技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括：

p型半導(dǎo)體襯底，包括：第一面、第二面及端面，且包括設(shè)置在所述第一面與所述端面的角部的n型區(qū)域；

氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一面上；以及

電極，設(shè)置在所述氮化物半導(dǎo)體層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述p型半導(dǎo)體襯底的寬度寬于所述氮化物半導(dǎo)體層的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：還包括設(shè)置在所述氮化物半導(dǎo)體層上的源極電極及柵極電極，且

所述電極為漏極電極，

所述氮化物半導(dǎo)體層包括：第一GaN系半導(dǎo)體膜；及第二GaN系半導(dǎo)體膜，設(shè)置在所述第一GaN系半導(dǎo)體膜上，帶隙能比所述第一GaN系半導(dǎo)體膜大。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述n型區(qū)域的n型雜質(zhì)濃度高于所述p型半導(dǎo)體襯底的p型雜質(zhì)濃度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述p型半導(dǎo)體襯底的p型雜質(zhì)濃度為1×10¹⁴cm^-3以上且5×10¹⁵cm^-3以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述氮化物半導(dǎo)體層的一部分設(shè)置在所述n型區(qū)域上。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括：第一配線，將所述源極電極與所述p型半導(dǎo)體襯底電連接；以及第二配線，將所述漏極電極與所述n型區(qū)域電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述p型半導(dǎo)體襯底為p型 硅襯底。