1.一種用于制造半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括：
形成第一引線框圖案；
通過囊封物囊封所述第一引線框圖案限定：
囊封物第一表面，其鄰近所述第一引線框圖案；以及
囊封物第二表面，其與所述囊封物第一表面相對(duì)；
形成從所述囊封物第二表面延伸到所述第一引線框圖案的導(dǎo)電通路；
在所述囊封物第二表面上形成第二引線框圖案，所述第二引線框圖案穿過所述導(dǎo)電通路耦合到所述第一引線框圖案；
蝕刻所述第一引線框圖案的一部分以形成蝕刻過的第一引線框表面，所述蝕刻過的第一引線框表面被配置成接收到半導(dǎo)體裸片的互連件；以及
以下項(xiàng)中的一個(gè)或兩個(gè)：
在所述囊封物第二表面上形成第一焊接掩模并且暴露所述第二引線框圖案的一部分；和/或
在所述囊封物第一表面上形成第二焊接掩模并且暴露所述蝕刻過的第一引線框表面的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：
所述導(dǎo)電通路包括填充有傳導(dǎo)材料的激光鉆孔通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：
所述第二引線框圖案與所述傳導(dǎo)通路同時(shí)形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：
穿過所述互連件將所述半導(dǎo)體裸片附接到所述蝕刻過的第一引線框表面；
其中所述互連件包括以下項(xiàng)中的一個(gè)或兩個(gè)：
金屬支柱；和/或
焊料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其進(jìn)一步包括：
在所述囊封物第一表面上并且圍繞所述半導(dǎo)體裸片提供模制囊封物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中：
所述模制囊封物囊封所述半導(dǎo)體裸片與所述蝕刻過的第一引線框表面之間的所述互連件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：
所述囊封物第一表面突出通過所述蝕刻過的第一引線框表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：
所述形成第一引線框圖案包括：
在由載體支撐的金屬框上形成所述第一引線框圖案；
以及
所述蝕刻所述第一引線框圖案包括：
移除所述載體和所述金屬框以暴露所述第一引線框圖案以用于蝕刻。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包括：
形成所述第二焊接掩模；
其中所述囊封物是模制化合物。
10.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：
襯底，其包括：
第一囊封物；
第一引線框圖案，其嵌入到所述第一囊封物的頂部表面中；
第二引線框圖案，其突出到所述第一囊封物的底部表面以下；以及
傳導(dǎo)通路，其將所述第一引線框圖案連接到所述第二引線框圖案；
半導(dǎo)體裸片，其安裝在所述襯底上并且電連接到所述第一引線框圖案；
第二囊封物，其位于所述第一囊封物上并且圍繞所述半導(dǎo)體裸片；以及
第一焊接掩模，其位于所述襯底下面并且暴露所述第二引線框圖案的一部分；
其中：
所述第一囊封物包括第一模制化合物層；
所述第二囊封物包括第二模制化合物層；
所述傳導(dǎo)通路的厚度從所述第二引線框圖案到所述第一引線框圖案減??；
所述半導(dǎo)體裸片通過傳導(dǎo)凸塊耦合到所述第一引線框圖案；以及
所述第二囊封物囊封所述半導(dǎo)體裸片與所述第一引線框圖案之間的所述傳導(dǎo)凸塊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其包括：
第二焊接掩模，其位于所述襯底上并且暴露所述第一引線框圖案的一部分以用于與所述半導(dǎo)體裸片耦合；
其中：
所述傳導(dǎo)通路包括填充有傳導(dǎo)材料的激光鉆孔通路；以及
所述第一囊封物突出通過所述第一引線框圖案的頂部表面。
12.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：
襯底，其包括：
非層合第一囊封物；
第一引線框圖案，其嵌入在所述第一囊封物中；
第二引線框圖案，其位于所述第一囊封物上；以及
傳導(dǎo)通路，其將所述第一引線框圖案電連接到所述第二引線框圖案；
半導(dǎo)體裸片，其安裝在所述襯底上并且電連接到所述第一引線框圖案；以及
以下項(xiàng)中的一個(gè)或兩個(gè)：
第一焊接掩模，其位于所述襯底下面并且暴露所述第二引線框圖案的一部分；和/或
第二焊接掩模，其位于所述襯底上并且暴露所述第一引線框圖案的一部分以用于與所述半導(dǎo)體裸片耦合。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其包括：
所述第一焊接掩模。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其包括：
所述第二焊接掩模。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其包括：
所述第一焊接掩模和第二焊接掩模。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其中：
所述第一囊封物包括模制化合物；以及
所述傳導(dǎo)通路包括填充有傳導(dǎo)材料的激光鉆孔通路。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其中：
所述傳導(dǎo)通路的厚度從所述第二引線框圖案到所述第一引線框圖案減小。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其進(jìn)一步包括：
第二囊封物，其位于所述第一囊封物上并且圍繞所述半導(dǎo)體裸片；
其中：
所述第一囊封物包括第一模制化合物層；以及
所述第二囊封物包括第二模制化合物層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝，其進(jìn)一步包括：
傳導(dǎo)凸塊，其將所述半導(dǎo)體裸片耦合到所述第一引線框圖案；
其中所述第二囊封物囊封所述半導(dǎo)體裸片與所述第一引線框圖案之間的所述傳導(dǎo)凸塊。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其進(jìn)一步包括：
所述第一囊封物突出通過所述第一引線框圖案的頂部表面。