技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。制作方法包括以下步驟。提供封裝基材。封裝基材包括介電層、第一金屬層以及第二金屬層。形成貫穿介電層的導(dǎo)電通孔。圖案化第一金屬層與第二金屬層，以分別形成第一線路層與第二線路層。第二線路層在介電層上定義出芯片容置區(qū)。使第一封裝膠體填充于第一線路層的多個線路之間，以形成預(yù)鑄模導(dǎo)線層。移除部分介電層，以形成多個開口。這些開口位于芯片容置區(qū)內(nèi)且暴露出部分預(yù)鑄模導(dǎo)線層。配置芯片于芯片容置區(qū)內(nèi)，并使芯片通過這些開口電性連接于預(yù)鑄模導(dǎo)線層。使第二封裝膠體包覆芯片。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)整體厚度較薄，且具有良好的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

技術(shù)研發(fā)人員：陳憲章
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南茂科技股份有限公司
文檔號碼：201610104588
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.25
技術(shù)公布日：2017.06.16