L1，但是本公開不限于此。例如，在各種實(shí)施方式中，第一圖案2042a和2042b可以被形成為具有與第二圖案2042c、2042d和2042e相同的長(zhǎng)度。

半導(dǎo)體芯片2020可以包括彼此相對(duì)并且與第一方向平行的一對(duì)第二側(cè)壁2020c。 另外，一對(duì)第一側(cè)壁2020d彼此相對(duì)并且與和第一方向垂直的第二方向平行。

在實(shí)施方式中，可以沿著第一方向和第二方向按照矩陣形式來布置或者排列第一模制構(gòu)件2042的第一圖案2042a和2042b。第一圖案2042a和2042b可以包括布置在半導(dǎo)體芯片2020的第二側(cè)壁2020c的相鄰面上以在第一方向上延伸的第一組第一圖案2042a。第二組第一圖案2042b可以被布置在半導(dǎo)體芯片2020的第一側(cè)壁2020d的相鄰面上以在第一方向上延伸。第二組第一圖案2042b可以在第一方向上延伸以與半導(dǎo)體芯片2020的前側(cè)表面2020a的多個(gè)部分交疊。第一圖案2042a和2042b可以在第二方向上按照第一距離“g1”彼此間隔開并且可以在第一方向上按照第二距離“g2”彼此間隔開。

第二圖案2042c、2042d和2042e可以包括第一組第二圖案2042c、第二組第二圖案2042d以及第三組第二圖案2042e。第一組第二圖案2042c可以被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片2020的前側(cè)表面2020a上。第二組第二圖案2042d可以被設(shè)置為接觸半導(dǎo)體芯片2020的第二側(cè)壁2020c。第三組第二圖案2042e可以被設(shè)置在第一組第一圖案2042a之間。第二圖案2042c、2042d和2042e可以被設(shè)置為在第二方向上按照第三距離“g3”彼此間隔開。因此，可以按照網(wǎng)格形式布置或者排列第一圖案2042a和2042b以及第二圖案2042c、2042d和2042e。

參照?qǐng)D20，第二模制構(gòu)件2050可以形成在上面設(shè)置有第一模制構(gòu)件2042的基板2000上。為了形成第二模制構(gòu)件2050，可以將具有液態(tài)或半固化狀態(tài)的預(yù)模制材料供應(yīng)或者層壓到具有按照網(wǎng)格形式布置的第一模制構(gòu)件2042的基板2000上。結(jié)果，第一模制構(gòu)件2042之間的間隔可以填滿具有液態(tài)或半固化狀態(tài)的預(yù)模制材料?？梢怨?yīng)預(yù)模制材料，直到第一模制構(gòu)件2042的頂面被覆蓋有預(yù)模制材料為止。

此后，可以使預(yù)模制材料固化以形成第二模制構(gòu)件2050。如果預(yù)模制材料固化了，則可以改變預(yù)模制材料的特性，使得經(jīng)固化的預(yù)模制材料具有穩(wěn)定狀態(tài)。結(jié)果，第二模制構(gòu)件2050可以吸收外部沖擊或外部碰撞以保護(hù)半導(dǎo)體芯片2020。如果預(yù)模制材料未固化，則具有液態(tài)或半固化狀態(tài)的預(yù)模制材料可以與基板2000和第一模制構(gòu)件2042分離。

第二模制構(gòu)件2050可以具有第二楊氏模量并且第一模制構(gòu)件2042可以具有第一楊氏模量，其中，第一楊氏模量不同于(例如大于)第二楊氏模量。

第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大預(yù)定百分比或者大預(yù)定百分比的范圍內(nèi)的 預(yù)定百分比。例如，第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大100％或更多。作為另一示例，第一楊氏模量可以比第二楊氏模量大100％-4000％的范圍內(nèi)的百分比。然而，可以利用被選擇來實(shí)現(xiàn)所期望的目的的任何適合的百分比。

作為示例，如果具有大約20GPa至大約30GPa的第一楊氏模量的EMC材料被用作第一模制構(gòu)件2042的材料，則第二模制構(gòu)件2050可以由具有大約0.01GPa至大約0.1GPa的第二楊氏模量的材料形成或者包括該材料。也就是說，第二模制構(gòu)件2050可以被形成為具有大于第一模制構(gòu)件2042的第二物理柔性的第一物理柔性。

因此，當(dāng)對(duì)第一模制構(gòu)件2042和第二模制構(gòu)件2050施加外力時(shí)，與第一模制構(gòu)件2042相比可以更容易地使第二模制構(gòu)件2050彎曲、扭曲或者變彎。外部連接端子2042然后可以形成在球焊盤2044上。外部連接端子2042可以由焊球形成。

以上所述的半導(dǎo)體封裝可以應(yīng)用于各種電子系統(tǒng)。

參照?qǐng)D21，根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝可以應(yīng)用于電子系統(tǒng)1710。電子系統(tǒng)1710可以包括控制器1711、輸入/輸出單元1712和存儲(chǔ)器1713?？刂破?711、輸入/輸出單元1712和存儲(chǔ)器1713可以通過提供用來發(fā)送數(shù)據(jù)的路徑的總線1715而彼此聯(lián)接。

控制器1711可以包括以下各項(xiàng)中的至少任一項(xiàng)：至少一個(gè)微處理器；至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器；至少一個(gè)微控制器；以及被配置為執(zhí)行與這些組件相同或相似的功能的其它(例如邏輯)裝置?？刂破?711和存儲(chǔ)器1713中的至少一個(gè)可以包括根據(jù)本公開的實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝中的至少任一個(gè)。輸入/輸出單元1712可以包括在鍵區(qū)、鍵盤、顯示裝置、觸摸屏等當(dāng)中選擇的至少一個(gè)。存儲(chǔ)器1713是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的裝置。存儲(chǔ)器1713可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和/或要由控制器1711執(zhí)行的命令等。

存儲(chǔ)器1713可以包括諸如DRAM的易失性存儲(chǔ)器裝置和/或諸如閃存的非易失性存儲(chǔ)器裝置。例如，可以將閃存安裝到諸如移動(dòng)終端或臺(tái)式計(jì)算機(jī)的信息處理系統(tǒng)。閃存可以構(gòu)成固態(tài)盤(SSD)。在此示例中，電子系統(tǒng)1710可以將大量的數(shù)據(jù)穩(wěn)定地存儲(chǔ)在閃存系統(tǒng)中。

電子系統(tǒng)1710還可以包括被配置為向通信網(wǎng)絡(luò)發(fā)送數(shù)據(jù)并從通信網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)的接口1714。接口1714可以是有線類型或無線類型。例如，接口1714可以包括天線或者有線或無線收發(fā)器。

電子系統(tǒng)1710可以被實(shí)現(xiàn)為執(zhí)行各種功能的移動(dòng)系統(tǒng)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、工業(yè)計(jì)算機(jī)或邏輯系統(tǒng)。例如，移動(dòng)系統(tǒng)可以是以下各項(xiàng)中的任一項(xiàng)：個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、 便攜式計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、智能電話、無線電話、膝上型計(jì)算機(jī)、存儲(chǔ)卡、數(shù)字音樂系統(tǒng)以及信息發(fā)送/接收系統(tǒng)。

在電子系統(tǒng)1710是能夠執(zhí)行無線通信的設(shè)備的實(shí)施方式中，可以在諸如例如但不限于碼分多址(CDMA)、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、北美數(shù)字蜂窩(NADC)、增強(qiáng)時(shí)分多址(E-TDMA)、寬帶碼分多址(WCDMA)、CDMA2000、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)和無線寬帶互聯(lián)網(wǎng)(Wibro)的通信系統(tǒng)中使用該電子系統(tǒng)1710。

參照?qǐng)D22，可以按照存儲(chǔ)卡1800的形式來提供根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝。例如，存儲(chǔ)卡1800可以包括存儲(chǔ)器控制器1820以及諸如非易失性存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器1810。存儲(chǔ)器1810和存儲(chǔ)器控制器1820可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)或者讀取存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

存儲(chǔ)器1810可以包括適用于本公開的實(shí)施方式的封裝技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器裝置當(dāng)中的至少任一個(gè)。存儲(chǔ)器控制器1820可以控制存儲(chǔ)器1810，使得所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)被讀出或者數(shù)據(jù)響應(yīng)于來自主機(jī)1830的讀取/寫入請(qǐng)求而被存儲(chǔ)。

已經(jīng)出于例示性目的在上面公開了本公開的各種實(shí)施方式。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，在不脫離如所附權(quán)利要求所公開的本公開的范圍和精神的情況下，各種修改、添加和替換也是可能的。例如，可以將第一模制構(gòu)件和/或第二模制構(gòu)件形成為除平面形狀或矩形形狀以外的形狀，諸如圓柱形狀或正方形圓柱形狀等。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2015年5月29日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2015-0076392的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其全部?jī)?nèi)容并入本文。