本發(fā)明涉及電感器技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種電感繞制方法及裝置。

背景技術(shù)：

電源轉(zhuǎn)換器的交錯(cuò)并聯(lián)是提高效率和功率密度的一種方法，同時(shí)可以抵消電流紋波，改善輸入或者輸出的特性，因此其廣泛用于功率因數(shù)校正電路、逆變電路和直流變換電路中。其兩相交錯(cuò)典型電路如圖1，每相電路中各有一個(gè)單獨(dú)的濾波電感，分別為l1，l2。交錯(cuò)并聯(lián)變換器中需要設(shè)計(jì)專(zhuān)門(mén)的控制環(huán)路來(lái)實(shí)現(xiàn)每相電感間的電流均流。

多態(tài)開(kāi)關(guān)電路是在交錯(cuò)并聯(lián)結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上發(fā)展來(lái)的一種新型電路，其典型三態(tài)開(kāi)關(guān)電路如圖2，其電路類(lèi)似于交錯(cuò)并聯(lián)結(jié)構(gòu)，但兩相共用一個(gè)耦合電感，耦合電感與輸入(或輸出)之間還有一個(gè)單獨(dú)的電感，即圖2中的電感l(wèi)。其中，耦合電感可以實(shí)現(xiàn)交錯(cuò)并聯(lián)電路之間的電流平均分配。

圖2中的三態(tài)開(kāi)關(guān)電路中，四個(gè)開(kāi)關(guān)管的不同導(dǎo)通組合共有三個(gè)等效的工作狀態(tài)，即一個(gè)上管和一個(gè)下管同時(shí)導(dǎo)通，兩個(gè)上管同時(shí)導(dǎo)通，以及兩個(gè)下管同時(shí)導(dǎo)通，這也是三態(tài)開(kāi)關(guān)命名的由來(lái)。相對(duì)于交錯(cuò)并聯(lián)結(jié)構(gòu)，由于自耦變壓器的存在，每相電路之間能夠?qū)崿F(xiàn)自動(dòng)均流，不需要均流控制，也減少了電流采樣電路；另外，濾波電感l(wèi)和耦合電感可以根據(jù)自身工況單獨(dú)進(jìn)行優(yōu)化，從而提高變換效率。而且根據(jù)功率要求，三態(tài)電路可以拓展至多態(tài)電路，如圖3即為典型的四態(tài)開(kāi)關(guān)電路。

為了進(jìn)一步提高功率密度，提高整機(jī)效率，可以將圖3中的電感l(wèi)以耦合電感l(wèi)coupling的漏感來(lái)替代，這樣可以省去一個(gè)電感元件，新的器件稱(chēng)之為“集成電感l(wèi)的耦合電感”，典型的集成電感l(wèi)的四態(tài)耦合電感的結(jié)構(gòu)剖面如圖4。該結(jié)構(gòu)為三相三柱磁芯，耦合電感的三個(gè)電感繞組：繞制a，繞制b及 繞制c分別繞制在三個(gè)磁柱上。

多態(tài)開(kāi)關(guān)電路中耦合電感的各個(gè)電感繞組中的電流波形都是工頻電流疊加高頻紋波電流，并且各個(gè)電感繞組中的工頻電流的大小和相位是相同的，所以各個(gè)電感在各自所在磁柱中產(chǎn)生的工頻磁通的大小和相位是相同的，如圖4磁柱中虛線(xiàn)所示的磁力線(xiàn)，三個(gè)電感產(chǎn)生的磁力線(xiàn)流經(jīng)其他磁柱后產(chǎn)生相互抵消效應(yīng)。理論上三個(gè)繞組的工頻磁通可以完全抵消，但由于三個(gè)鐵芯柱之間的磁路長(zhǎng)度不等，導(dǎo)致三個(gè)繞組中的工頻電流產(chǎn)生的磁通并不能實(shí)現(xiàn)完全抵消，相對(duì)于高頻電流，該磁通類(lèi)似于直流偏置，容易導(dǎo)致鐵芯進(jìn)入飽和。為防止飽和，鐵芯中需要增加較大的氣隙，從而導(dǎo)致電感損耗增加，不利于效率優(yōu)化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中三個(gè)繞組中的工頻電流產(chǎn)生的磁通并不能實(shí)現(xiàn)完全抵消，容易導(dǎo)致鐵芯進(jìn)入飽和，導(dǎo)致電感損耗增加，不利于效率優(yōu)化的缺陷，提供一種電感繞制方法及裝置。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：

構(gòu)造一種電感繞制方法，提供包括多根磁柱的磁芯及包括多個(gè)繞組的電感，該電感繞制方法包括步驟：

a、將所述電感的任一繞組的線(xiàn)圈匝數(shù)按照預(yù)設(shè)比例分為第一繞組及第二繞組；

b、將所述第一繞組繞制于所述多根磁柱的其中一根，并將所述第二繞組繞制于所述多個(gè)磁柱中異于所述第一繞組已繞制磁柱的一根；

c、循環(huán)步驟a及步驟b，直至所述電感的所有繞組繞制完畢。

在本發(fā)明所述的電感繞制方法中，所述步驟b中，同一磁柱上的兩個(gè)繞組產(chǎn)生的磁力線(xiàn)相反。

另一方面，提供一種電感繞制裝置，包括：

磁芯，所述磁芯包括多根磁柱；

電感，所述電感包括多個(gè)繞組；其中，所述電感的任一繞組的線(xiàn)圈匝數(shù)按照預(yù)設(shè)比例分為第一繞組及第二繞組，并將所述第一繞組繞制于所述多根磁柱 的其中一根，將所述第二繞組繞制于所述多個(gè)磁柱中異于所述第一繞組已繞制磁柱的一根。

在本發(fā)明所述的電感繞制裝置中，同一磁柱上的兩個(gè)繞組產(chǎn)生的磁力線(xiàn)相反。

在本發(fā)明所述的電感繞制裝置中，所述磁芯還包括：

上鐵軛及下鐵軛；其中，所述多根磁柱設(shè)置于所述上鐵軛及所述下鐵軛之間。

在本發(fā)明所述的電感繞制裝置中，所述磁芯還包括：

副磁芯，所述副磁芯分別連接于所述上鐵軛及所述下鐵軛。

在本發(fā)明所述的電感繞制裝置中，所述副磁芯包括與所述多根磁柱對(duì)應(yīng)的多根副子磁芯，所述多根副子磁芯分別連接于所述上鐵軛及所述下鐵軛的同一側(cè)。

在本發(fā)明所述的電感繞制裝置中，所述副磁芯包括多根副子磁芯，所述多根副子磁芯設(shè)置于所述上鐵軛及所述下鐵軛之間，其中，所述多根副子磁芯與所述多根磁柱交替排列。

在本發(fā)明所述的電感繞制裝置中，所述副磁芯包括兩根副子磁芯；

所述兩根副子磁芯分別連接于所述上鐵軛及所述下鐵軛的前側(cè)及后側(cè)；或者

所述兩根副子磁芯分別連接于所述上鐵軛及所述下鐵軛的左側(cè)及右側(cè)；或者

所述兩根副子磁芯分別設(shè)置于所述上鐵軛及所述下鐵軛之間。

在本發(fā)明所述的電感繞制裝置中，所述副磁芯為圓柱體，所述上鐵軛及所述下鐵軛分別為兩個(gè)圓柱體，所述副磁芯的底面直徑小于所述上鐵軛或所述下鐵軛的底面直徑；

所述副磁芯設(shè)置于所述上鐵軛及所述下鐵軛之間，其底面圓心分別與與所述上鐵軛或所述下鐵軛底面圓心重合。

上述公開(kāi)的一種電感繞制方法及裝置具有以下有益效果：采用交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)后的耦合電感，使磁力線(xiàn)在磁柱中的工頻磁通抵消，解決了鐵芯中磁通密度 高的問(wèn)題，同時(shí)滿(mǎn)足了有一定的漏感值，又提高了各耦合電感繞制之間的耦合系數(shù)，降低了工頻磁通密度。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的兩相交錯(cuò)電路圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)的三態(tài)開(kāi)關(guān)電路圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)的四態(tài)開(kāi)關(guān)電路圖；

圖4為現(xiàn)有技術(shù)的四態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感的四態(tài)耦合電感的繞制示意圖；

圖5為本發(fā)明提供的四態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感的四態(tài)耦合電感的繞制示意圖；

圖6為本發(fā)明提供的四態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感的四態(tài)耦合電感的接線(xiàn)圖；

圖7a為現(xiàn)有技術(shù)的電力變壓器的曲折型接線(xiàn)圖；

圖7b為現(xiàn)有技術(shù)的電力變壓器的電流相位示意圖；

圖8a為本發(fā)明提供的三態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感的四態(tài)耦合電感第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖；

圖8b為本發(fā)明提供的三態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感的四態(tài)耦合電感第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖；

圖9a為本發(fā)明提供的品字形三柱磁芯的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9b為本發(fā)明提供的品字形三柱磁芯的頂部透視圖；

圖10a為本發(fā)明提供的電感交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的接線(xiàn)示意圖；

圖10b為本發(fā)明提供的電感交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的接線(xiàn)示意圖；

圖10c為本發(fā)明提供的電感交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例的接線(xiàn)示意圖；

圖10d為本發(fā)明提供的電感交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)第四實(shí)施例的接線(xiàn)示意圖；

圖10e為本發(fā)明提供的電感交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)第五實(shí)施例的接線(xiàn)示意圖；

圖11a為本發(fā)明提供的電感繞制裝置第一實(shí)施例的立體圖；

圖11b為本發(fā)明提供的電感繞制裝置第一實(shí)施例的側(cè)視圖；

圖12為本發(fā)明提供的電感繞制裝置第二實(shí)施例的立體圖；

圖13為本發(fā)明提供的電感繞制裝置第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為本發(fā)明提供的電感繞制裝置第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15a為本發(fā)明提供的電感繞制裝置第五實(shí)施例的立體圖；

圖15b為本發(fā)明提供的電感繞制裝置第五實(shí)施例的頂部透視圖；

圖16為本發(fā)明提供的電感繞制裝置第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖17為本發(fā)明提供的電感繞制裝置第七實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖18為本發(fā)明提供的電感繞制裝置第八實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖19為本發(fā)明提供的整流器的電路圖；

圖20為本發(fā)明提供的逆變器的電路圖；

圖21為本發(fā)明提供的直流變換器的電路圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明提供一種電感繞制方法及裝置，其目的在于，解決圖4所示四態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感的四態(tài)耦合電感的工頻磁通導(dǎo)致的磁芯飽和問(wèn)題。本發(fā)明通過(guò)采用交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)后的耦合電感，使磁力線(xiàn)在磁柱中的工頻磁通抵消，解決了鐵芯中磁通密度高的問(wèn)題，同時(shí)滿(mǎn)足了有一定的漏感值，又提高了各耦合電感繞制之間的耦合系數(shù)，降低了工頻磁通密度。

特別說(shuō)明，本文所使用的術(shù)語(yǔ)“前”、“后”、“左”、“右”以及類(lèi)似的表述只是為了說(shuō)明的目的，并不特指固定方向。除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。

參見(jiàn)圖5，圖5為本發(fā)明提供的四態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感2的四態(tài)耦合電感2的繞制示意圖，該電感2包括3個(gè)繞組a、b、c，其中每個(gè)繞組由分為兩部分，如繞組a分為繞組a1及a2，繞組b分為繞組b1及b2，繞組c分 為繞組c1及c2。

該電感2的接線(xiàn)方式參見(jiàn)圖6，圖6為本發(fā)明提供的四態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感2的四態(tài)耦合電感2的接線(xiàn)圖，圖6中，繞組a1和繞組c2繞制在同一磁柱11上，若繞組a1從上往下順時(shí)針繞制，則繞組c2從上往下逆時(shí)針繞制；繞組b1和繞組a2、繞組c1和繞組b2也按照如此方式繞制。從而使同一磁柱11上的兩個(gè)繞組產(chǎn)生的磁力線(xiàn)相反。

一般地，在多態(tài)開(kāi)關(guān)電路的耦合電感2中，采用這種繞制結(jié)構(gòu)后，每個(gè)磁柱11上分別有兩個(gè)不同繞組的一半線(xiàn)圈匝數(shù)，如繞組a1和繞組c2。這兩套線(xiàn)圈中的工頻電流大小相等，相位相同，但因?yàn)槠渲杏幸粋€(gè)繞組的線(xiàn)圈是反向繞制，繞組a1和繞組c2在其所在的磁柱11中產(chǎn)生的工頻磁通方向相反，如圖5虛線(xiàn)所示的磁力線(xiàn)，理想情況下在該磁柱11中的工頻磁通都能抵消，解決了鐵芯中磁通密度高的問(wèn)題。同樣的條件下，現(xiàn)有技術(shù)中通常的繞制方式的電感2磁芯1磁通密度值為1.2t，而圖5中采用交錯(cuò)繞制方式電感2磁芯1中的磁通密度值0.35t。

下表中的數(shù)據(jù)也顯示了采用交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)后的耦合電感2，即滿(mǎn)足了有一定的漏感值，又提高了各耦合電感2繞制之間的耦合系數(shù)，降低了工頻磁通密度。

上表中，分開(kāi)繞制表示圖4所示的繞制方式，交錯(cuò)繞制表示圖5所示的繞制方式。

現(xiàn)有技術(shù)中，電力變壓器中也有類(lèi)似的交錯(cuò)繞組方式的應(yīng)用，稱(chēng)之為z連接或曲折形連接，如圖7a。曲折形連接的應(yīng)用場(chǎng)合是電力變壓器，其結(jié)構(gòu)中有副邊繞組，副邊繞組與原邊繞組是隔離的。而本發(fā)明用于耦合電感2，只有原邊部分，原邊是互相耦合的，沒(méi)有副邊繞組；現(xiàn)有技術(shù)的電力變壓器的連接方式中，三個(gè)原邊繞組中的三相工頻電流分別相差120度(參見(jiàn)圖7b)，而 本發(fā)明中用于多態(tài)開(kāi)關(guān)的耦合電感2的各個(gè)繞組中的工頻電流沒(méi)有相位差，即是同一個(gè)單相電流，而且還疊加了高頻紋波電流?，F(xiàn)有技術(shù)的電力變壓器采用曲折性連接方式的目的是減小零序阻抗來(lái)提高防雷性能和增強(qiáng)承受不平衡負(fù)載的能力，本發(fā)明中的耦合電感2采用交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)的目的是在滿(mǎn)足一定漏感值的前提下降低磁柱11中的磁通密度值。

綜上，本發(fā)明旨在提供一種電感2繞制方法及裝置，該電感2繞制裝置100包括：

磁芯1，所述磁芯1包括多根磁柱11；

電感2，所述電感2包括多個(gè)繞組；其中，所述電感2的任一繞組的線(xiàn)圈匝數(shù)按照預(yù)設(shè)比例分為第一繞組及第二繞組，并將所述第一繞組繞制于所述多根磁柱11的其中一根，將所述第二繞組繞制于所述多個(gè)磁柱11中異于所述第一繞組已繞制磁柱11的一根。

相應(yīng)地，該電感2繞制方法又稱(chēng)為交錯(cuò)繞組繞制方案，采用上述包括多根磁柱11的磁芯1及包括多個(gè)繞組的電感2，該電感2繞制方法包括步驟：

a、將所述電感2的任一繞組的線(xiàn)圈匝數(shù)按照預(yù)設(shè)比例分為第一繞組及第二繞組；

b、將所述第一繞組繞制于所述多根磁柱11的其中一根，并將所述第二繞組繞制于所述多個(gè)磁柱11中異于所述第一繞組已繞制磁柱11的一根；

c、循環(huán)步驟a及步驟b，直至所述電感2的所有繞組繞制完畢。

上述交錯(cuò)繞組繞制方案以四態(tài)開(kāi)關(guān)電路中的集成耦合電感2為例，但并不只限于四態(tài)開(kāi)關(guān)電路，如圖8a和圖8b所示的三態(tài)開(kāi)關(guān)及其他多態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感2的自耦合變壓器也適用。圖8a為本發(fā)明提供的三態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感2的四態(tài)耦合電感2第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖；圖8b為本發(fā)明提供的三態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感2的四態(tài)耦合電感2第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。

該電感2所繞制的磁芯1可以為三柱鐵芯，參見(jiàn)圖9a和圖9b，圖9a為本發(fā)明提供的品字形三柱磁芯1的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9b為本發(fā)明提供的品字形三柱磁芯1的頂部透視圖。三根磁柱11均勻分布于上部跟下部圓柱表面的圓周上。

上述多態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感2的耦合電感2的交錯(cuò)繞組繞制方案中，將所述第一繞組繞制于所述多根磁柱11的其中一根，并將所述第二繞組繞制于所述多個(gè)磁柱11中異于所述第一繞組已繞制磁柱11的一根，直至所述電感2的所有繞組繞制完畢。繞組繞制方向需滿(mǎn)足同一磁柱11上的不同繞組產(chǎn)生的磁力線(xiàn)是相反的，滿(mǎn)足該要求的接線(xiàn)方式示例如圖10a-圖10e。在這些方案基礎(chǔ)上修改的用于多態(tài)開(kāi)關(guān)電路的耦合電感2接線(xiàn)方式都視為類(lèi)似的。

其中，圖10a為本發(fā)明提供的電感2交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的接線(xiàn)示意圖；繞組a1和繞組c2繞制在同一磁柱11上，若繞組a1從上往下順時(shí)針繞制，則繞組c2從上往下逆時(shí)針繞制；繞組b1和繞組a2、繞組c1和繞組b2也按照如此方式繞制。

圖10b為本發(fā)明提供的電感2交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的接線(xiàn)示意圖；繞組a1和繞組b2繞制在同一磁柱11上，若繞組a1從上往下順時(shí)針繞制，則繞組b2從上往下逆時(shí)針繞制；繞組b1和繞組c2、繞組c1和繞組a2也按照如此方式繞制。

圖10c為本發(fā)明提供的電感2交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例的接線(xiàn)示意圖；繞組a1和繞組c2繞制在同一磁柱11上，若繞組a1從上往下順時(shí)針繞制，則繞組c2從下往上順時(shí)針繞制；繞組b1和繞組a2、繞組c1和繞組b2也按照如此方式繞制。

圖10d為本發(fā)明提供的電感2交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)第四實(shí)施例的接線(xiàn)示意圖；繞組a1和繞組c2繞制在同一磁柱11上，若繞組a1從下往上逆時(shí)針繞制，則繞組c2從上往下逆時(shí)針繞制；繞組b1和繞組a2、繞組c1和繞組b2也按照如此方式繞制。

圖10e為本發(fā)明提供的電感2交錯(cuò)繞制結(jié)構(gòu)第五實(shí)施例的接線(xiàn)示意圖；繞組a1和繞組c2繞制在同一磁柱11上，若繞組a1從下往上逆時(shí)針繞制，則繞組c2從下往上順時(shí)針繞制；繞組b1和繞組a2、繞組c1和繞組b2也按照如此方式繞制。

上述多態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感2的耦合電感2的交錯(cuò)繞組繞制方案以三柱鐵芯為例，但磁柱11數(shù)并不只限于三個(gè)，磁柱11數(shù)大于等于二的磁芯1用于 多態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感2時(shí)都適用這種繞制方式。其次，上述多態(tài)開(kāi)關(guān)電路中集成電感2的耦合電感2的交錯(cuò)繞組繞制方案中，每個(gè)磁柱11上不同電感2繞組的匝數(shù)可以相等，也可以根據(jù)要求的漏感大小和磁柱11的具體磁密情況，每個(gè)磁柱11上不同電感2繞組的匝數(shù)設(shè)置為不相等。

該交錯(cuò)繞組繞制方案的所有繞組都繞制于磁柱11上，也可以在每個(gè)電感2線(xiàn)包或某個(gè)單個(gè)線(xiàn)包的前、后、左、右，或兩個(gè)線(xiàn)包之間增加一個(gè)或多個(gè)副鐵芯，以調(diào)節(jié)漏感大小，副鐵芯的數(shù)量可以與主鐵芯的磁柱11數(shù)量相同，也可以不同。副鐵芯的材料可以與主鐵芯相同，也可以不同。主鐵芯與副鐵芯之間可以通過(guò)磁芯1材料相連，主鐵芯與副鐵芯之間也可以有氣隙。

參見(jiàn)圖11a和圖11b，圖11a為本發(fā)明提供的電感2繞制裝置100第一實(shí)施例的立體圖；圖11b為本發(fā)明提供的電感2繞制裝置100第一實(shí)施例的側(cè)視圖。圖中具有上鐵軛3及下鐵軛4，其中三根磁柱11均勻排列于上鐵軛3及下鐵軛4之間，增設(shè)的副磁芯51設(shè)置于上鐵軛3及下鐵軛4同側(cè)的中間。電感2于圖11a和圖11b均未示出，電感2按照?qǐng)D10a-圖10e任一方式繞制即可，以下圖12-18也未示出電感2，以下不再贅述。

參見(jiàn)圖12，圖12為本發(fā)明提供的電感2繞制裝置100第二實(shí)施例的立體圖。該實(shí)施例不同于圖11a及圖11b所示實(shí)施例之處在于，增設(shè)的副磁芯51為三根，分別與三根磁柱11對(duì)應(yīng)設(shè)置于上鐵軛3及下鐵軛4同側(cè)。

參見(jiàn)圖13，圖13為本發(fā)明提供的電感2繞制裝置100第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該實(shí)施例不同于圖11a及圖11b所示實(shí)施例之處在于，該副磁芯51為板狀，可覆蓋上鐵軛3及下鐵軛4的同一側(cè)的側(cè)面。

參見(jiàn)圖14，圖14為本發(fā)明提供的電感2繞制裝置100第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該實(shí)施例不同于圖14所示實(shí)施例之處在于，具有兩塊板狀副磁芯51，分別設(shè)置于三根磁柱11的兩側(cè)，即前側(cè)及后側(cè)。

參見(jiàn)圖15a和15b，圖15為本發(fā)明提供的電感2繞制裝置100第五實(shí)施例的立體圖；圖15b為本發(fā)明提供的電感2繞制裝置100第五實(shí)施例的頂部透視圖。該實(shí)施例的上鐵軛3及下鐵軛4為形狀一致的圓柱體，三根磁柱11均勻分布于上部跟下部圓柱表面的圓周上。所述副磁芯51也為圓柱體，但副磁 芯51的底面直徑小于所述上鐵軛3或所述下鐵軛4的底面直徑；所述副磁芯51設(shè)置于所述上鐵軛3及所述下鐵軛4之間，其底面圓心分別與與所述上鐵軛3或所述下鐵軛4底面圓心重合。

參見(jiàn)圖16，圖16為本發(fā)明提供的電感2繞制裝置100第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該實(shí)施例不同于圖11a及圖11b所示實(shí)施例之處在于，副磁芯51具有兩根副子磁芯1，所述兩根副子磁芯1分別連接于所述上鐵軛3及所述下鐵軛4的左側(cè)及右側(cè)。

參見(jiàn)圖17，圖17為本發(fā)明提供的電感2繞制裝置100第七實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖該實(shí)施例不同于圖11a及圖11b所示實(shí)施例之處在于，副磁芯51具有兩根副子磁芯1，所述兩根副子磁芯1分別設(shè)置于所述上鐵軛3及所述下鐵軛4之間且該兩根副子磁芯1與三根磁柱11交替排列。

參見(jiàn)圖18，圖18為本發(fā)明提供的電感2繞制裝置100第八實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該實(shí)施例不同于圖11a及圖11b所示實(shí)施例之處在于，副磁芯51具有兩根副子磁芯1，所述兩根副子磁芯1設(shè)置于所述上鐵軛3及所述下鐵軛4之間且分別相對(duì)于三根磁柱11的左側(cè)及右側(cè)。

參見(jiàn)圖19-21，圖19為本發(fā)明提供的整流器的電路圖；圖20為本發(fā)明提供的逆變器的電路圖；圖21為本發(fā)明提供的直流變換器的電路圖。該多態(tài)開(kāi)關(guān)交錯(cuò)繞組繞制方案可以用于整流拓?fù)洹⒛孀兺負(fù)浜椭绷髯儞Q器中，可以是兩電平、三電平及更高電平結(jié)構(gòu)。

上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實(shí)施方式，上述的具體實(shí)施方式僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。