本申請參考2015年12月8日遞交的第10-2015-0174092號韓國專利申請、主張該韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)并主張該韓國專利申請的權(quán)益，該韓國專利申請的內(nèi)容在此以全文引入的方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的某些實施例涉及一種用于制造半導(dǎo)體封裝的方法以及一種使用所述方法制造的半導(dǎo)體封裝。
背景技術(shù)：
：：近來，例如蜂窩式電話或智能電話等移動通信終端，或例如平板電腦、MP3播放器或數(shù)碼相機等小型電子裝置傾向于變得尺寸越來越小且重量越來越輕。根據(jù)這種趨勢，構(gòu)成小型電子裝置的半導(dǎo)體封裝正變得越來越小且越來越輕。具體而言，需要的是能夠容納盡可能多的I/O襯墊同時維持引線框的優(yōu)良熱/電特性且能夠改進(jìn)價格競爭力同時維持PCB層合物的扇入和扇出設(shè)計靈活性的半導(dǎo)體封裝。根據(jù)此類市場需求，研發(fā)出組合類型的可布設(shè)模制型引線框(routablemoldedleadframe，RtMLF)封裝，其具有引線框和PCB層合物這兩者的優(yōu)勢。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的實施例提供用于制造半導(dǎo)體封裝的方法以及使用該方法制造的半導(dǎo)體封裝，其可以是半導(dǎo)體封裝的制造過程的簡化并且可以通過防止在研磨過程期間出現(xiàn)彎曲而改進(jìn)產(chǎn)品可靠性。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于制造半導(dǎo)體封裝的方法，該方法包括：在載體上形成框；在框上形成第一圖案層；使用第一囊封物第一囊封框和第一圖案層；形成電連接到第一圖案層同時穿過第一囊封物的傳導(dǎo)通路；形成電連接到第一囊封物上的傳導(dǎo)通路的第二圖案層；形成第一焊接掩模，該第一焊接掩模形成于第一囊封物上并且向外暴露第二圖案層的一部分；通過刻蝕過程移除框并且蝕刻第一圖案層的一部分；以及將半導(dǎo)體裸片附接到第一圖案層。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供半導(dǎo)體封裝，其包括：襯底，該襯底包括：第一囊封物；第一圖案層，其形成于第一囊封物上；第二圖案層，其形成于第一囊封物下面；以及傳導(dǎo)通路，其將第一圖案層電連接到第二圖案層；半導(dǎo)體裸片，其安裝在襯底上且電連接到第一圖案層；以及第一焊接掩模，其形成于襯底下面并且向外暴露第二圖案層的一部分。如上文所述，在用于制造半導(dǎo)體封裝的方法中，可以形成半導(dǎo)體裸片可以安裝在上面的引線框而無需單獨的研磨過程，方法是在框上形成第一圖案層和第一囊封、形成穿過第一囊封的傳導(dǎo)通路且形成電連接到傳導(dǎo)通路的第二圖案層。相應(yīng)地，制造過程可以得到簡化并且可以防止由研磨過程引起的彎曲由此改進(jìn)產(chǎn)品的可靠性。附圖說明圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的流程圖；圖2A到2J是說明圖1中說明的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的截面圖；圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的流程圖；以及圖4A到4C是說明圖3中說明的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的截面圖。具體實施方式現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的示例性實施例，所述示例性實施例的實例在附圖中說明。本發(fā)明的各種方面可以許多不同形式實施且不應(yīng)理解為受限于在本文中所闡述的實例實施例。實際上，提供本發(fā)明的這些實例實施例是為了使本發(fā)明將為充分且完整的，并且將向所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的各種方面。在圖式中，為了清楚起見而放大了層和區(qū)域的厚度。此處，類似參考標(biāo)號通篇指代類似元件。如本文中所使用，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的所列項目中的一個或多個的任何和所有組合。另外，還將理解當(dāng)元件A被稱作“連接到”元件B時，元件A可以直接連接到元件B或者可以存在插入元件C并且元件A和元件B間接連接到彼此。本文中所使用的術(shù)語僅出于描述特定實施例的目的，且并不意圖限制本發(fā)明。如本文中所使用，除非上下文另外明確指示，否則單數(shù)形式也意圖包含復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解，術(shù)語“包括”當(dāng)在本說明書中使用時，表示所陳述特征、數(shù)目、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除一個或多個其它特征、數(shù)目、步驟、操作、元件、組件和/或其群組的存在或添加。應(yīng)理解，雖然術(shù)語第一、第二等可以在本文中用于描述各種部件、元件、區(qū)域、層和/或區(qū)段，但是這些部件、元件、區(qū)域、層和/或區(qū)段不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個部件、元件、區(qū)域、層和/或區(qū)段與另一部件、元件、區(qū)域、層和/或區(qū)段。因此，舉例來說，下文論述的第一部件、第一元件、第一區(qū)域、第一層和/或第一區(qū)段可能被稱為第二部件、第二元件、第二區(qū)域、第二層和/或第二區(qū)段而不脫離本發(fā)明的教示。在本文中為了易于描述可以使用空間相對術(shù)語，例如“以下”、“在下方”、“下部”、“在上方”、“上部”等等以描述一個元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系，如圖中所說明。應(yīng)理解，空間相對術(shù)語意圖涵蓋裝置在使用或操作中除圖中描繪的定向外的不同定向。舉例來說，如果圖中的裝置倒過來，那么描述為“在”其它元件或特征“下方”或“在”其它元件或特征“下面”的元件的定向則將變成“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語“在下方”可涵蓋在上方及在下方兩種定向。圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的流程圖并且圖2A到2J是說明圖1中說明的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的截面圖。參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法包括：形成框(S1)；形成第一圖案層(S2)；第一囊封(S3)；形成傳導(dǎo)通路(S4)；形成第二圖案層(S5)；形成焊接掩模(S6)；蝕刻(S7)以及附接半導(dǎo)體裸片(S8)。現(xiàn)在將參考圖2A到2J描述圖1中說明的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的各個步驟。在框的形成(S1)中，如圖2A中所說明，框110形成于載體10上?？?10可以由例如銅(Cu)等金屬制成。另外，載體10可以由硅(Si)、玻璃、金屬或其等效物制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。另外，框110可以通過在載體10上形成晶種層隨后通過鍍覆或使用粘合部件附接而形成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。在第一圖案層的形成(S2)中，如圖2B中所說明，第一圖案層120形成于框110上。第一圖案層120可以使用無電極鍍覆、電鍍和/或濺鍍由選自由銅、鋁、金、銀、鈀和其等效物組成的群組中的一個制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。舉例來說，第一圖案層120可以由與框110相同的材料制成，例如，銅(Cu)。另外，第一圖案層120的圖案化或布設(shè)可以使用光阻劑通過光刻蝕刻過程執(zhí)行，但本發(fā)明的各方面并不限于此。在第一囊封(S3)中，如圖2C中所說明，框110和第一圖案層120的頂部部分是使用第一囊封物130囊封的。第一囊封物130完全囊封框110和第一圖案層120以保護(hù)框110和第一圖案層120免受外部沖擊和氧化。第一囊封物130可以由選自由一般熱可固化環(huán)氧樹脂模塑料、用于分配的室溫可固化軟膠頂部(gloptop)及其等效物組成的群組中的一個制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。在傳導(dǎo)通路的形成(S4)中，如圖2D中所說明，傳導(dǎo)通路140形成通過第一囊封物130。傳導(dǎo)通路140形成于第一圖案層120上。也就是說，在傳導(dǎo)通路的形成(S4)中，穿過第一圖案層120的頂部部分的傳導(dǎo)通路140由第一囊封物130的頂部部分形成。詳細(xì)地說，傳導(dǎo)通路140可以通過制造過程通過形成穿過第一囊封物130的通孔形成，該制造過程例如，激光鉆孔、貫穿通孔的內(nèi)壁鍍覆具有優(yōu)良電和熱導(dǎo)率的導(dǎo)熱金屬，例如，銅或鋁，并且用例如金屬漿料等傳導(dǎo)材料填充或鍍覆通孔。舉例來說，傳導(dǎo)通路140可以由與框110和第一圖案層120相同的材料制成，例如，銅(Cu)，但本發(fā)明的各方面并不限于此。在第二圖案層的形成(S5)中，如圖2E中所說明，電連接到傳導(dǎo)通路140的第二圖案層150形成于第一囊封物130上。第二圖案層150形成為從傳導(dǎo)通路140的頂部部分到第一囊封物130的頂部部分向上延伸。第二圖案層150可以使用無電極鍍覆、電鍍和/或濺鍍由選自由銅、鋁、金、銀、鈀和其等效物組成的群組中的一個制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。舉例來說，第二圖案層150可以由與傳導(dǎo)通路140相同的材料制成，例如，銅(Cu)。另外，第二圖案層150的圖案化或布設(shè)可以使用光阻劑通過光刻刻蝕過程執(zhí)行，但本發(fā)明的各方面并不限于此。此外，在傳導(dǎo)通路的形成(S4)中當(dāng)傳導(dǎo)通路140形成于通孔中時第二圖案層150可以與傳導(dǎo)通路140一起形成。在焊接掩模的形成(S6)中，如圖2F中所說明，第二圖案層150的一部分由焊接掩模160覆蓋。換句話說，焊接掩模160可以形成于第一囊封物130上并且可通過移除焊接掩模160的一部分暴露第二圖案層150。焊接掩模160可以液體類型或膜類型形成。另外，焊接掩模160可以包括醇酸樹脂、丙烯酸酯環(huán)氧樹脂、甲基丙烯酸脂環(huán)氧樹脂和UV固化樹脂，但本發(fā)明的各方面并不限于此。在蝕刻(S7)中，載體10和框110被移除并且第一圖案層120的一部分被蝕刻。首先，如圖2G中所說明，在蝕刻(S7)中，載體10和框110通過一般干式蝕刻或濕式蝕刻被移除。此處，通過移除插入在框110與載體10之間的粘合部件載體10可以與框110分離以隨后被移除。相應(yīng)地，第一圖案層120暴露于外部。接下來，如圖2H中所說明，第一圖案層120的部分被蝕刻并且下方第一圖案層120的位置可以發(fā)生改變。相應(yīng)地，蝕刻過的第一圖案層120'的頂部表面可以定位成低于第一囊封物130。在整個上述制造過程中，可以形成半導(dǎo)體裸片可以安裝在上面的引線框，并且引線框被稱作可布設(shè)模制引線框(RtMLF)封裝。具體而言，根據(jù)本發(fā)明，RtMLF封裝可以無需單獨研磨過程制造，在研磨期間可以防止彎曲現(xiàn)象的出現(xiàn)。在半導(dǎo)體裸片的附接(S8)中，如圖2I中所說明，半導(dǎo)體裸片170附接到第一圖案層120'。也就是說，在半導(dǎo)體裸片的附接(S8)中，半導(dǎo)體裸片170的凸塊171使用焊料172電連接到第一圖案層120'。半導(dǎo)體裸片170可以使用焊料172而無需使用凸塊171電連接到第一圖案層120'。此處，第一圖案層120'和第二圖案層150可以經(jīng)受有機可焊接性防腐劑(organicsolderabilitypreservative，OSP)處理以防止第一圖案層120'和第二圖案層150發(fā)生氧化。作為一個實例，半導(dǎo)體裸片170可以通過質(zhì)量回流過程、熱壓縮過程或激光接合過程電連接到第一圖案層120'。焊料172可以由金屬材料制成，例如，錫/鉛(Pb/Sn)或無鉛Sn及其等效物，但本發(fā)明的各方面并不限于此。另外，半導(dǎo)體裸片170可以包括，例如，電路，例如，數(shù)字信號過程(digitalsignalprocess，DSP)、微處理器、網(wǎng)絡(luò)處理器、功率管理過程、音頻處理器、射頻(radiofrequency，RF)電路、無線基帶芯片上系統(tǒng)(system-on-chip，SoC)處理器、傳感器或?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC)。在半導(dǎo)體裸片的附接(S8)中，如圖2J中所說明，使用第二囊封物180囊封半導(dǎo)體裸片170并且傳導(dǎo)凸塊190形成于第二圖案層150上，由此根據(jù)本發(fā)明的實施例完成半導(dǎo)體封裝100。第二囊封物180從第一囊封物130的頂部部分完全囊封半導(dǎo)體裸片170以保護(hù)半導(dǎo)體裸片170免受外部沖擊和氧化。第二囊封物180可以由選自由一般熱可固化環(huán)氧模塑料、用于分配的室溫可固化軟膠頂部及其等效物組成的群組中的一個制成，但本發(fā)明的各方面并不限于此。另外，傳導(dǎo)凸塊190可包括(但不限于)：共熔焊料(例如，Sn37Pb)、具有高熔點的高鉛焊料(例如，Sn95Pb)、無鉛焊料(例如，SnAg、SnCu、SnZn、SnZnBi、SnAgCu和SnAgBi)，或其等效物。此外，下部凸塊金屬(underbumpmetal，UBM)可以形成于第二圖案層150上并且傳導(dǎo)凸塊190可以形成于UBM上。如上文所述，在根據(jù)本發(fā)明的實施例用于制造半導(dǎo)體封裝的方法中，可以形成半導(dǎo)體裸片170可以安裝在上面的引線框而無需單獨的研磨過程，方法是在框110上形成第一圖案層120和第一囊封130、穿過第一囊封130形成傳導(dǎo)通路140且形成電連接到傳導(dǎo)通路140的第二圖案層150。相應(yīng)地，制造過程可以得到簡化并且可以防止由研磨過程引起的彎曲由此改進(jìn)產(chǎn)品的可靠性。圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的流程圖并且圖4A到4C是說明圖3中說明的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的截面圖。參考圖3，根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法包括：形成框(S11)；形成第一圖案層(S12)；第一囊封(S13)；形成傳導(dǎo)通路(S14)；形成第二圖案層(S15)；形成第一焊接掩模(S16)；蝕刻(S17)；形成第二焊接掩模(S18)和附接半導(dǎo)體裸片(S19)?，F(xiàn)在將參考圖4A到4C描述圖3中說明的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法的各個步驟。形成框(S11)；形成第一圖案層(S12)；第一囊封(S13)；形成傳導(dǎo)通路(S14)；形成第二圖案層(S15)；形成第一焊接掩模(S16)以及蝕刻(S17)與如圖2A到2H中所說明的形成框(S1)；形成第一圖案層(S2)；第一囊封(S3)；形成傳導(dǎo)通路(S4)；形成第二圖案層(S5)；形成焊接掩模(S6)；蝕刻(S7)相同，并且將不會給出其詳細(xì)描述。為了彼此區(qū)分在焊接掩模的形成(S6)中覆蓋第二圖案層150的一部分的焊接掩模160與下文將描述的覆蓋第一圖案層120'的一部分的焊接掩模260，前者被定義為第一焊接掩模且后者被定義為第二焊接掩模。也就是說，在焊接掩模的形成(S6)中形成的焊接掩模160可以被稱作第一焊接掩模。在第二焊接掩模的形成(S18)中，如圖4A中所說明，第一圖案層120'的部分由第二焊接掩模260覆蓋。換句話說，第二焊接掩模260可以形成于第一囊封物130上并且可通過移除第二焊接掩模260的一部分暴露第一圖案層120'。第二焊接掩模260可以液體類型或膜類型形成。另外，第二焊接掩模260可以包括醇酸樹脂、丙烯酸酯環(huán)氧樹脂、甲基丙烯酸脂環(huán)氧樹脂和UV固化樹脂，但本發(fā)明的各方面并不限于此。在半導(dǎo)體裸片的附接(S19)中，如圖4B中所說明，半導(dǎo)體裸片170附接到第一圖案層120'。也就是說，在半導(dǎo)體裸片的附接(S19)中，半導(dǎo)體裸片170的凸塊171使用焊料172電連接到第一圖案層120'。半導(dǎo)體裸片170可以使用焊料172而無需使用凸塊171電連接到第一圖案層120'。此處，第一圖案層120'和第二圖案層150可以經(jīng)受有機可焊接性防腐劑(organicsolderabilitypreservative，OSP)處理以防止第一圖案層120'和第二圖案層150發(fā)生氧化。作為一個實例，半導(dǎo)體裸片170可以通過質(zhì)量回流過程、熱壓縮過程或激光接合過程電連接到第一圖案層120'。焊料172可以由金屬材料制成，例如，錫/鉛(Pb/Sn)或無鉛Sn及其等效物，但本發(fā)明的各方面并不限于此。另外，在半導(dǎo)體裸片的附接(S19)中，如圖4C中所說明，使用第二囊封物180囊封半導(dǎo)體裸片170并且傳導(dǎo)凸塊190形成于第二圖案層150上，由此根據(jù)本發(fā)明的另一實施例完成半導(dǎo)體封裝200。雖然已經(jīng)參考某些支持實施例描述了根據(jù)本發(fā)明的各種方面的用于制造半導(dǎo)體封裝的方法以及使用該方法制造的半導(dǎo)體封裝，但是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，本發(fā)明不限于所公開的特定實施例，而是本發(fā)明將包括落入所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)的所有實施例。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3