本發(fā)明涉及線圈天線技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種無(wú)線充電線圈技術(shù)。

背景技術(shù)：

目前，在電子設(shè)備中，部分電子設(shè)備支持近距離無(wú)線通信技術(shù)(nearfieldcommunication，簡(jiǎn)稱nfc)、以及無(wú)線充電，其中，無(wú)線充電標(biāo)準(zhǔn)有qi標(biāo)準(zhǔn)、powermattersalliance(pma)標(biāo)準(zhǔn)，qi標(biāo)準(zhǔn)是由無(wú)線充電聯(lián)盟(wirelesspowerconsortium，簡(jiǎn)稱wpc)推出的“無(wú)線充電”標(biāo)準(zhǔn)，其使用的無(wú)線充電線圈簡(jiǎn)稱為wpc線圈，powermattersalliance(pma)標(biāo)準(zhǔn)使用的無(wú)線充電線圈簡(jiǎn)稱為pma線圈，nfc所使用的線圈簡(jiǎn)稱為nfc線圈。現(xiàn)有技術(shù)是利用雙面銅板蝕刻工藝制作成nfc線圈、wpc線圈或者pma線圈，在雙面銅板正面線圈走線結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，包含連接盤(pán)101，線圈102，銅板正面103，雙面銅板背面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，包含跳線201，銅板背面202。

現(xiàn)有技術(shù)在制作nfc線圈、wpc線圈或者pma線圈時(shí)，存在以下問(wèn)題：

1、雙面銅板背面的銅層基本上全部被蝕刻掉，只存在跳線，材料利用率較低，造成了材料的浪費(fèi)。

2、由于只有正面有線圈走線，而線圈電阻與線圈的厚度(橫截面積)成反比，為了盡可能減小線圈電阻，一般采取的措施為正面銅板采用加厚設(shè)計(jì)，以增加正面線圈的厚度，由于線圈的厚度受銅板厚度的限制，所以整體上電阻還是偏大，不利于nfc近距離無(wú)線通信效率、或者無(wú)線充電的充電效率。此外，由于增加了正面銅板的厚度，也造成了無(wú)線充電線圈整體厚度的 增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種無(wú)線充電線圈及其制作方法，充分的利用了雙面銅板材料的背面銅板，因此無(wú)需增加正面銅板厚度，降低了無(wú)線充電線圈的整體厚度，此外，在不增加線圈長(zhǎng)度的情況下，增大了有效線圈的橫截面積，減小了線圈電阻，降低了無(wú)線充電線圈的阻抗。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施方式提供了一種無(wú)線充電線圈，包含：雙面銅板、設(shè)置在雙面銅板的第一銅板面上的第一線圈、設(shè)置在雙面銅板的第二銅板面上的第二線圈、和設(shè)置在雙面銅板上的至少一個(gè)通孔；其中，通孔中設(shè)有導(dǎo)電體，第一線圈與第二線圈通過(guò)導(dǎo)電體互連導(dǎo)通。

本發(fā)明的實(shí)施方式還提供了一種無(wú)線充電線圈的制作方法，包含以下步驟：提供一雙面銅板；在雙面銅板的第一銅板面上制作出第一線圈，在雙面銅板的第二銅板面上制作出第二線圈，并在雙面銅板上生成至少一個(gè)通孔；通孔中設(shè)有導(dǎo)電體，第一線圈通過(guò)導(dǎo)電體與第二線圈互連導(dǎo)通。

本發(fā)明實(shí)施方式相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，在雙面銅板第一銅板面及第二銅板面上分別制作有第一線圈和第二線圈，兩線圈通過(guò)通孔中導(dǎo)電體互連導(dǎo)通，充分的利用了雙面銅板的第二銅板面，即充分利用了銅板背面材料，因此無(wú)需增加正面銅板厚度，降低了無(wú)線充電線圈的整體厚度，此外，在不增加線圈長(zhǎng)度的情況下，增加了線圈的厚度，也即是增大了有效線圈的橫截面積，降低了線圈的電阻，當(dāng)無(wú)線充電線圈用作wpc線圈或者pma線圈進(jìn)行無(wú)線充電時(shí)，提高了無(wú)線充電的效率；或者當(dāng)該無(wú)線充電線圈用作為nfc線圈時(shí)，提高了nfc近距離無(wú)線通信的無(wú)線通信效率。

作為進(jìn)一步改進(jìn)，第二銅板面上還設(shè)有跳線區(qū)域，跳線區(qū)域用于隔絕第二線圈與位于第二銅板面上的跳線之間的導(dǎo)通。設(shè)置跳線區(qū)域可以保證第二 線圈的正常工作，防止出現(xiàn)短路。

作為進(jìn)一步改進(jìn)，第一線圈中的各圈走線與第二線圈中的各圈走線一一對(duì)應(yīng)；通孔的數(shù)量大于或等于第一線圈的走線圈數(shù)；其中，每圈走線上分別設(shè)有至少一個(gè)通孔；第一線圈的各圈走線分別通過(guò)位于本圈走線上的通孔，與第二線圈的相應(yīng)走線互連導(dǎo)通。使得第一線圈與第二線圈通過(guò)相對(duì)應(yīng)的通孔導(dǎo)通，在不增加線圈長(zhǎng)度的情況下，增加線圈的厚度，增大了線圈的橫截面積，減小線圈的電阻，降低線圈的阻抗。

作為進(jìn)一步改進(jìn)，所述每圈走線上設(shè)有的所述通孔的個(gè)數(shù)小于或等于2個(gè)。使得無(wú)線充電線圈的制作工藝復(fù)雜程度與低阻抗效果之間達(dá)到較好的平衡。

作為進(jìn)一步改進(jìn)，第一線圈中的各圈走線之間設(shè)有預(yù)設(shè)間隔距離。通過(guò)預(yù)設(shè)間隔距離減小各圈走線之間的相互干擾。

作為進(jìn)一步改進(jìn)，第一銅板面上設(shè)置有一組連接盤(pán)，第一線圈的第一端口連接至連接盤(pán)，第一線圈的第二端口通過(guò)通孔連接至第二銅板面上的跳線，并通過(guò)跳線連接至連接盤(pán)。無(wú)線充電線圈通過(guò)連接盤(pán)可以與電子設(shè)備中的電路進(jìn)行連接。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的線圈正面走線示意圖；

圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的線圈背面走線示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的無(wú)線充電線圈的第一線圈的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的無(wú)線充電線圈的第二線圈的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的無(wú)線充電線圈的制作方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的闡述。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在本發(fā)明各實(shí)施方式中，為了使讀者更好地理解本申請(qǐng)而提出了許多技術(shù)細(xì)節(jié)。但是，即使沒(méi)有這些技術(shù)細(xì)節(jié)和基于以下各實(shí)施方式的種種變化和修改，也可以實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)各權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案。

本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及一種無(wú)線充電線圈，包含：雙面銅板、設(shè)置在雙面銅板的第一銅板面上的第一線圈、設(shè)置在雙面銅板的第二銅板面上的第二線圈、和設(shè)置在雙面銅板上的至少一個(gè)通孔；其中，通孔中設(shè)有導(dǎo)電體，第一線圈與第二線圈通過(guò)所述導(dǎo)電體互連導(dǎo)通。

無(wú)線充電線圈的第一線圈的結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示，第一線圈303位于第一銅板面302上，在第一線圈303各圈走線之間設(shè)有預(yù)設(shè)間隔距離，以保證各圈走線之間互不干擾，在各圈走線上設(shè)置有通孔304，通孔304的數(shù)量大于等于第一線圈303的走線圈數(shù)。為了方便線圈與電子設(shè)備中的電路連接，在第一銅板面302上端還設(shè)置有一組連接盤(pán)301。

無(wú)線充電線圈還包含第二線圈，第二線圈的結(jié)構(gòu)示意圖如圖4所述，第二線圈403位于第二銅板面402上，在第二銅板面402的跳線區(qū)域404中還設(shè)置有跳線401，跳線區(qū)域404使得第二線圈403各線圈走線之間互相之間不導(dǎo)通，各圈走線之間呈相互獨(dú)立關(guān)系，跳線區(qū)域404還用于隔絕第二線圈403與位于第二銅板面402上的跳線401之間的導(dǎo)通，防止第二線圈403與跳線401之間出現(xiàn)短路。

第一線圈303中的各圈走線與第二線圈403中的各圈走線一一對(duì)應(yīng)，各圈走線可以呈螺旋形布置，在第一線圈303每圈走線上分別設(shè)置的至少一個(gè) 通孔304，第一線圈303的各圈走線分別通過(guò)位于本線圈走線上的通孔中的導(dǎo)電體與第二線圈403的相對(duì)應(yīng)走線互連導(dǎo)通，其中，導(dǎo)電體可以為銅、鎳等。第一線圈303與第二線圈403導(dǎo)通之后，相當(dāng)于在不增加線圈長(zhǎng)度的情況下，增大了線圈的厚度，也即是增大了線圈的橫截面積，從而可以降低線圈的電阻，減小了無(wú)線充電線圈的阻抗，線圈電阻的計(jì)算公式如下：

其中，r為電阻，ρ為電阻率，l為線圈長(zhǎng)度，s為線圈橫截面接。

第一線圈303的兩端分別連接至連接盤(pán)301上，具體的說(shuō)，第一線圈303第一端口連接至連接盤(pán)，第一線圈303的第二端口通過(guò)通孔304連接至第二銅板面402上的跳線401，并通過(guò)跳線401連接至連接盤(pán)301。

無(wú)線充電線圈通過(guò)連接盤(pán)301連接至電子設(shè)備上，進(jìn)行nfc通信，或者無(wú)線充電。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施方式中所提到的無(wú)線充電線圈，既可以作為wpc線圈或者pma線圈進(jìn)行無(wú)線充電，又可以作為nfc線圈，進(jìn)行近距離無(wú)線通信。

不難發(fā)現(xiàn)，通過(guò)本實(shí)施方式，在雙面銅板第一銅板面及第二銅板面上分別制作有第一線圈和第二線圈，兩線圈通過(guò)通孔中導(dǎo)電體互連導(dǎo)通，充分的利用了雙面銅板背面材料，即充分利用了第二銅板面材料，因此無(wú)需增加正面銅板厚度，降低了無(wú)線充電線圈的整體厚度，此外，在不增加線圈長(zhǎng)度的情況下，增加了線圈的厚度，也即是增大了有效線圈的橫截面積，降低了線圈的電阻，當(dāng)無(wú)線充電線圈用作wpc線圈或者pma線圈進(jìn)行無(wú)線充電時(shí)，提高了無(wú)線充電的效率；或者當(dāng)該無(wú)線充電線圈用作為nfc線圈時(shí)，提高了nfc近距離無(wú)線通信的無(wú)線通信效率。

本發(fā)明第二實(shí)施方式涉及一種無(wú)線充電線圈，第二實(shí)施方式在第一實(shí)施 方式的基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn)，主要改進(jìn)之處在于，每圈走線上的通孔數(shù)量小于等于2個(gè)。可以保證無(wú)線充電線圈的制作工藝復(fù)雜度與低阻抗效果之間達(dá)到較好的平衡。

具體的說(shuō)，每圈走線上通孔的數(shù)量為2個(gè)，通孔分別位于第二線圈各圈走線的兩端。通孔數(shù)量越多，無(wú)線充電線圈的阻抗越小，但是無(wú)線充電線圈的制作工藝越復(fù)雜，成本越高，通孔的數(shù)量取為2個(gè)，可以在保證第一線圈與第二線圈的導(dǎo)通的前提下，使得無(wú)線充電線圈的低阻抗效果與通孔的制作工藝復(fù)雜度達(dá)到較好的平衡。

本發(fā)明第三實(shí)施方式涉及一種無(wú)線充電線圈的制作方法，其流程如圖5所示，具體步驟如下：

步驟501，提供一雙面銅板。

步驟502，在第一銅板面上制作出第一線圈，在第二銅板面上制作出第二線圈。

具體的說(shuō)，可以通過(guò)蝕刻工藝在雙面銅板的第一銅板面上蝕刻出第一線圈，第一線圈各圈走線之間設(shè)有預(yù)設(shè)間隔距離，設(shè)置預(yù)設(shè)間隔距離可以減小各圈走線之間的互相干擾，線圈可以為螺旋狀布置。同樣原理，通過(guò)蝕刻工藝在雙面銅板的第二銅板面上蝕刻出第二線圈，且第二線圈中的各圈走線與第一線圈中的各圈走線一一對(duì)應(yīng)。

步驟503，在第二銅板面上制作跳線區(qū)域?？梢酝ㄟ^(guò)蝕刻工藝蝕將跳線區(qū)域所在位置上的銅蝕刻掉，從而得到跳線區(qū)域，跳線區(qū)域用于隔絕第二線圈與位于第二銅板面上的跳線之間的導(dǎo)通，如圖4所示，第二線圈各圈走線在該跳線區(qū)域內(nèi)均中斷，該跳線區(qū)域內(nèi)只設(shè)置有一跳線。

步驟504，在雙面銅板上生成至少一個(gè)通孔。在第一線圈每圈走線上分別設(shè)有至少一個(gè)通孔，在通孔中設(shè)有導(dǎo)電體，第一線圈的各圈走線分別通過(guò)位于本圈走線上的通孔，與第二線圈的相應(yīng)走線互連導(dǎo)通。通孔的數(shù)量大于 或等于第一線圈的走線圈數(shù)，在本實(shí)施方式中，在保證第一線圈與第二線圈能中各對(duì)應(yīng)走線互連導(dǎo)通的情況下，降低通孔設(shè)置的制作工序，各圈走線上設(shè)的通孔數(shù)量小于等于2個(gè)，在制作過(guò)程中，可以設(shè)置2個(gè)，2各通孔分別位于第二線圈各圈走線的兩端所在的銅面位置。

此外，在第二銅板面上還設(shè)置有一組連接盤(pán)，方便線圈與電子設(shè)備中的電路連接，在第一線圈中包含有第一端口和第二端口，第一端口直接連接至連接盤(pán)，第二端口通過(guò)通孔連接至第二銅板面上的跳線一端，在跳線另一端所在雙面銅板位置處也設(shè)有通孔，跳線另一端通過(guò)此處的通孔連接至位于第一銅面上的連接盤(pán)。通過(guò)無(wú)線充電線圈通過(guò)該連接盤(pán)連接至電子設(shè)備中的電路中，進(jìn)行工作。

通過(guò)本實(shí)施方式制作出的無(wú)線充電線圈，充分的利用了雙面銅板，避免了材料浪費(fèi)，尤其是充分的利用了第二銅板面，在第二銅板面上制作出的第二線圈，通過(guò)通孔導(dǎo)通第一線圈和第二線圈，因此無(wú)需增加正面銅板的厚度，即可增加無(wú)線充電線圈的厚度，即在不增加線圈有效長(zhǎng)度和雙面銅板厚度的情況下，增大了線圈的橫截面積，從而達(dá)到減小線圈電阻，降低阻抗，提高無(wú)線充電線圈無(wú)線充電的效率或者線圈作為nfc線圈使用時(shí)進(jìn)行近距離通信的通信效率。

不難發(fā)現(xiàn)，本實(shí)施方式為與第二實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的方法實(shí)施例，本實(shí)施方式可與第二實(shí)施方式互相配合實(shí)施。第二實(shí)施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)在本實(shí)施方式中依然有效，為了減少重復(fù)，這里不再贅述。相應(yīng)地，本實(shí)施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)也可應(yīng)用在第一實(shí)施方式中。

上面各種方法的步驟劃分，只是為了描述清楚，實(shí)現(xiàn)時(shí)可以合并為一個(gè)步驟或者對(duì)某些步驟進(jìn)行拆分，分解為多個(gè)步驟，只要包含相同的邏輯關(guān)系，都在本專利的保護(hù)范圍內(nèi)。

本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，上述各實(shí)施方式是實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的具體 實(shí)施例，而在實(shí)際應(yīng)用中，可以在形式上和細(xì)節(jié)上對(duì)其作各種改變，而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。